KR102638634B1 - 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 103
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 20
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 20
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 9
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Abstract
본 발명은 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 일 양상에 따라, 본 발명에 따른 장치는, 코히어런트 광을 방출하는 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605), 적어도 하나의 광원의 코히어런트 광으로부터 마스크(120, 220, 620, 720) 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛(110, 210, 310, 311, 410, 510, 610, 710, 810), 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스, 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830), 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛, 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분(145, 245)을 출사 결합하기 위한 출사 결합 요소(140, 240, 340), 및 출사 결합된 일부분의 세기를 포착하기 위한 세기 센서(150, 250)를 포함한다.
Description
본 출원은 2020년 6월 18일에 출원된 독일 특허 출원 제 DE 10 2020 207 566.2호를 우선권으로 청구한다. 이 독일 특허 출원의 내용은 본 명세서에서 참조로서 인용된다.
본 발명은 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
마이크로리소그라피는 예컨대 집적 회로나 LCD와 같은 마이크로 구조 소자의 제조에 사용된다. 마이크로리소그라피 공정은 투영 노광 장치로 알려진 것에서 실행되며, 이러한 투영 노광 장치는 조명 디바이스와 투영 렌즈를 포함한다. 조명 디바이스에 의해 조명되는 마스크(= 레티클)의 이미지는 이 경우 투영 렌즈에 의해 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상에 투영되며, 기판은 감광 층(포토레지스트)으로 코팅되며 투영 렌즈의 이미지 평면에 배치되어 마이크로 구조를 기판의 감광 코팅에 전사한다.
리소그라피 공정에서, 마스크 상의 바람직하지 않은 결함은 매우 불리한 영향을 미치며, 이는 이들이 모든 노광 단계로 재현될 수 있기 때문이다. 가능한 결함 위치의 이미징 영향의 직접 분석은 그에 따라 마스크 결함을 최소화하며 성공적인 마스크 수리를 실현하기 위해 바람직할 수 있다. 원칙적으로, 그러므로 투영 노광 장치에서 실제로 존재하는 것과 동일한 조건 하에서 가능한 정밀하도록 신속하고 간단히 마스크를 측정하거나 정량화하기 위한 필요가 있다.
이러한 환경에서, 마스크 검사의 범위 내에서 투영 노광 장치를 에뮬레이트하기 위한(즉, 가능한 경우 투영 노광 장치에서의 조건에 유사한 조건 하에서 마스크를 측정하기 위한) 상이한 접근이 있다.
첫째, 마스크 검사 장치에서 마스크의 섹션의 에어리얼 이미지를 기록하며 평가하기 위한 실무가 알려져 있으며, 에어리얼 이미지를 기록할 목적으로, 마스크 상에서 측정될 구조는 확대 조명 광학 유닛에 의해 조명되며, 마스크로부터 유래한 광은 이미징 광학 유닛을 통해 검출기 유닛 상에 투영되며 이 검출기 유닛에 의해 검출된다.
본 공정에서, 투영 노광 장치에서와 동일한 방식으로 마스크 검사 장치에서 마스크의 조명을 진행하는 것이 또한 알려져 있으며, 특히 동일한 파장, 동일한 개구수 및 또한 동일한(가능하다면 편광된) 조명 세팅이 마스크 검사 장치에서 설정된다.
게다가, 마스크의 특징을 구하기 위한 장치가 투영 노광 장치에서 존재하는 조건을 에뮬레이트할 목적으로 주사 현미경으로서 구성되는 접근도 알려져 있다. 도 9의 개략적 예시에서, 특징이 구해질 마스크(920)를 위한 광원(905)의 완전 코히어런트 광을 제공하기 위한 조명 광학 유닛(910)은 첫째 이 경우 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 투영 광학 유닛을 에뮬레이트하도록 설계된다. 둘째, 이 주사 현미경의 다수의 픽셀(930-1,...,930-n)을 가진 이미지 기록 또는 센서 배치(930)가, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛을 에뮬레이트하도록 구성된다.
종래 기술에 관해서는, 예를 들어 단지 제 DE 10 2010 063 337 B4호 및 제 US 7,821,714 B1호을 참조하기 바란다.
본 발명의 목적은 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법을 제공하여, 리소그라피 공정에서 주어지는 조건을 고려한 빠르고 신뢰할 만한 특징화(characterization)를 가능케 한다.
이러한 목적은 독립항의 특성에 따른 장치 및 방법에 의해 달성된다.
마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 본 발명에 따른 장치는:
- 코히어런트 광(coherent light)을 방출하는 적어도 하나의 광원,
- 적어도 하나의 광원의 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛,
- 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스,
- 센서 유닛,
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛,
- 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하기 위한 출사 결합 요소, 및
- 이 출사 결합된 부분의 세기를 포착하기 위한 세기 센서를 포함한다.
본 발명은 (제 DE 10 2010 063 337 B4호로부터 그 자체가 알려진) 접근을 시작점으로서 취하며, 이 접근에 따라, 투영 노광 장치에 존재하는 조건을 에뮬레이트하기 위해, 마스크의 특징을 구하기 위한 장치가 주사 현미경으로서 구성되며, 첫째, 이 주사 현미경의 조명 광학 유닛은 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 투영 광학 유닛을 에뮬레이트하도록 설계되며, 둘째, 이 주사 현미경의 이미지 기록 또는 센서 유닛은 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛을 에뮬레이트하도록 구성된다. 달리 표현하면, 이미징 광학 유닛과 조명 광학 유닛은, 마스크의 특징을 구하기 위한 본 발명에 따른 장치에서 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 에뮬레이션 면에서 그 역할을 어떤 측면에서는 교환한다. 그러한 장치 즉 마스크 검사 장치의 기본적인 기능에 관해, 앞서 언급한 특허 문헌 제 DE 10 2010 063 337B4호를 참조하기 바란다.
이제, 일 양상에 따라, 본 발명은, 앞서 언급한 접근을 시작점으로 하여, 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하며 이 출사 결합 부분의 세기나 에너지를 포착하는 개념을 포함한다. 본 발명에 따라, 이로 인해, (적어도 하나의) 광원의 부분 상의 에너지 변동의 확인을 할 수 있어서, 결국 센서 유닛에 의해 기록되는 이미지는 적어도 하나의 광원의 파워에 관해 정규화될 수 있다.
이 경우, 본 발명에 따른 구성의 유리한 결과는, 특히, 센서 유닛에 의해 기록되는 이미지에서 발생하는 밝기 변화에 관해, 그러한 밝기 변화가 현재 특징이 구해진 마스크에 의해 (예컨대, 이 마스크 상에 아마도 존재할 결함의 결과로) 초래되는지 또는 그러한 밝기 변화가 활용되는 광원(들)의 에너지 변동에 의해 초래되는지에 있어서 구별이 이뤄질 수 있다는 점이다. 이런 식으로, 마스크 상에 존재하는 것으로 인지되는 결함에 관한 부정확한 결정을 내리는 것을 회피할 수 있을 수 도 있다.
이 경우, 본 발명은, 시간에 따른 상대적인 변화나 변동만이 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 세기나 에너지에 관해 관심이 있게 되는; 즉, 특히 공간 분해된 정량적 세기 측정이 필요치 않은 상황을 또한 이용할 수 있다.
게다가, 본 발명은, 적어도 하나의 광원에 의해 방출된 광의 상대적으로 작은 부분만이 시간에 따른 에너지나 세기의 상대적인 변화의 이러한 확인을 위해 출사 결합될 필요가 있으며, 그때까지 광의 주요한 부분이 여전히 실제 마스크 특징화를 위해 이용될 수 있는 상황을 이용할 수 있다.
적어도 하나의 광원의 에너지나 세기 변화의 앞서 언급한 고려에 의해, 본 발명은 (대략적으로는 1퍼센트에 상당히 미만인) 소량의 변화가 마이크로리소그라피 응용에서 정확도 면에서 큰 수요로 인해 마스크에서의 관련 결함의 신뢰할 만한 식별에 중요한 상황을 특히 고려한다.
일 실시예에 따라, 출사 결합 요소는 반사성 요소이다.
적어도 하나의 광원에 의해 발생된 광의 일부분의 세기 센서로의 본 발명에 따른 출사 결합은 여기서 상이한 방식으로 - 여전히 더 상세하게 이하에서 기재될 것임 - 구현될 수 있다. 그에 따라, 실시예에서, 출사 결합 요소로서 미러가 광원(들)과 조명 광학 유닛 사이의 (통상 시준된) 빔 경로에 바로 배치될 수 있다. 그러한 미러의 평균 직경은 특히 0.5mm 미만, 더욱 특히 0.1mm 미만일 수 있다. 게다가, 이 미러의 평균 직경은 적어도 하나의 광원에 의해 방출된 코히어런트 빔의 평균 직경보다 적어도 5배 더 작을 수 있고, 더욱 특히는 적어도 10배 더 작을 수 있다.
일 실시예에 따라, 출사 결합 요소는 적어도 하나의 광원과 조명 광학 유닛 사이에 결국 배치된다.
추가 실시예에 따라, 출사 결합 요소는 조명 광학 유닛에 배치된다.
이 경우, 조명 광학 유닛의 후방-반사가 본 발명에 따른 출사 결합을 위해 사용될 수 있다. 본 발명에 따라, 또한, 이 조명 광학 유닛이 본 발명에 따른 시스템에서의 빔 성형 광학 유닛을 단지 나타내며, 특히 예컨대 존 플레이트(zone plate)와 같은 단일 광학 소자로 구성될 수 있는 상황을 이용할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 출사 결합을 실현하기 위해, 예컨대 이 소자, 즉 존 플레이트의 영역의 반사도를 증가시킬 수 있으며 이점은 예컨대 적절한 소재, 특히 몰리브덴(Mo)-실리콘(Si) 반사 층 스택을 가진 코팅에 의해 구현될 수 있다.
게다가, 이러한 구성에서 본 발명에 따라 이용될 수 있는 것은, 관련 소자, 즉 존 플레이트가 어느 경우에는 빔 경로에서 (적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 빔에 관해) 경사진 방식으로 통상 배치되며, 그에 따라 상기 후방-반사가 광원으로 다시 진행하지 않으며 결국 본 발명에 따른 세기 센서에 도달할 수 있다는 것이다.
일 실시예에 따라, 출사 결합 요소는 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하도록 설계되며, 이러한 일부분의 세기 비율은 10% 미만, 특히 5% 미만, 더 특히는 1% 미만이다.
일 실시예에 따라, 장치는, 서로 독립적으로 조정할 수 있는, 예컨대 MMA(Micro Mirror Array) 형태인 다수의 광학 요소의 어레이를 더 포함하며, 이러한 어레이는 마스크와 센서 유닛 사이의 빔 경로에 배치된다.
이러한 구성은, 특히 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 에뮬레이션 - 본 발명에 따른 개념에 따른 장치의 이미지 기록 배치의 측 상에서 구현됨 - 이 공간 분해된 센서 유닛의 사용 없이 또한 실현될 수 있는 한 본 발명에 따른 장치에서 유리하며, 이는 기록된 이미지에서의 개별 픽셀의 필요한 제거가 센서 유닛 자체에서나 관련 이미지의 평가 동안 구현될 필요가 없고 어레이의 광학 요소의 적절한 설정에 의해 이미 구현될 수 있기 때문이다.
또한, 서로 독립적으로 조정할 수 있는 광학 요소의 어레이는 (센서 유닛에서 이미지에 기여하는 픽셀의 앞서 기재한 선택에 추가하거나 그에 대한 대안으로서) 또한 사용될 수 있어서, 어레이의 조정 가능한 광학 요소 모두를 간헐적으로 - 구체적으로는 마스크의 전진 동안 - 설정할 수 있으며, 그에 따라, 광은 예컨대 "스텝 및 반복 모드" 동안 더는 센서 유닛 상에 입사하지 않는다(여기서, 마스크는 조명 동안 하나의 동일한 위치에 유지되며 조명 다음에 한 스텝만큼만 전진한다).
달리 표현하면, 서로 독립적으로 조정할 수 있는 광학 요소의 어레이는 그러므로 "셔터""의 기능을 또한 채택할 수 있으며, 그 결과, 광원(들)의 교대 활성화 및 활성화 해제를 회피할 수 있다.
게다가, 서로 독립적으로 조정할 수 있는 광학 요소의 어레이는 그레이스케일 값을 실현하는 옵션을 또한 제공하며, 이는 각각의 노광 기간이나 노광 도즈가 관련 광학 요소가, 이 요소에 입사한 광이 개별적으로 규정할 수 있는 시간 기간(전체 노광 기간보다 또한 더 짧음) 후 더는 센서 유닛에 도달하지 않게 되도록, "활성화 해제"되거나 경사짐으로써 개별 광학 요소나 미러 요소를 통해 개별적으로 조정될 수 있기 때문이다.
앞서 기재한 구성은 또한, 적어도 하나의 광원에 의해 방출된 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하며 이 출사 결합된 부분의 세기나 에너지를 포착하는 앞서 제시한 양상과 독립적으로 유리하다. 추가 양상에 따라, 본 발명은 결국 또한 마이크로리소그라피용 마스크의 특징을 구하기 위한 장치에 관한 것이며, 이 장치는
- 코히어런트 광을 방출하는 적어도 하나의 광원,
- 적어도 하나의 광원의 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛,
- 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스,
- 센서 유닛, 및
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛을 포함하며,
- 서로 독립적으로 조정할 수 있는 다수의 광학 요소로 된 어레이가 마스크와 센서 유닛 사이의 광 경로에 배치된다.
일 실시예에 따라, 적어도 하나의 광원은 HHG(High-order Harmonic Generation) 레이저이다. 그러한 광원은 충분한 광자 수를 갖는 의사-연속 스펙트럼을 발생시키며, 바람직한 파장이나 바람직한 파장 범위는 적절한 스펙트럼 요소를 사용하여 이 스펙트럼으로부터 필터링될 수 있다. 이 경우, 전자기 복사가 이미 시준되며 그에 따라 상대적으로 간단한 방식으로 마스크 상에 집속될 수 있다.
일 실시예에 따라, 장치는 다수의 코히어런트 광원을 포함한다. 이러한 구성은, 적절한 코히어런트 광원(예컨대, HHG 소스)의 출력 파워 - 예컨대 밀리와트(mW) 범위에 있을 수 있음 - 의 통상 매우 큰 제한을 고려하기 위해 유리하다(특히 그러나 본 발명에 따른 앞서 기재한 빔 출력 결합과 결합에 배타적이지 않다). 여기서, 펄스화된 동작(예컨대 HHG 레이저 소스의 경우에 주어짐)의 경우에, 광원의 펄스 사이에 남아 있는 데드 타임(dead time)이 하나 이상의 추가 광원(들)으로부터의 펄스화된 광에 각각 사용될 수 있으며, 이 경우, 상이한 위치에 자리한 광원에 의해 발생된 빔은 적절한 스위칭 광학 유닛, 예컨대 경사질 수 있는 미러 또는 하나 이상의 조정 가능한 미러 요소를 가진 미러 배치에 의해 결합될 수 있다. 결국, 이점은 다수의 광원의 다중화를 실현할 수 있다.
앞서 기재한 구성은, 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하며 이 출사 결합된 부분의 세기나 에너지를 포착하는 앞서 제시한 양상과 독립적으로 또한 유리하다. 추가 양상에 따라, 본 발명은 결국 마이크로리소그라피용 마스크의 특징을 구하기 위한 장치에 또한 관한 것이며, 이 장치는
- 코히어런트 광을 방출하는 다수의 광원,
- 이들 광원에 의해 발생된 광을 결합하기 위한 스위칭 광학 유닛,
- 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛,
- 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스,
- 센서 유닛, 및
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛을 포함한다.
일 실시예에 따라, 조명 광학 유닛은 적어도 하나의 미러를 포함하며, 이 적어도 하나의 미러는, 장치의 동작 동안 미러의 광학 유효면에서 일어나는 입사각이 각각의 표면 수선에 관해 적어도 70°이도록 배치된다.
달리 표현하면, 이 양상에 따라, 조명 광학 유닛은 그레이징 입사(GI: Grazing Incidence) 하에서 동작하는 적어도 하나의 미러를 포함한다. 이러한 구성은, 원칙적으로 요구되는 높은 반사도가 그레이징 입사 하의 동작인 경우에 매우 파장-독립적 방식으로 조명 광학 유닛 내에서 획득될 수 있는 한 유리하며, 결국, 본 발명에 따른 장치는, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치에 의해 활용되는 다른 동작 파장(특정 상황에서 EUV 범위에 또한 있을 수 도 있음)에서 특징이 구해질 마스크를 관찰하거나 검사하는데 - 예컨대, 추가 동작 모드에서 - 또한 사용될 수 있다.
이 경우에, 더 큰 주파수 스펙트럼이 (예컨대 제거되거나 교체될 HHG 광원과 결합하여 그 밖에 사용되는 필터에 의해) 더 큰 처리량을 달성할 목적으로 앞선 추가 모드에서 사용될 수 있어서, 예컨대, 마스크 상의 상대적으로 큰 결함은 이런 식으로 식별되며, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 실제(화학선(actinic)) 파장에서의 더 상세한 검사는 더는 이 결함에 대해 필요치 않다(예컨대, 이들 상대적으로 큰 결함이 어떤 경우에는 성가신 것으로 생각되며 그에 따라 제거될 것이기 때문에).
달리 표현하면, 이러한 구성은 각각의 동작 파장에 관해 상이한 동작 모드(예컨대, (i) 광대역 광원을 사용하여 상당히 큰 결함을 식별하기 위한 예비 검사 및 (ii) 화학선 파장에서의 남은 결함의 실제 검사) 사이의 전환을 용이하게 함으로써 본 발명에 따른 장치의 기능을 증가시킨다.
앞서 기재한 구성은, 적어도 하나의 광원에 의해 방출된 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하며 이 출사 결합된 부분의 세기나 에너지를 포착하는 앞서 제시한 양상과 독립적으로 또한 유리하다. 추가 양상에 따라, 본 발명은, 마이크로리소그라피용 마스크의 특징을 구하기 위한 장치에 또한 관한 것이며, 이러한 장치는
- 코히어런트 광을 방출하는 적어도 하나의 광원,
- 적어도 하나의 광원의 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛,
- 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스,
- 센서 유닛, 및
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛을 포함하며,
- 조명 광학 유닛은 적어도 하나의 미러를 포함하며, 이 적어도 하나의 미러는, 장치의 동작 동안 미러의 광학 유효면에서 일어나는 입사각이 각각의 표면 수선에 관해 적어도 70°이도록 배치된다.
일 실시예에 따라, 조명 광학 유닛은 적어도 하나의 미러를 포함하며, 이 적어도 하나의 미러는, 장치의 동작 동안 미러의 광학 유효면에서 일어나는 입사각이 각각의 표면 수선에 관해 최대(at most) 20°이도록 배치된다.
달리 표현하면, 이 구성에 따라, 조명 광학 유닛은 실질적으로 수직 입사(NI: Normal Incidence) 하에서 동작하는 적어도 하나의 미러를 포함한다. 본 발명에 따른 장치에서의 조명 광학 유닛(예컨대, 슈바르츠실드(Schwarzschild) 광학 유닛)의 그러한 구성은, 이 경우에 예컨대 마스크로부터 작은 거리에 조명 광학 유닛을 배치 - 색 수차를 최소화할 이유로 존 플레이트를 사용할 때 필요함 - 할 필요가 없을 수 있으며 그에 따라 또한 보호 멤브레인이 장착된 마스크의 특징화나 검사를 용이하게 할 수 있는 한 앞서 언급한 존 플레이트와 비교하여 유리하다.
앞서 기재한 구성은, 적어도 하나의 광원에 의해 방출된 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하며 이 출사 결합된 부분의 세기나 에너지를 포착하는 앞서 제시한 양상과 독립적으로 또한 유리하다. 추가 양상에 따라, 본 발명은, 마이크로리소그라피용 마스크의 특징을 구하기 위한 장치에 또한 관한 것이며, 이러한 장치는
- 코히어런트 광을 방출하는 적어도 하나의 광원,
- 적어도 하나의 광원의 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛,
- 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스,
- 센서 유닛, 및
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛을 포함하며,
- 조명 광학 유닛은 적어도 하나의 미러를 포함하며, 이 적어도 하나의 미러는, 장치의 동작 동안 미러의 광학 유효면에서 일어나는 입사각이 각각의 표면 수선에 관해 최대 20°이도록 배치된다.
일 실시예에 따라, 장치는, 광원과 마스크 사이의 광 경로에서 적어도 하나의 위상 시프터 요소를 더 포함한다. 그러한 위상 시프터 요소는 위상 시프트를 가함으로써 빔 경로의 변경을 용이하게 하며, 그에 따라, 적절한 구성의 경우, 아마도 존재할 위상 수차에 관한 투영 노광 장치의 에뮬레이션을 또한 용이하게 한다.
앞서 기재한 구성은, 적어도 하나의 광원에 의해 방출된 코히어런트 광의 일부분을 출사 결합하며 이 출사 결합된 부분의 세기나 에너지를 포착하는 앞서 제시한 양상과 독립적으로 또한 유리하다. 추가 양상에 따라, 본 발명은, 마이크로리소그라피용 마스크의 특징을 구하기 위한 장치에 또한 관한 것이며, 이러한 장치는
- 코히어런트 광을 방출하는 적어도 하나의 광원,
- 적어도 하나의 광원의 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛,
- 마스크에 대한 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스,
- 센서 유닛, 및
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛을 포함하며,
- 적어도 하나의 위상 시프터 요소가 광원과 마스크 사이의 광 경로에 배치된다.
본 발명은 또한 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 방법에 관한 것이며, 이 방법에서,
- 회절-제한 광 스폿이, 적어도 하나의 광원에 의해 발생한 코히어런트 광으로부터 마스크 상에 조명 광학 유닛에 의해 발생하고,
- 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임이 마스크에 관해 구현되며,
- 센서 유닛 상에 입사하며 마스크로부터 유래한 광이 평가되며;
- 적어도 하나의 광원에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분이 출사 결합되며 이 출사 결합된 부분의 세기가 포착된다.
이 방법의 장점 및 바람직한 실시예에 관하여는, 본 발명에 따른 장치와 관련한 앞선 설명을 참조하기 바란다.
본 발명의 추가 구성은 상세한 설명과 종속항에서 확인할 수 있다.
본 발명은 수반하는 도면에 예시한 예시적인 실시예를 기초로 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
도 1은, 제1 실시예에서 마스크의 특징을 구하기 위한 본 발명에 따른 장치의 가능한 설정을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 2는, 제2 실시예에서 마스크의 특징을 구하기 위한 본 발명에 따른 장치의 가능한 설정을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 3의 a) 및 b)는, 본 발명에 따른 장치에서 존재하는 조명 광학 유닛의 가능한 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 4는, 다수의 광원을 사용한 본 발명에 따른 장치의 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는, 본 발명에 따른 장치에 존재하는 조명 광학 유닛의 추가 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 6은, 본 발명에 따른 장치에 존재하는 조명 광학 유닛의 추가 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 7 및 도 8은, 본 개시의 추가 양상에 따른 마스크의 특징을 구하기 위한 장치의 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 9는, 마스크의 특징을 구하기 위한 장치의 종래의 설정을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 2는, 제2 실시예에서 마스크의 특징을 구하기 위한 본 발명에 따른 장치의 가능한 설정을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 3의 a) 및 b)는, 본 발명에 따른 장치에서 존재하는 조명 광학 유닛의 가능한 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 4는, 다수의 광원을 사용한 본 발명에 따른 장치의 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는, 본 발명에 따른 장치에 존재하는 조명 광학 유닛의 추가 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 6은, 본 발명에 따른 장치에 존재하는 조명 광학 유닛의 추가 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 7 및 도 8은, 본 개시의 추가 양상에 따른 마스크의 특징을 구하기 위한 장치의 구성을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 9는, 마스크의 특징을 구하기 위한 장치의 종래의 설정을 설명하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치의 실시예에서 공통적인 것은, 이하에서 기재될 바와 같이, - 제 DE 10 2010 063 337 B4호에 기재된 원리에서 비롯되어 - 장치, 즉 마스크 검사 장치가 주사 현미경으로서 구성되며, 광원의 완전 코히어런트 광이 조명 광학 유닛을 통해 특징이 구해질 마스크로 단 하나의 회절-제한 광 스폿이 마스크 상에 조명되는 방식으로 조향된다(steered)는 것이다.
이 경우, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛은, 빔 경로에서 마스크 다음에 오는 센서 유닛에서 이미지에 기여하는 픽셀의 적절한 선택에 의해 본 발명에 따른 장치의 이미징 측 상에서 에뮬레이트된다. 여기서, 이러한 픽셀 선택은, 앞서 언급한 특허 문헌에 기재한 실시예에 따라서 또는 도 7 및 도 8을 참조하여 이제 이하에서 기재될 실시예에 따라서 상이한 방식으로 이뤄질 수 있다.
도 1은, 단지 개략적 예시로 본 발명에 따른 장치의 제1 실시예를 도시한다. 도 1에 따라, 장치는 완전 코히어런트 광을 발생시키기 위한 광원(105)을 포함하며, 광원(105)은 특히 HHG 레이저로서 구성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이것으로 제한되지는 않으며 다른 코히어런트 광원(예컨대, 싱크로트론 또는 자유 전자 레이저)가 또하 추가 실시예에서 사용될 수 있다.
도 1에 따라, 광원(105)으로부터 유래한 코히어런트 광은 시준된 빔 경로에서 조명 광학 유닛(110)과 충돌하며, 조명 광학 유닛은 특징이 구해질 마스크(120) 상에서 회절 제한 광 스폿에 조명 광을 집속한다. 이 경우, 조명 광학 유닛(110)은, 특히 단일 광학 소자(예컨대, 도 3의 a)의 경우 존 플레이트(310))로 구성될 수 있는 빔 성형 광학 유닛을 단지 나타낸다.
마스크(120)의 이미징 효과를 점검하기 위해, 회절 제한 광 스폿의 주사 움직임이 마스크(120)에 대해 구현되며, 이러한 주사 공정은, 단지 조명 광학 유닛(120) 또는 회절 제한 광 스폿을 발생시키는 소자를 움직임으로써, 마스크가 계속 정지해 있는 동안 조명 광학 유닛(110)과 센서 유닛(130)을 움직임으로써 또는 그 밖에 조명 광학 유닛(110)과 센서 유닛(130)이 계속 정지해 있는 동안 마스크(120)를 단지 움직임으로써 실현될 수 있다.
마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 조명 디바이스를 에뮬레이트할 목적으로 센서 유닛(130)의 일부에서 픽셀을 선택하기 위해, 센서 유닛(130)은, 앞서 언급한 제 DE 10 2010 063 337 B4호와 유사한 방식으로, 공간 분해 센서 배치(예컨대, CCD 카메라)로서 구성될 수 있다. 이 경우, 에뮬레이트될 각각의 조명 설정에 의존하여, 센서 유닛(130) 상에 입사한 광을 평가할 때, 픽셀의 유한한 부분이 고려되지 않고 남아 있을 수 있다. 그러나 본 발명은 이것으로 제한되지 않는다. 그에 따라 비-공간 분해 센서(예컨대, 단순한 광다이오드)가 (예컨대, 도 7 및 도 8을 기초로 기재될 바와 같이) 추가 실시예에서 특징이 구해질 마스크로부터 유래한 광을 검출하는데 사용될 수 있으며, 픽셀의 이러한 선택은 이때 상이하게 이뤄진다(예컨대, 서로 독립적으로 조정할 수 있는 광학 요소의, 도 7 및 도 8에 각각 기재된, 배치를 사용하여).
다시 도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 장치는, 광원(105)에 의해 방출된 코히어런트 광의 일부분(145)을 출사 결합하기 위한 미러 형태의 출사 결합 요소(140)를 포함하며, 이 출사 결합된 일부분(145)은 세기 센서(150)에 의해 포착된다.
광원의 동작 파장(예컨대, 대략 13.5nm)에 의존하여, 출사 결합 요소(140)를 형성하는 미러는 적절한 코팅, 특히 몰리브덴(Mo)-실리콘(Si) 반사 층 스택을 가질 수 있다.
출사 결합 요소(140)와 결합하여 세기 센서(150)를 사용함으로써, 본 발명은 광원(105)에 의한 에너지 변동이 확인되게 하여, 센서 유닛(130)에 의해 기록되는 이미지가 광원(105)의 파워에 관해 정규화될 수 있다. 특히, 이로 인해, 센서 유닛(130)에 의해 기록된 이미지의 밝기 변화가 마스크(120) 상에 존재하는 결함에 의해 초래되는지 또는 광원(105)의 에너지 변동에 의해 초래되는지의 여부에 관해 구별할 수 있게 하며, 그에 따라 마스크 상에 존재하는 것으로 인지된 결함에 대한 부정확한 결론을 내리는 것을 회피할 수 있을 수 도 있다.
도 2는 추가 실시예의 개략적 예시를 도시하며, 도 1과 비교하여 유사하거나 실질적으로 기능이 동일한 소자는 "100"만큼 증가한 참조번호로 표시한다. 도 1의 실시예와 대조적으로, 도 2에 대한 출사 결합 요소(240)는 조명 광학 유닛(210)의 구성 부분이며, 그에 따라 조명 광학 유닛(210)의 후방-반사가 본 발명에 따른 출사 결합에 사용된다. 조명 광학 유닛(210)이 존 플레이트로서 구성될 때, 존 플레이트(311)의 영역은 도 3의 b)에 관한 반사 실시예를 가질 수 있으며, 결국 출사 결합 요소(340)로서 역할을 할 수 있다.
조명 광학 유닛에 도달한 완전 코히어런트 광의 발생에 관해서는, 본 발명은 단일 광원의 사용으로 제한되지 않는다. 도 4는, 매우 개략적이며 간략한 예시로 2개의 광원(예컨대, HHG 레이저)(405a, 405b)을 갖는 구성을 도시한다. "406"은, (연속 펄스 사이의) 각 데드 타임 동안 광원 중 하나(예컨대, 405b)의 광을 조명 디바이스(410)로 조향하거나 그 역으로 하기 위해 조정 가능한 미러를 "스위칭 광학 유닛"으로서 표기하는데 사용된다. 특히, 미러(406)는, 그레이징 입사(GI: Grazing Incidence) 하에서 동작하도록 구성되며 배치될 수 있으며(미러(406)의 광학 유효면에서 발생하는 입사각은 각 표면 수선에 관해 적어도 70°임), 그 결과, 세기 손실이 제한될 수 있다. 여기서, 관련 미러(406)의 스위칭율은 광원(405a, 405b)의 펄스율에 의존하여 적절한 방식으로 선택될 수 있으며 예컨대 kHz 범위에 위치할 수 있다.
하나보다 많은 광원을 사용함으로써, 코히어런트 광원 또는 HHG 레이저의 통상 매우 제한된 출력 파워를 고려할 수 있다. 추가 실시예에서, 적절한 스위칭 광학 유닛과 결합하여, 조명 광학 유닛에 충돌하기 위한 완전 코히어런트 광을 발생시키기 위한 2개 보다 많은 광원을 또한 제공할 수 있다.
추가 실시예에서, 본 발명에 따른 장치는 조명 광학 유닛에서 그레이징 입사 하에서(즉, 각 표면 수선에 관해 적어도 70°의 광학 유효면 상의 입사각으로) 배치된 적어도 하나의 미러를 포함한다. 그러한 구성으로 인해, 마스크는 본 발명에 따른 장치를 사용하여 13.5nm까지의 상이한 동작 파장에서 또한 검사되어 - 그레이징 입사의 경우 파장에의 반사도의 상당한 의존도로 인해 - 특히 또한, 더 큰 처리량을 획득할 목적으로 더 큰 주파수 스펙트럼에서 코히어런트 광을 제공하기 위해 광원을 사용할 수 있다. 예를 들어, 그러한 추가 동작 모드는 상대적으로 큰 결함을 식별하는데 사용될 수 있으며, 이러한 결함은 어떤 경우에 성가신 것이며 결국 이미 미리 제거되어야 하며, 그리하여, "화학선" 검사(즉, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 실제 동작 파장에서)는 이미 불필요하게 된다.
예를 들어, HHG 소스의 다수의 고조파가 이 추가 동작 모드에서 광대역 조명에 사용될 수 있으며, 그러한 예비 검사의 단지 다음에 이것이 여전히 필요한 정도로만 화학선 파장에서 (예컨대, HHG 소스의 단 하나의 고조파를 사용하여) 특징화를 실행할 수 있다.
도 5a는, 순전히 개략적 예시에서, 그러한 조명 광학 유닛(510)의 가능 구성을 도시하며, 여기서, 볼터 옵틱스(Wolter optics)의 원리로 시작해서, 광학 축에 중앙 집중식으로 또한 인터리빙되는 다수의 하이퍼볼릭 미러(hyperbolic mirror)(512)와 결합하여 광학 축(OA)에 중앙 집중식으로 인터리빙되는 다수의 파라볼릭 미러(511)의 배치를 사용한다. 이런 식으로, 도 5a에 나타낸 바와 같이, (도 5a에 예시하지 않은) 광원에 의해 발생한 시준된 빔은 그레이징 입사 - 그에 따라 반사도에 대한 상당한 파장 의존도 - 하에서 조명 광학 유닛(510)에 의해 (또한 도 5a에 도시하지 않은) 마스크 상의 회절-제한 광 스폿에 집속될 수 있다.
그레이징 입사 하의 조명 광학 유닛의 앞서 기재한 실현은 도 5a를 기초로 기재한 특정 실시예로 제한되기 보다는 임의의 적절한 방식으로 구현될 수 있다. 순전히 예시적인 방식으로, 도 5b는, 서로 수직인 방식으로 빔 경로에서 연속으로 배치되는 2개의 타원 만곡된 원통형 미러(513, 514)를 기초로 조명 광학 유닛의 추가 구성을 도시한다. 2개의 원통형 미러(513, 514)는 대응하는 초점을 가지며, 따라서 제1 원통형 미러(513)의 초점 라인은 그에 수직인 제2 원통형 미러(514)의 초점 라인과 일치한다.
도 6은, 마스크의 특징을 구하기 위한 장치의 추가 구성의 개략적 예시를 도시하며, 도 1과 비교하여 유사하거나 실질적으로 기능이 동일한 소자는 "500"만큼 증가한 참조번호로 표시된다. 본 양상에 따라, 조명 광학 유닛은 실질적으로 수직 입사 (즉, 각 표면 수선에 관해 최대 20°의 광학 유효면에의 입사각으로) 하에서 동작하는 적어도 하나의 미러를 포함한다. 도 6의 특정한 예시적 실시예에서, 조명 광학 유닛(610)은 오목 미러(611)와 볼록 미러(612)를 가진 슈바르츠실드 광학 유닛으로서 구성된다.
예컨대, 도 3의 a) 및 b)에 관해 구현된 존 플레이트의 사용과 비교하여, 도 6에 관한 조명 광학 유닛(610)의 구성은, 이 경우 존 플레이트의 사용 동안 존재하는 (회피되는 색수차 면에서의) 제한이 없으므로 특징이 구해지는 마스크(620)로부터 상당히 큰 거리에 조명 광학 유닛을 배치할 수 있다는 점에서 유리하다. 결국, 도 6에 관해서, 예컨대 (먼지나 기타 입자로부터 마스크(620)를 보호하기 위한) 보호 멤브레인의 존재의 결과로서, 또한, 검사하는 마스크의 특징을 구할 수 있으며, 그러한 보호 멤브레인은 통상 실제 마스크 구조로부터 다수의 밀리미터(mm)인 거리에 이제 배치된다.
도 6을 기초로 하여 앞서 기재한 실시예는, 도 1을 기초로 하여 기재한 바와 같이, 출사 결합 요소와 세기 센서를 사용하는 개념과 결합하여 실현될 수 있지만, (도 6에 예시한 바와 같이) 이것과 독립적으로 또한 실현될 수 있다.
공간 분해 센서 유닛이 이미지를 기록하기 위해서나 앞서 기재한 실시예에서 및 제 DE 10 2010 063 337 B4호에 관한 원리로부터 비롯된 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛을 에뮬레이트하기 위해 각각 사용될지라도, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 도 7 및 도 8은 각각, 서로 독립적으로 조정할 수 있는 다수의 광학 요소로 된 어레이를 갖는 실시예를 도시하며, 이 어레이는 마스크(720 또는 820)와 센서 유닛(730 또는 830) 사이의 광 경로에 배치된다. 여기서, 이 어레이는 도 7 및 도 8에서 각각 "760" 및 "860"으로 표시되며, 조명 광학 유닛은 "710" 또는 "810"으로 표시된다.
이 어레이(760 또는 860)는, 공간 분해("픽셀화된") 센서 유닛 대신, 그 위에 입사된 광의 총 세기를 단지 기록하는, 이미지 기록용의 단순한 비공간 분해 센서의 사용을 허용한다. 이점은, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 조명 디바이스를 에뮬레이트할 목적으로, 어레이(760 또는 860)가 기록된 영역으로부터 개별 픽셀을 타겟으로 하여 제거하는 것의 구현을 이미 허용한다는 점 덕분에 달성된다. 결국, 도 7 또는 도 8에 관해, 센서 유닛(730 또는 830)은 예컨대 단순한 광다이오드로서 구성될 수 있다.
도 7에 관해, 어레이(760)는, 서로 독립적으로 조정할 수 있으며 그 위에 각각 입사하는 광을 선택적으로 편향시킬 수 있는 다수의 미러 요소("마이크로-미러")를 포함하여, 이 광은 센서 유닛(730) 상에 선택적으로 입사되거나 입사되지 않는다. 도 8에 관해, 어레이(860)는, 어레이(860)의 개별 조정 가능한 요소의 경사 위치에 의존하여, 광이 차단되거나(셔터처럼) 센서 유닛(830) 또는 광다이오드로 투과되는 정도의 투과도로 동작한다.
도 7 및 도 8을 기초로 앞서 기재한 구성은 도 1을 기초로 기재한 바와 같이 광 출사 결합 요소와 세기 센서를 사용하는 개념과 결합하여 또한 실현될 수 있거나 이와 독립적으로 실현될 수 있다.
본 발명 (및 다시 한번 앞서 기재한 구성과 결합되거나 이들과 독립적으로) 의 추가 실시예에서, 위상 수차가, 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치의 대응 수차 속성을 에뮬레이트하기 위해 위상 시프터 요소를 사용함으로써 광학 빔 경로에서 가해질 수 있다.
그러한 위상 시프터 요소에 대한 예시적인 실시예와 적절한 소재가 제 US 10,001,631 B2호 및 제 US 10,151,922 B2호에 기재된다. 특히 파면 결합 및 투과도의 변화를 고려하기 위해, 그러한 위상 시프터 요소는 2개의 개별 필름으로 제조할 수 있으며, 필름의 형상과 소재는, 주어진 위상 변화에서의 투과도 손실이 일정하게 유지될 수 있도록 선택된다.
도 9에 예시한 제 DE 10 2010 063 337 B4호의 원리로부터 시작하여, 마스크의 특징을 구하기 위한 장치가 본 개시의 추가 양상에 따른 방식으로 또한 구성되거나 동작할 수 있어서, 애너모픽(anamorphic) 이미징 시스템을 포함하는 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치가 에뮬레이트된다. 여기서, 애너모픽 이미징은, 오브젝트의 왜곡된 이미지를 발생시키며 유사 이미징의 인스턴스가 아닌 이미징(즉, 변위, 회전, 미러링 및 스케일링의 조합에 의해 표현될 수 없음)을 의미하는 것으로 이해된다. 특별한 경우, 그러한 애너모픽 이미징 시스템은 예컨대, 2개의 상호 상이한 축을 따라 상이한 이미징 스케일을 갖는 투영 렌즈일 수 도 있다.
이제, 원칙적으로, 존재하는 결함에 관해 마스크의 특징을 구하는 것은 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치에서의 웨이퍼의 상이한 디포커스 레벨이 에뮬레이트되는 것에 또한 바람직할 수 있으며, 본 발명에 따른 장치에서의 웨이퍼의 관련 디포커싱은 이제 레티클의 디포커싱에 대응한다. 이제, 그러한 디포커싱은 광원과 특징을 구할 마스크 사이의 광 경로에서 비점수차(astigmatism) 형태인 수차를 타겟화하여 추가함으로써 고려될 수 있다. 예를 들어, 위상 시프터 요소가 이를 위해 조명 빔 경로에 삽입될 수 있거나, 조명 광학 유닛(예컨대, 도 3에 관해 존 플레이트, 도 6에 관해 슈바르츠실드 광학 유닛 등)은 그에 따라 연속해서 변형될 수 있다. 위상 시프트에 관해 연속해서 가변적일 수 있으며 소위 알버레즈(Alvarez) 원리를 기초로 하는 EUV 범위에 사용하기 위한 적절한 위상 시프터 요소가 제 DE 10 2018 201 495 A1호에 기재되어 있다.
본 발명은 특정 실시예를 기초로 기재되었을지라도, 예컨대 개별 실시예의 특성의 조합 및/또는 교환을 통해, 수많은 변화와 대안적 실시예가 당업자에게 자명할 것이다. 그에 따라, 당업자에게는, 그러한 변화와 대안적 실시예가 본 발명에 포함되며, 본 발명의 범위가 수반하는 특허청구항 및 그 등가물에 의해 제공되는 것으로 제한됨은 말할 것도 없다.
Claims (14)
- 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치로서,
o 코히어런트 광을 방출하는 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605);
o 상기 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605)의 코히어런트 광으로부터 마스크(120, 220, 620, 720, 820) 상에 회절-제한 광 스폿을 발생시키는 조명 광학 유닛(110, 210, 310, 311, 410, 510, 610, 710, 810);
o 상기 마스크(120, 220, 620, 720, 820)에 대한 상기 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임을 구현할 수 있게 하는 주사 디바이스;
o 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830); 및
o 상기 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830) 상에 입사하며 상기 마스크(120, 220, 620, 720, 820)로부터 유래한 광을 평가하기 위한 평가 유닛을 포함하되;
o 상기 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605)에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분(145, 245)을 출사 결합하기 위한 출사 결합 요소(140, 240, 340);
o 상기 출사 결합된 일부분(145, 245)의 세기를 포착하기 위한 세기 센서(150, 250); 및
o 다수의 광학 요소의 적어도 하나의 어레이를 더 포함하며,
상기 다수의 광학 요소의 적어도 하나의 어레이는, 상기 다수의 광학 요소 상에 각각 입사하는 광이 상기 센서 유닛 상에 선택적으로 입사되거나 입사되지 않도록 서로 독립적으로 조정 가능하며, 상기 어레이는 상기 마스크(120, 220, 620, 720, 820)와 상기 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830) 사이의 광 경로에 배치되는 것을 특징으로 하는, 장치. - 청구항 1에 있어서, 상기 출사 결합 요소(140, 240, 340)가 반사성 요소인 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 출사 결합 요소(140, 240, 340)가, 상기 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605)에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분(145, 245)을 출사 결합하도록 설계되며, 상기 일부분의 세기 비율은 10% 미만인 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 출사 결합 요소(140)가 상기 적어도 하나의 광원(105)과 상기 조명 광학 유닛(110) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 출사 결합 요소(240, 340)가 상기 조명 광학 유닛(210, 311)에 배치되는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 조명 광학 유닛(310, 311)이 존 플레이트(zone plate)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 6에 있어서, 상기 출사 결합 요소(340)가 상기 존 플레이트의 반사 영역에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 삭제
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605)이 HHG 레이저인 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 다수의 코히어런트 광원(405a, 405b)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 조명 광학 유닛(510)이 적어도 하나의 미러(511, 512, 513, 514)를 포함하며, 상기 적어도 하나의 미러(511, 512, 513, 514)가, 상기 장치의 동작 동안 상기 적어도 하나의 미러(511, 512, 513, 514)의 광학 유효면에서 발생하는 입사각이 각 표면 수선에 관해 적어도 70°이도록, 배치되는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 조명 광학 유닛(610)이 적어도 하나의 미러(611, 612)를 포함하며, 상기 적어도 하나의 미러(611, 612)가, 상기 장치의 동작 동안 상기 적어도 하나의 미러(611, 612)의 광학 유효면에서 발생하는 입사각이 각 표면 수선에 관해 최대 20°이도록, 배치되는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 광원(105, 205, 405)과 마스크(120, 220, 620, 720, 820) 사이의 광 경로에 적어도 하나의 위상 시프터 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 장치.
- 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 방법으로서,
- 회절-제한 광 스폿이, 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605)에 의해 발생한 코히어런트 광으로부터 마스크(120, 220, 620, 720, 820) 상에 조명 광학 유닛(110, 210, 310, 311, 410, 510, 610, 710, 810)에 의해 발생하고;
- 상기 회절-제한 광 스폿의 주사 움직임이 상기 마스크(120, 220, 620, 720, 820)에 관해 구현되며;
- 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830) 상에 입사하며 상기 마스크(120, 220, 620, 720, 820)로부터 유래한 광이 평가되되;
상기 적어도 하나의 광원(105, 205, 405a, 405b, 605)에 의해 방출되는 코히어런트 광의 일부분(145, 245)이 출사 결합되며, 상기 출사 결합된 일부분(145, 245)의 세기가 포착되며,
다수의 광학 요소의 적어도 하나의 어레이가, 상기 다수의 광학 요소 상에 각각 입사하는 광이 상기 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830) 상에 선택적으로 입사되거나 입사되지 않도록 서로 독립적으로 조정되며, 상기 어레이는 상기 마스크(120, 220, 620, 720, 820)와 상기 센서 유닛(130, 230, 630, 730, 830) 사이의 광 경로에 배치되는 것을 특징으로 하는, 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020240021135A KR20240027641A (ko) | 2020-06-18 | 2024-02-14 | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102020207566.2A DE102020207566B4 (de) | 2020-06-18 | 2020-06-18 | Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie |
DE102020207566.2 | 2020-06-18 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240021135A Division KR20240027641A (ko) | 2020-06-18 | 2024-02-14 | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210157327A KR20210157327A (ko) | 2021-12-28 |
KR102638634B1 true KR102638634B1 (ko) | 2024-02-20 |
Family
ID=78822826
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210074695A KR102638634B1 (ko) | 2020-06-18 | 2021-06-09 | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 |
KR1020240021135A KR20240027641A (ko) | 2020-06-18 | 2024-02-14 | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240021135A KR20240027641A (ko) | 2020-06-18 | 2024-02-14 | 마이크로리소그라픽 마스크의 특징을 구하기 위한 장치 및 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11914303B2 (ko) |
JP (1) | JP7275198B2 (ko) |
KR (2) | KR102638634B1 (ko) |
CN (1) | CN113820916A (ko) |
DE (1) | DE102020207566B4 (ko) |
TW (1) | TWI781624B (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102022114158A1 (de) | 2022-06-03 | 2023-12-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie |
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- 2021-05-17 TW TW110117752A patent/TWI781624B/zh active
- 2021-06-09 KR KR1020210074695A patent/KR102638634B1/ko active IP Right Grant
- 2021-06-11 US US17/345,024 patent/US11914303B2/en active Active
- 2021-06-17 CN CN202110670767.5A patent/CN113820916A/zh active Pending
- 2021-06-18 JP JP2021101706A patent/JP7275198B2/ja active Active
-
2024
- 2024-01-19 US US18/417,546 patent/US20240152057A1/en active Pending
- 2024-02-14 KR KR1020240021135A patent/KR20240027641A/ko active Search and Examination
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TW202305502A (zh) | 2023-02-01 |
US20210397099A1 (en) | 2021-12-23 |
TW202201124A (zh) | 2022-01-01 |
US20240152057A1 (en) | 2024-05-09 |
US11914303B2 (en) | 2024-02-27 |
TWI781624B (zh) | 2022-10-21 |
KR20240027641A (ko) | 2024-03-04 |
JP2022000692A (ja) | 2022-01-04 |
JP7275198B2 (ja) | 2023-05-17 |
DE102020207566B4 (de) | 2023-02-16 |
DE102020207566A1 (de) | 2021-12-23 |
KR20210157327A (ko) | 2021-12-28 |
CN113820916A (zh) | 2021-12-21 |
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