JP2013030490A - アニールされたポリマー電解質膜を有する膜電極アセンブリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アニールされたポリマー電解質膜(PEM)を含んでなる膜電極アセンブリ(MEA)が提供され、さらに、MEAはアニールされた触媒層を含有してもよい。この触媒層はアニールされたPEMと接触してアニールされている。さらに、製造方法が提供される。本発明によるMEAは、水素燃料電池のような電気化学的電池において使用されてよい。
【選択図】なし
Description
炭素担持触媒粒子(エヌ・イー・ケムキャット株式会社、日本、大阪)(50〜60重量%の炭素および40〜50重量%の触媒金属、触媒金属はカソード使用のためのPt、又は重量比で2:1のアノード使用のためのPtおよびRuであると明示されている)をナフィオンTM1000の水性分散系(SE10172、主として水中の10%ナフィオン1000(DuPont Chemicals、デラウェア州、Wilmington)中に分散し、そして標準的な磁気撹拌棒を使用して撹拌しながら100℃まで30分間加熱する。次いで、この混合物を冷却し、そしてコート可能な粘稠度まで水で希釈し、続いてHandishearTMハンドヘルド撹拌機(Virtis Co.、ニューヨーク州、Gardiner)により5分間、30000rpmで高剪断撹拌を行う。
0.2mm厚の東レカーボン紙(触媒番号TGP−H−060、東レ、日本、東京)の試料をほぼ1〜20%固形分、好ましくは1〜6%固形分、最も好ましくは5%固形分水性テフロンTM分散系(60%固形分水性分散系(触媒番号T−30、DuPont)を希釈することにより調製される)中に手で浸し、次いでエアオーブン中50〜60℃で乾燥して水を除去し、そして気体拡散層(GDL)を形成する。
ポリ(塩化ビニル)下塗りされたポリ(エチレンテレフタレート)の基材(3M Co.、ミネソタ州、St.Paul)上に、ナフィオンTM1000(DuPont Chemical Co.)の水性分散系を、最終乾燥フィルムが厚さほぼ25μmであるような装填量でノッチコートすることにより、ポリマー電解質膜(PEM)を調製した。キャストフィルムを最初に50〜60℃で乾燥オーブン中に通し(ほぼ3〜4分のドウェル時間)、次いで空気衝突オーブン中で4分間130℃で乾燥して溶媒の残りを除去し、そしてナフィオンTMフィルムをアニールする。その後の使用のために、基材から乾燥フィルムを剥離する。
次いで、触媒コーティングがPEMに面している二層のCCGDLの間にPEMを挟む。また各側にテフロンコートガラス繊維のガスケットを置く。CCGDLは表面積がPEMより小さく、そして各々は各々のガスケットの窓に適合する。ガスケットの高さはCCGDLの高さの70%であり、全アセンブリがプレス加工されるときにCCGDLの30%圧縮を許容する。Carver Press(Fred Carver Co.、インディアナ州、Wabash)において10分間、30kg/cm2の圧力および130℃の温度でプレス加工して最終膜電極アセンブリ(MEA)を形成する。
上記の通り製造されたMEAは、水素試験電池において優れた性能を実証した。
Claims (24)
- アニールされたポリマー電解質膜を含んでなる膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が、120℃以上のアニーリング温度までアニールされたポリマー電解質を含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が、130℃以上のアニーリング温度までアニールされたポリマー電解質を含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜と接触しているアニールされた触媒層の少なくとも一層をさらに含んでなり、前記触媒層がポリマー電解質および触媒を含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされた触媒層が、120℃以上のアニーリング温度までアニールされたポリマー電解質を含んでなる、請求項4に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされた触媒層が、130℃以上のアニーリング温度までアニールされたポリマー電解質を含んでなる、請求項4に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が30μm以下の厚さを有する、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が1200以下の当量を有するポリマー電解質を含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が1050以下の当量を有するポリマー電解質を含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜がポリマー電解質を含んでなり、そして前記ポリマー電解質に加えて支持構造材料を含まない、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が、スルホネート官能基を有するフルオロポリマーであるポリマー電解質を含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
- 前記アニールされたポリマー電解質膜が、ナフィオン(登録商標)であるポリマー電解質を含んでなる、請求項11に記載の膜電極アセンブリ。
- a)第一ポリマー電解質の分散系をキャストして膜を形成する工程と、
b)120℃以上の第一アニーリング温度まで加熱することにより前記膜をアニールする工程と、
c)引き続き、第二ポリマー電解質および触媒を含んでなる触媒層の少なくとも一層を前記ポリマー電解質膜に被着する工程と、
d)120℃以上の第二アニーリング温度まで加熱することにより、前記ポリマー電解質膜と接触している前記触媒層をアニールする工程と、
から構成される膜電極アセンブリを製造する方法。 - 前記第一アニーリング温度が130℃以上である、請求項13に記載の方法。
- 前記第二アニーリング温度が130℃以上である、請求項13に記載の方法。
- 前記第一ポリマー電解質が1200以下の当量を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記第一ポリマー電解質が1050以下の当量を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記第二ポリマー電解質が1200以下の当量を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記第二ポリマー電解質が1050以下の当量を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記触媒層が、前記ポリマー電解質膜に被着される前に導電性、気体透過性の気体拡散層にコートされる、請求項13に記載の方法。
- 前記ポリマー電解質膜と接触している前記触媒層をアニールする前記段階が、10〜35kg/cm2以上の圧力で成し遂げられる、請求項13に記載の方法。
- 前記第一および第二ポリマー電解質が、スルホネート官能基を有するフルオロポリマーである、請求項13に記載の方法。
- 前記第一および第二ポリマー電解質がナフィオン(登録商標)である、請求項13に記載の方法。
- 第一気体拡散層、第一触媒層、アニールされたポリマー電解質膜、第二触媒層、および第二気体拡散層を、この順番で含んでなる、請求項1に記載の膜電極アセンブリ。
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