JP2013168620A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型GaAs基板1上に、n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4、及びp型コンタクト層5を順に形成する。端面近傍の窓領域のみにおいてp型コンタクト層5に接し、p型コンタクト層5からIII族原子を吸収してIII族空孔の発生を促進する促進膜8を形成する。窓領域のp型コンタクト層5にイオンを注入してダメージを与える。促進膜8を形成しイオンを注入した後に、熱処理を行うことでIII族空孔を拡散させて窓領域において活性層3を無秩序化して窓構造13を形成する。
【選択図】図4
Description
図1から図5は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。これらの図はレーザ共振器方向に沿った断面図である。
図8から図10は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。これらの図はレーザ共振器方向に沿った断面図である。
2 n型クラッド層(クラッド層)
3 活性層(活性層)
4 p型クラッド層(クラッド層)
5 p型コンタクト層(コンタクト層)
6 抑制膜
7 開口(第1の開口)
8 促進膜
9 レジスト
10 開口(第2の開口)
13 窓構造
Claims (6)
- 半導体基板上に、第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型のクラッド層、及び第2導電型のコンタクト層を順に形成する工程と、
端面近傍の窓領域のみにおいて前記コンタクト層に接し、前記コンタクト層からIII族原子を吸収してIII族空孔の発生を促進する促進膜を形成する工程と、
前記窓領域の前記コンタクト層にイオンを注入してダメージを与える工程と、
前記促進膜を形成し前記イオンを注入した後に、熱処理を行うことで前記III族空孔を拡散させて前記窓領域において前記活性層を無秩序化して窓構造を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記コンタクト層上に、前記III族空孔の発生を抑制する抑制膜を形成し、前記窓領域において前記抑制膜に第1の開口を形成する工程を更に備え、
前記促進膜は、前記抑制膜上及び前記第1の開口内の前記コンタクト層上に形成されることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記コンタクト層上にレジストを形成し、前記窓領域において前記レジストに第2の開口を形成する工程を更に備え、
前記レジストをマスクとして用いて前記窓領域の前記コンタクト層に前記イオンを注入することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記イオンの注入条件は、前記活性層にダメージを与えない条件にすることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記促進膜を形成した後に前記イオンを注入することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記イオンを注入した後に前記促進膜を形成することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体レーザの製造方法。
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