JP2013007102A - 鉄シリコン合金の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒径が10μm以下の鉄粉と粒径が10μm以下のシリコン粉を焼結型内に充填し、この粉末をパルス通電焼結法で加圧しながら直流パルス通電することにより、プラズマ放電が発生し電界作用でイオンの移動が高速となって粉末中にある酸化物や吸着ガスの除去が効果的に行われ、αFeSi2を主成分とした品質が良好で且つ緻密な焼結体が得られる。
【選択図】なし
Description
それにより、工程数が多くて製造に時間を要するとともに、長時間の熱処理も必要になることから、エネルギーの消費量も多くなって、大量生産に不向きでコスト高になるという問題があった。
さらに、溶成工程に用いる高周波炉及び金型や、粉砕工程に用いるスタンプミルとボールミルが必要になるため、製造設備が高価になってコスト高になるという問題もあった。
また、冷間プレスによる粉末焼結法は、粉末にした原料を再度適当なサイズに造粒するか、又は微粉末を除去しなければならず、原料の歩留りが悪いとともに、原料中にある酸化物や吸着ガス等は熱電変換素子の特性を低下させるため、これらを除去するのに余分な工程が必要であったり、原料の品質管理を厳密に行う必要があるという問題があった。
そこで、冷間プレスによる粉末焼結法に代えてホットプレス法により、原料粉末を加圧すると同時に加熱して焼結することが考えられる。
しかし、ホットプレス法は、焼結密度を高くするには非常に高い圧力と温度が必要で、製造設備が高価になるとともに、長い焼結時間が必要でランニングコストならびに生産性の点で問題があり、さらに前記冷間プレス法と同様に、原料の適切な品質管理が必要であるという問題があった。
その結果、溶成工程や粉砕混合工程が必要な従来の方法に比べ、工程数が減少して製造時間を短縮化できるとともに、溶成工程や粉砕混合工程に必要なエネルギーも削減できてコストの低減化が図れ、より大量に生産することが可能となる。
さらに、溶成工程や粉砕混合工程に用いる製造設備が必要ないから更なるコストの低減化も図れる。
また、パルス通電焼結法は、ホットプレス法による粉末焼結法に比べ、短時間で焼成できてランニングコストならびに生産性を向上させることができるとともに、短時間で比較的低温でも緻密な焼結体が得られるため、従来では結晶性の問題から使用困難であった光学素子として使用することが可能となる。
本発明の実施形態に係る鉄シリコン合金の製造方法は、粒径が10μm以下の鉄粉と粒径が10μm以下のシリコン粉を焼結型内に充填する充填工程と、前記焼結型内に充填された前記混合粉末をパルス通電焼結法にて焼結する焼結工程とを含んでいる。
前記焼結工程では、前記焼結型内に充填された前記混合粉末を、パルス通電焼結法にて加圧しながら直流パルス通電することで、αFeSi2(α鉄シリサイド)を主成分とした焼結体を作製している。
また、前記焼結工程の後工程として、前記焼結体をβ化熱処理してβFeSi2(β鉄シリサイド)を得るβ化処理工程を含むことも可能である。
パルス通電焼結法(直流パルス通電焼結法、放電プラズマ焼結法)の実施に使用する装置の一例としては、チャンバー内に設置されている焼結型と、この焼結型内に充填される前記混合粉体を加圧するための加圧機構と、前記混合粉体に直流パルス電流を流すための電極とを備えている。この電極を介して電源から前記混合粉体に直流パルス電流を流すことにより、前記混合粉体の粒子間にプラズマ放電が生起されて、粒子間で加熱焼結を行う。
前記電極による前記混合粉末の加熱温度としては、例えば 500℃〜1500℃の範囲、好ましくは 850℃〜1200℃の範囲内に温度制御することが好ましい。
さらに、前記焼結型の焼結環境としては、例えば10Pa以下に減圧するか、若しくは不活性ガス中で焼結することが好ましい。
それにより、プラズマ放電が発生し電界作用でイオンの移動が高速となって混合粉末中にある酸化物や吸着ガスの除去が効果的に行われ、αFeSi2を主成分とした品質が良好で且つ緻密な焼結体が得られる。
したがって、前述した特許文献1では不可欠であった溶成工程や粉砕混合工程を省略しても、β鉄シリサイド(βFeSi2)や半導体などに変換可能な高純度の鉄シリコン合金を生産することができる。
さらに、シリコン粉として、Siのインゴットからウエハを切断分離する際に排出される、その平均粒径が0.1〜10μmの切りくずを使用した場合には、例えばボールミルや遊星ボールミルなどの粉砕機を使用する必要がないため、容易にしかも安価で得られるとともに、原料として廃材を有効利用できるから環境に優しく経済的であるという利点がある。
それにより、前述した特許文献1では不可欠であった溶成工程や粉砕混合工程を省略しても、高純度のβ鉄シリサイドを生産することができるという利点がある。
β化熱処理の具体例としては、前記焼結体を減圧下で約700 〜 900℃の熱処理を約10時間以上実施したり、アルゴン置換にて約700 〜 900℃の熱処理を約200時間以上実施することが好ましい。
すなわち、ドープ材が添加された前記混合粉末をパルス通電焼結法で加圧しながら直流パルス通電すると、前記焼結体にp/n接合が直接成形される。
それにより、工程を増やすことなくp型又はn型半導体を生産することができるという利点がある。
すなわち、前記焼結体の表面にドープ材を塗布した後に熱処理すると、n型又はp型半導体が形成される。
それにより、p型又はn型半導体を生産することができるという利点がある。
Claims (4)
- 原料として粒径が10μm以下の鉄粉と粒径が10μm以下のシリコン粉を焼結型内に充填する充填工程と、
前記焼結型内に充填された前記粉末をパルス通電焼結法にて焼結する焼結工程とを含み、
前記焼結工程は、前記粉末を加圧しながら直流パルス通電してαFeSi2を主成分とした焼結体を作製したことを特徴とする鉄シリコン合金の製造方法。 - 前記焼結工程では、前記粉末を20MPa以上に加圧しながら、前記粉末に直流パルスを通電して 850℃〜1200℃以下の範囲内で加熱焼結したことを特徴とする請求項1記載の鉄シリコン合金の製造方法。
- 前記焼結工程の後工程として、前記焼結体をβ化熱処理してβ鉄シリサイドを得るβ化処理工程を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の鉄シリコン合金の製造方法。
- 前記焼結体の表面にドープ材を積層して熱処理したことを特徴とする請求項1又は2記載の鉄シリコン合金の製造方法。
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