JP2013030630A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1上に、下クラッド層2、光ガイド層3,4、活性層5、及び上クラッド層6及びコンタクト層7が順に積層されている。光ガイド層3,4内に回折格子8が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子8の上方に窓構造9が設けられている。窓構造9は回折格子8には設けられていない。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザを示す断面図である。半導体基板1上に、下クラッド層2、光ガイド層3,4、活性層5、上クラッド層6、及びコンタクト層7が順に積層されている。光ガイド層3,4内に回折格子8が設けられている。
図9は本発明の実施の形態2に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図である。実施の形態1では図5に示すようにイオン注入により窓構造9を形成したが、実施の形態2では図9に示すように不純物の拡散により窓構造9を形成する。
本発明の実施の形態3に係る半導体レーザの製造方法を説明する。図10から図14は本発明の実施の形態3に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
図15は本発明の実施の形態4に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図である。実施の形態3では図11に示すようにイオン注入により窓構造9を形成したが、実施の形態4では図15に示すように不純物の拡散により窓構造9を形成する。
図16は、本発明の実施の形態5に係る半導体レーザを示す断面図である。実施の形態1では窓構造9はイオン注入によりディスオーダーした領域であるが、実施の形態5では窓構造17は活性層5より大きいバンドギャップを持つ結晶である。その他の構成は実施の形態1と同様である。
3,4 光ガイド層(第1の半導体層)
5 活性層
6 上クラッド層(第2の半導体層)
8 回折格子
9,17 窓構造
16 上クラッド層(第3の半導体層)
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に順に積層された第1の半導体層、活性層、第2の半導体層と、
前記第1の半導体層内に設けられた回折格子と、
レーザ共振端面の近傍かつ前記回折格子の上方に設けられた窓構造とを備え、
前記窓構造は前記回折格子には設けられていないことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記窓構造は、前記第2の半導体層及び前記活性層の一部をディスオーダーしたものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記窓構造は、前記活性層より大きいバンドギャップを持つ結晶であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記窓構造は、前端面と後端面の両方の近傍に設けられていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記回折格子は、レーザ共振器長の全域に設けられていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体レーザ。
- 半導体基板上に第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層内に回折格子を形成する工程と、
前記回折格子を含む前記第1の半導体層上に、前記活性層及び前記第2の半導体層を順に形成する工程と、
レーザ共振端面の近傍かつ前記回折格子の上方において、前記第2の半導体層の上面側から前記第2の半導体層及び前記活性層にイオンを注入するか又は不純物を拡散することにより、前記第2の半導体及び前記活性層の一部をディスオーダーして窓構造を形成する工程とを備え、
前記窓構造を形成する際に、前記イオン又は前記不純物が前記回折格子に到達しないようにすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記窓構造を形成した後に、前記第2の半導体層上に第3の半導体層を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層内に回折格子を形成する工程と、
前記回折格子を含む前記第1の半導体層上に、前記活性層及び前記第2の半導体層を順に形成する工程と、
前記活性層及び前記第2の半導体層を形成する前に、レーザ共振端面の近傍かつ前記回折格子の上方において、前記活性層より大きいバンドギャップを持つ結晶を前記第1の半導体層上に選択成長させて窓構造を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
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JP2011165866A JP2013030630A (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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- 2011-07-28 JP JP2011165866A patent/JP2013030630A/ja active Pending
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