JP2013068956A - 表示装置及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子に接続するTFTを複数個、少なくとも2つ設け、それぞれのTFTの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でTFTのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。
【選択図】図1
Description
また、その他の構成として、各画素に発光素子を設け、当該発光素子に流れる電流により光強度を制御することで映像を表示する方法も知られている。
これは、半導体領域とゲート電極の位置関係で適宜形成することが可能であり、図5で示す構成はその一例を示している。また、ここでは、半導体領域の配置によってキャリアのドリフト方向と結晶の成長方向を異ならせる態様を示したが、レーザーアニールにおけるビームのスキャン方向を変えることによって同様な効果を得ることができる。
ID=μC0W/L(VGS−VTH)2/2
発光素子の構成は、陽極/発光層/陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極/正孔注入層/発光層/陰極や、陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極等の順に積層した構造を有していても良い。有機化合物層は、低分子系有機化合物と高分子系有機化合物のどちらでも適用可能である。低分子系有機化合物の一例は、正孔注入層として銅フタロシアニン(CuPc)芳香族アミン系材料であるα−NPD(4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル)やMTDATA(4,4',4"-トリス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェニルアミン)、発光層としてトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq3)などが知られている。高分子有機発光材料では、ポリアニリンやポリチオフェン誘導体(PEDOT)などが知られている。
Claims (6)
- 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、容量素子と、を有する画素を有する表示装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザ光を照射し、前記非晶質半導体膜を第1の方向に沿って結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜を、第1乃至第3の領域を有する島状の結晶質半導体層に加工し、
前記第1の領域を第1のチャネル形成領域とする前記第1のトランジスタと、前記第2の領域を第2のチャネル形成領域とする前記第2のトランジスタと、前記第3の領域を一方の電極とする前記容量素子と、を形成し、
前記第1のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第1のチャネル形成領域のチャネル長方向は前記第1の方向であり、
前記第2のチャネル形成領域のチャネル長方向は前記第1の方向と交差する方向であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、容量素子と、を有する画素を有する表示装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザ光を照射し、前記非晶質半導体膜を第1の方向に沿って結晶粒界が延在した結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜を、第1乃至第3の領域を有する島状の結晶質半導体層に加工し、
前記第1の領域を第1のチャネル形成領域とする前記第1のトランジスタと、前記第2の領域を第2のチャネル形成領域とする前記第2のトランジスタと、前記第3の領域を一方の電極とする前記容量素子と、を形成し、
前記第1のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第1のチャネル形成領域において、キャリアは、前記第1の方向と平行に流れ、
前記第2のチャネル形成領域において、キャリアは、前記第1の方向と交差する方向に流れ、
前記第1の方向と交差する方向は、前記第1の方向とは前記結晶粒界の存在比率が異なることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記レーザ光を前記非晶質半導体膜に照射することで、前記第1の方向に沿って結晶粒を成長させることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記レーザ光は、連続発振レーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、容量素子と、を有する画素を有する表示装置であって、
基板上に島状の結晶質半導体層を有し、
前記島状の結晶質半導体層は、第1の領域と第2の領域と第3の領域とを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の領域に第1のチャネル形成領域を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の領域に第2のチャネル形成領域を有し、
前記容量素子は、前記第3の領域に前記容量素子の一方の電極を有し、
前記第1のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記島状の結晶質半導体層は、第1の方向に結晶粒が延在し、
前記第1のチャネル形成領域のチャネル長方向は前記第1の方向であり、
前記第2のチャネル形成領域のチャネル長方向は前記第1の方向と交差する方向であることを特徴とする表示装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、容量素子と、を有する画素を有する表示装置であって、
基板上に島状の結晶質半導体層を有し、
前記島状の結晶質半導体層は、第1の領域と第2の領域と第3の領域とを有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の領域に第1のチャネル形成領域を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の領域に第2のチャネル形成領域を有し、
前記容量素子は、前記第3の領域に前記容量素子の一方の電極を有し、
前記第1のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
前記島状の結晶質半導体層は、第1の方向に結晶粒界が延在し、
前記第1のチャネル形成領域において、キャリアは、前記第1の方向と平行に流れ、
前記第2のチャネル形成領域において、キャリアは、前記第1の方向と交差する方向に流れ、
前記第1の方向と交差する方向は、前記第1の方向とは前記結晶粒界の存在比率が異なることを特徴とする表示装置。
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