JP2013019793A - 欠陥特性評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、反射型サンプル基板であるマスク基板11上の被検欠陥12に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、マスク基板11上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光光学系10と、集光光学系10により集光され、マスク基板11上にコヒーレント光を照射する照射部16と、照射部16により照射された照射パタン領域13bからの回折光を2次元的に受光する二次元検出器13と、二次元検出器13による受光結果である画像情報を記録する記録部17と、記録部17により記録された画像情報から、被検欠陥12の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出部18とを備える。
【選択図】 図1
Description
文献:J. M. Rodenburg and H. M. L. Faulknera, “A phase retrieval algorithm for shifting illumination,” Appl. Phys. Lett. 85 (2004) pp. 4795 − 4797.
さらに、本発明は、照射手段が備える可変照射手段により、波長を変化させて観察することで、分光イメージングが可能であり、多層化された反射増加膜の乱れ分布などの内部構造まで評価可能することができる。
さらに、欠陥特性評価装置1、1aは、照明部16が備える可変照射部16bにより、波長を変化させて観察することで、分光イメージングが可能であり、多層化された反射増加膜の乱れ分布などの内部構造まで評価可能することができる。
Claims (4)
- 反射型サンプル基板上の被検欠陥に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、該反射型サンプル基板上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光手段と、
上記反射型サンプル基板上に上記集光手段により集光された上記コヒーレント光を被検パタン領域に照射する照射手段と、
上記照射手段により照射された被検パタン領域からの回折光を2次元的に受光する受光手段と、
上記受光手段による受光結果である画像情報を記録する記録手段と、
上記記録手段により記録された画像情報から、上記被検欠陥の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出手段とを備える欠陥特性評価装置。 - 上記欠陥特性評価装置において、上記照射手段は、集光されたコヒーレント光を照射する被検パタン領域をスキャンさせながら、該コヒーレント光を複数回照射する請求項1記載の欠陥特性評価装置。
- 上記照射手段は、上記被検パタン領域に照射するコヒーレント光の照射角度及び焦点位置、照射方向、照射開口数のうち少なくとも一の照射条件を変化させながら、上記集光手段により集光されたコヒーレント光を該被検パタン領域に照射する可変照射手段を備える請求項1記載の欠陥特性評価装置。
- 上記照射手段は、上記被検パタン領域に照射するコヒーレント光の波長を、上記実際に露光で利用する波長付近で変化させて、上記集光手段により集光されたコヒーレント光を該被検パタン領域に照射する波長可変照射手段を備える請求項1記載の欠陥特性評価装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017504001A (ja) * | 2013-12-19 | 2017-02-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 簡略化された光学素子を備えた極端紫外線(euv)基板検査システム及びその製造方法 |
JP2017513041A (ja) * | 2014-02-21 | 2017-05-25 | パウル・シェラー・インスティトゥート | コヒーレント回折イメージング方法と、マイクロピンホール及びアパーチャシステムとを使用した、反射モードにおけるイメージングシステム |
JP2020173296A (ja) * | 2019-04-08 | 2020-10-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Euvマスクのパターン検査装置及びeuvマスクのパターン検査方法 |
CN113820916A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于表征微光刻掩模的设备和方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210117622A (ko) | 2020-03-19 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | Euv 마스크의 위상 측정 장치 및 방법과 그 방법을 포함한 euv 마스크의 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1194539A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | 表面形状計測方法、表面形状計測装置及び記録媒体 |
JPH11219891A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | マスクの検査方法および装置 |
JP2006080437A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Intel Corp | マスク・ブランクス検査方法及びマスク・ブランク検査ツール |
JP2009168593A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Hiroo Kinoshita | 形状測定装置 |
JP2010528279A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | フェイス・フォーカス・リミテッド | 三次元撮像 |
-
2011
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1194539A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | 表面形状計測方法、表面形状計測装置及び記録媒体 |
JPH11219891A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | マスクの検査方法および装置 |
JP2006080437A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Intel Corp | マスク・ブランクス検査方法及びマスク・ブランク検査ツール |
JP2010528279A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | フェイス・フォーカス・リミテッド | 三次元撮像 |
JP2009168593A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Hiroo Kinoshita | 形状測定装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017504001A (ja) * | 2013-12-19 | 2017-02-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 簡略化された光学素子を備えた極端紫外線(euv)基板検査システム及びその製造方法 |
JP2017513041A (ja) * | 2014-02-21 | 2017-05-25 | パウル・シェラー・インスティトゥート | コヒーレント回折イメージング方法と、マイクロピンホール及びアパーチャシステムとを使用した、反射モードにおけるイメージングシステム |
US10042270B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-08-07 | Paul Scherrer Institut | Imaging system in reflection mode using coherent diffraction imaging methods and using micro-pinhole and aperture system |
JP2020173296A (ja) * | 2019-04-08 | 2020-10-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Euvマスクのパターン検査装置及びeuvマスクのパターン検査方法 |
CN113820916A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于表征微光刻掩模的设备和方法 |
KR20210157327A (ko) * | 2020-06-18 | 2021-12-28 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 |
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