JP2007173526A - シリコンウェーハ表面歪分布測定装置 - Google Patents
シリコンウェーハ表面歪分布測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007173526A JP2007173526A JP2005369203A JP2005369203A JP2007173526A JP 2007173526 A JP2007173526 A JP 2007173526A JP 2005369203 A JP2005369203 A JP 2005369203A JP 2005369203 A JP2005369203 A JP 2005369203A JP 2007173526 A JP2007173526 A JP 2007173526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- strain distribution
- wafer surface
- distribution measuring
- surface strain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】アルゴンイオンレーザ10から発せられる波長約363.8nmの紫外光を集光照射機構40等を介して測定対象試料60であるシリコンウェーハ上に集光させる。紫外光が照射されるシリコンウェーハ上の領域から発せられたラマン散乱光は、集光照射機構40を介してモノクロメータ式の分光器80に入射される。CCD検出器90の映像信号からラマン散乱光のエネルギ分布を演算し、紫外光が照射されるシリコンウェーハの領域における歪量を演算する。このシリコンウェーハ表面の歪分布は、コンピュータ100等によりマッピング表示される。
【選択図】図1
Description
ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス、第37巻、1282ページ(1998年) アプライド・フィジクス・レターズ、第61巻、324ページ(1992年) アプライド・サーフェス・サイエンス、第224巻、113ページ(2004年) 第51回応用物理学関連連合講演会予稿集、講演番号30a―ZG−1、2004年 エレクトロケミカル・ソサイエティ・プロシーディングス2005−3巻、345ページ(2005年、カナダ、ケベックシティ)
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な変更、置換、追加等が可能である。例えば、ラマン散乱光のエネルギ分布の構成手段として、レイリー散乱、アルゴンレーザからのプラズマライン、Hgランプ等を採用することができる。また、第1乃至第3の実施の形態で述べた試料構造や測定条件などについても、本発明を制限するものではないことは当然である。
Claims (11)
- 波長約350−370nmの紫外光を発する紫外光光源と、
該紫外光をシリコンウェーハ上に集光して照射する照射機構と、
前記シリコンウェーハを移動させ前記シリコンウェーハ上の所望の領域に前記紫外光を照射するための可動式ステージと、
前記シリコンウェーハ上の領域に前記紫外光が照射されることにより発せられたラマン散乱光を受光してそのエネルギを測定する測定装置と、
該ラマン散乱光のエネルギ分布から前記紫外光が照射される前記シリコンウェーハの領域における歪量を演算し前記シリコンウェーハ表面の歪分布を可視化する可視化機構と
を備えたことを特徴とするシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。 - 前記紫外光光源が、波長363.8nmの光を発するアルゴンイオンレーザであることを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記照射機構が自動焦点機能を有し、ステージの移動に伴う焦点ずれを補正するように構成されていることを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記測定装置が、モノクロメータ式分光器とCCD検出器を備えたことを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記分光器は、前記ラマン散乱光を回折させる回折格子を備え、前記ラマン散乱光のエネルギの大きさに応じてその回折方向が変化するようにされていることを特徴とする請求項4記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記照射機構によって集光された光のビームスポット形状が、円形形状を有することを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記照射機構によって集光された光のビームスポット形状が、一方向において他方向によりも長く伸びた線状形状を有することを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記照射機構は、円形のビームスポット形状を有する光を一方向に高速で走査する機構により擬似的な線状形状のビームを生成する擬似線状光源として機能することを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記一方向に高速で走査する機構は、ガルバノメータであることを特徴とする請求項8記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- 前記CCD検出器が2次元に配列された画素を有し、一方向に前記線状光源の長手方向に沿った位置の情報、他方向にモノクロメータ式分光器で分光されたエネルギの情報を割り当てるように配置し、一度に線状もしくは擬似線状光源の照射領域の歪量測定が可能であることを特徴とする請求項7記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
- ラマン散乱光のエネルギ分布の構成手段として、レイリー散乱、アルゴンレーザからのプラズマライン、Hgランプの中から少なくとも一つを用いることを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハ表面歪分布測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369203A JP5073943B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | シリコンウェーハ表面歪分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369203A JP5073943B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | シリコンウェーハ表面歪分布測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007173526A true JP2007173526A (ja) | 2007-07-05 |
JP5073943B2 JP5073943B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=38299670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005369203A Active JP5073943B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | シリコンウェーハ表面歪分布測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5073943B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099757A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Meiji Univ | 半導体表面歪測定装置、方法及びプログラム |
CN105890753A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-08-24 | 厦门大学 | 拉曼光谱仪自动对焦系统 |
US20190080905A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | Disco Corporation | Method of assessing semiconductor substrate and method of assessing device chip |
US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110849281B (zh) * | 2019-11-13 | 2021-03-16 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种能够实现光学系统自动闭环控制的孔径仪及测量方法 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005369203A patent/JP5073943B2/ja active Active
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099757A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Meiji Univ | 半導体表面歪測定装置、方法及びプログラム |
CN105890753A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-08-24 | 厦门大学 | 拉曼光谱仪自动对焦系统 |
CN105890753B (zh) * | 2016-04-21 | 2017-12-01 | 厦门大学 | 拉曼光谱仪自动对焦系统 |
US20190080905A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | Disco Corporation | Method of assessing semiconductor substrate and method of assessing device chip |
US10586699B2 (en) | 2017-09-13 | 2020-03-10 | Disco Corporation | Method of assessing semiconductor substrate and method of assessing device chip |
US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5073943B2 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102517042B1 (ko) | X-선 작은 각 산란측정용 x-선 방출원 광학 기기 | |
KR102104067B1 (ko) | X선 산란계측 장치 | |
US10352880B2 (en) | Method and apparatus for x-ray microscopy | |
US10304580B2 (en) | Talbot X-ray microscope | |
JP7308233B2 (ja) | 小角x線散乱計測計 | |
JP5896999B2 (ja) | X線装置 | |
JP5009563B2 (ja) | 試料の検査方法および装置 | |
KR20200097353A (ko) | 결합된 x 선 반사 측정법 및 광전자 분광법을 위한 시스템 및 방법 | |
JP2005527833A (ja) | 元素別x線蛍光顕微鏡および動作の方法 | |
JP5281258B2 (ja) | 応力測定方法 | |
JP5073943B2 (ja) | シリコンウェーハ表面歪分布測定装置 | |
US11703464B2 (en) | Small-angle x-ray scatterometry | |
JP5712778B2 (ja) | Soiウェーハのsoi層の膜厚測定方法 | |
JP5108447B2 (ja) | 半導体表面歪測定装置、方法及びプログラム | |
WO2006095467A1 (ja) | X線回折分析方法およびx線回折分析装置 | |
JP5332801B2 (ja) | 試料分析装置及び試料分析方法 | |
JP4037833B2 (ja) | 組成分析方法および組成分析装置 | |
JP2010169469A (ja) | 結晶歪み検出方法および結晶歪み検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081006 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111101 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120720 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5073943 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |