JP2013067609A - ビニレンジアミド錯体、その製造方法、チタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子等として有用なチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜を、低温で作製可能な方法、その原料錯体を提供する。
【解決手段】

（式中、Ｍはチタン原子又はケイ素原子を表す。Ｒ^１及びＲ^４はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基を表す。Ｒ^２及びＲ^３は水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ基又はジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基を表し、ＱはＣ_１〜Ｃ_３アルキル基で置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_６メチレン基を表す。）で示される錯体（１）と、酸素ガス、空気、オゾン、水、過酸化水素の一種類以上とを反応させて得られる製膜用材料。
【選択図】なし

Description

本発明は、チタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜製膜用材料の合成原料として有用なビニレンジアミド錯体、その製造方法、チタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜の作製方法に関する。

チタン酸化物やケイ素酸化物の薄膜は、チタン又はケイ素と酸素の組成比や結晶構造などの違いに基づき、多様な比誘電率や電気抵抗率などの電気的性質や、光透過率や屈折率などの光学的性質を示す。このためチタン酸化物膜やケイ素酸化物膜は半導体素子や光学素子などとして多くのデバイスに用いられ、今後もその産業上の有用性は更に高まるものと期待されている。チタン酸化物膜やケイ素酸化物膜を作製する手法としては、大別すると乾式法と湿式法の二つが挙げられる。乾式法には、スパッタリング法、イオンプレーティング、蒸着法、ＣＶＤ法などがあるが、これらの製膜方法では一般的に大型の真空装置を必要とする。湿式法には、ゾル−ゲル法、有機金属塗布分解法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ； ＭＯＤ法）などがある。湿式法によってチタン酸化物膜やケイ素酸化物膜を作製する場合、得られる酸化物膜の品質は、製膜用材料の種類、製膜温度に大きな影響を受ける。特許文献１にはフッ素原子で置換されていても良いアルキルオキシ基を有するチタン錯体、その製造方法及びそれを材料として用いるＣＶＤ法による酸化チタン薄膜の製造法が開示されている。しかし、特許文献１に記載されているチタン錯体は、無置換又はフッ素原子で置換されているアルキルオキシ基を有するもののみであり、本発明のビニレンジアミド錯体とは異なる。また特許文献１には、該チタン錯体を酸化剤と反応させることによって、湿式法による製膜に適した製膜用材料が得られるとの記載は一切無い。非特許文献１には、ｔｅｒｔ−ブトキシ基を有するＳｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（Ｏ^ｔＢｕ）_２とその合成方法が開示されているが、該ケイ素化合物をケイ素含有薄膜作製用の材料として用いることに関する記載は一切無い。また、該ケイ素化合物以外の誘導体に関する記述は一切ない。特許文献２には、炭素数１から３の無置換のアルキルオキシ基を有するジアザシラシクロペンテン誘導体、その合成方法及びそれを材料として用いるＣＶＤ法による酸化ケイ素薄膜の製造法が開示されている。しかし、特許文献２に記載されている誘導体は、無置換のアルキルオキシ基を有するもののみであり、本発明のビニレンジアミド錯体とは異なる。また特許文献２には、ジアザシラシクロペンテン誘導体を酸化剤と反応させることによって、湿式法による製膜プロセスに適した製膜用材料が得られるとの記載は一切無い。

特開２０１０−３０９８６号公報 特開２０１０−２６５２５７号公報

Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、第２３巻，６３３０ペ−ジ（２００４年）

ゾル−ゲル法には、再現性が悪い点、作製したチタン酸化物膜やケイ素酸化物膜の表面粗さが大きい点などの短所に加え、高い製膜温度を要するという短所がある。また、従来のＭＯＤ法では、チタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜作製用材料として室温の大気中では分解しないアルコキソ錯体などが用いられているが、これらを確実に熱分解させて有用性の高い酸化物膜を作製するためには高い製膜温度を要する。しかし、半導体素子や光学素子を製造する場合には、複数の異なる金属酸化物膜を積層するのが一般的であり、各層の間の相互拡散や剥離などのトラブルを防ぐためには、できるだけ低い温度で薄膜を作製することが求められるので、製膜時の基板温度は低い方が好ましい。また、近年は熱に弱い樹脂基板などの表面に金属酸化物膜を作製する技術の確立も強く求められている。すなわち、半導体素子や光学素子として有用なチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜を、できるだけ低い温度で作製することが可能な酸化物膜作製方法及び酸化物膜作製用材料が求められている。そして、この要望を満たすチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜作製用材料を製造するための合成原料となる錯体の開発が求められている。

本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、一般式（１）で示されるビニレンジアミド錯体が上記課題を解決する優れた錯体であることを見いだし、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、一般式（１）

（式中、Ｍはチタン原子、又はケイ素原子を表す。Ｒ^１及びＲ^４は各々独立にＣ_３〜Ｃ_１２アルキル基を表す。Ｒ^２及びＲ^３は各々独立に水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ基又はジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基を表し、ＱはＣ_１〜Ｃ_３アルキル基で置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_６メチレン基を表す。）で示されるビニレンジアミド錯体に関する。

また本発明は、一般式（２）

（式中、Ｍ、Ｑ及びＲ^５は、一般式（１）のＭ、Ｑ及びＲ^５と同意義を表す）で示されるテトラアルコキシドと、一般式（３）

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は一般式（１）のＲ^１〜Ｒ^４と同意義を表す。Ｍ^１はアルカリ金属原子を表す。）で示されるビニレンジアミドアルカリ金属塩を反応させることを特徴とする、一般式（１）で示されるビニレンジアミド錯体の製造方法に関する。

さらに本発明は、一般式（４）

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は一般式（１）のＲ^１〜Ｒ^４と同意義を表す。）で示されるビス（ジアルキルアミド）チタン錯体と、一般式（５）

（式中、Ｒ^５及びＱは、一般式（１）のＲ^５及びＱと同意義を表す。）で示されるアルコールを反応させることを特徴とする、一般式（１）のＭがチタン原子であるビニレンジアミド錯体の製造方法に関する。

また、本発明は、一般式（１）で示されるビニレンジアミド錯体を、酸素ガス、空気、オゾン、水及び過酸化水素からなる群から選ばれる一種類以上の酸化剤と反応させることにより製造されることを特徴とする製膜用材料に関する。

さらに本発明は、製膜用材料及び有機溶媒を含有する製膜用材料溶液を基板表面に塗布し、該基板を熱処理及び／又は紫外線照射処理することによりチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製する方法において、製膜用材料として、一般式（１）で示されるビニレンジアミド錯体を、酸素ガス、空気、オゾン、水及び過酸化水素からなる群から選ばれる一種類以上の酸化剤と反応させることにより製造される製膜用材料を用いることを特徴とする、チタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の作製方法に関する。

以下に本発明をさらに詳細に説明する。まず、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＱの定義について説明する。Ｒ^１及びＲ^４で表されるＣ_３〜Ｃ_１２アルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのものでも良い。具体的にはプロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、１，１−ジエチル−プロピル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、１，１−ジエチル−２−メチルプロピル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチル−１−プロピルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１−ジエチル−３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基、１−ブチル−１−プロピルペンチル基などを例示することができる。本発明のビニレンジアミド錯体（１）を収率よく合成できる点で、Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にＣ_３〜Ｃ_８アルキル基であることが好ましく、第二級又は第三級のＣ_３〜Ｃ_５アルキル基であることが更に好ましく、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であることが殊更好ましい。

Ｒ^２及びＲ^３は水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を示し、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのものでも良く、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基などを例示することができる。本発明のビニレンジアミド錯体（１）を収率よく合成できる点で、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立に水素原子、メチル基又はエチル基が好ましく、とりわけ水素原子であることが好ましい。

Ｒ^５で表されるＣ_１〜Ｃ_６アルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、シクロブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、１，１−ジメチルプロピルオキシ基（ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基）、１，２−ジメチルプロピルオキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基（ネオペンチルオキシ基）、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルブチルオキシ基、２，２−ジメチルブチルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などを挙げることができる。本発明のビニレンジアミド錯体（１）を収率よく合成できる点で、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ基が好ましく、特に好ましい例としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、シクロブチルオキシ基などを挙げることができる。

Ｒ^５で表されるジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、２つのＣ_１〜Ｃ_６アルキル基は同一でも異なっていてもよい。ジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基の例としては、ジメチルアミノ基、エチル（メチル）アミノ基、メチル（プロピル）アミノ基、イソプロピル（メチル）アミノ基、シクロプロピル（メチル）アミノ基、ブチル（メチル）アミノ基、イソブチル（メチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ基、シクロブチル（メチル）アミノ基、ペンチル（メチル）アミノ基、イソペンチル（メチル）アミノ基、メチル（ネオペンチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ペンチル（メチル）アミノ基、シクロペンチル（メチル）アミノ基、ヘキシル（メチル）アミノ基、シクロヘキシル（メチル）アミノ基、ジエチルアミノ基、エチル（プロピル）アミノ基、エチル（イソプロピル）アミノ基、シクロプロピル（エチル）アミノ基、ブチル（エチル）アミノ基、エチル（イソブチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ基、エチル（ペンチル）アミノ基、エチル（イソペンチル）アミノ基、エチル（ネオペンチル）アミノ基、エチル（ｔｅｒｔ−ペンチル）アミノ基、エチル（ヘキシル）アミノ基、シクロヘキシル（エチル）アミノ基、ジプロピルアミノ基、ブチル（プロピル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル（プロピル）アミノ基、ペンチル（プロピル）アミノ基、ヘキシル（プロピル）アミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチル（イソプロピル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチル（イソプロピル）アミノ基、ペンチル（イソプロピル）アミノ基、ヘキシル（イソプロピル）アミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジ（ｓｅｃ−ブチル）アミノ基、ジペンチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジ（シクロヘキシル）アミノ基などを挙げることができる。本発明のビニレンジアミド錯体（１）を収率よく合成できる点で、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル）アミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基が更に好ましい。

Ｑで表されるＣ_２〜Ｃ_６メチレン基としては、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基を挙げることができる。これらのメチレン基は、Ｃ_１〜Ｃ_３アルキル基で置換されていてもよい。該Ｃ_１〜Ｃ_３アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基を挙げることができる。本発明のビニレンジアミド錯体（１）を収率よく合成できる点で、Ｑはメチル基又はエチル基で置換されていてもよいエチレン基又はトリメチレン基であることが好ましい。

具体的な一般式（１）で示されるビニレンジアミド錯体としては、例えば（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−メチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−メチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−メチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−メチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（３−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（３−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（３−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（３−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−エチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−エチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−エチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−エチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミ
ド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシブチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシブチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシブチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシブチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−エトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−プロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−イソプロポキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２
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（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）シラン（Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）等が挙げられ、その中でもＴｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｓｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２等が好ましく、Ｔ
ｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２、Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２、Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２、Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２等が更に好ましい。（（^ｔＯｃｔは１，１，３，３−テトラメチルブチル基を示す。）。

次に、本発明のビニレンジアミド錯体（１）の製造方法について説明する。製造方法１は、下式に示したテトラアルコキシド（２）とビニレンジアミドアルカリ金属塩（３）との反応により、ビニレンジアミド錯体（１）を製造する方法である。

（式中、Ｍ、Ｑ及びＲ^１〜Ｒ^５は一般式（１）のＭ、Ｑ及びＲ^１〜Ｒ^５と同意義を表す。Ｍ^１はアルカリ金属原子を表す。）
製造方法１で用いられるテトラアルコキシド（２）としては、市販品をそのまま用いることができる。また、例えばＤ．Ｃ．Ｂｒａｄｌｅｙら著、「Ａｌｋｏｘｏ ａｎｄ Ａｒｙｌｏｘｏ Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ ｏｆ Ｍｅｔａｌｓ」、第１版、ＡＣＡＤＥＭＩＣ ＰＲＥＳＳ、４−５１ページ（２００１年）など公知文献に記載の方法に準じて製造したテトラアルコキシド（２）を用いることができる。

具体的なテトラアルコキシド（２）としては、例えばテトラキス（２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（２−エトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_４）、テトラキス（２−プロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_４）、テトラキス（２−イソプロポキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_４）、テトラキス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキソ）チタンＴｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_４）、テトラキス（１−メチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（３−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（１−エチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（２−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_４）、テトラキス（２−メトキシブチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_４）、テトラキス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_４）、テトラキス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４）、テトラキス（２−（ジエチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_４）、テトラキス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４）、テトラキス（２−メトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（２−エトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_４）、テトラキス（２−プロポキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_４）、テトラキス（２−イソプロポキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_４）、テトラキス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキシ）シランＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_４）、テトラキス（１−メチル−２−メトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（３−メトキシプロピルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（１−エチル−２−メトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、テトラキス（２−メトキシプロピルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_４）、テトラキス（２−メトキシブチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_４）、テトラキス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_４）、テトラキス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４）、テトラキス（２−（ジエチルアミノ）プロピルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_４）、テトラキス（２−（ジメチルアミノ）プロピルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４）などを挙げることが出来、その中でもＴｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_４）、Ｔｉ（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_４、Ｔｉ（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_３）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＥｔ）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＰｒ）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｉＰｒ）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_４、Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４等が好ましい。

ビニレンジアミドアルカリ金属塩（３）およびその合成原料であるＮ，Ｎ’−ジアルキル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（Ｒ^１Ｎ＝ＣＲ^２ＣＲ^３＝ＮＲ^４）は、例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、第１２０巻，１２７１４ページ（１９９８年）やＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、第３０１巻、１８３ページ（１９８６年）などに記載の方法に準じて製造することができる。アルカリ金属原子Ｍ^１としては、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子などを例示することができる。ビニレンジアミド錯体（１）の収率が良い点で、Ｍ^１はリチウム原子又はナトリウム原子であることが好ましく、リチウム原子が殊更好ましい。

具体的なビニレンジアミドアルカリ金属塩（３）としては、例えば（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−１，２−ビニレンジアミド）ジナトリウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−１，２−ビニレンジアミド）ジカリウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド）ジナトリウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド）ジカリウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド）ジナトリウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド）ジカリウム、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド）ジナトリウム、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド）ジカリウムなどを挙げることが出来、その中でも（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド）ジリチウム等が好ましい。

製造方法１は、ビニレンジアミド錯体（１）の収率が良い点で、不活性ガス雰囲気下で実施するのが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどを例示することができる。ビニレンジアミド錯体（１）の収率が良い点で、窒素又はアルゴン雰囲気下で製造方法１を実施するのが好ましい。

また製造方法１は、ビニレンジアミド錯体（１）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることができる有機溶媒としては、反応を阻害することがない有機溶媒であれば制限はない。用いることができる溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテルなどのエーテル溶媒などを例示することができ、これらを単独で用いても良く、二種類以上を任意の比率で混合して用いても良い。ビニレンジアミド錯体（１）の収率が良い点で、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル溶媒と、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素溶媒を混合して用いるのが好ましい。製造方法１では溶媒の使用量に特に制限はなく、適宜選択された量の溶媒を用いることにより収率良くビニレンジアミド錯体（１）を製造することができる。

テトラアルコキシド（２）とビニレンジアミドアルカリ金属塩（３）のモル比には制限はなく、テトラアルコキシドの転化率が良好である点で、テトラアルコキシド（２）：ビニレンジアミドアルカリ金属塩（３）のモル比が１：１から１：１．５の範囲内が好ましい。

製造方法１の反応温度及び反応時間には特に限定はなく、好ましくは−８０℃から２００℃、１０分から１２０時間の範囲の中から、更に好ましくは−２０℃から１２０℃、１時間から４８時間の範囲の中から適宜選択することによって、収率よくビニレンジアミド錯体（１）を製造することができる。

製造方法１によって製造したビニレンジアミド錯体（１）は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化などの一般的な精製方法を適宜選んで用いることにより精製することができる。

次に、製造方法２について説明する。製造方法２は、下式に示したビス（ジアルキルアミド）チタン錯体（４）とアルコール（５）との反応により、一般式（１）におけるＭがチタン原子であるビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）を製造する方法である。

（式中、Ｑ及びＲ^１〜Ｒ^５は一般式（１）のＱ及びＲ^１〜Ｒ^５と同意義を表す。Ｒ^６はＣ_１〜Ｃ_６アルキル基を表す。）
ビス（ジアルキルアミド）チタン錯体（４）は、特開２００７−１５３８７２号公報及び特開２０１１−８８８５１号公報に記載の方法に準じて製造することができる。Ｒ^６の定義について説明する。Ｒ^６で表されるＣ_１〜Ｃ_６のアルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基などを例示することができる。ビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）の収率が良い点で、メチル基又はエチル基が好ましい。

具体的な一般式（４）で示されるビス（ジアルキルアミド）錯体としては（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＮＭｅ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジエチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジエチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジエチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジエチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＮＥｔ_２）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（エチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＮＥｔＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（エチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＥｔＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（エチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＥｔＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（エチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＮＥｔＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ブチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＮＢｕＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ブチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＢｕＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ブチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＢｕＭｅ）_２）、（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ブチルメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＮＢｕＭｅ）_２）等が挙げられ、その中でもＴｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＭｅ_２）_２、Ｔｉ（^ｔＯｃｔＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＯｃｔ）（ＮＭｅ_２）_２等が好ましい。

一般式（５）で示されるアルコールとしては、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−プロポキシエタノール、２−イソプロポキシエタノール、２−ｔｅｒｔ−ブトキシエタノール、１−メチル−２−メトキシエタノール、３−メトキシプロパノール、３−エトキシプロパノール、４−メトキシブタノール、５−メトキシペンチルアルコール、６−メトキシヘキシルアルコール、１−エチル−２−メトキシエタノール、２−メトキシプロプロパノール、２−メトキシブタノール、３−メトキシブタノール、２−（ジエチルアミノ）エタノール、２−（ジメチルアミノ）エタノール、２−（ジエチルアミノ）プロパノール、２−（エチルメチルアミノ）エタノール、２−（ジイソプロピルアミノ）エタノール、２−（ジブチルアミノ）エタノール、２−（ジペンチルアミノ）エタノール、２−（ジヘキシルアミノ）エタノール、２−（ジメチルアミノ）プロパノール、４−ジメチルアミノブタノール、５−（ジメチルアミノ）ペンチルアルコール、６−（ジメチルアミノ）ヘキシルアルコール、１，１−ジメチル−２−メトキシエタノール、１，１−ジメチル−２−（ジメチルアミノ）エタノール、１，１−ジメチル−２−（ジエチルアミノ）エタノール等を例示することが出来、その中でも２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−プロポキシエタノール、２−イソプロポキシエタノール、２−ｔｅｒｔ−ブトキシエタノール、１−メチル−２−メトキシエタノール、３−メトキシプロパノール、３−エトキシプロパノール、１−エチル−２−メトキシエタノール、２−メトキシプロプロパノール、２−メトキシブタノール、２−（ジエチルアミノ）エタノール、２−（ジメチルアミノ）エタノール、２−（ジエチルアミノ）プロパノール、２−（ジメチルアミノ）プロパノール、１，１−ジメチル−２−メトキシエタノール、１，１−ジメチル−２−（ジメチルアミノ）エタノール等が好ましく、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、３−メトキシプロパノール、３−エトキシプロパノール、２−（ジメチルアミノ）エタノール、１，１−ジメチル−２−メトキシエタノール、１，１−ジメチル−２−（ジメチルアミノ）エタノール等が殊更好ましい。

また製造方法２は、ビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）の収率が良い点で、不活性ガス雰囲気下で実施するのが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどを例示することができる。ビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）の収率が良い点で、窒素又はアルゴン雰囲気下で製造方法２を実施するのが好ましい。

さらに製造方法２は、ビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることができる有機溶媒としては、反応を阻害することがない有機溶媒であれば制限はない。用いることができる溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテルなどのエーテル溶媒などを例示することができ、これらを単独で用いても良く、二種類以上を任意の比率で混合して用いても良い。ビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）の収率が良い点で、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素溶媒を単独で用いること又はヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素溶媒とテトラヒドロフランなどのエーテル溶媒を混合して用いることが好ましい。製造方法２では溶媒の使用量に特に制限はなく、適宜選択された量の溶媒を用いることにより収率良くビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）を製造することができる。

さらに製造方法２では、ビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）の収率が良い点で、ビス（ジアルキルアミド）チタン錯体（４）とアルコール（５）を、好ましくは１：１．８〜１：２．２の範囲のモル比、さらに好ましくは１：１．９〜１：２．１の範囲のモル比で反応させる。

製造方法２の反応温度及び反応時間には特に限定はなく、好ましくは−８０℃から１００℃、１０分から１２０時間の範囲の中から、更に好ましくは−７０℃から５０℃、１時間から２４時間の範囲の中から適宜選択することによって、収率よくビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）を製造することができる。

製造方法２によって製造したビニレンジアミドチタン錯体（１−Ｔｉ）は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化などの一般的な精製方法を適宜選んで用いることにより精製することができる。

次に、本発明の製膜用材料について説明する。本発明の製膜用材料は、一般式（１）で示されるビニレンジアミド錯体を、酸素ガス、空気、オゾン、水及び過酸化水素からなる群より選ばれる一種類以上の酸化剤と反応させることにより製造される製膜用材料である。

ビニレンジアミド錯体（１）と酸化剤との反応は、溶媒中または溶媒無のいずれでも実施することができる。有機溶媒中で実施する場合、用いることができる有機溶媒としては、反応に害を及ぼさないものであれば制限はなく、例えばペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタンなどのアルカン系溶媒、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼンなどのベンゼン系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−プロパンジオールジメチルエーテル、１，２−ブタンジオールジメチルエーテル、１，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ブタンジオールジメチルエーテル、２，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒などを示すことができる。これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の有機溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。

電気特性や光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物が得られる点で、アルカン系溶媒又はエーテル系溶媒が好ましい。有機溶媒の使用量には制限はなく、反応の時間効率が良い点でビニレンジアミド錯体（１）１０グラムに対して有機溶媒を２０ｍＬ以下用いるのが好ましく、１０ｍＬ以下用いるのが更に好ましい。

本発明の製造方法で用いることができる酸化剤としては、酸素ガス、空気、オゾン、水及び過酸化水素を挙げることができる。これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上を任意の比率で混合して用いても良い。ビニレンジアミド錯体（１）との反応の時間効率が良い点で、酸素ガス、空気または水を用いるのが好ましい。

ビニレンジアミド錯体（１）と酸化剤のモル比については、電気特性や光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化膜が得られる点で、ビニレンジアミド錯体（１）１モルに対して等モル以上の酸化剤を反応させるのが好ましい。酸化剤が酸素ガス又は空気の場合には、ビニレンジアミド錯体（１）１モルに対して５倍モル以上の酸素分子を反応させることが更に好ましい。

ビニレンジアミド錯体（１）と酸化剤を反応させるときには、必要に応じてヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素ガスなどの不活性ガスを反応雰囲気として用いることができる。不活性ガスを用いる場合であって、酸化剤が酸素ガスや空気などの気体のとき、酸化剤と不活性ガスの混合比には特に制限はなく、好ましくは酸化剤：不活性ガスの体積比を１：９９から９９：１の範囲、更に好ましくは２０：８０から８０：２０の範囲から適宜選んで用いることによって、電気特性や光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を製造することができる。

ビニレンジアミド錯体（１）と酸化剤の反応温度には特に制限はなく、ビニレンジアミド錯体（１）や酸化剤の種類に応じて適宜選択された温度で反応を実施することによって、製膜用材料を製造することができる。電気特性や光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を製造することができる点で、−３０℃から３５０℃の範囲が典型的な反応温度であり、０℃から１２０℃の範囲が好ましく、１０℃から８０℃の範囲が更に好ましい。

製造された製膜用材料は、必要に応じて濃縮、結晶化、抽出などの一般的な精製方法を用いることによって精製することも出来る。

電気伝導度などの電気特性や屈折率などの光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製することができる点で、ビニレンジアミド錯体（１）と酸化剤を反応させた後、分子内に２個以上の酸素原子を含むアルコールに溶解させて溶液させ、その後加熱することにより得られる製膜用材料であることが好ましい。

該アルコールとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、２−ジメチルアミノエタノール、２−ジエチルアミノエタノールなどのセルソルブ類、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，２−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２，５−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，２−オクタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，３−ノナンジオール、１，９−ノナンジオール、１，２−デカンジオール、１，１０−デカンジオール、２，７−ジメチル−３，６−オクタンジオール、２，２−ジブチル−１，３−プロパンジオール、１，２−ドデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、１，２−テトラデカンジオール、１，１４−テトラデカンジオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、２，４−ペンタンジオール、１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１−ヒドロキシメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシ−２−（３−ヒドロキシプロピル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシ−２−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１−ヒドロキシメチル−２−（３−ヒドロキシプロピル）ベンゼン、１−ヒドロキシ−２−（２−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，２−ベンジルジメチロール、１，３−ベンジルジメチロール、１，２−シクロヘキサンジオール，１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオールなどのジオール類、グリセリン、１，２，６−ヘキサントリオール、３−メチル−１，３，５−ペンタントリオールなどのトリオール類、及び１，３，５，７−シクロオクタンテトラオールなどのテトラオール類などを例示することができる。電気伝導度などの電気特性や屈折率などの光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製することができる点で、セルソルブ類が好ましく、エチレングリコールモノメチルエーテルが殊更好ましい。

本発明の製膜用材料溶液は、上記製膜用材料及び有機溶媒を含むことを特徴とする。

用いることができる有機溶媒としては、アルコール類、炭化水素類、エーテル類、ケトン類、カルボン酸及びエステル類を挙げることができる。

アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンンチルアルコール、シクロペンチルアルコール、ヘキサノール、シクロヘキシルアルコール、オクタノールなどのモノオール類や、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、２−ジメチルアミノエタノール、２−ジエチルアミノエタノールなどのセルソルブ類、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，２−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２，５−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，２−オクタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，３−ノナンジオール、１，９−ノナンジオール、１，２−デカンジオール、１，１０−デカンジオール、２，７−ジメチル−３，６−オクタンジオール、２，２−ジブチル−１，３−プロパンジオール、１，２−ドデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、１，２−テトラデカンジオール、１，１４−テトラデカンジオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、２，４−ペンタンジオール、１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１−ヒドロキシメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシ−２−（３−ヒドロキシプロピル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシ−２−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１−ヒドロキシメチル−２−（３−ヒドロキシプロピル）ベンゼン、１−ヒドロキシ−２−（２−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，２−ベンジルジメチロール、１，３−ベンジルジメチロール、１，２−シクロヘキサンジオール，１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオールなどのジオール類、グリセリン、１，２，６−ヘキサントリオール、３−メチル−１，３，５−ペンタントリオールなどのトリオール類、及び１，３，５，７−シクロオクタンテトラオールなどのテトラオール類などを例示することができる。

炭化水素類としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどを例示することができる。

エーテル類としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−プロパンジオールジメチルエーテル、１，２−ブタンジオールジメチルエーテル、１，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ブタンジオールジメチルエーテル、２，３−ブタンジオールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、酢酸２−メトキシエチル、酢酸３−メトキシプロピルなどを例示することができる。

ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルジイソプロピルケトン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルケトン、アセチルアセトン、ジアセチルなどを例示することができる。

カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸、シュウ酸などを例示することができる。

エステル類としては、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピルなどのギ酸エステル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピルなどの酢酸エステル、γ−ブチロラクトンなどの環状エステルなどを例示することができる。

また、これらの有機溶媒のうち、任意の二種類以上を任意の割合で混合して用いても良い。

基板に塗布する際の潤滑性が良い点で好ましい有機溶媒としては、エステル類及びアルコール類を挙げることができ、酢酸エステルやセルソルブ類が更に好ましく、酢酸エチルやエチレングリコールモノメチルエーテルが殊更好ましい。

また、製膜用材料の溶解性が良い点で、エーテル類及びケトン類が好ましく、テトラヒドロフラン、γ−ブチロラクトン又はプロピレングリコールモノメチルアセテートが殊更好ましい。

本発明の製膜用材料溶液には、必要に応じてレベリング剤、消泡剤、増粘剤、レオロジー調整剤などの調整剤を添加しても良い。

レベリング剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン、有機変性ポリシロキサン、アクリル樹脂、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、メタクリル酸イソプロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸イソブチル、メタクリル酸イソブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシルなどを例示することができる。

消泡剤としては、シリコーン、界面活性剤、ポリエーテル、高級アルコール、グリセリン高級脂肪酸エステル、グリセリン酢酸高級脂肪酸エステル、グリセリン乳酸高級脂肪酸エステル、グリセリンクエン酸高級脂肪酸エステル、グリセリンコハク酸高級脂肪酸エステル、グリセリンジアセチル酒石酸高級脂肪酸エステル、グリセリン酢酸エステル、ポリグリセリン高級脂肪酸エステル、ポリグリセリン縮合リシノール酸エステルなどを例示することができる。

増粘剤としては、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリエチレングリコール、ポリウレタン、水添加ヒマシ油、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸亜鉛、オクチル酸アルミニウム、脂肪酸アマイド、酸化ポリエチレン、デキストリン脂肪酸エステル、ジベンジリデンソルビトール、植物油系重合油、表面処理炭酸カルシウム、有機ベントナイト、シリカ、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸ソーダ、カゼイン、カゼイン酸ソーダ、キサンタンゴム、ポリエーテルウレタン変性物、ポリ（アクリル酸−アクリル酸エステル）、モンモリロナイトなどを例示することができる。

レオロジー調整剤としては、酸化ポリオレフィンアマイト、脂肪酸アマイド系、酸化ポリオレフィン系、ウレア変性ウレタン、メチレンジイソシアナト、トリメチレンジイソシアナト、テトラメチレンジイソシアナト、ヘキサメチレンジイソシアナト、ω，ω’ジプロピルエーテルジイソシアナト、チオジプロピルジイソシアナト、シクロヘキシル−１，４−ジイソシアナト、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアナト、１，５−ジメチル−２，４−ビス（イソシアナトメチル）ベンゼン、１，５−ジメチル−２，４−ビス（ω−イソシアナトエチル）ベンゼン、１，３，５−トリメチル−２，４−ビス（イソシアナトメチル）ベンゼン、１，３，５−トリエチル−２，４−ビス（イソシアナトメチル）ベンゼンなどを例示することができる。

製膜用材料溶液中の製膜用材料の濃度は、製膜用材料や有機溶媒の種類に応じて適宜選択される。例えば、有機溶媒がエチレングリコールモノメチルエーテルの場合、製膜用材料の濃度は任意であり、０．１ｗｔ％以上３３ｗｔ％以下の濃度であることがチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の厚みを制御しやすい点で好ましい。

また本発明の製膜用材料溶液は、一種類の製膜用材料を有機溶媒に溶解させて用いる以外に、二種類以上の製膜用材料を有機溶媒に溶解させて用いることができる。二種類以上の製膜用材料を用いることにより、光学特性の異なるチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の薄膜を作製することができる。

また本発明の製膜用材料溶液は、公知物質の製膜用材料溶液と共に用いることにより、複合酸化物の薄膜を作製することができる。例えば典型元素や遷移金属などとの複合酸化物を作製することが出来る。更に具体的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタノイド元素、アクチノイド元素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、炭素、ゲルマニウム、スズ、鉛、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、硫黄、セレン、テルル、ポロニウムなどを含有する複合酸化物の薄膜を作製することが出来る。チタンシリカート膜を作製することも可能であり、窒素原子やハロゲン原子を含有する薄膜を作製することも出来る。

チタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の作製方法について説明する。

チタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の作製方法は、製膜用材料溶液を基板表面に塗布し、該基板を熱処理及び／又は紫外線照射処理することにより作製する方法である。

製膜用材料溶液を基板の表面に塗布する方法としては、湿式法による薄膜作製プロセスにおいて一般的な方法を用いることができる。具体的には、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法、フローコーティング法、ロールコーティング法、カーテンコーティング法、バーコーティング法、超音波コーティング法、スクリーン印刷法、刷毛塗り、スポンジ塗りなどを例示することができる。コストメリットが高く、良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製できる点で、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法、バーコーティング法が好ましい。

本発明のチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の作製方法で用いることができる基板の種類は特に限定はなく、例えばポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、ポリエチレンナフタレートなどの樹脂基板、及びこれらを複合した複合樹脂基板を用いることができる。また、ガラス、石英、陶器等のセラミックス、ケイ素、各種金属、各種金属酸化物膜、及びこれらの複合材などの無機基板を用いることができる。樹脂基板と無機基板を組み合わせた複合基板を用いることもできる。

熱処理の温度には特に限定はなく、使用する基板の熱変形温度以下が好ましい。また本発明の作製方法を用いることによって、低い温度の熱処理でもチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製することが可能である。低い温度として具体的には２０℃以上１０００℃以下の範囲が好ましく、２０℃以上７００℃以下の範囲が更に好ましく、２０℃以上４００℃以下の範囲が更に好ましく、２０℃以上２００℃以下の範囲が殊更好ましい。

熱処理時間は特に限定はなく、必要十分な熱処理を施すことができる点で１分から５時間の範囲内が好ましく、１分から３０分の範囲内がさらに効率的で好ましい。

紫外線照射処理をする場合、その雰囲気には特に限定はなく、例えば空気、酸素ガス、窒素ガス、水素ガス、アルゴン、ネオン、ヘリウムなどのガスを雰囲気として用いることができる。これらのガスを雰囲気として用いずに、真空中で紫外線照射処理することもできる。紫外線の照射波長には特に限定はなく、好ましくは２００ｎｍから４００ｎｍの範囲から、更に好ましくは２５０ｎｍから４００ｎｍの範囲から、基板に影響を与えない波長を適宜選択することによって、電気特性や光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化膜を作製することができる。紫外線の照度は特に限定はなく、好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ^２以上、さらに好ましくは５００ｍＪ／ｃｍ^２以上である。なお、マスク基板を介して紫外線照射して得られたＩＶ族金属酸化物膜は、エッチングなどの後処理により解像度の高い細線パターンを形成することもできる。

熱処理と紫外線照射処理の両方を施す場合、その順序には特に限定はなく、電気特性や光学特性が良好なチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製することができる点で、紫外線照射処理を先に実施した後、熱処理を実施するのが好ましい。その時の紫外線の波長は２００ｎｍから４００ｎｍが好ましく、かつ熱処理の温度は２０℃以上２００℃以下が好ましい。

本発明のチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の作製方法によって、一層膜だけでなく二層膜以上の多層膜の作製も可能である。多層膜を作製するには、一層ずつ塗布して熱処理及び／又は紫外線照射処理する方法を繰り返す順次積層方法、及び塗布を繰り返して多層を形成した後、一度に熱処理及び／又は紫外線照射処理する積層方法とも可能である。

本発明によって作製されるチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜は、例えばタッチパネルなどの反射防止膜、太陽電池などの透明導電膜、ハードコート材、ガラス等の傷補修材、ガスバリア材、光触媒性部材などとして用いることができる。具体的な工業製品の例としては、テレビ、ラジオ、コンピュータ、あるいは携帯電話等の電化製品、建築用内外装材、車両、船舶、航空機等の内外装材、ガラス繊維、ガラス粉、板ガラス等の各種ガラス、車両、船舶、航空機などの窓部材、鏡、照明器具、タイル、医療機器、医療器具、医療用材料、衛星用品等に用いられる。

本発明のビニレンジアミド錯体（１）と、酸素ガス、空気、オゾン、水及び過酸化水素からなる群から選ばれる一種類以上の酸化剤とを反応させることによって製造される製膜用材料を用いることによって、低い温度の熱処理でもチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜を作製することができる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中では、Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、^ｉＰｒ、Ｂｕ、^ｉＢｕ、^ｓＢｕ、^ｔＢｕ、^ｔＰｅ及び^ｔＯｃｔは、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基及び１，１，３，３−テトラメチルブチル基（ｔｅｒｔ−オクチル基）を示す。なお全ての反応操作はアルゴンガス雰囲気下で実施した。

参考例−１
ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６３Ｍ，１０１ｍＬ，１６５ｍｍｏｌ）を−７０℃に冷却し、１，１−ジメチル−２−メトキシエタノール１７．２ｇ（１６５ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍＬを加えた後、室温で１３時間撹拌することにより、１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキシリチウム溶液を調製した。別のフラスコに四塩化チタンのトルエン溶液（１．０１Ｍ，４０．０ｍＬ，４０．４ｍｍｏｌ）を入れて０℃に冷却し、１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキシリチウム溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で２４時間撹拌した後、不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１２２℃，圧力１．２×１０^２Ｐａ）することにより、テトラキス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキシ）チタン（Ｔｉ（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）を無色液体として得た。収量１６．９ｇ（収率９１％）。^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ３．３１（ｓ，８Ｈ），３．２５（ｓ，１２Ｈ），１．４６（ｓ，２４Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ８２．６，８２．０，５９．３，２８．４。

実施例−１

Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（^ｉＰｒＮ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ^ｉＰｒ）１．８０ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１０ｍＬとヘキサン５ｍＬの混合物に溶かし、リチウム１８７ｍｇ（２６．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液を調製した。別のフラスコに参考例−１で得たＴｉ（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４５．６０ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１５ｍＬで希釈した溶液を調製して０℃に冷却し、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で７時間撹拌した後、クロロトリメチルシラン２．８０ｇ（２５．８ｍｍｏｌ）を加えて１０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１１５℃，圧力９．３×１０^１Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を濃赤色液体として得た。収量３．６９ｇ（収率７７％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５，８０（ｓ，２Ｈ），３．６０（ｓｅｐｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），３．２４（ｓ，４Ｈ），３．２１（ｓ，６Ｈ），１．４０（ｓ，１２Ｈ），１．２７（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，１２Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０５．６，８３．５，８０．９，５９．３，５６．８，２９．３，２５．８。

実施例−２

Ｎ，Ｎ’−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（^ｔＢｕＮ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ^ｔＢｕ）２．０５ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５ｍＬとヘキサン１５ｍＬの混合物に溶かし、リチウム１７８ｍｇ（２５．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液を調製した。別のフラスコに参考例−１で得たＴｉ（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４５．６０ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１５ｍＬで希釈した溶液を調製して０℃に冷却し、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で７時間撹拌した後、クロロトリメチルシラン２．６５ｇ（２４．４ｍｍｏｌ）を加えて１０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１１２℃，圧力１．２×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１，１−ジメチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を濃赤色液体として得た。収量４．９６ｇ（収率９６％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５，９４（ｓ，２Ｈ），３．８０−２．８０（ｂｒ，４Ｈ），３．２１（ｂｒ，ｓ，６Ｈ），２．００−０．９０（ｂｒ，１２Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０３．０，８３．４，８０．９（ｂｒ），５９．３，５７．５，３１．８，２９．３。

実施例−３

（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジメチルアミド）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２）４．１７ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら２−メトキシエタノール２．０９ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で４時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１２０℃，圧力１．３×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を濃赤色液体として得た。収量４．７３ｇ（収率９４％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ６．０１（ｓ，２Ｈ），４．３０−３．７０（ｂｒ，４Ｈ），３．３９（ｂｒ，ｓ，４Ｈ），３．１８（ｓ，６Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．３，７６．０，７１．９（ｂｒ），７６．０，５８．５，５８．４，３１．５。

実施例−４

Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２６．０１ｇ（１９．７ｍｍｏｌ）をヘキサン１５ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら１−メトキシ−２−プロパノール３．５７ｇ（３９．６ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で６時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１０７℃，圧力１．０×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−メチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨＭｅＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を濃赤色液体として得た。収量６．８７ｇ（収率８８％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５．９８（ｓ，２Ｈ），５．２０−３．９０（ｂｒ，２Ｈ），３．６０−３．１０（ｂｒ，４Ｈ），３．１９（ｓ，６Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ）、１．４０−１．１５（ｂｒ，６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．６，１０２．５３，１０２．４９，８０．２，７６．７（ｂｒ），５８．９，５８．０３，５７．９８，５７．９２，３１．６，２３．０。

実施例−５

（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（ジメチルアミド）チタンＴｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＭｅ_２）_２５．１０ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら３−メトキシプロパノール２．７７ｇ（３０．７ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１７時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１３４℃，圧力１．０×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（３−メトキシプロピルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を濃赤色液体として得た。収量５．４５ｇ（収率８４％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５．９１（ｓ，２Ｈ），５．００−３．６０（ｂｒ，４Ｈ），３．６０−３．３５（ｂｒ，４Ｈ），３．１６（ｓ，６Ｈ），２．２０−１．６０（ｂｒ，４Ｈ），１．５３（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．２４（ｓ，１２Ｈ），０．７９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．２，７０．６（ｂｒ），７０．０，６０．９，５８．７，３６．６，３５．５，２９．１（ｂｒ），９．２。

実施例−６

Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２６．０７ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）をヘキサン１５ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら２−（ジエチルアミノ）エタノール４．６８ｇ（４０．０ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１４時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１４３℃，圧力１．２×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジエチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＥｔ_２）_２）を濃赤色液体として得た。収量６．２０ｇ（収率６９％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ６．０２（ｓ，２Ｈ），５．３０−３．６０（ｂｒ，４Ｈ），２．７０（ｂｒ，４Ｈ），２．４９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，８Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），０．９９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１２Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．４，７２．５（ｂｒ），５８．２，５８．０，４８．５，３１．６，１２．９。

実施例−７

Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２３．８３ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）をヘキサン１８ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら１−メトキシ−２−ブタノール２．６２ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１８時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１２０−１２４℃，圧力１．２×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（１−エチル−２−メトキシエチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨＥｔＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を濃赤色液体として得た。収量３．９５ｇ（収率７４％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５．９８（ｓ，２Ｈ），４．８０−３．８０（ｂｒ，２Ｈ），３．６０−３．００（ｂｒ，４Ｈ），３．１９（ｓ，６Ｈ），１．８５−１．３５（ｂｒ，４Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），１．１３−０．９３（ｂｒ，６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．６２，１０２．５６，１０２．５１，７８．８，５９．０，５８．１，３１．５，２９．４３，２９．４０，１０．７。

実施例−８

Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＮＭｅ_２）_２４．１１ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら２−メトキシ−１−ブタノール２．８２ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１８時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１２４−１２７℃，圧力８．６×１０^１Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシブチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＭｅ）ＣＨ_２ＣＨ_３）_２）を濃赤色液体として得た。収量４．９７ｇ（収率８７％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ６．０１（ｓ，２Ｈ），４．８０−３．８０（ｂｒ，４Ｈ），３．５５−３．００（ｂｒ，２Ｈ），３．２９（ｓ，６Ｈ），１．８０−１．４５（ｂｒ，４Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ），０．９８（ｂｒ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．４，１０２．３，１０２．２，８４．６，５８．５，５７．４，３１．５，２４．５，１０．２。

実施例−９

Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＮＭｅ_２）_２５．５６ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２５ｍＬに溶かした溶液を−７０℃に冷却し、撹拌しながら２−（ジメチルアミノ）エタノール３．００ｇ（３３．７ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１４時間撹拌し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１４０℃，圧力８．０×１０^１Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキソ）チタン（Ｔｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）を濃赤色液体として得た。収量６．２２ｇ（収率８９％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５．９６（ｓ，２Ｈ），５．１０−３．４０（ｂｒ，４Ｈ），３．００−２．００（ｂｒ，４Ｈ），２．１７（ｓ，１２Ｈ），１．５７（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．２９（ｓ，１２Ｈ），０．８０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１０２．７，７１．８（ｂｒ），６１．０，４６．５，３６．９，２８．８（ｂｒ），９．３。

実施例−１０
アルゴン雰囲気下で、実施例３で得たＴｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２１．８３ｇ（５．００ｍｍｏｌ）及び磁気撹拌子を５０ｍＬシュレンク管に入れ、シュレンク管内を２Ｐａまで減圧した。酸素とアルゴンの混合ガス（酸素２０体積％）を充填した内容積５Ｌの風船をシュレンク管に接続し、シュレンク管内を酸素とアルゴンの混合ガスで満たした。シュレンク管に風船を接続したまま８０℃で６時間撹拌した。８０℃に加熱しながらシュレンク内を１０Ｐａまで減圧することにより、製膜用材料１を赤褐色固体として得た。収量１．３６ｇ。この製膜用材料１（１．３６ｇ）をエチレングリコールモノメチルエーテル５ｍＬに溶かし、シリンジフィルター（Ｍｉｌｌｐｏｒｅ社製 ＳＬＬＧＭ２５ＮＳ 孔径０．２０μｍ）を通して不溶物をろ別することにより、製膜用材料溶液Ｔｉ−０１を得た。

実施例−１１
アルゴン雰囲気下で、実施例９で得たＴｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２１．８３ｇ（４．３６ｍｍｏｌ）及び磁気撹拌子を５０ｍＬシュレンク管に入れ、シュレンク管内を２Ｐａまで減圧した。酸素とアルゴンの混合ガス（酸素２０体積％）を充填した内容積５Ｌの風船をシュレンク管に接続し、シュレンク管内を酸素とアルゴンの混合ガスで満たした。シュレンク管に風船を接続したまま８０℃で１６時間撹拌した。８０℃に加熱しながらシュレンク内を１０Ｐａまで減圧することにより、製膜用材料２を茶色固体として得た。収量８０２ｍｇ。この製膜用材料２（８０２ｍｇ）をエチレングリコールモノメチルエーテル７．５ｍＬに溶かし、シリンジフィルター（Ｍｉｌｌｐｏｒｅ社製 ＳＬＬＧＭ２５ＮＳ 孔径０．２０μｍ）を通して不溶物をろ別することにより、製膜用材料溶液Ｔｉ−０２を得た。

実施例−１２
アルゴン雰囲気下で、実施例２で得たＴｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＭｅ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２２．９６ｇ（７．０２ｍｍｏｌ）及び磁気撹拌子を５０ｍＬシュレンク管に入れ、シュレンク管内を２Ｐａまで減圧した。酸素とアルゴンの混合ガス（酸素２０体積％）を充填した内容積５Ｌの風船をシュレンク管に接続し、シュレンク管内を酸素とアルゴンの混合ガスで満たした。シュレンク管に風船を接続したまま８０℃で７２時間撹拌した。８０℃に加熱しながらシュレンク内を１０Ｐａまで減圧することにより、製膜用材料３を茶色固体として得た。収量１．４１ｇ。この製膜用材料３（１．３１ｇ）をエチレングリコールモノメチルエーテル１２ｍＬに溶かし、シリンジフィルター（Ｍｉｌｌｐｏｒｅ社製 ＳＬＬＧＭ２５ＮＳ 孔径０．２０μｍ）を通して不溶物をろ別することにより、製膜用材料溶液Ｔｉ−０３を得た。

参考例−２
ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６３Ｍ，１９０ｍＬ，３１０ｍｍｏｌ）を−７０℃に冷却し、２−メトキシエタノール２３．６ｇ（３１０ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン２０ｍＬを加えた後、室温で１２時間撹拌することにより、２−メトキシエチルオキシリチウム溶液を調製した。別のフラスコに四塩化ケイ素１２．８ｇ（７５．３ｍｍｏｌ）をヘキサン５０ｍＬで希釈した溶液を調製して−７０℃に冷却し、２−メトキシエチルオキシリチウム溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で９時間撹拌した後、不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１１０℃，圧力８．０×１０^１Ｐａ）することにより、テトラキス（２−メトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）を無色液体として得た。収量２２．５ｇ（収率９１％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ４．０２（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，８Ｈ），３．３７（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，８Ｈ），３．１３（ｓ，１２Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ７４．０，６３．４，５８．８。

参考例−３
ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６３Ｍ，１７２ｍＬ，２８０ｍｍｏｌ）を−７０℃に冷却し、２−ｔｅｒｔ−ブトキシエタノール３３．２ｇ（２８１ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍＬを加えた後、室温で１２時間撹拌することにより、２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキシリチウム溶液を調製した。別のフラスコに四塩化ケイ素１１．７ｇ（６８．９ｍｍｏｌ）をヘキサン５０ｍＬで希釈した溶液を調製して−７０℃に冷却し、２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキシリチウム溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で９時間撹拌した後、不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１５１℃，圧力８．８×１０^１Ｐａ）することにより、テトラキス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_４）を無色液体として得た。収量２５．７ｇ（収率７５％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ４．１３（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，８Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，８Ｈ），１．１２（ｓ，３６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ７２．７，６４．２，６３．４，２７．９。

参考例−４
ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６３Ｍ，２３０ｍＬ，３７５ｍｍｏｌ）を−７０℃に冷却し、３−メトキシプロパノール３３．８ｇ（３７５ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍＬを加えた後、室温で１２時間撹拌することにより、３−メトキシプロピルオキシリチウム溶液を調製した。別のフラスコに四塩化ケイ素１５．７ｇ（９２．４ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬで希釈した溶液を調製して−７０℃に冷却し、３−メトキシプロピルオキシリチウム溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１８時間撹拌した後、不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１２２℃，圧力１．０×１０^２Ｐａ）することにより、テトラキス（３−メトキシプロピルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４）を無色液体として得た。収量２６．４ｇ（収率７４％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ４．００（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，８Ｈ），３．３６（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，８Ｈ），３．１１（ｓ，１２Ｈ），１．８６（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，８Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ６９．５，６１．１，５８．６，３３．３。

参考例−５
Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋトラップを備えたフラスコにテトラメトキシシシラン２１．６ｇ（１４２ｍｍｏｌ）及び２−（ジメチルアミノ）エタノール６３．２ｇ（７０９ｍｍｏｌ）を入れ、１２０℃の油浴に浸けて２０時間撹拌した。この間、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋトラップを通じて、生成したメタノール１４．２ｇを回収した。その後、２−（ジメチルアミノ）エタノール１５．４ｇ（１７３ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃の油浴に浸けて１７時間撹拌した。反応溶液を減圧蒸留（留出温度１１９℃，圧力６．７×１０^１Ｐａ）することにより、テトラキス（２−（ジメチルアミノ）エチルオキシ）シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４）を無色液体として得た。収量３４．４ｇ（収率６４％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ４．０６（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，８Ｈ），２．５２（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，８Ｈ），２．１５（ｓ，２４Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ６２．６，６１．８，４６．３。
実施例−１３

参考例２で得たＮ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）５．１７ｇ（２６．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１０ｍＬとヘキサン３０ｍＬの混合物に溶かし、リチウム３８４ｍｇ（５５．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液を調製した。別のフラスコにＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４８．６５ｇ（２６．３ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬで希釈した溶液を調製し、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液をゆっくりと加えた。この混合液を６時間還流した後室温まで冷却し、クロロトリメチルシラン５．７２ｇ（５２．７ｍｍｏｌ）を加えて１２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１１９℃，圧力１．４×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−メトキシエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を淡黄色液体として得た。収量９．２１ｇ（収率９３％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５，７２（ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ），３．９３（ｍ，４Ｈ），３．３９（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，４Ｈ），３．１３（ｓ，６Ｈ），１．５６（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．３１（ｓ，１２Ｈ），０．９１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１１０．４，７４．０，６３．１，５８．９，５３．７，３５．４，２８．１，９．４。
実施例−１４

参考例３で得たＮ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）３．９１ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１０ｍＬとヘキサン３０ｍＬの混合物に溶かし、リチウム３３８ｍｇ（４８．７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液を調製した。別のフラスコにＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_４１１．５３ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬで希釈した溶液を調製し、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液をゆっくりと加えた。この混合液を２時間還流した後室温まで冷却し、クロロトリメチルシラン５．０４ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）を加えて６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１４０℃，圧力１．０×１０^２Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチルエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（^ｔＢｕＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＢｕ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ^ｔＢｕ）_２）を淡黄色固体として得た。収量８．６０ｇ（収率８６％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５，８１（ｓ，２Ｈ），３．９４（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），３．４７（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ），１．１０（ｓ，１８Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１１０．８，７２．７，６３．６，６３．２，５１．１，３０．９，２７．８。

実施例−１５

参考例５で得たＮ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）２．０９ｇ（１４．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１５ｍＬに溶かし、リチウム２１７ｍｇ（３１．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液を調製した。別のフラスコにＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_４５．６８ｇ（１４．９ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬで希釈した溶液を調製し、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で８時間撹拌した後、クロロトリメチルシラン３．２４ｇ（２９．８ｍｍｏｌ）を加えて１９時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１１２℃，圧力９．６×１０^１Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（２−ジメチルアミノエチルオキシ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２）を淡黄色液体として得た。収量４．２７ｇ（収率８３％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５，６８（ｓ，２Ｈ），３．９３（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），３．３８（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），２．４９（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），２．１３（ｓ，１２Ｈ），１．２５（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，１２Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１１２．８，６２．３，６１．８，４７．５，４６．４，２４．４。

実施例−１６

参考例４で得たＮ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）２．３８ｇ（１７．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶かし、リチウム２４３ｍｇ（３５．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液を調製した。別のフラスコにＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_４６．４０ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬで希釈した溶液を調製し、ビニレンジアミドアルカリ金属塩溶液をゆっくりと加えた。この混合液を室温で１４時間撹拌した後、クロロトリメチルシラン３．６２ｇ（３３．３ｍｍｏｌ）を加えて１０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留（留出温度１０９℃，圧力９．６×１０^１Ｐａ）することにより、（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミド−κ^２Ｎ，Ｎ’）ビス（３−メトキシプロピルオキシ）シラン（Ｓｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２）を淡黄色液体として得た。収量５．１４ｇ（収率８９％）。
^１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ５，６６（ｓ，２Ｈ），３．９０（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），３．３５（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），３．３４（ｓｅｐｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），３．０９（ｓ，６Ｈ），１．８５（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，４Ｈ），１．２２（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，１２Ｈ）．^１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）δ１１２．９，６９．６，６０．７，５８．６，４７．５，３３．２，２４．３。

実施例−１７
アルゴン雰囲気下で、実施例１５で得たＳｉ（^ｉＰｒＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｉＰｒ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＭｅ_２）_２２．１ｇ（６．０９ｍｍｏｌ）のトルエン２０ｍｌ溶液を調製した。この溶液に、酸素とアルゴンの混合ガス（酸素２０体積％ 巴商会社製）に接続したテフロン（登録商標）チューブを浸し、該混合ガスを流量１００ｍｌ／ｍｉｎで通気させ撹拌した。撹拌１２時間後、テフロン（登録商標）チューブの先端を前溶液から引き上げ、溶液温度を室温まで冷ました。その後冷ました容器を室温で減圧濃縮した後、８０℃に加熱しながら１０Ｐａまで減圧することにより、黒色液体１．２ｇを回収した。この黒色液体１．２ｇをアルゴン雰囲気下でエチレングリコールモノメチルエーテル３．７ｍＬに溶かし、シリンジフィルター（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ社製ＳＬＬＧＭ２５ＮＳ孔径０．２０μｍ）を通して不溶物をろ別することにより、製膜用材料溶液Ｓｉ−０１を得た。

実施例−１８
アルゴン雰囲気下で、実施例１３で得たＳｉ（^ｔＰｅＮＣＨ＝ＣＨＮ^ｔＰｅ）（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＭｅ）_２２．３ｇ（６．１４ｍｍｏｌ）のトルエン２０ｍｌ溶液を調製した。この溶液に、酸素とアルゴンの混合ガス（酸素２０体積％ 巴商会社製）に接続したテフロン（登録商標）チューブを浸し、該混合ガスを流量１００ｍｌ／ｍｉｎで通気させ撹拌した。撹拌１２時間後、テフロン（登録商標）チューブの先端を前溶液から引き上げ、溶液温度を室温まで冷ました。その後冷ました容器を室温で減圧濃縮した後、８０℃に加熱しながら１０Ｐａまで減圧することにより、薄い黄色液体１．２ｇを回収した。この薄い黄色液体１．２ｇをアルゴン雰囲気下でエチレングリコールモノメチルエーテル４．０ｍＬに溶かし、シリンジフィルター（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ社製ＳＬＬＧＭ２５ＮＳ孔径０．２０μｍ）を通して不溶物をろ別することにより、製膜用材料溶液Ｓｉ−０２を得た。

実施例−１９から３４
実施例１０から実施例１２、実施例１７及び実施例１８に示した方法で作製した製膜用材料溶液Ｔｉ−０１、Ｔｉ−０２、Ｔｉ−０３、Ｓｉ−０１及びＳｉ−０２を、それぞれ基板の表面にスピンコーティング法により塗布し、その基板を熱処理することによってチタン酸化物膜を作製した。得られたチタン酸化物膜の評価結果を表１に示す。膜厚および屈折率は、エリプソメーター（日本分光製ＭＥＬ−３０Ｓ）を用いて測定した波長３００〜８００ｎｍのスペクトルの多層膜解析をすることにより決定した。

表１に記載の回転条件は以下のとおりである：
Ａ 回転数２００ｒｐｍで１５秒処理した後、回転数１０００ｒｐｍで６０秒処理した。
Ｂ 回転数２００ｒｐｍで１５秒処理した後、回転数２０００ｒｐｍで６０秒処理した。
Ｃ 回転数５００ｒｐｍで１５秒処理した後、回転数２０００ｒｐｍで３０秒処理した。

Claims (24)

1. 一般式（１）
   

   

   （式中、Ｍはチタン原子、又はケイ素原子を表す。Ｒ^１及びＲ^４は各々独立にＣ_３〜Ｃ_１２アルキル基を表す。Ｒ^２及びＲ^３は各々独立に水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ基又はジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基を表し、ＱはＣ_１〜Ｃ_３アルキル基で置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_６メチレン基を表す。）で示されることを特徴とするビニレンジアミド錯体。
2. Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にＣ_３〜Ｃ_８アルキル基であり、Ｒ^２及びＲ^３が各々独立に水素原子、メチル基又はエチル基であり、Ｒ^５がＣ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基であり、Ｑがメチル基又はエチル基で置換されていてもよいエチレン基又はトリメチレン基であることを特徴とする請求項１に記載のビニレンジアミド錯体。
3. Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にイソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｒ^２及びＲ^３が水素原子であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のビニレンジアミド錯体。
4. 一般式（２）
   

   

   （式中、Ｍ、Ｑ及びＲ^５は、一般式（１）のＭ、Ｑ及びＲ^５と同意義を表す。）で示されるテトラアルコキシドと、一般式（３）
   

   

   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は一般式（１）のＲ^１〜Ｒ^４と同意義を表す。Ｍ^１はアルカリ金属原子を表す。）で示されるビニレンジアミドアルカリ金属塩を反応させることを特徴とする請求項１に記載のビニレンジアミド錯体の製造方法。
5. Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にＣ_３〜Ｃ_８アルキル基であり、Ｒ^２及びＲ^３が各々独立に水素原子、メチル基又はエチル基であり、Ｒ^５がＣ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基であり、Ｑがメチル基又はエチル基で置換されていてもよいエチレン基又はトリメチレン基であることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
6. Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にイソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｒ^２及びＲ^３が水素原子であることを特徴とする請求項４又は５に記載の製造方法。
7. 一般式（４）
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^４は一般式（１）のＲ^１及びＲ^４と同意義を表す。Ｒ^６はＣ_１〜Ｃ_６アルキル基を表す。）で示されるビス（ジアルキルアミド）チタン錯体と、一般式（５）
   

   

   （式中、Ｒ^５及びＱは一般式（１）のＲ^６及びＱと同意義を表す。）で示されるアルコールを反応させることを特徴とする、一般式（１）のＭがチタン原子である請求項１に記載のビニレンジアミド錯体の製造方法。
8. Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にＣ_３〜Ｃ_８アルキル基であり、Ｒ^２及びＲ^３が各々独立に水素原子、メチル基又はエチル基であり、Ｒ^５がＣ_１〜Ｃ_４アルコキシ基、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基であり、Ｑがメチル基又はエチル基で置換されていてもよいエチレン基又はトリメチレン基であることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
9. Ｒ^１及びＲ^４が各々独立にイソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｒ^２及びＲ^３が水素原子であることを特徴とする請求項７又は８に記載の製造方法。
10. 請求項１〜３のいずれかに記載のビニレンジアミド錯体を、酸素ガス、空気、オゾン、水及び過酸化水素からなる群から選ばれる一種類以上の酸化剤と反応させることにより製造されることを特徴とする製膜用材料。
11. 製膜用材料が、分子内に２個以上の酸素原子を含むアルコールに溶解させ、その後加熱することにより得られる製膜用材料であることを特徴とする請求項１０に記載の製膜用材料。
12. アルコールがセルソルブ類であることを特徴とする請求項１１に記載の製膜用材料。
13. セルソルブ類がエチレングリコールモノメチルエーテルであることを特徴とする請求項１２に記載の製膜用材料。
14. 請求項１０〜１２のいずれかに記載の製膜用材料及び有機溶媒を含むことを特徴とする製膜用材料溶液。
15. 有機溶媒がアルコール類であることを特徴とする請求項１４に記載の製膜用材料溶液。
16. アルコール類がエチレングリコールモノメチルエーテルであることを特徴とする請求項１５に記載の製膜用材料溶液。
17. 請求項１４〜１６のいずれかに記載の製膜材料溶液を基板表面に塗布し、該基板を熱処理及び／又は紫外線照射処理することを特徴とするチタン酸化物膜又はケイ素酸化物膜の作製方法。
18. 熱処理の温度が２０℃から４００℃であることを特徴とする請求項１７に記載の作製方法。
19. 熱処理の温度が２０℃から２００℃であることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の作製方法。
20. 照射する紫外線の波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載の作製方法。
21. 紫外線を照射した後、熱処理を行うことを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載の作製方法。
22. 波長が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である紫外線を照射した後、２０℃から２００℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする請求項１７〜２１のいずれかに記載の作製方法。
23. 塗布する方法が、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法、フローコーティング法、ロールコーティング法、カーテンコーティング法、バーコーティング法、超音波コーティング法、スクリーン印刷法、刷毛塗り及びスポンジ塗りのいずれかひとつの方法又は二つ以上を組み合わせた方法であることを特徴とする請求項１７〜２２のいずれかに記載の作製方法。
24. 塗布する方法がスピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法及びバーコーティング法のいずれかひとつの方法又は二つ以上を組み合わせた方法であることを特徴とする請求項１７〜２３のいずれかに記載の作製方法。