JP2013063576A - モールドの製造方法および磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態のモールドの製造方法は,第1の高分子に親和な基板上に,第2の高分子に対して親和な第1の層を形成する工程と,第1の層に,第1,第2の開口を形成する工程と,第2の開口内にレジストを充填,硬化する工程と,ブロックコポリマーを含む第2の層を形成,自己組織化する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
しかしながら,微細かつ高密度な磁性ドットを有する磁性領域と,磁性ドットを有しない非磁性領域と,を高精度で形成するのは,必ずしも容易でない。
図1は,一実施形態に係るモールドMの製造手順を表すフロー図である。図2A〜図2Lは,図1に示す手順で製造されるモールドMの状態を表す断面図である。図3A〜図3Dは,図1に示す手順で製造されるモールドMの状態を表す斜視図である。図4A〜図4Cは,モールドMを用いる磁気記録媒体の製造手順を表す図である。
モールド基材11上にケミカルガイド層12を形成する。モールド基材11は,モールドMを形成するための素材である。後述のように,ジブロックコポリマーBPの自己組織化を用いて,ドット(微小な突起)111を有するモールドMが形成される(図2L参照)。
なお,モールド基材11の表面が,第1のポリマーP1に対して,第2のポリマーP2より親和性を有する材料から構成されれば良い。
なお,ケミカルガイド層12の表面が,第2のポリマーP2に対して,第1のポリマーP1より親和性を有する材料から構成されれば良い。
ケミカルガイド層12をパターニングする。即ち,ケミカルガイド層12に,第1,第2の開口121,122を形成する。なお,図3Aは,後述のマスクレジスト層13を除外した状態を表している。
ケミカルガイド層12にマスクレジスト層13を形成する。マスクレジスト層13として,例えば,アクリル系フォトポリマー,エポキシ系フォトポリマー,ノボラック系,PMMA系,PVA(polyvinyl alcohol)系の樹脂材料を適用できる。
マスクレジスト層13にインプリントモールドM0を押し当てる。
インプリントモールドM0を押し当てた状態で,マスクレジスト層13を硬化する。この結果,マスクレジスト層13がインプリントモールドM0に対応する形状にパターニングされる。例えば,紫外線の照射,冷却,または加圧により,マスクレジスト層13を硬化する。
冷却によりマスクレジスト層13を硬化する場合,マスクレジスト層13の材料として,熱可塑性樹脂が用いられる。加熱して軟化した状態のマスクレジスト層13にレプリカモールドM1を押しつけ,その後,マスクレジスト層13を冷却して,硬化させる。
加圧によりマスクレジスト層13を硬化する場合,マスクレジスト層13の材料に溶媒が添加される。マスクレジスト層13を加圧することで,マスクレジスト層13中から溶媒が押し出され,レジスト層22が硬化される。
パターニングされたマスクレジスト層13をマスクとして,ケミカルガイド層12を加工する。ケミカルガイド層12を,例えば,酸素プラズマによりドライエッチングする。この結果,ケミカルガイド層12に第1,第2の開口121,122が形成される。
1)モールド基材11上への物理ガイド14の形成(図2F)。
第2の開口122に物理ガイド14用のレジスト(ガイドレジスト)の溶液を流し込む。この流し込みに,例えば,スピンコート法,ディップ法,インクジェット法を利用できる。スピンコート法では,モールド基材11を回転させて,ガイドレジストの溶液を滴下する。ディップ法では,ガイドレジストの溶液中にモールド基材11を浸漬する。インクジェット法では,モールド基材11に近接して配置されたノズルの微細な開口からガイドレジストの溶液を噴出させる。
物理ガイド14の形成後に,マスクレジスト層13をウエットエッチングで除去する。この除去にドライエッチングを用いた場合,ケミカルガイド層12に好ましくない影響を及ぼす可能性がある。即ち,ケミカルガイド層12がエッチングされる可能性がある。あるいは,ケミカルガイド層12がその化学的特性を失う可能性がある(例えば,第2のポリマーP2に対する親和性が失われる)。ウエットエッチングの溶液は,マスクレジスト層13(マスクレジスト)を溶解し,かつ物理ガイド14(ガイドレジスト)を溶解しないように選択される。
ジブロックコポリマー層15を形成する。このために,物理ガイド14間(並びにケミカルガイド層12上)に,液状のジブロックコポリマーBP(望ましくはPS−PDMS,その他,PS−PMMA,PMMA−PMAPOSS,PS−PEOなど)を流し込む。
ジブロックコポリマーBPをアニールする。この結果,ジブロックコポリマー層15が,ポリマーP1,P2に分離されたジブロックコポリマー層15aに変化する。ポリマーP1(例えば,PDMS)のドット151の列が形成され,その周りをポリマーP2が取り囲む。既述のように,このドット151の列は,第1の開口121(ケミカルガイド)に対応して,配列される。
物理ガイド14を,例えば,酸素(O2)プラズマを用いたドライエッチングにより除去する。物理ガイド14が除去された領域にはドット151(もしくはシリンダー)が存在しない。既述のように,この領域は,例えば,磁気記録媒体の非磁性領域に対応する。
ポリマーP1(例えば,PDMS)のドット151をマスクとして,モールド基材11を加工する。この加工に,例えば,CF4のドライエッチングを利用できる。この結果,ドット151に対応するドット111が形成される(図2K参照)。
冷却によりレジスト層22を硬化する場合,レジスト層22の材料として,熱可塑性樹脂が用いられる。加熱して軟化した状態のレジスト層22にレプリカモールドM1を押しつけ,その後,レジスト層22を冷却して,硬化させる。
加圧によりレジスト層22を硬化する場合,レジスト層22の材料に溶媒が添加される。レジスト層22を加圧することで,レジスト層22中から溶媒が押し出され,レジスト層22が硬化される。
この中でも,紫外線の照射を用いる手法が,より微細なパターンを正確に転写できる点で好ましい(UVインプリント法)。
図7は,本実施形態のビットパターンド型磁気記録媒体(BPM)を用いた磁気記録再生装置300の構成図である。
11 モールド基材
111 ドット
12 ケミカルガイド層
121,122 開口
13 マスクレジスト層
14 物理ガイド
15 ジブロックコポリマー層
15a ジブロックコポリマー層
151,152 ドット
Claims (8)
- 第1の高分子に対して第2の高分子より大きな親和性を有する基板上に,前記第2の高分子に対して前記第1の高分子より大きな親和性を有する第1の層を形成する工程と,
前記第1の層に,第1の開口と,この第1の開口よりサイズが大きい第2の開口と,を形成する工程と,
前記第2の開口内にレジストを充填,硬化する工程と,
前記第1の開口内および前記第1の層上に,前記第1及び第2の高分子を有するブロックコポリマーを含む第2の層を形成する工程と,
前記ブロックコポリマーを自己組織化して,前記第1の開口に対応して配置され,かつ前記第1の高分子を含むドット列を形成する工程と,
前記硬化されたレジストを除去する工程と,
前記ドット列をマスクとして,前記基板を加工して,前記ドット列に対応する形状を有する第1の領域と,前記第2の開口に対応する,平坦な第2の領域と,を有するモールドを形成する工程と,
前記第1,第2の層を除去する工程と,
を具備することを特徴とするモールドの製造方法。 - 前記第1の開口のサイズが,15nm以下であり,
前記レジストが24000以上で60000以下の分子量の高分子を有する,または前記レジストが,1500mPa・s以上で10000mPa・s以下の粘度を有する
ことを特徴とする請求項1記載のモールドの製造方法。 - 前記第2の開口のサイズが,前記第1の開口のサイズの4倍以上である
ことを特徴とする請求項2に記載のモールドの製造方法。 - 前記第1,第2の開口を形成する工程が,
前記第1の層上に,第2のレジストの層を形成する工程と,
前記第1,第2の開口に対応する形状となるように,前記第2のレジストの層を加工する工程と,
前記加工された前記第2のレジストの層をマスクとして,前記第1の層をエッチングして,前記第1,第2の開口を形成する工程と,を有し,
前記レジストを充填,硬化する工程の後に,前記加工された前記第2のレジストの層を除去する工程をさらに具備する
請求項1乃至3のいずれか1項に記載のモールドの製造方法。 - 前記第2のレジストの層を加工する工程が,
前記第2のレジストの層に,前記第1,第2の開口に対応する第1,第2の突起を有するモールドを押し当てる工程と,
前記モールドが押し当てられた,前記第2のレジストの層を硬化する工程と,を有する
請求項4記載のモールドの製造方法。 - 前記第2のレジストの材料は,ノボラック系,PMMA系,またはPVA系であることを特徴とする請求項4または5に記載のモールドの製造方法。
- ウエットエッチングによって,前記第2のレジストの層を除去する工程
をさらに具備することを特徴とする請求項6記載のモールドの製造方法。 - 磁性膜を有する基板上にレジストの層を形成する工程と,
前記レジストの層に,請求項1記載の製造方法で製造されたモールドまたはこのモールドから複製されたモールドを押し当てる工程と,
前記モールドが押し当てられた,前記レジストの層を硬化して,パターン化する工程と,
前記パターン化されたレジストの層を用いて,前記第1の領域に対応し,磁性ドットの列が配置される磁性領域と,前記第2の領域に対応する非磁性領域と,を有する磁気記録媒体を形成する工程と,
を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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