JP2013008876A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板Wを配置した減圧下の成膜室12内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第1のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第1工程と、第1工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第2エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第2工程とを含む。
【選択図】図1
Description
Claims (3)
- シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成するためのドライエッチング方法であって、
シリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第1のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第1工程と、
第1工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第2エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第2工程と、を含むことを特徴とするドライエッチング方法。 - 同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第1のエッチングガス中のフッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方の当該処理室内への導入を停止すると共に酸素ガスの導入量を低下させて第1のエッチングガスから第2のエッチングガスに切り換えて第1工程と第2工程とを連続して行うことを特徴とする請求項1記載のドライエッチング方法。
- 第1工程及び第2工程における酸素ガスの導入を、流量制御手段を有する単一のガス導入系により行い、第1工程における酸素流量比を10〜40%の範囲とし、第2工程における酸素流量比を20〜60%の範囲となるように流量制御手段を制御することを特徴とする請求項2記載のドライエッチング方法。
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- 2011-06-24 JP JP2011141189A patent/JP5773777B2/ja active Active
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