JP2013032960A

JP2013032960A - コンデンサの絶縁抵抗測定装置およびコンデンサの絶縁抵抗測定方法

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Publication number: JP2013032960A
Application number: JP2011168917A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Shimizu; 隆弘清水; Goro Takeuchi; 悟朗竹内
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2011-08-02
Filing date: 2011-08-02
Publication date: 2013-02-14
Anticipated expiration: 2031-08-02
Also published as: JP5855382B2

Abstract

【課題】測定コストの上昇の抑制とハムノイズの除去とを行いつつ、充電状態を揃えて絶縁抵抗を測定する。
【解決手段】ｍ個のコンデンサ１１に試験電圧Ｖを同時に印加する電圧出力部２と、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉを検出して検出信号ＳＩを出力する電流検出部３と、各検出信号ＳＩの１つを選択して特定検出信号ＳＩｓとして出力する信号切替部４と、特定検出信号ＳＩｓの波形データＤｗを出力する１つのＡ／Ｄ変換部６と、波形データＤｗで示される電流値と試験電圧Ｖとから各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを算出する処理部６とを備え、処理部６は、信号切替部４を切替制御して、（Ｔｃ×ｍ／ｎ）以上であるＴｃの最小の倍数を時間ｋとしたときに、ｎ個のポイントの時間間隔が（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）となり、各検出信号ＳＩの１個目のポイントがすべて異なる時間で、かつ期間（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）内に含まれるように信号切替部４を制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加すると共に、各コンデンサに流れる電流を検出し、検出した各電流の電流値および試験電圧の電圧値に基づいて、各コンデンサの絶縁抵抗を測定するコンデンサの絶縁抵抗測定装置およびコンデンサの絶縁抵抗測定装置に関するものである。

コンデンサの絶縁抵抗を測定する方法として、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充電された後のコンデンサの漏れ電流（充電電流）を測定する方法が知られており、この方法の一つとして、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方法が知られている。この測定方法は、下記特許文献１の従来の技術に記載されているように、コンデンサが十分に充電された状態での電流値を測定する必要があるため、コンデンサ１個当たりの測定時間が長くなるという課題が存在していた。

この課題を解決するため、下記特許文献１には、測定方法自体は同じであるが、この測定方法を複数のコンデンサに同時に適用することにより、つまり、複数のコンデンサに対して同時に充電（予備充電）と絶縁抵抗測定とを行うことにより、単位時間当たりのコンデンサの測定時間を短縮するバッチ方式による絶縁抵抗の測定方法が開示されている。

特開平１０−２２７８２１号公報（第２頁）

ところが、上記したバッチ方法によるコンデンサの絶縁抵抗測定方法には、以下の解決すべき課題が存在している。すなわち、このコンデンサの絶縁抵抗測定方法には、予備充電された複数のコンデンサの絶縁抵抗を同時に測定するため、複数のコンデンサに流れる電流（絶縁抵抗を流れる漏れ電流）を同時に測定するための多数の電流測定装置が必要になり（例えば、電流測定装置が、検出抵抗などで構成されて電流を検出すると共に電圧に変換して出力する電流検出部、電流検出部から出力される電圧をサンプリングして波形データに変換して出力するＡ／Ｄ変換部、および波形データに基づいて電流値を算出する処理部を備える構成のときには、Ａ／Ｄ変換部および処理部が多数必要になり）、測定コストが上昇するという解決すべき課題が存在している。

一方、この課題を解決するため、１つの電流測定装置を切替回路を介して複数のコンデンサに接続し、切替回路を作動させてコンデンサを１つずつ電流測定装置に接続することにより、各コンデンサに流れる電流を順次測定することで、使用する電流測定装置の数を減らして測定コストの上昇を抑制する測定方法も考えられる。

ところで、コンデンサに流れる電流にハムノイズ（商用電源の周波数（商用周波数）と同じ周波数の正弦波状のノイズ）が重畳する場合があり、このハムノイズを除去（キャンセル）してこの電流を測定するためには、ハムノイズが重畳することによって正弦波状の信号波形となる電流について、商用周波数の１周期の期間内において複数ポイントの電流値を測定する必要がある。

しかしながら、切替回路を作動させてコンデンサを１つずつ１つの電流測定装置に接続しつつ各コンデンサに流れる電流を順次測定する上記の絶縁抵抗測定方法に、コンデンサ毎に複数ポイントの電流値を測定する構成を適用してなる新たな絶縁抵抗測定方法では、複数のコンデンサのうちの最初に電流値を測定したコンデンサの電流測定時刻と、最後に電流値を測定したコンデンサの電流測定時刻とが大きく相違する状態が発生する場合がある。この場合、充電は同時に開始されることから、充電の開始から電流の測定開始（または測定完了）までに要する時間が特に最初のコンデンサと最後のコンデンサとで大きく相違する状態、すなわち、充電状態が大きく相違する状態となる。このため、同一のコンデンサであってもこのように充電状態が相違する状態で測定される電流の電流値には差異が生じ、この結果として、測定される絶縁抵抗にも差異が生じる。

したがって、充電状態が大きく相違する状態で電流を測定することになる上記の新たなコンデンサの絶縁抵抗測定方法には、測定コストの上昇の抑制とハムノイズの除去とを行えるものの、充電状態が揃った状態での絶縁抵抗の測定が行えないという解決すべき新たな課題が存在している。

本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、測定コストの上昇の抑制とハムノイズの除去とを行いつつ、充電状態の揃った状態で絶縁抵抗の測定を行い得るコンデンサの絶縁抵抗測定装置、およびコンデンサの絶縁抵抗測定方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載のコンデンサの絶縁抵抗測定装置は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加する電圧出力部と、前記コンデンサ毎に配設されて、対応する当該コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を出力するｍ個の電流検出部と、当該ｍ個の電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を入力すると共に当該各検出信号のうちの任意の１つの検出信号を選択して特定検出信号として出力する信号切替部と、前記特定検出信号をサンプリングして、当該特定検出信号の波形データを出力する１つのＡ／Ｄ変換部と、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、ｍ個の前記電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける前記波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとし、かつ（Ｔｃ×ｍ／ｎ）の時間長以上であるＴｃの最小の倍数を時間ｋとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔が（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）となると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつ（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）の期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させる。

また、請求項２記載のコンデンサの絶縁抵抗測定装置は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加する電圧出力部と、前記コンデンサ毎に配設されて、対応する当該コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を出力するｍ個の電流検出部と、当該ｍ個の電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を入力すると共に当該各検出信号のうちの任意の１つの検出信号を選択して特定検出信号として出力する信号切替部と、前記特定検出信号をサンプリングして、当該特定検出信号の波形データを出力する１つのＡ／Ｄ変換部と、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、ｍ個の前記電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける前記波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔がＴｃ／ｎとなると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつＴｃ／ｎの期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させる。

また、請求項３記載のコンデンサの絶縁抵抗測定方法は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加すると共に、前記各コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を当該コンデンサ毎に配設した電流検出部によって検出しつつ、ｍ個の前記電流検出部から出力されるｍ個の前記検出信号のうちの任意の１つの検出信号を信号切替部に入力すると共に当該信号切替部に対する切替制御を実行して特定検出信号としてＡ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行するコンデンサの絶縁抵抗測定方法であって、前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとし、かつ（Ｔｃ×ｍ／ｎ）の時間長以上であるＴｃの最小の倍数を時間ｋとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔が（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）となると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつ（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）の期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させる。

また、請求項４記載のコンデンサの絶縁抵抗測定方法は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加すると共に、前記各コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を当該コンデンサ毎に配設した電流検出部によって検出しつつ、ｍ個の前記電流検出部から出力されるｍ個の前記検出信号のうちの任意の１つの検出信号を信号切替部に入力すると共に当該信号切替部に対する切替制御を実行して特定検出信号としてＡ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行するコンデンサの絶縁抵抗測定方法であって、前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔がＴｃ／ｎとなると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつＴｃ／ｎの期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させる。

請求項１記載のコンデンサの絶縁抵抗測定装置および請求項３記載のコンデンサの絶縁抵抗測定方法によれば、ｍ個の検出信号についてのｎ個の各ポイントにおける波形データを、１個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、２個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、３個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、・・・、ｍ個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、１個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、２個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、３個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、・・・、ｍ個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、・・・、１個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データ、２個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データ、３個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データ、・・・、ｍ個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データというように、各検出信号についての波形データを１つずつ順番に取得することができる。

このため、１つの検出信号についての全ポイントにおける波形データを取得した後に、次の１つの検出信号についての全ポイントにおける波形データを取得するという動作を、すべての検出信号について実行する構成と比較して、最初に波形データの取得を開始した１個目の検出信号についてのｎ個すべての波形データの取得の完了から、最後に波形データの取得を開始したｍ個目の検出信号についてのｎ個すべての波形データの取得の完了までの時間を短縮することができる結果、各コンデンサの充電状態がより揃っている状態で、つまり、各電流の波形が揃っている状態で、波形データを取得することができる。このため、取得した波形データに基づいて算出する絶縁抵抗の測定精度のコンデンサ毎のバラツキを十分に低減させることができる。

また、このコンデンサの絶縁抵抗測定装置およびコンデンサの絶縁抵抗測定方法によれば、使用するＡ／Ｄ変換部の数が１つで済むため、検出信号毎にＡ／Ｄ変換部を配設する構成と比較して、測定コストを安価にすることができる。つまり、測定コストの上昇を抑制することができる。また、各検出信号についてのｎ個のポイントの時間間隔がＴｃ／ｎ＋ｋとなるように信号切替部に対する切替制御を実行することにより、各検出信号を時間間隔Ｔｃ／ｎでサンプリングしたのと等価な波形データを取得できるため、各コンデンサに流れる電流に重畳しているハムノイズ成分を確実かつ簡単に除去することができ、この結果として、各コンデンサの絶縁抵抗を一層精度良く測定することができる。

請求項２記載のコンデンサの絶縁抵抗測定装置および請求項４記載のコンデンサの絶縁抵抗測定方法によれば、ｍ個の検出信号についてのｎ個の各ポイントにおける波形データを、１個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、２個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、３個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、・・・、ｍ個目の検出信号についての１個目のポイントにおける波形データ、１個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、２個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、３個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、・・・、ｍ個目の検出信号についての２個目のポイントにおける波形データ、・・・、１個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データ、２個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データ、３個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データ、・・・、ｍ個目の検出信号についてのｎ個目のポイントにおける波形データというように、各検出信号についての波形データを１つずつ順番に、しかも商用電源の１周期Ｔｃ内で取得することができる。

このため、１つの検出信号についての全ポイントにおける波形データを取得した後に、次の１つの検出信号についての全ポイントにおける波形データを取得するという動作を、すべての検出信号について実行する構成と比較して、最初に波形データの取得を開始した１個目の検出信号についてのｎ個すべての波形データの取得の完了から、最後に波形データの取得を開始したｍ個目の検出信号についてのｎ個すべての波形データの取得の完了までの時間を大幅に短縮することができる結果、各コンデンサの充電状態が一層揃っている状態で、つまり、各電流の波形が一層揃っている状態で、波形データを取得することができる。このため、取得した波形データに基づいて算出する絶縁抵抗の測定精度のコンデンサ毎のバラツキを十分に低減させることができる。

また、このコンデンサの絶縁抵抗測定装置およびコンデンサの絶縁抵抗測定方法によれば、使用するＡ／Ｄ変換部の数が１つで済むため、検出信号毎にＡ／Ｄ変換部を配設する構成と比較して、測定コストを安価にすることができる。つまり、測定コストの上昇を抑制することができる。また、各検出信号についてのｎ個のポイントの時間間隔がＴｃ／ｎとなるように信号切替部に対する切替制御を実行することにより、各検出信号を時間間隔Ｔｃ／ｎでサンプリングしたのと等価な波形データを取得できるため、各コンデンサに流れる電流に重畳しているハムノイズ成分を確実かつ簡単に除去することができ、この結果として、各コンデンサの絶縁抵抗を一層精度良く測定することができる。

絶縁抵抗測定装置１の構成図である。各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの時間的変化を示す説明図である。絶縁抵抗測定装置１の絶縁抵抗測定動作を説明するためのタイミングチャートである。絶縁抵抗測定装置１の他の絶縁抵抗測定動作を説明するためのタイミングチャートである。

以下、添付図面を参照して、コンデンサの絶縁抵抗測定装置およびコンデンサの絶縁抵抗測定方法の実施の形態について説明する。

まず、コンデンサの絶縁抵抗測定装置１（以下、単に「絶縁抵抗測定装置１」ともいう）の構成について図１を参照して説明する。

絶縁抵抗測定装置１は、図１に示すように、電圧出力部２、複数（後述するコンデンサ１１と同数の２以上の整数であるｍ個）の電流検出部３_１，３_２，・・・，３_ｍ（以下、特に区別しないときには「電流検出部３」ともいう）、信号切替部４、Ａ／Ｄ変換部５、処理部６、記憶部７および表示部８を備え、複数（２以上の整数であるｍ個）のコンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍ（以下、特に区別しないときには「コンデンサ１１」ともいう）についての絶縁抵抗ＩＲ_１，ＩＲ_２，・・・，ＩＲ_ｍ（以下、特に区別しないときには「絶縁抵抗ＩＲ」ともいう）を同時に測定する。

電圧出力部２は、一例として１台の定電圧電源で構成されている。また、電圧出力部２は、処理部６によって制御されることにより、直流電圧としての試験電圧Ｖ（電圧値Ｖ１）を一対の電源ライン１２，１３間に出力する。この場合、一対の電源ライン１２，１３のうちの一方の電源ライン１２には、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの一方の端部に接続される複数（コンデンサ１１と同じｍ個）の第１プローブ１４が接続され、他方の電源ライン１３は、後述するように各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍ毎に配設された複数の電流検出部３に共通接続されている。

複数の電流検出部３は、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの他方の端部に接続される複数（コンデンサ１１と同じｍ個）の第２プローブ１５の各々と、電源ライン１３との間に配設されている。このようにして、コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍ毎に配設された各電流検出部３_１，３_２，・・・，３_ｍは、対応するコンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍに流れる電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍ（以下、特に区別しないときには「電流Ｉ」ともいう）を検出すると共に、各電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍの振幅に比例して振幅が変化する検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍ（以下、特に区別しないときには「検出信号ＳＩ」ともいう）を出力する。

なお、コンデンサ１１は、図示はしないが、容量成分と、この容量成分に並列に接続された絶縁抵抗（ＩＲ）とを含む回路で等価的に表される。このため、試験電圧Ｖを印加したときにコンデンサ１１に流れる電流Ｉは、図２に示すように、容量成分を介して瞬間的に流れることによって一旦大きな電流値となり、その後は、容量成分の充電が進むに従って次第に低下し、絶縁状態の正常な（絶縁抵抗（ＩＲ）の大きな）コンデンサ１１の場合には、試験電圧Ｖの印加開始からの経過時間がある時間に達した以降（同図では、時間ｔ１以降）に、予め規定された閾値Ｉｔｈを下回る電流値Ｉｄとなる。この電流値Ｉｄは、コンデンサ１１のいわゆる漏れ電流の電流値であり、極めて小さい電流値である。このため、一定の電流値Ｉｄとなった時点での電流Ｉは、ハムノイズの影響を受けやすく、その波形は図３に示すように、直流成分としての電流値Ｉｄ（同図では、電流Ｉ１については電流値Ｉｄ１，電流Ｉ２については電流値Ｉｄ２，電流Ｉ３については電流値Ｉｄ３を示す）に、ハムノイズの交流成分（商用電源の周期Ｔｃ（例えば、２０ｍｓ）と同じ周期の交流成分）Ｉａｃが重畳した波形として観測される。

信号切替部４は、一例として複数の切替スイッチ（図示せず）が組み合わされて構成されている。また、信号切替部４は、各電流検出部３_１，３_２，・・・，３_ｍから出力される検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍを入力すると共に、各切替スイッチのオン・オフ状態が処理部６によって制御されることにより、各検出信号ＳＩのうちの任意の１つを選択して、特定検出信号ＳＩｓとして出力する。

Ａ／Ｄ変換部５は、特定検出信号ＳＩｓを予め規定されたサンプリング周期でサンプリングすることにより、特定検出信号ＳＩｓの振幅を示す波形データＤｗを出力する。この場合、この波形データＤｗは、特定検出信号ＳＩｓとしての検出信号ＳＩを出力する電流検出部３において検出されたコンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値を示す。

処理部６は、ＣＰＵを備えて構成されて、電圧出力部２および信号切替部４に対する制御を実行する。また、処理部６は、データ取得処理、電流算出処理および抵抗算出処理を実行する。この場合、処理部６は、データ取得処理では、ｍ個の検出信号ＳＩのそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける波形データＤｗを取得する。また、処理部６は、電流算出処理では、取得した波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値Ｉｄを算出する。また、処理部６は、抵抗算出処理では、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値Ｉｄと試験電圧Ｖの電圧値Ｖ１とに基づいて、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを算出する。

記憶部７は、一例として半導体メモリやハードディスク装置を用いて構成されて、処理部６のための動作プログラムを記憶する。表示部８は、一例として、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などのディスプレイ装置で構成されている。

次に、絶縁抵抗測定装置１の動作と共に、コンデンサの絶縁抵抗測定方法（以下、単に「絶縁抵抗測定方法」ともいう）について図面を参照して説明する。なお、一例として、３（＝ｍ）個の各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３に流れる電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３についての３つの検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３のそれぞれについて、一例として６（＝ｎ）個のポイントにおける波形データＤｗを取得し、これらの波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の絶縁抵抗ＩＲを測定する例を挙げて説明する。

まず、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の一方の端部に第１プローブ１４が接続され、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の他方の端部に第２プローブ１５が接続されている状態において、処理部６は、電圧出力部２に対する制御を実行して、試験電圧Ｖの出力を開始させる。

これにより、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３には、電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３が流れ始め、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の絶縁状態が正常なときには、各電流Ｉは、図２に示すように、試験電圧Ｖの印加開始から時間ｔ１を経過した以降において、予め規定された閾値Ｉｔｈ以下の電流値Ｉｄとなる。なお、各電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の電流値Ｉｄを、電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２，Ｉｄ３ともいう。また、各電流検出部３_１，３_２，３_３は、対応するコンデンサ１１_１，１１_２，１１_３に流れる電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３を検出しつつ、検出した電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の振幅に応じて振幅が変化する検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３を出力する。

処理部６は、試験電圧Ｖの印加開始からの経過時間を計測しつつ、経過時間が上記の時間ｔ１に達した時点からデータ取得処理を実行する。この場合、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３は、時間ｔ１までにそれらの容量成分が十分に充電されているため、電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の殆どが容量成分に並列に接続された絶縁抵抗ＩＲに流れている状態にある。このため、各電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の電流値はほぼ一定の状態となっている。

このデータ取得処理では、処理部６は、まず、時間間隔Ｔｃ／ｎの反復計測（計測を繰り返すこと）を実行し、一例として、この時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点を検出信号ＳＩ_１についての１個目（最初）のポイント（ポイントＰ１）として、図３に示すように、このポイントＰ１における波形データＤｗ１_１を取得して、検出信号ＳＩ_１に対応させて記憶部７に記憶させる。また、処理部６は、時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点（本例では、検出信号ＳＩ_１のポイントＰ１における波形データＤｗ１_１の取得時点）において、検出信号ＳＩ_１についての時間間隔Ｔ１（＝Ｔｃ／ｎ＋ｋ）の反復計測を開始する。この場合、ｋは、Ｔｃ×ｍ／ｎ以上であるＴｃの最小の倍数（Ｔｃの倍数のうちのＴｃ×ｍ／ｎ以上の最小の倍数）であり、処理部６が予め算出する。なお、処理部６が算出する構成に代えて、処理部６に入力部（不図示）を接続し、この入力部から処理部６に入力する構成を採用することもできる。本例では、Ｔｃ×ｍ／ｎは、Ｔｃ／２（＝Ｔｃ×３／６）となるため、Ｔｃ／２以上であるＴｃの最小の倍数はＴｃであり、ｋ＝２０ｍｓ（＝Ｔｃ）となる。したがって、時間間隔Ｔ１＝２３．３３ｍｓとなる。

次いで、処理部６は、時間間隔Ｔｃ／ｎの反復計測において、２回目の時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点を検出信号ＳＩ_２についての１個目（最初）のポイント（ポイントＰ１）として、図３に示すように、このポイントＰ１における波形データＤｗ２_１を取得して、検出信号ＳＩ_２に対応させて記憶部７に記憶させる。また、処理部６は、この２回目の時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点（本例では、検出信号ＳＩ_２のポイントＰ１における波形データＤｗ２_１の取得時点）において、検出信号ＳＩ_２についての時間間隔Ｔ２（＝Ｔ１）の反復計測を開始する。

続いて、処理部６は、時間間隔Ｔｃ／ｎの反復計測において、３回目の時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点を検出信号ＳＩ_３についての１個目（最初）のポイント（ポイントＰ１）として、図３に示すように、このポイントＰ１における波形データＤｗ３_１を取得して、検出信号ＳＩ_３に対応させて記憶部７に記憶させる。また、処理部６は、この３回目の時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点（本例では、検出信号ＳＩ_３のポイントＰ１における波形データＤｗ３_１の取得時点）において、検出信号ＳＩ_３についての時間間隔Ｔ３（＝Ｔ１）の反復計測を開始する。このようにして、処理部６は、時間間隔Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３の反復計測を並行して実行する。

その後、処理部６は、新たな時間間隔Ｔ１の計測の開始時点において、この開始時点を検出信号ＳＩ_１についての次のポイントとして、図３に示すように、各ポイント（ポイントＰ２，Ｐ３，・・・，Ｐ６）における波形データＤｗ１_２，Ｄｗ１_３，・・・，Ｄｗ１_６を取得して、検出信号ＳＩ_１に対応させて記憶部７に記憶させる。また、処理部６は、新たな時間間隔Ｔ２の計測の開始時点において、この開始時点を検出信号ＳＩ_２についての次のポイントとして、各ポイント（ポイントＰ２，Ｐ３，・・・，Ｐ６）における波形データＤｗ２_２，Ｄｗ２_３，・・・，Ｄｗ２_６を取得して、検出信号ＳＩ_２に対応させて記憶部７に記憶させる。また、処理部６は、新たな時間間隔Ｔ３の計測の開始時点において、この開始時点を検出信号ＳＩ_３についての次のポイントとして、各ポイント（ポイントＰ２，Ｐ３，・・・，Ｐ６）における波形データＤｗ３_２，Ｄｗ３_３，・・・，Ｄｗ３_６を取得して、検出信号ＳＩ_３に対応させて記憶部７に記憶させる。

この場合、処理部６は、ｍ（＝３）個の検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３についてのｎ（＝６）個の各ポイントＰ１〜Ｐ６における波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_６，Ｄｗ２_１〜Ｄｗ２_６，Ｄｗ３_１〜Ｄｗ３_６の取得の際に、信号切替部４に対する切替制御を実行して、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３を特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に順次出力させつつ、Ａ／Ｄ変換部５から出力される波形データＤｗを取得して、取得した波形データＤｗを特定検出信号ＳＩｓとして信号切替部４から出力させている検出信号ＳＩに対応させて記憶部７に記憶させる。

処理部６は、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３のすべてについて、ｎ（＝６）個の各ポイントＰ１〜Ｐ６における波形データＤｗの取得が完了した時点で、データ取得処理を完了させる。このようにして、このデータ取得処理によって取得された検出信号ＳＩ_１についての各波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_６は、図３に示すように、電流Ｉ１の直流成分（電流値Ｉｄ１）に重畳しているハムノイズの交流成分（商用電源の周期Ｔｃと同じ周期の交流成分）Ｉａｃを時間Ｔｃ／６（＝Ｔｃ／ｎ）ずつずらしてサンプリングしたデータとなっている。このため、各波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_６は、結果として、この交流成分Ｉａｃの１周期分をＴｃ／６の周期でサンプリングして得られる波形データと等価なデータとなる。

また、各波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_６と同様にして、各波形データＤｗ２_１〜Ｄｗ２_６についても、図３に示すように、電流Ｉ２の直流成分（電流値Ｉｄ２）に重畳しているハムノイズの交流成分Ｉａｃの１周期分をＴｃ／６の周期でサンプリングして得られる波形データと等価なデータとなり、各波形データＤｗ３_１〜Ｄｗ３_６についても、電流Ｉ３の直流成分（電流値Ｉｄ３）に重畳しているハムノイズの交流成分Ｉａｃの１周期分をＴｃ／６の周期でサンプリングして得られる波形データと等価なデータとなる。

次いで、処理部６は、電流算出処理を実行する。この電流算出処理では、処理部６は、取得した各検出信号ＳＩについての各ポイントＰ１〜Ｐ６における波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値Ｉｄ（漏れ電流の電流値）を算出する。

具体的には、処理部６は、まず、各検出信号ＳＩについての各ポイントＰ１〜Ｐ６における波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの各ポイントＰ１〜Ｐ６での電流値を算出する。次いで、処理部６は、この検出した電流Ｉの各ポイントＰ１〜Ｐ６での電流値を平均（加算してｎ（＝６）で除算）することにより、直流成分としての電流値Ｉｄを算出する。

この場合、上記したように、電流Ｉの各ポイントＰ１〜Ｐ６での電流値は、交流信号としてのハムノイズの１周期分を時間間隔Ｔｃ／６でサンプリングして得られた波形データＤｗに基づいて算出される値である。このため、各ポイントＰ１〜Ｐ６での電流値の加算により、ハムノイズの周波数成分（つまり、交流成分Ｉａｃ）が除去されて、直流成分としての電流値Ｉｄが算出される。処理部６は、算出した各電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３についての電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２，Ｉｄ３を記憶部７に記憶させる。これにより、電流算出処理が完了する。

続いて、処理部６は、抵抗算出処理を実行する。この抵抗算出処理では、処理部６は、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３に流れる電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２，Ｉｄ３で試験電圧Ｖの電圧値Ｖ１を除算することにより、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の絶縁抵抗ＩＲ_１，ＩＲ_２，ＩＲ_３を算出（測定）し、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の識別情報に対応させて記憶部７に記憶させる。これにより、抵抗算出処理が完了する。最後に、処理部６は、各コンデンサ１１_１，１１_２，１１_３の絶縁抵抗ＩＲ_１，ＩＲ_２，ＩＲ_３を記憶部７から読み出して、表示部８に表示させる。この場合、処理部６は、絶縁状態が正常なときの各コンデンサ１１についての標準絶縁抵抗ＩＲｒｅｆと、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲとを比較して、その比較結果についても併せて表示部８に表示させることもできる。

このように、この絶縁抵抗測定装置１および絶縁抵抗測定方法では、ハムノイズの周期である商用電源の１周期をＴｃとしたときに、ｍ（＝３）個の各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３についてのｎ（＝６）個のポイントＰ１〜Ｐ６の時間間隔Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３がＴｃ／ｎ＋ｋ（＝２３．３３ｍｓ）となると共に、各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３についての１個目のポイントＰ１が時間軸上においてすべて異なる時間で、かつ（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）の期間内に含まれるように、処理部６が信号切替部４を制御して、各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３を特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に順次出力させて、各波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_６，Ｄｗ２_１〜Ｄｗ２_６，Ｄｗ３_１〜Ｄｗ３_６を取得している。

したがって、この絶縁抵抗測定装置１および絶縁抵抗測定方法によれば、ｍ（＝３）個の検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３についてのｎ（＝６）個の各ポイントＰ１〜Ｐ６における波形データＤｗを、Ｄｗ１_１，Ｄｗ２_１，Ｄｗ３_１，Ｄｗ１_２，Ｄｗ２_２，Ｄｗ３_２，・・・，Ｄｗ１_６，Ｄｗ２_６，Ｄｗ３_６というように、１つずつ順番に取得することができる。

このため、１つの検出信号ＳＩについての全ポイントＰにおける波形データＤｗを取得した後に、次の１つの検出信号ＳＩについての全ポイントＰにおける波形データＤｗを取得するという動作を、すべての検出信号ＳＩについて実行する構成（上記の例では、検出信号ＳＩ_１についての波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_６を取得し、次いで、検出信号ＳＩ_２についての波形データＤｗ２_１〜Ｄｗ２_６を取得し、最後に、検出信号ＳＩ_３についての波形データＤｗ３_１〜Ｄｗ３_６を取得するという構成）と比較して、最初に波形データＤｗの取得を開始した検出信号ＳＩについてのｎ（＝６）個すべての波形データＤｗの取得の完了から、最後に波形データＤｗの取得を開始した検出信号ＳＩについてのｎ（＝６）個すべての波形データＤｗの取得の完了までの時間を短縮することができる結果、各コンデンサ１１の充電状態がより揃っている状態で、つまり、電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の波形が揃っている状態で、波形データＤｗを取得することができる。このため、取得した波形データＤｗに基づいて算出する絶縁抵抗ＩＲの測定精度のコンデンサ１１毎のバラツキを十分に低減させることができる。

また、この絶縁抵抗測定装置１および絶縁抵抗測定方法によれば、使用するＡ／Ｄ変換部５の数が１つで済むため、検出信号ＳＩ毎にＡ／Ｄ変換部５を配設する構成と比較して、測定コストを安価にすることができる。つまり、測定コストの上昇を抑制することができる。

また、各検出信号ＳＩについてのｎ（＝６）個のポイントＰの時間間隔Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３がＴｃ／ｎ＋ｋとなるように処理部６が信号切替部４に対する切替制御を実行することにより、各検出信号ＳＩを時間間隔Ｔｃ／ｎでサンプリングしたのと等価な波形データＤｗを取得できる。このため、各検出信号ＳＩについての各ポイントＰ１〜Ｐ６での電流値の加算により、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉに重畳しているハムノイズの周波数成分（つまり、交流成分Ｉａｃ）を確実かつ簡単に除去することができ、これにより、直流成分としての電流値Ｉｄを精度よく算出できる結果、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを精度良く測定することができる。

なお、上記の絶縁抵抗測定装置１および絶縁抵抗測定方法では、図３に示すように、各検出信号ＳＩについての同じポイントＰを同じ時間間隔Ｔｃ／ｎずつ（均等に）ずらす構成（例えば、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３の各ポイントＰ１を同じ時間間隔Ｔｃ／ｎずつずらす構成）を採用しているが、不均等にずらす構成を採用することもできる。

次いで、他の絶縁抵抗測定装置および他の絶縁抵抗測定方法について説明する。

まず、絶縁抵抗測定装置１Ａの構成について説明する。なお、絶縁抵抗測定装置１Ａは、処理部６Ａを除き絶縁抵抗測定装置１と同一である。このため、同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。

絶縁抵抗測定装置１Ａは、図１に示すように、電圧出力部２、ｍ個の電流検出部３_１，３_２，・・・，３_ｍ、信号切替部４、Ａ／Ｄ変換部５、処理部６Ａ、記憶部７および表示部８を備え、ｍ個のコンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍについての絶縁抵抗ＩＲ_１，ＩＲ_２，・・・，ＩＲ_ｍを同時に測定する。

処理部６Ａは、ＣＰＵを備えて構成されて、電圧出力部２および信号切替部４に対する制御を実行する。また、処理部６Ａは、データ取得処理、電流算出処理および抵抗算出処理を実行する。この場合、処理部６Ａは、データ取得処理では、ｍ個の検出信号ＳＩのそれぞれについてｎ個のポイントにおける波形データＤｗを取得する。また、処理部６Ａは、電流算出処理では、取得した波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値Ｉｄを算出する。また、処理部６Ａは、抵抗算出処理では、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値Ｉｄと試験電圧Ｖの電圧値Ｖ１とに基づいて、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを算出する。

次に、絶縁抵抗測定装置１Ａの動作と共に、絶縁抵抗測定方法について図面を参照して説明する。なお、処理部６Ａが、ｍ個の検出信号ＳＩのそれぞれについて、一例として８（＝ｎ）個のポイントにおける波形データＤｗを取得し、これらの波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを測定する例を挙げて説明する。

まず、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの一方の端部に第１プローブ１４が接続され、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの他方の端部に第２プローブ１５が接続されている状態において、処理部６Ａは、電圧出力部２に対する制御を実行して、試験電圧Ｖの出力を開始させる。

これにより、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍには、電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍが流れ始め、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの絶縁状態が正常なときには、各電流Ｉは、図２に示すように、試験電圧Ｖの印加開始から時間ｔ１を経過した以降において、予め規定された閾値Ｉｔｈ以下の電流値Ｉｄとなる。なお、各電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍの電流値Ｉｄを、電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２，・・・，Ｉｄｍともいう。また、各電流検出部３_１，３_２，・・・，３_ｍは、対応するコンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍに流れる電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍを検出しつつ、検出した電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍの振幅に応じて振幅が変化する検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍを出力する。

処理部６Ａは、試験電圧Ｖの印加開始から経過時間を計測しつつ、経過時間が上記の時間ｔ１に達した時点からその後の時間ｔ２までの短い期間（この間での電流値Ｉｄの変化量がほぼゼロとみなせる程度に短い期間。図２，４参照）において、データ取得処理を実行する。

このデータ取得処理では、処理部６Ａは、まず、時間間隔Ｔｃ／ｎの計測を繰り返し実行し、一例として、この時間間隔Ｔｃ／ｎの計測の開始時点を最初のポイントＰ（ポイントＰ１）とし、その後に到来する時間間隔Ｔｃ／ｎの計測完了の時点を新たなポイントＰ（ポイントＰ２，Ｐ３，・・・）として、各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍのそれぞれについて各ポイントＰ１，Ｐ２，・・・，Ｐｎにおける波形データＤｗを取得して、記憶部７に記憶させる。本例では、ｎ＝８であるため、処理部６Ａは、時間間隔Ｔｃ／８の計測を繰り返し実行して、各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍのそれぞれについて各ポイントＰ１，Ｐ２，・・・，Ｐ８における波形データＤｗを取得して、記憶部７に記憶させる。

具体的には、処理部６Ａは、ｍ個の検出信号ＳＩについての８個すべてのポイントＰにおける波形データＤｗの取得の際に、信号切替部４に対する切替制御を実行して、各検出信号ＳＩについてのｎ個のポイントＰ１〜Ｐ８の時間間隔がＴｃ／ｎ（＝Ｔｃ／８）となると共に、各検出信号ＳＩについての１個目のポイントＰ１が時間軸上においてすべて異なる時間で、かつＴｃ／ｎの期間内に含まれるようにｍ個の検出信号ＳＩを特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に順次出力させる。また、処理部６Ａは、Ａ／Ｄ変換部５から出力される波形データＤｗを取得して、取得した波形データＤｗを特定検出信号ＳＩｓとして信号切替部４から出力させている検出信号ＳＩに対応させて記憶部７に記憶させる。

例えば、図４に示すように、処理部６Ａは、ｍ個の検出信号ＳＩについての１個目のポイント（ポイントＰ１）における波形データＤｗ１_１，Ｄｗ２_１，・・・，Ｄｗｍ_１の取得の際に、信号切替部４に対する切替制御を実行して、ｍ個の検出信号ＳＩを特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍの順で順次出力させつつ、Ａ／Ｄ変換部５から出力される波形データＤｗを、波形データＤｗ１_１，Ｄｗ２_１，・・・，Ｄｗｍ_１として取得して、この取得した波形データＤｗ１_１，Ｄｗ２_１，・・・，Ｄｗｍ_１を特定検出信号ＳＩｓとして信号切替部４から出力させている検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍに対応させて記憶部７に記憶させる。

また、処理部６Ａは、次の２個目のポイント（ポイントＰ２）における波形データＤｗ１_２，Ｄｗ２_２，・・・，Ｄｗｍ_２の取得の際にも、信号切替部４に対する切替制御を同様に実行して、ｍ個の検出信号ＳＩを特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍの順で順次出力させつつ、Ａ／Ｄ変換部５から出力される波形データＤｗを、波形データＤｗ１_２，Ｄｗ２_２，・・・，Ｄｗｍ_２として取得して、この取得した波形データＤｗ１_２，Ｄｗ２_２，・・・，Ｄｗｍ_２を特定検出信号ＳＩｓとして信号切替部４から出力させている検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍに対応させて記憶部７に記憶させる。

処理部６Ａは、３個目以降の各ポイントＰ３，Ｐ４，・・・，Ｐ８においても、上記したポイントＰ１，Ｐ２のときと同様にして、信号切替部４に対する切替制御を同様に実行して、ｍ個の検出信号ＳＩを特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍの順で順次出力させつつ、Ａ／Ｄ変換部５から出力される波形データＤｗを取得して、この取得した波形データＤｗを特定検出信号ＳＩｓとして信号切替部４から出力させている検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍに対応させて記憶部７に記憶させる。

これにより、記憶部７には、検出信号ＳＩ_１についての各ポイントＰ１〜Ｐ８における波形データＤｗ１_１，Ｄｗ１_２，・・・，Ｄｗ１_８、検出信号ＳＩ_２についての各ポイントＰ１〜Ｐ８における波形データＤｗ２_１，Ｄｗ２_２，・・・，Ｄｗ２_８、・・・、および検出信号ＳＩ_ｍについての各ポイントＰ１〜Ｐ８における波形データＤｗｍ_１，Ｄｗｍ_２，・・・，Ｄｗｍ_８が記憶される。この場合、処理部６Ａは、図４に示すように、各検出信号ＳＩについての各ポイントＰ１〜Ｐ８における波形データＤｗの時間間隔がＴｃ／８となるように、信号切替部４に対する切替制御を実行すると共に、Ａ／Ｄ変換部５から出力される波形データＤｗを取得する。以上により、データ取得処理が完了する。

次いで、処理部６Ａは、電流算出処理を実行する。この電流算出処理では、処理部６Ａは、取得した各検出信号ＳＩについての各ポイントＰ１〜Ｐ８における波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの電流値Ｉｄ（漏れ電流の電流値）を算出する。

具体的には、処理部６Ａは、まず、各検出信号ＳＩについての各ポイントＰ１〜Ｐ８における波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉの各ポイントＰ１〜Ｐ８での電流値を算出する。次いで、処理部６Ａは、この検出した電流Ｉの各ポイントＰ１〜Ｐ８での電流値を加算することにより、直流成分としての電流値Ｉｄを算出する。

この場合、電流Ｉの各ポイントＰ１〜Ｐ８での電流値は、交流信号としてのハムノイズの１周期分を時間間隔Ｔｃ／８でサンプリングして得られた波形データＤｗに基づいて算出される値である。このため、各ポイントＰ１〜Ｐ８での電流値の平均（加算してｎ（＝８）で除算）することにより、ハムノイズの周波数成分（つまり、交流成分Ｉａｃ）が除去されて、直流成分としての電流値Ｉｄが算出される。処理部６Ａは、算出した各電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍについての電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２，・・・，Ｉｄｍを記憶部７に記憶させる。これにより、電流算出処理が完了する。

続いて、処理部６Ａは、抵抗算出処理を実行する。この抵抗算出処理では、処理部６Ａは、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍに流れる電流Ｉ１，Ｉ２，・・・，Ｉｍの電流値Ｉｄ１，Ｉｄ２，・・・，Ｉｄｍで試験電圧Ｖの電圧値Ｖ１を除算することにより、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの絶縁抵抗ＩＲ_１，ＩＲ_２，・・・，ＩＲ_ｍを算出（測定）し、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの識別情報に対応させて記憶部７に記憶させる。これにより、抵抗算出処理が完了する。最後に、処理部６Ａは、各コンデンサ１１_１，１１_２，・・・，１１_ｍの絶縁抵抗ＩＲ_１，ＩＲ_２，・・・，ＩＲ_ｍを記憶部７から読み出して、表示部８に表示させる。この場合、処理部６Ａは、絶縁状態が正常なときの各コンデンサ１１についての標準絶縁抵抗ＩＲｒｅｆと、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲとを比較して、その比較結果についても併せて表示部８に表示させることもできる。

このように、この絶縁抵抗測定装置１Ａおよび絶縁抵抗測定方法では、ハムノイズの周期である商用電源の１周期をＴｃとしたときに、ｍ個の各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍについてのｎ（＝８）個のポイントＰ１〜Ｐ８の時間間隔がＴｃ／８（＝Ｔｃ／ｎ）となると共に、各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍについての１個目のポイントＰ１が時間軸上においてすべて異なると共にＴｃ／８の期間内に含まれるように、処理部６Ａが信号切替部４を制御して、各検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，・・・，ＳＩ_ｍを特定検出信号ＳＩｓとしてＡ／Ｄ変換部５に順次出力させて、各波形データＤｗ１_１〜Ｄｗ１_８，Ｄｗ２_１〜Ｄｗ２_６，・・・，Ｄｗｍ_１〜Ｄｗｍ_８を１つずつ順番に、しかも商用電源の１周期Ｔｃ内で取得する。

したがって、この絶縁抵抗測定装置１Ａおよび絶縁抵抗測定方法によれば、ｍ個の検出信号ＳＩについての各ポイントにおける波形データＤｗの取得をほぼ同じタイミングで取得することができるため、１つの検出信号ＳＩについての全ポイントにおける波形データＤｗを取得した後に、次の１つの検出信号ＳＩについての全ポイントにおける波形データＤｗを取得するという動作を、すべての検出信号ＳＩについて実行する方法と比較して、各コンデンサ１１についての同じポイントでの波形データＤｗを各コンデンサ１１の充電状態が一層揃っている状態で取得することができる。このため、取得した波形データＤｗに基づいて算出する絶縁抵抗ＩＲの測定精度を十分に向上させることができる。

また、この絶縁抵抗測定装置１Ａおよび絶縁抵抗測定方法によれば、使用するＡ／Ｄ変換部５の数が１つで済むため、検出信号ＳＩ毎にＡ／Ｄ変換部５を配設する構成と比較して、測定コストを安価にすることができる。つまり、測定コストの上昇を抑制することができる。また、各検出信号ＳＩのｎ（＝８）個のポイントの時間間隔が間隔Ｔｃ／ｎとなるように信号切替部４に対する切替制御が処理部６Ａによって実行されるため、取得した波形データＤｗに基づいて、各コンデンサ１１に流れる電流Ｉに重畳しているハム成分を確実かつ簡単に除去することができ、その結果として、各コンデンサ１１の絶縁抵抗ＩＲを一層精度良く測定することができる。

なお、上記の絶縁抵抗測定装置１Ａおよび絶縁抵抗測定方法では、各検出信号ＳＩについての同一ポイントＰでの波形データＤｗの取得のタイミング（各波形データＤｗの取得の時間間隔）については、特に規定していないが、同じ時間間隔ずつ（均等に）ずらす構成（例えば、検出信号ＳＩ_１，ＳＩ_２，ＳＩ_３の各ポイントＰ１の時間間隔を等間隔でずらす構成）を採用してもよいし、不均等にずらす構成を採用することもできる。

１，１Ａ絶縁抵抗測定装置
２電圧出力部
３電流検出部
４信号切替部
５Ａ／Ｄ変換部
６，６Ａ処理部
１１コンデンサ
Ｄｗ波形データ
ＳＩ検出信号
ＳＩｓ特定検出信号
Ｖ試験電圧

Claims

ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加する電圧出力部と、
前記コンデンサ毎に配設されて、対応する当該コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を出力するｍ個の電流検出部と、
当該ｍ個の電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を入力すると共に当該各検出信号のうちの任意の１つの検出信号を選択して特定検出信号として出力する信号切替部と、
前記特定検出信号をサンプリングして、当該特定検出信号の波形データを出力する１つのＡ／Ｄ変換部と、
前記信号切替部に対する切替制御を実行して、ｍ個の前記電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける前記波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行する処理部とを備え、
前記処理部は、前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとし、かつ（Ｔｃ×ｍ／ｎ）の時間長以上であるＴｃの最小の倍数を時間ｋとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔が（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）となると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつ（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）の期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させるコンデンサの絶縁抵抗測定装置。
ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加する電圧出力部と、
前記コンデンサ毎に配設されて、対応する当該コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を出力するｍ個の電流検出部と、
当該ｍ個の電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を入力すると共に当該各検出信号のうちの任意の１つの検出信号を選択して特定検出信号として出力する信号切替部と、
前記特定検出信号をサンプリングして、当該特定検出信号の波形データを出力する１つのＡ／Ｄ変換部と、
前記信号切替部に対する切替制御を実行して、ｍ個の前記電流検出部からそれぞれ出力される前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける前記波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行する処理部とを備え、
前記処理部は、前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔がＴｃ／ｎとなると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつＴｃ／ｎの期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させるコンデンサの絶縁抵抗測定装置。
ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加すると共に、前記各コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を当該コンデンサ毎に配設した電流検出部によって検出しつつ、
ｍ個の前記電流検出部から出力されるｍ個の前記検出信号のうちの任意の１つの検出信号を信号切替部に入力すると共に当該信号切替部に対する切替制御を実行して特定検出信号としてＡ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行するコンデンサの絶縁抵抗測定方法であって、
前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとし、かつ（Ｔｃ×ｍ／ｎ）の時間長以上であるＴｃの最小の倍数を時間ｋとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔が（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）となると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつ（Ｔｃ／ｎ＋ｋ）の期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させるコンデンサの絶縁抵抗測定方法。
ｍ（ｍは２以上の整数）個のコンデンサに対して試験電圧を同時に印加すると共に、前記各コンデンサに流れる電流の電流値に応じた電圧値の検出信号を当該コンデンサ毎に配設した電流検出部によって検出しつつ、
ｍ個の前記電流検出部から出力されるｍ個の前記検出信号のうちの任意の１つの検出信号を信号切替部に入力すると共に当該信号切替部に対する切替制御を実行して特定検出信号としてＡ／Ｄ変換部に順次出力させつつ、前記各検出信号のそれぞれについてｎ（ｎは２以上の整数）個のポイントにおける波形データを取得するデータ取得処理、取得した前記各検出信号のそれぞれについてのｎ個の前記波形データに基づいて前記各コンデンサのそれぞれに流れる前記電流の前記電流値を算出する電流算出処理、および算出した前記各コンデンサに流れるそれぞれの前記電流値と前記試験電圧の電圧値とに基づいて当該各コンデンサのそれぞれの絶縁抵抗を算出する抵抗算出処理を実行するコンデンサの絶縁抵抗測定方法であって、
前記データ取得処理において、前記信号切替部に対する切替制御を実行して、商用電源の１周期をＴｃとしたときに、前記各検出信号についてのｎ個の前記ポイントの時間間隔がＴｃ／ｎとなると共に、前記各検出信号についての１個目の前記ポイントが時間軸上においてすべて異なる時間で、かつＴｃ／ｎの期間内に含まれるようにｍ個の前記検出信号を前記特定検出信号として前記Ａ／Ｄ変換部に順次出力させるコンデンサの絶縁抵抗測定方法。