JP2013008652A - Led照明器具及びその製造方法 - Google Patents

Led照明器具及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013008652A
JP2013008652A JP2011177864A JP2011177864A JP2013008652A JP 2013008652 A JP2013008652 A JP 2013008652A JP 2011177864 A JP2011177864 A JP 2011177864A JP 2011177864 A JP2011177864 A JP 2011177864A JP 2013008652 A JP2013008652 A JP 2013008652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor powder
led lighting
led module
lamp housing
powder layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011177864A
Other languages
English (en)
Inventor
Chih Hao Lin
志豪 林
Cheng-Wei Hung
政▲うぇい▼ 洪
坤樺 ▲呉▼
Kun-Hua Wu
Chao-Hsien Wang
超賢 王
Po-Chang Chen
柏彰 陳
Chih-Ping Lo
志平 羅
柏璋 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wellypower Optronics Corp
Original Assignee
Wellypower Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wellypower Optronics Corp filed Critical Wellypower Optronics Corp
Publication of JP2013008652A publication Critical patent/JP2013008652A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90Methods of manufacture
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/10Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings
    • F21V3/12Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】低コスト及びLED光源の照明効果の向上したLED照明器具及びその製造方法を提供する。
【解決手段】LED照明器具100は、LEDモジュール110と、ランプハウジング120と、蛍光体粉末層130とを含む。LEDモジュール110は、波長300nm〜700nmの光線を生成することに用いられる。ランプハウジング120は、LEDモジュール110をカバーすることに用いられる。蛍光体粉末層130は、ランプハウジング120のLEDモジュール110に向く裏面に塗布され、少なくとも2種の蛍光体粉末を所定割合によって均一に混合することで形成され、波長300nm〜700nmの光線を変換して波長400nm〜700nmの照明光線を生成することに用いられる。これにより、コストの低い光源によって、異なる照明光色を生成できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、LED照明器具に関し、特に厚さが変化できる蛍光体粉末層を有するLED照明器具及びその製造方法に関する。
発光ダイオード(Light−Emitting Diode;LEDと略称する)は、半導体素子の一種である。発光ダイオードは、電子と正孔との相互結合によって、エネルギーを光で放出する。即ち、電気エネルギーを直接光エネルギーに変換する原理によって、半導体の正極および負極の二つの端子に電圧を印加し、電流を通し、電子と正孔とを互いに結合させる場合に、残ったエネルギーを光で放出する。また、使用される材料によって、エネルギー準位が光子エネルギーに波長の異なる光線を生成す。順電圧を印加する場合に、発光ダイオードは、単色かつ不連続的な光を発生でき、これはエレクトロルミネッセンス効果の一種である。発光ダイオードは、採用される半導体材料の化学組成成分を変えることにより、近紫外線、可視光線又は赤外線の光を発生することができる。簡単に言えば、LEDは、高効率、長寿命、高耐久性など、従来の光源とは比較できないほど多い長所を備える21世紀のエコ光源である。
特開2006−286615号公報
現在、各種のLED製品は市販されているが、低コスト及びLED光源の照明効果の向上に対して改良を行う必要があり、上記効果を強化することも本発明の目的である。
本発明の一態様は、LED照明器具である。LED照明器具は、LEDモジュールと、ランプハウジングと、蛍光体粉末層とを含む。LEDモジュールは、波長300nm〜700nmの光線を生成することに用いられる。ランプハウジングは、LEDモジュールをカバーすることに用いられる。蛍光体粉末層は、ランプハウジングのLEDモジュールに向く裏面に塗布され、少なくとも2種の蛍光体粉末を所定割合によって均一に混合することで形成され、波長300nm〜700nmの光線を変換して波長400nm〜700nmの照明光線を生成することに用いられる。
一態様において、蛍光体粉末層の厚さは、10μm〜100μmとすることができ、且つ、蛍光体粉末層の厚さは、LEDモジュールとの夾角によって、連続的に変わる。そのうち、夾角が90度である場合に、蛍光体粉末層の厚さは、最も厚くなることが好ましい。蛍光体粉末が2種類である場合の所定割合は、0.5:99.5とすることができる。LEDモジュールは、異なる波長帯を励起する複数のLEDを含んでもよい。ランプハウジングの最大直径は、LEDモジュールの最大幅より大きくてもよい。ランプハウジングは、密閉空間を形成してもよい。
又、本発明のもう一つの態様は、LED照明器具の製造方法である。製造方法は、準備工程と、混合工程と、噴出工程と、加熱乾燥工程と、組立工程と、を含む。準備工程において、少なくとも2種の蛍光体粉末、水、および、溶剤を準備する。混合工程において、LEDモジュールに対応する所定割合の少なくとも2種の蛍光体粉末、水、および、溶剤を混合し、撹拌して、塗布液を形成する。噴出工程において、ノズルによって、ランプハウジングに塗布液を噴出して、蛍光体粉末層を形成する。加熱乾燥工程において、ランプハウジングを加熱して、蛍光体粉末を乾燥させる。組立工程において、ランプハウジングがLEDモジュールをカバーするように、LEDモジュールをランプハウジングの内部に置く。
上記実施形態において、蛍光体粉末層の厚さは、10μm〜100μmとすることができ、且つ、蛍光体粉末層の厚さは、LEDモジュールとの夾角によって、連続的に変わる。そのうち、夾角が90度である場合に、蛍光体粉末層の厚さは、最も厚くなることが好ましい。
本発明で開示されるLED照明器具の蛍光体粉末層は、ランプハウジングのLEDモジュールに向く裏面に塗布され、少なくとも2種の蛍光体粉末を所定割合によって均一に混合することで形成され、波長300nm〜700nmの光源を変換して波長400nm〜700nmの照明光線を生成することに用いられる。蛍光体粉末は、繰り返して噴出する技術によって、ランプハウジングの一部の区域に塗布される。これによって、LED照明器具のLEDモジュールは、コストの低い光源によって、異なる照明光色を生成できるようになっただけでなく、蛍光体粉末層の厚さの変化で、照明角度の表現を更に強化できる。なお、ランプハウジングおよびLEDモジュールのサイズを調整することによっても、発光角度を増加させることができ、LED照明器具に市場において更に優位性を持たせた。
本発明の第1実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。 本発明の実施形態によるLED照明器具の製造方法の工程を示すフロー図である。 LEDの発光強度を示す模式図である。 本発明の実施形態による蛍光体粉末層の厚さの変化を示す模式図である。 本発明の第2実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。 本発明の第3実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。 本発明の第4実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。 本発明の第5実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。
以下、本発明の実施形態によるLED照明器具およびLED照明器具の製造方法を図面に基づいて説明する。なお、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態によるLED照明器具100の模式図である。図1を参照して、本実施形態では、波長300nm〜700nmの光線を生成するLEDモジュール110と、LEDモジュール110をカバーするランプハウジング120と、蛍光体粉末層130とを含むLED照明器具100を開示する。蛍光体粉末層130は、ランプハウジング120のLEDモジュール110に向く裏面に塗布され、且つ、少なくとも2種の蛍光体粉末を所定割合によって均一に混合することで形成され、波長300nm〜700nmの光線を波長400nm〜700nmの照明光線に変換することに用いられる。
ランプハウジング120は、LEDモジュール110をカバーすることに用いられ、真空化またはガスを充填することによって、LEDモジュール110と密閉状態としてもよいし、非密閉状態であってもよい。ランプハウジング120の主な材質は、シリコンまたはプラスチックであり、例えば、ナトリウム、カリウム、硼素などのようなほかの元素をドーピングしてもよい。また、ランプハウジング120は、例えば、円形、楕円形、四角形、ピラミッド形、皿状、盆状、火炎状、台形、不規則形状などのような任意の厚さ、寸法及び形状であってよい。
LEDモジュール110は、それぞれが異なる波長帯の光線を励起する複数のLED112〜114を含む。LED熱崩壊による影響を軽減させるために、電子回路板111に放熱装置を加えてもよい。放熱装置は、例えば、従来の技術によって、放熱フィン又は放熱機構で実現できる。図1に省略された下半部分は、ボール電球のランプソケットである口金に接続され、現行の標準規格E27、E26、E17などを採用できるため、図1に示されていない。
蛍光体粉末層130は、少なくとも2種以上の異なる蛍光体粉末を所定割合によって混合することで形成することができる。蛍光体粉末の所定割合が、LEDモジュール110におけるLED112〜114の組成に対応する。詳しく言えば、蛍光体粉末の種類と割合とを調整することによって、照明光線の色度や色温度を変えることができる。図1によれば、LED112〜114が駆動された後に各種の波長の光線を励起して、その後、光線が、ランプハウジング120において、ランプハウジング120のLEDモジュール110に向く裏面に塗布された蛍光体粉末層130を透過することにより、混合されて白色光を発生し、照明できるようになったことを理解できる。
図2を参照すれば、本発明の実施形態によるLED照明器具100の製造方法を更にはっきり理解できる。図2の工程フロー図に示すように、製造方法は、準備工程201と、混合工程202と、噴出工程203と、加熱乾燥工程204と、組立工程205とを含む。そのうち、準備工程201、混合工程202、噴出工程203、加熱乾燥工程204は、蛍光体粉末をランプハウジング120に塗布して蛍光体粉末層130を形成するための過程である塗布工程210と一括して称する。
さらに言えば、準備工程201は、少なくとも2種以上の蛍光体粉末、水、溶剤、即ち、各種の必要な材料を準備する工程である。
混合工程202において、LEDモジュール110に対応する所定割合の少なくとも2種の蛍光体粉末、水、溶剤を混合し、均一に撹拌して、塗布液を形成する。
噴出工程203において、ノズルによって、ランプハウジング120の一部の区域に塗布液を繰り返して噴出して、蛍光体粉末層130を形成するが、一部の区域がLEDモジュール110に向く部分であり、蛍光体粉末層130の厚さを10μm〜100μmとすることが好ましい。
加熱乾燥工程204において、ランプハウジング120を加熱して、蛍光体粉末層130を乾燥させて定着させる。
組立工程205において、ランプハウジング120によってLEDモジュール110をカバーするように、LEDモジュール110をランプハウジング120の内部に置く。この製造方法において、少なくとも2種の蛍光体粉末の所定割合は、LEDモジュール110におけるLED112〜114の組成に対応し、0.5:99.5であってよい。より精確に言えば、粉末混合割合は、珪酸塩(silicate):CASN蛍光体=4.5:1であってよく、その割合によって、色温度を暖かい白色区域に調整できる。又は、蛍光体粉末は、蛍光体粉末Aおよび蛍光体粉末Bからなる場合、異なる状況および製品要求に対応して、A:B=1%:99%、A:B=50%:50%、A:B=99%:1%などの各種の割合によって混合して形成することができる。
図3によれば、LEDの発光強度には、方向性があり、つまり、LED正方向において、光強度が最も大きくて、側面になるほど、光強度が小さくなり、簡単に言えば、LED正方向の光強度が最も大きくて、それから次第に低下することを理解できる。そのため、蛍光体粉末層130の厚さは、均一であってもよいし、不均一であってもよいが、本実施形態に開示するように、蛍光体粉末層130の厚さがLEDモジュール110との夾角θによって連続的に変わってもよい。
図4は、本の実施形態による蛍光体粉末層130の厚さの変化を示す模式図である。図4において、ランプハウジング120をA、B、Cという3つの区域に分けた。区域Aの中心点と図1に示すように水平に置かれたLEDモジュール110との間の夾角θAは、概ね90度である。区域Bの中心点と図1に示すように水平に置かれたLEDモジュール110との間の夾角θBは、概ね45度である。区域Cの中心点と図1に示すように水平に置かれたLEDモジュール110との間の夾角θCは、概ね30度である。そのため、区域Aの厚さは最大であり、区域Bの厚さは区域Aの60〜100%であり、区域Cの厚さは、区域Aの30〜100%である。各区域における厚さは、塗布液の配合、粘度比重、回転速度、風量、温度などを調整することによって、比率が異なる蛍光体粉末層130の厚さを実現できる。
(第2実施形態)
図5は、本発明の第2実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。第2実施形態において、ランプハウジング120は、半円球型であり、最大直径Pを有し、LEDモジュール110の電子回路板111は、対応する円形であり、最大直径Qを有する。図5中のHは、PからQまでの距離である。最大発光角度に達するために、図5では、P=62.5mm、Q=56mm、H=15mmのため、700lmの光束とすることができる。
(第3実施形態)
図6は、本発明の第3実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。本実施形態において、ランプハウジング120は、半円球型であり、最大直径Pを有し、LEDモジュール110の電子回路板111は、対応する円形であり、最大直径Qを有する。図6中のHは、PからQまでの距離である。P=Q=62.5mm、H=0mmのため、520lmの光束とすることができる。
(第4実施形態)
図7は、本発明の第4実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。ランプハウジング120は、半円球型であり、最大直径Pを有し、LEDモジュール110の電子回路板111は、対応する円形であり、最大直径Qを有する。図7中のHは、PからQまでの距離である。本実施形態では、P>Q、且つ、H=0mmとする。本実施形態では、LEDモジュール110から射出した光線が照射できない区域に対して、蛍光体粉末の塗布を行わないため、透過および反射によって、白色光を射出し、発光角度を更に増加させることができる。
(第5実施形態)
図8は、本発明の第5実施形態によるLED照明器具を示す模式図である。球型のランプハウジング120を採用すれば、LEDモジュール110に向く部分だけに蛍光体粉末を塗布して、反射作用によって、発光角度を更に大きくすることができる。
上記の本発明の実施形態によって理解できるように、上記複数の実施形態で開示されたLED照明器具の蛍光体粉末層130は、繰り返して噴出する技術によって、ランプハウジング120のLEDモジュール110に向く裏面に塗布され、少なくとも2種の蛍光体粉末を所定割合によって均一に混合することで形成され、波長300nm〜700nmの光源を変換して波長400nm〜700nmの照明光線を生成することに用いられる。簡単に言えば、LEDに対応する所定割合によって蛍光体粉末層130を構成する2種の蛍光体粉末を調合することで、ランプハウジング120又はライトチューブを透過する光の色を変えることができ、光線が処理された後に照明に適用することができる。
本発明は、上記のように開示されたが、それは本発明を限定するものではなく、当業者なら誰でも、本発明の趣旨と範囲から逸脱しない範囲内で、多種の変更や修飾を加えることができるため、本発明の技術的範囲は、請求の範囲の記載に準ずる。
100・・・LED照明器具
110・・・LEDモジュール
111・・・電子回路板
112〜114・・・LED
120・・・ランプハウジング
130・・・蛍光体粉末層
201・・・準備工程
202・・・混合工程
203・・・噴出工程
204・・・加熱乾燥工程
205・・・組立工程
210・・・塗布工程
A〜C・・・ランプハウジングの区域
P・・・ランプハウジングの最大直径
Q・・・電子回路板の最大直径
H・・・PとQの距離
θA〜θC・・・夾角

Claims (12)

  1. 波長300nm〜700nmの光線を生成するために据え付けられたLEDモジュールと、
    前記LEDモジュールをカバーするランプハウジングと、
    前記ランプハウジングの前記LEDモジュールに向く裏面に塗布され、少なくとも2種の蛍光体粉末を所定割合によって均一に混合することで形成され、波長300nm〜700nmの前記光線を変換して波長400nm〜700nmの照明光線を生成することに用いられる蛍光体粉末層と、
    を備えることを特徴とするLED照明器具。
  2. 前記蛍光体粉末層の厚さは、10μm〜100μmであることを特徴とする請求項1に記載のLED照明器具。
  3. 前記蛍光体粉末層の厚さは、前記LEDモジュールとの夾角によって、連続的に変わることを特徴とする請求項1に記載のLED照明器具。
  4. 前記夾角が90度である場合、前記蛍光体粉末層の厚さが最も厚いことを特徴とする請求項3に記載のLED照明器具。
  5. 前記蛍光体粉末が2種類である場合の前記所定割合は、0.5:99.5であることを特徴とする請求項1に記載のLED照明器具。
  6. 前記LEDモジュールは、互いに異なる波長帯を励起する複数のLEDを含むことを特徴とする請求項1に記載のLED照明器具。
  7. 前記ランプハウジングの最大直径は、前記LEDモジュールの幅より大きいことを特徴とする請求項1に記載のLED照明器具。
  8. 前記ランプハウジングは、密閉空間を形成することを特徴とする請求項7に記載のLED照明器具。
  9. 前記少なくとも2種の蛍光体粉末、水、および、溶剤を準備する準備工程と、
    前記LEDモジュールに対応する所定割合の前記少なくとも2種の蛍光体粉末、前記水、および、前記溶剤を混合し、撹拌して、塗布液を形成する混合工程と、
    ノズルによって、前記ランプハウジングに前記塗布液を噴出して、前記蛍光体粉末層を形成する噴出工程と、
    前記ランプハウジングを加熱して、前記蛍光体粉末層を乾燥させる加熱乾燥工程と、
    前記ランプハウジングが前記LEDモジュールをカバーするように、前記LEDモジュールを前記ランプハウジングの内部に置く組立工程と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載のLED照明器具の製造方法。
  10. 前記蛍光体粉末層の厚さは、10μm〜100μmであることを特徴とする請求項9に記載のLED照明器具の製造方法。
  11. 前記蛍光体粉末層の厚さは、前記LEDモジュールとの夾角によって、連続的に変わることを特徴とする請求項9に記載のLED照明器具の製造方法。
  12. 前記夾角が90度である場合、前記蛍光体粉末層の厚さが最も厚いことを特徴とする請求項11に記載のLED照明器具の製造方法。
JP2011177864A 2011-06-23 2011-08-16 Led照明器具及びその製造方法 Pending JP2013008652A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100122003 2011-06-23
TW100122003A TW201301580A (zh) 2011-06-23 2011-06-23 Led照明燈具及其製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013008652A true JP2013008652A (ja) 2013-01-10

Family

ID=47361021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011177864A Pending JP2013008652A (ja) 2011-06-23 2011-08-16 Led照明器具及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8735915B2 (ja)
JP (1) JP2013008652A (ja)
CN (1) CN102840470A (ja)
TW (1) TW201301580A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140092036A (ko) * 2013-01-15 2014-07-23 엘지이노텍 주식회사 조명 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140347862A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Chi-Pao Tang LED Sphere Lighting Device
CN104282825A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 光宝电子(广州)有限公司 照明装置
CN105736980A (zh) * 2016-02-26 2016-07-06 宁波凯耀电器制造有限公司 一种配光分布均匀的led灯

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004115633A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 珪酸塩蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2004206929A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Stanley Electric Co Ltd 冷陰極放電管及びその製造方法
US20070147046A1 (en) * 2003-03-31 2007-06-28 Lumination, Llc Led light with active cooling
JP2010129300A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Keiji Iimura 半導体発光ランプおよび電球形半導体発光ランプ
JP2010199145A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Ushio Inc 光源装置
WO2010128664A1 (ja) * 2009-05-07 2010-11-11 株式会社 パールライティング Led照明灯及びled照明灯用ドームキャップの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4061946A (en) * 1975-10-06 1977-12-06 Gte Sylvania Incorporated Fluorescent lamp having zero back brightness
US6876143B2 (en) * 2002-11-19 2005-04-05 John James Daniels Organic light active devices and methods for fabricating the same
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
KR100666265B1 (ko) * 2004-10-18 2007-01-09 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광소자
KR20070090486A (ko) * 2006-03-03 2007-09-06 삼성전기주식회사 색온도 변경이 가능한 발광장치
TWI364858B (en) * 2008-06-19 2012-05-21 Silitek Electronic Guangzhou Photoelectric semiconductor device capable of generating uniform compound lights
US7972023B2 (en) * 2009-03-10 2011-07-05 Nepes Led Corporation Lamp-cover structure containing luminescent material
US7828453B2 (en) * 2009-03-10 2010-11-09 Nepes Led Corporation Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material
CN201416780Y (zh) * 2009-06-25 2010-03-03 李欣洋 一种使用具有arton透明基材的光学器件的led光源
CN101769461B (zh) * 2010-01-05 2012-03-07 艾迪光电(杭州)有限公司 一种高效的led发光模块
JP5398657B2 (ja) * 2010-07-06 2014-01-29 株式会社東芝 発光デバイス
US8922108B2 (en) * 2011-03-01 2014-12-30 Cree, Inc. Remote component devices, systems, and methods for use with light emitting devices
TWI451048B (zh) * 2011-05-13 2014-09-01 Delta Electronics Inc 發光裝置、燈泡及其照明方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004115633A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 珪酸塩蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2004206929A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Stanley Electric Co Ltd 冷陰極放電管及びその製造方法
US20070147046A1 (en) * 2003-03-31 2007-06-28 Lumination, Llc Led light with active cooling
JP2010129300A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Keiji Iimura 半導体発光ランプおよび電球形半導体発光ランプ
JP2010199145A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Ushio Inc 光源装置
WO2010128664A1 (ja) * 2009-05-07 2010-11-11 株式会社 パールライティング Led照明灯及びled照明灯用ドームキャップの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140092036A (ko) * 2013-01-15 2014-07-23 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR102038441B1 (ko) * 2013-01-15 2019-11-26 엘지이노텍 주식회사 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20120326184A1 (en) 2012-12-27
US8735915B2 (en) 2014-05-27
CN102840470A (zh) 2012-12-26
TW201301580A (zh) 2013-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103180658B (zh) 具有热扩散元件和导光光学器件的固态灯
JP6358457B2 (ja) 発光装置、照明用光源及び照明装置
JP5414859B2 (ja) 電球形ランプおよび照明装置
JP5826503B2 (ja) Led電球
TWI463706B (zh) 燈泡、發光裝置及其製造方法
JP2013531352A (ja) 蛍光体被覆膜およびそれを用いた照明装置
TW201030283A (en) Light emitting diode lamp with phosphor coated reflector
EP2581639A1 (en) LED lamp having two layers of fluorescent powder
CN102966864A (zh) 灯泡型半导体发光器件灯
JP2013008652A (ja) Led照明器具及びその製造方法
JP6268636B2 (ja) 発光装置、照明用光源及び照明装置
TWI596851B (zh) 雷射激發之白光照明系統
JP2015225910A (ja) 発光モジュール及び照明装置
JP2010010655A (ja) Ledランプ
TWI413748B (zh) Led照明燈具
JP5838309B2 (ja) 発光装置、照明用光源、および照明装置
JP2013531357A (ja) 単一チャンバーの照明デバイス
JP5612491B2 (ja) 照明用光源
JP2015185367A (ja) 照明装置
JP5221797B2 (ja) 照明用光源
TWM493643U (zh) 燈具
TWI572826B (zh) 發光二極體燈具
TWM496094U (zh) 燈具
JP2012209281A (ja) 発光装置及び照明装置
US9328876B2 (en) High efficiency LED lamp

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20130123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130123

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140715

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140716

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141209