JP2013065854A - 少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法 - Google Patents
少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013065854A JP2013065854A JP2012201530A JP2012201530A JP2013065854A JP 2013065854 A JP2013065854 A JP 2013065854A JP 2012201530 A JP2012201530 A JP 2012201530A JP 2012201530 A JP2012201530 A JP 2012201530A JP 2013065854 A JP2013065854 A JP 2013065854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indicates
- disk
- drive
- machining
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 40
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000012217 deletion Methods 0.000 claims description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 67
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 22
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005068 cooling lubricant Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100023774 Cold-inducible RNA-binding protein Human genes 0.000 description 2
- 101000906744 Homo sapiens Cold-inducible RNA-binding protein Proteins 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000010720 hydraulic oil Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000416 hydrocolloid Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
- B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
- B24B47/12—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces by mechanical gearing or electric power
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Turning (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
【解決手段】加工物は、案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様にあり、2つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動され、一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において、上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部iの角速度ωi(t)は、2つの加工ディスクおよび案内ケージの停止にまで減じられ、すべての駆動部iの角速度ωi(t)は、この場合において、時間tの関数としてのすべての角速度ωi(t)の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から10%を越えて外れないように低減される。
【選択図】図2(B)
Description
この発明は、両面処理装置の回転する上側加工ディスクと回転する下側加工ディスクとの間の少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法に関する。加工物は案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様にあり、2つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動される。一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部iの角速度ωi(t)は、2つの加工ディスクおよび案内ケージの停止にまで減じられる。
近代産業におけるさまざまな製品は、非常に精密に処理されたウェハ型加工物を必要とする。これらは、たとえば、コンピュータ(ハードディスク)のための磁気大容量記憶装置の生産用基板としてガラスまたはアルミニウムからなる(寸法に関して狭い公差をあたえられた)非常に平坦で高純度の環状ウェハ、光起電セルなどの生産用の光学ガラス「フラット」、および半導体ウェハなどである。特に厳格な要件は、エレクトロニクス、マイクロエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロメカニクスに関連する機能構成要素用の出発原料として単結晶半導体ウェハからなり、したがって、その生産は、この発明およびそれが基く目的を示すために例として以下に用いられる。
結果的に、この発明は、バッチ間、および実際値と所望値との間の厚み偏差が低減される、公知の両面グループ処理法および特に対応する研削法の改善の目的に基づく。この場合、加工物間の小さな厚み偏差、および加工物内の小さな厚み偏差(2つの表面間の平面平行性)、ならびにさらに、先行技術に従って得られる加工物の十分な平坦性が、維持されなければならない。
この目的は、両面処理装置の回転する上側加工ディスクと回転する下側加工ディスクとの間の少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法によって達成され、加工物は案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様にあり、2つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動され、一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部iの角速度ωi(t)は、2つの加工ディスクおよび案内ケージの停止にまで減じられ、すべての駆動部iの角速度ωi(t)は、減速段階中において、時間tの関数としてのすべての角速度ωi(t)の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から10%、好ましくは5%を越えて外れないように低減される。
両面グループ処理法に従う半導体ウェハの厚みおよび平面平行性からなる上述の要件から進んで、以下の考察がこの発明に至った:
半導体ウェハの規定された端部厚みは、原則としては、処理中、および一旦目標厚みに到達すると、終了処理中の厚み測定によって、または時間の関数および対応する処理継続期間の定義としての材料除去の正確な知識によって、達成することができる。
Claims (11)
- 両面処理装置の回転する上側加工ディスクと回転する下側加工ディスクとの間の少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法であって、加工物は、案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様であり、2つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動され、一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において、上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部iの角速度ωi(t)は、2つの加工ディスクおよび案内ケージの停止まで減じられ、すべての駆動部iの角速度ωi(t)は、減速段階中において、時間tの関数としてのすべての角速度ωi(t)の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から10%を越えて外れないように低減される、方法。
- すべての駆動部iの角速度ωi(t)は、減速段階中において、時間tの関数としてのすべての角速度ωi(t)の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から5%を越えて外れないように低減される、請求項1に記載の方法。
- 加工ディスクはリング状であり、加工物に対して少なくとも1つの削除部を各々が有し、案内ケージの周囲に周方向に延在する歯部を各々が有する、少なくとも3つの円形の案内ケージが同時に用いられ、歯部は外側駆動輪および内側駆動輪内に係合し、それらは各場合において加工ディスクの回転軸に関して同心的に配置され、2つの駆動輪は案内ケージの駆動部を構成し、それによって、案内ケージは、加工ディスクの回転軸のまわりを同時の固有の回転で周方向に移動され、加工物は2つの加工ディスクに対して円形の軌道を描く、請求項1および2のいずれかに記載の方法。
- 加工ディスクは円形であり、全く1つの案内ケージが用いられ、それは、加工ディスクの全領域をカバーし、静止系において、各加工物に対して、加工物によっていつでも完全にカバーされるそれぞれの静止領域があるように軌道運動を行なうよう加工ディスクの周囲に構成されたガイドローラを偏心的に回転させることによって駆動される、請求項1および2のいずれかに記載の方法。
- 各駆動部iの角速度ωi(t)は
- 単位時間当たりの各駆動部iの角速度ωi(t)における変化の大きさは、減速プロセスの間において増大する、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 各駆動部iの角速度ωi(t)は
- 減速プロセスの継続期間tbrは最も大きな角運動量Li=Jiωi,0の駆動部iによって決定され、ωi,0は減速プロセスの開始での角速度を示し、
- 2つの加工ディスクによって加工物にかけられる圧力は、減速プロセス中に低減される、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 減速プロセスの終わりでの圧力は0より大きい、請求項9に記載の方法。
- 各加工ディスクは、固定的に接合された研摩材を含有する加工層をそれぞれ担持し、研摩材は、加工物との接触を通して、研削によって加工物からの材料除去を生じさせる、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011082857.5 | 2011-09-16 | ||
DE102011082857.5A DE102011082857B4 (de) | 2011-09-16 | 2011-09-16 | Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung wenigstens dreier Werkstücke |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013065854A true JP2013065854A (ja) | 2013-04-11 |
JP5589041B2 JP5589041B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=47751034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012201530A Expired - Fee Related JP5589041B2 (ja) | 2011-09-16 | 2012-09-13 | 少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8851958B2 (ja) |
JP (1) | JP5589041B2 (ja) |
KR (1) | KR101415380B1 (ja) |
CN (1) | CN102990504B (ja) |
DE (1) | DE102011082857B4 (ja) |
MY (1) | MY157578A (ja) |
SG (1) | SG188733A1 (ja) |
TW (1) | TWI515081B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106584227A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-04-26 | 大连液压件有限公司 | 工件单面加工装置及工艺 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62199354A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-03 | Kashio Denki Kk | 結晶板等の自動ラツプ仕上方法及びその装置 |
JPS62255063A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-06 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨方法及び装置 |
JP2000263402A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-26 | Systemseiko Co Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
JP2001025947A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Speedfam Co Ltd | 研磨機 |
JP2001308038A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3395494A (en) * | 1965-05-25 | 1968-08-06 | Leland T. Sogn | Lapping machine |
US3813828A (en) * | 1973-01-05 | 1974-06-04 | Westinghouse Electric Corp | Method for controlling finished thickness of planetary-lapped parts |
US4205489A (en) * | 1976-12-10 | 1980-06-03 | Balabanov Anatoly S | Apparatus for finishing workpieces on surface-lapping machines |
JPS57168109A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-16 | Shinetsu Eng Kk | Device for measuring thickness of work piece in lapping plate |
US4845900A (en) * | 1986-12-25 | 1989-07-11 | Kabushiki Kaisha Taihei Seisakusho | Method and apparatus for grinding straight-edged cutting tools to a fine finish |
US5733175A (en) * | 1994-04-25 | 1998-03-31 | Leach; Michael A. | Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher |
JP3369346B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2003-01-20 | ファナック株式会社 | 停電時制御装置 |
JP2850803B2 (ja) * | 1995-08-01 | 1999-01-27 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ研磨方法 |
US5958794A (en) * | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
WO1999065681A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Kline & Walker, Llc | Automated devices to control equipment and machines with remote control and accountability worldwide |
JPH11254308A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-21 | Fujikoshi Mach Corp | 両面研磨装置 |
DE10007390B4 (de) * | 1999-03-13 | 2008-11-13 | Peter Wolters Gmbh | Zweischeiben-Poliermaschine, insbesondere zur Bearbeitung von Halbleiterwafern |
US6299514B1 (en) * | 1999-03-13 | 2001-10-09 | Peter Wolters Werkzeugmachinen Gmbh | Double-disk polishing machine, particularly for tooling semiconductor wafers |
DE19937784B4 (de) * | 1999-08-10 | 2006-02-16 | Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh | Zweischeiben-Feinschleifmaschine |
US6210259B1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-04-03 | Vibro Finish Tech Inc. | Method and apparatus for lapping of workpieces |
KR100737879B1 (ko) * | 2000-04-24 | 2007-07-10 | 주식회사 사무코 | 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
US6709981B2 (en) * | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
US6527721B1 (en) * | 2000-09-13 | 2003-03-04 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Portable ultrasound system with battery backup for efficient shutdown and restart |
TWI295950B (en) * | 2002-10-03 | 2008-04-21 | Applied Materials Inc | Method for reducing delamination during chemical mechanical polishing |
JP4387706B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2009-12-24 | コマツ工機株式会社 | 研削加工装置及び研削加工方法 |
DE102005046726B4 (de) * | 2005-09-29 | 2012-02-02 | Siltronic Ag | Nichtpolierte monokristalline Siliziumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102007013058B4 (de) * | 2007-03-19 | 2024-01-11 | Lapmaster Wolters Gmbh | Verfahren zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben |
DE102007056627B4 (de) | 2007-03-19 | 2023-12-21 | Lapmaster Wolters Gmbh | Verfahren zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben |
DE102007049811B4 (de) | 2007-10-17 | 2016-07-28 | Peter Wolters Gmbh | Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
JP2009302410A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
US8779912B2 (en) * | 2008-09-02 | 2014-07-15 | Cadec Global, Inc. | System and method for immobilizing a vehicle |
DE102008058638A1 (de) | 2008-11-22 | 2010-05-27 | Peter Wolters Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer Doppelseitenschleifmaschine sowie Doppelseitenschleifmaschine |
JP4809488B1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-11-09 | ファナック株式会社 | 任意区間で速度変更が可能な揺動動作機能を有する数値制御装置 |
-
2011
- 2011-09-16 DE DE102011082857.5A patent/DE102011082857B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-04 US US13/602,436 patent/US8851958B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-04 MY MYPI2012003957A patent/MY157578A/en unknown
- 2012-09-04 SG SG2012065496A patent/SG188733A1/en unknown
- 2012-09-10 KR KR1020120099765A patent/KR101415380B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-13 JP JP2012201530A patent/JP5589041B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-14 CN CN201210341971.3A patent/CN102990504B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-14 TW TW101133646A patent/TWI515081B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62199354A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-03 | Kashio Denki Kk | 結晶板等の自動ラツプ仕上方法及びその装置 |
JPS62255063A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-06 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨方法及び装置 |
JP2000263402A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-26 | Systemseiko Co Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
JP2001025947A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Speedfam Co Ltd | 研磨機 |
JP2001308038A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102990504B (zh) | 2015-04-01 |
SG188733A1 (en) | 2013-04-30 |
US20130072093A1 (en) | 2013-03-21 |
KR101415380B1 (ko) | 2014-07-04 |
JP5589041B2 (ja) | 2014-09-10 |
TWI515081B (zh) | 2016-01-01 |
US8851958B2 (en) | 2014-10-07 |
DE102011082857A1 (de) | 2013-03-21 |
TW201313387A (zh) | 2013-04-01 |
DE102011082857B4 (de) | 2020-02-20 |
MY157578A (en) | 2016-06-30 |
KR20130030207A (ko) | 2013-03-26 |
CN102990504A (zh) | 2013-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7867059B2 (en) | Semiconductor wafer, apparatus and process for producing the semiconductor wafer | |
JP4730844B2 (ja) | 複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法および半導体ウェハ | |
JP4921430B2 (ja) | 半導体ウェハを研削する方法 | |
SG178470A1 (en) | Method for producing a semiconductor wafer | |
WO2019146336A1 (ja) | 単結晶4H-SiC成長用種結晶及びその加工方法 | |
TW201822955A (zh) | 一種矽片研磨裝置及其研磨方法 | |
WO2015059868A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP5697368B2 (ja) | 両面で半導体ウェハを化学的に研削する方法 | |
JP5589041B2 (ja) | 少なくとも3つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法 | |
US8430717B2 (en) | Dynamic action abrasive lapping workholder | |
US20150266155A1 (en) | Method for producing polished-article | |
JPH1158208A (ja) | ワイヤソ−用ボビン | |
JP2006026751A (ja) | 研削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5589041 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |