JP2013004981A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第1導電性半導体層、活性層及び第2導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第2導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第1導電性半導体層、活性層及び第2導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第2導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
発光ダイオード(LED)のような半導体発光素子は、ウェハー上に電気的特性及び光学的特性の異なる半導体層を組み合わせて積層構造に蒸着形成し、エッチング及びパターニング工程を経て製造される。
一般的に、該半導体層は、化学気相蒸着装置内で、成長用基板であるウェハー上にエピ薄膜を蒸着して形成されるが、垂直構造の窒化物半導体発光素子は、このように蒸着により形成された半導体層を成長用基板から分離して製造される。
そして、半導体層が分離された半導体成長用基板は、別途の装置に供給されて再生工程を経た後、再び半導体層成長のための基板として再使用される。この場合、半導体層と分離された上記成長用基板の表面には、一部の半導体層が残存するため、これを除去する工程を行わなければならない。
一般的に用いられるウェハーを物理的に研磨して再生する方法には、残留物とともにウェハーの表面も一部除去され、ウェハー上部の表面が損傷する上、ウェハーの厚さが変化するという問題がある。そして、物理的加工により、ウェハー上に更なる残存物及び副産物が発生し得るという問題がある。
浸漬により化学的に除去する方法は、化学溶液を除去するための洗浄工程をさらに行わなければならない。従って、工程が複雑で、作業時間が増加するという短所がある。また、有害な化学溶液を使用することにより、環境汚染の問題が生じる虞があり、さらには、処理施設の更なる確保などにより、新しくウェハーを製造する費用より再生費用が増加するなどの問題がある。
本発明の目的の1つは、半導体成長用基板であるウェハーの表面に残存する半導体層を除去し、ウェハー上に発光素子を製造するにおいて、ウェハーの表面が損傷されないようにする半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的の他の1つは、大量のウェハーを一括処理できる半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第1導電性半導体層、活性層及び第2導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第2導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含んでよい。
上記エッチングガスを適用する段階後、上記半導体成長用基板の表面の残存物有無及び上記半導体成長用基板の厚さの減少有無を検査する段階をさらに含んでよい。
上記半導体層は、窒化物系半導体層を含んでよい。
上記窒化物系半導体層は、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaNを含んでよい。
上記支持部は、導電性物質からなってよい。
上記エッチングガスを適用する段階は、表面に上記半導体層が残存する上記半導体成長用基板を反応チャンバ内に配置させる段階と、上記半導体成長用基板が設定された温度及び圧力条件に露出されるように上記反応チャンバの内部を加熱及び加圧する段階と、ガス供給部を通じて上記反応チャンバの内部に上記エッチングガスを噴射することで、上記半導体成長用基板上に残存する上記半導体層を除去する段階とを含んでよい。
上記エッチングガスは、HClガスまたはCl2ガスを含んでよい。
上記エッチングガスを適用する段階は、上記エッチングガスに補助ガスをさらに混合してよい。
上記補助ガスは、水素(H2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)ガスを含んでよい。
上記エッチングガスを適用する段階は、上記エッチングガスをプラズマ化して噴射してよい。
上記エッチングガスを適用する段階は、上記反応チャンバの高さ方向に沿って区画された各領域の高さに対応して異なる高さを有するように備えられた複数の上記ガス供給部を通じて各領域に上記エッチングガスを噴射してよい。
上記エッチングガスを適用する段階は、上記反応チャンバの上面に備えられ、下部に備えられる上記半導体成長用基板に向かって上記エッチングガスを噴射してよい。
上記エッチングガスを適用する段階は、上記反応チャンバの側面の周りに沿って備えられ、上記反応チャンバの中心部に向かって逆放射状(inverse radially)に上記エッチングガスを噴射してよい。
上記反応チャンバは、枚葉式化学気相蒸着装置を構成し、内部に備えられるサセプタの上面に上記半導体成長用基板を装着させてよい。
上記反応チャンバは、炉型化学気相蒸着装置を構成し、内部に備えられるボートに上記半導体成長用基板を積載させてよい。
本発明の実施例によると、半導体発光素子を製造するにおいて、半導体層と分離されたウェハーの表面に残存する半導体層を物理的加工をせずに除去することができ、ウェハーの表面の損傷を最小化することができるという効果がある。
また、複数のウェハーを一括処理することができ、生産性を向上させることができるという効果がある。
本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法に関する事項を図面を参照して説明する。しかし、本発明の実施例は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施例に限定されない。本発明の実施例は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
従って、図面に示された構成要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上で実質的に同じ構成及び機能を有する構成要素は、同じ参照符号を使用する。
図1から図5を参照し、本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法を行うための化学気相蒸着装置について説明する。
図1は、本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法を行う化学気相蒸着装置を概略的に示す図面であり、図2は図1の化学気相蒸着装置の変形例を概略的に示す図面であり、図3は本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法を行う化学気相蒸着装置の他の実施例を概略的に示す図面である。図4(a)は図3の化学気相蒸着装置において、ボートの垂直方向領域毎にガス供給部が配置される構造を概略的に示す図面であり、図4(b)は図4(a)の水平断面図であり、図5は図4(a)の垂直断面図である。
図1及び図2のように、上記化学気相蒸着装置1は水平型(horizontal type)の枚葉式化学気相蒸着装置であってよく、反応チャンバ10、サセプタ20、ガス供給部40を含んでよい。
上記反応チャンバ10は、チャンバ本体11及び上記チャンバ本体11を覆って密閉するチャンバ蓋12で構成され、上記チャンバ蓋12は上記チャンバ本体11に開閉可能に備えられる。
上記サセプタ20は、上記チャンバ本体11内に固定または回転可能に備えられ、上記サセプタ20の上面にはポケット21が陥没形成され、半導体成長用基板、即ち、ウェハーWが装着収容され、上記サセプタ20の下面には加熱手段22が備えられ、上記サセプタ20を含む上記反応チャンバ10の内部を加熱する。
上記ガス供給部40は、図1に示されたように上記反応チャンバ10の上面、即ち、上記チャンバ蓋12に備えられ、下側に備えられる上記サセプタ20に向かって反応ガスGを供給することができる。また、上記ガス供給部40は、図2に示されたように上記反応チャンバ10の側面、即ち、上記チャンバ本体11の上端部の周りに沿って備えられ、上記サセプタ20の中心部に向かって逆放射状(inverse radially)に上記反応ガスGを供給することができる。
一方、図3のように、上記化学気相蒸着装置1'は縦型(vertical type)炉(furnace)の化学気相蒸着装置であってよく、反応チャンバ10、ボート30、ガス供給部40を含んでよい。
上記反応チャンバ10は、内部チャンバ13と、上記内部チャンバ13を覆って密閉する外部チャンバ14の2重管構造で構成され、上記反応チャンバ10の周りに沿って備えられる加熱手段22を通じて上記反応チャンバ10の内部を加熱する。
上記ボート30には複数のウェハーWが所定間隔で積載されて装着され、上記ウェハーWが積載された上記ボート30は上記反応チャンバ10内に配置されたり、外部に排出されてよい。従って、ボート30を通じて数百枚のウェハーWを所定間隔で積載することで、大量に半導体発光素子を製造することが可能であるという長所を有する。
上記ガス供給部40は、少なくとも1つが上記内部チャンバ13と上記ボート30との間に配置され、高さ方向に積載された複数のウェハーWに沿って高さ方向に垂直に延長されて備えられ、上記反応チャンバ10の内部に上記反応ガスGを供給する。
上記ガス供給部40は、図4に示されているように、高さ方向に積載された複数のウェハーWの全体にわたって半導体層が均一に成長されるように、複数個が上記ボート30の周りに沿って離隔されて配置されてよい。特に、それぞれのガス供給部は、図4(a)及び図5に示されたように、上記ウェハーWが積載された方向である高さ方向に区画された上記ボート30の各領域A1、A2、A3の高さに対応して異なる高さを有するように形成されてよい。
具体的には、図面のように、上記ボート30が下部領域A1、中央部領域A2及び上部領域A3の3つに区画される場合において、上記ガス供給部40は、上記ボート30の下部領域A1に上記反応ガスGを供給する第1供給部40a、上記ボート30の中央部領域A2に上記反応ガスGを供給する第2供給部40b、及び上記ボート30の上部領域A3に上記反応ガスGを供給する第3供給部40cを含んでよい。ここで、上記第1供給部40aは上記下部領域A1の高さに対応する高さで形成され、上記第2供給部40bは上記中央部領域A2の高さに対応する高さで形成され、上記第3供給部40cは上記上部領域A3の高さに対応する高さで形成されてよい。
そして、上記ガス供給部40のそれぞれは、上記反応ガスGの供給量を制御する流量計60と個々に連結され、独立して上記反応ガスGの供給量を調節する。即ち、上記第1供給部40aと第2供給部40b及び第3供給部40cにそれぞれ連結された流量計60を介して各ガス供給部40a、40b、40cに供給される反応ガスGの供給量を個々に調節する。
従って、上記ボート30の各領域に対応して配置される各ガス供給部40a、40b、40cは、各ガス供給部毎に備えられる流量計60を介して各領域毎に反応ガスGの供給量を適切に調節することができ、上記ボート30の高さ方向の領域に対する温度勾配などを設定することなく、簡単に各領域A1、A2、A3における半導体層の均一度に差が出ることを防止することができる。
図6と図7、及び上記図1から図5に示された化学気相蒸着装置を参照し、本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法を説明する。
図6(a)から図6(c)は本発明の一実施例による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す図面であり、図7は図6の製造方法により製造された半導体発光素子を概略的に示す図面である。
まず、図6(a)のように、半導体成長用基板、即ち、ウェハーW上に第1導電性半導体層101、活性層102及び第2導電性半導体層103を順に成長させて発光部100を形成する。
具体的には、上記半導体成長用基板であるウェハーWを上記化学気相蒸着装置1、1'の反応チャンバ10内に備えられる上記サセプタ20上に装着させたり、上記ボート30に積載させ、MOソースを含む反応ガスGを噴射し、半導体層を形成するための蒸着工程を行う。
本実施形態では、第1及び第2導電性半導体層101、103はそれぞれp型及びn型半導体層であってよく、窒化物半導体からなってよい。従って、これに制限されないが、本実施形態の場合、第1及び第2導電性はそれぞれp型及びn型を意味すると理解することができる。第1及び第2導電性半導体層101、103は、AlxInyGa(1−x−y)Nの組成式(ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1である)を有し、例えば、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaNなどの物質がこれに該当する。第1及び第2導電性半導体層101、103との間に形成される活性層102は、電子と正孔の再結合により所定のエネルギーを有する光を放出し、量子井戸層と量子障壁層が交互に積層された多重量子井戸(MQW)構造、例えば、InGaN/GaN構造を用いてよい。
次に、図6(b)のように、上記第2導電性半導体層103上に上記発光部100と結合されるように支持部200を形成する。
上記支持部200は、上記ウェハーWを上記発光部100から除去するためのレーザリフトオフなどの工程において、上記発光部100を支持する支持体の役割をし、Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se、GaAsの何れか1つを含む物質、例えば、Si基板にAlがドーピングされた導電性物質からなってよい。本実施形態では、支持部200は導電性接着層300を媒介として発光部100と接合されてよい。導電性接着層300は、例えば、AuSnのような共融金属物質を用いてよい。
次に、図6(c)のように、上記発光部100から上記半導体成長用基板であるウェハーWを分離する。上記発光部100の第1導電性半導体層101と接する上記ウェハーWは、レーザーリフトオフ工程により上記第1導電性半導体層101と分離されることができる。
図7に示されたように、上記ウェハーWが分離された上記第1導電性半導体層101には、電極400を形成して垂直構造の半導体発光素子を製造する。上記製造された半導体発光素子は、パッケージング工程のような発光素子パッケージを製造するための後続工程に用いられる。
このように発光部100と分離されたウェハーWの表面には、第1導電性半導体層101が一部残存する。上記のような半導体発光素子を製造する場合は、上記ウェハーWの表面から上記残存する第1導電性半導体層101を除去しなければならない。
そのために、上記分離されたウェハーWの表面に残存する第1導電性半導体層101が除去されるように上記ウェハーWにエッチングガスを適用する。
以下では、図8と図9、及び上記図1から図5に示された化学気相蒸着装置を参照し、ウェハーWの表面に残存する第1導電性半導体層101を除去する方法について説明する。
図8は、本発明の一実施例による半導体層を除去する方法を概略的に示すフローチャートである。
図8に示されたように、本発明の一実施例による半導体層を除去する方法は、表面に半導体層が残存する複数のウェハーを反応チャンバ内に配置させる段階(S1)と、上記ウェハーが設定された温度及び圧力条件に露出されるように上記反応チャンバの内部を加熱及び加圧する段階(S2)と、ガス供給部を通じて上記反応チャンバの内部にエッチングガスを噴射して、上記ウェハー上に残存する半導体層を除去する段階(S3)とを含んでよい。また、上記ウェハー上に残存する半導体層を除去する段階は、上記噴射されるエッチングガスをプラズマ化する段階(S3')をさらに含んでよい。
まず、図8に示されたように、発光部100から分離され、表面に第1導電性半導体層101が残存する複数のウェハーWを反応チャンバ10内に配置する(S1)。上記第1導電性半導体層101を除去することで再生の対象となる上記ウェハーWは、上記第1導電性半導体層101の一部が上記ウェハーWから分離された後に残存する場合に限らず、蒸着工程により形成された上記発光部100に問題が生じて使用不可能となり、上記ウェハーWを再使用する必要がある場合も含んでよい。
上記ウェハーWは、サファイア、シリコンカーバイド(SiC)、シリコン(Si)、亜鉛酸化物(ZnO)、ガリウムヒ素(GaAs)及びリン化ガリウム(gallium phosphide:GaP)の何れか1つからなってよく、本実施例では、サファイアからなるもので説明する。
また、上記第1導電性半導体層101は、上述のように、窒化物系半導体層を含み、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaNなどを含んでよい。
上記反応チャンバ10は、上記図1及び図2に示されたように、内部にサセプタ20を備える枚葉式化学気相蒸着装置1であってよく、上記ウェハーWは数枚が上記サセプタ20の上面に装着されてよい。また、上記反応チャンバ10は、図3に示されたように、内部にボート30を備える炉型化学気相蒸着装置1'であってもよく、上記ウェハーWは上記ボート30の高さ方向に沿って数百枚が所定間隔で積載されてよい。
次に、上記ウェハーWが設定された温度及び圧力条件に露出されるように上記反応チャンバ10の内部を加熱及び加圧する(S2)。
該温度及び圧力条件は、上記反応チャンバ10のサイズなどを考慮し、後に説明するエッチングガスgにより上記第1導電性半導体層101がエッチングされ得る範囲内で適切に調節してよい。上記温度条件は50℃〜2000℃の範囲内で、上記圧力条件は10−9torr〜1000torr範囲内で調節されることが好ましい。
次に、ガス供給部40を通じて上記反応チャンバ10の内部にエッチングガスgを噴射し、上記ウェハーW上に残存する上記第1導電性半導体層101を除去する(S3)。
上記ガス供給部40は、図1に示されたように、上記反応チャンバ10の上面、即ち、チャンバ蓋12に備えられ、上記サセプタ20の上面に向かって下方向に上記エッチングガスgを噴射するシャワーヘッド構造で備えられてもよい。
また、上記ガス供給部40は、図2に示されたように、上記反応チャンバ10の側面の周りに沿って備えられ、上記サセプタ20の外周面の縁から中心部に向かって逆放射状(inverse radial)に上記エッチングガスgを噴射するリザーバー構造で備えられてもよい。
また、上記ガス供給部40は、図3に示されたように、上記内部チャンバ13とボート30との間に上記ウェハーWの積載方向、即ち、高さ方向に沿って垂直に延長されて備えられてもよい。そして、上記ガス供給部40は、上記ウェハーWに向かって開放された複数の噴射ノズル41を通じて上記エッチングガスgを上記反応チャンバ10の内部に噴射してよい。上記噴射ノズル41は、上記ウェハーWの積載間隔に対応して備えられ、各ウェハーWの表面に上記エッチングガスgを噴射することができる。この場合、上記噴射ノズル41は、上記積載されたウェハーWの各側面と対向するように配列されたり、上記積載されたウェハーWの間に位置するように配列されてよい。
上記第1導電性半導体層101を除去するために用いるエッチングガスgには、HClガスまたはCl2ガスが含まれてよい。上記エッチングガスgにより上記第1導電性半導体層101を除去するメカニズムについて説明する。上記反応チャンバ10の内部に噴射された上記エッチングガスgは、上述した上記反応チャンバ10内の温度及び圧力条件で、Clイオンを生成する。該Clイオンは、GaNを、高温で揮発性物質であるGaCl3及びその化合物とNH3に分解することができる。結局、GaNは分解されてガスの形態で排出され、HCl及びCl2のガスに安定的なウェハーWだけが残る。
上記エッチングガスgは、単一のHClガスまたはCl2ガスで供給されることができ、必要に応じて、補助ガスをさらに混合し、上記反応チャンバ10のサイズなどによるエッチング速度、エッチングガスの流速(flow velocity)などを調節することができる。上記補助ガスには、水素(H2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)ガスなどが含まれてよい。
上記ガス供給部40により噴射される上記エッチングガスgは、プラズマ化されて噴射されてよい(S3')。図1及び図2に示されたように、上記反応チャンバ10にプラズマ装置50を備えてよく、これを通じて噴射されるエッチングガスgをプラズマ化して上記反応チャンバ10内におけるイオン化密度を高めることで、エッチング速度の調節、例えば、加速化することができる。
一方、噴射された上記エッチングガスgにより上記第1導電性半導体層101が除去された上記ウェハーWに対し、その表面の残存物有無、及び上記ウェハーWの厚さの減少有無とその範囲などを検査することができる。
該検査は、上記反応チャンバ10に備えられるセンサー(不図示)により自動的に行われてよく、残存物が見つかった場合は、上記反応チャンバ10内の温度及び圧力条件を調節して残存物を除去したり、エッチング工程をさらに行ってよい。
次に、エッチングガスgにより第1導電性半導体層101の残存物が除去されて再生が完了した上記ウェハーWを上記反応チャンバ10から排出させる。そして、上記エッチングガスgは、上記反応チャンバ10と連結された排気部70を通じて安定的に外部に排気される。
図9(a)は発光部100から分離されたウェハーWの表面に第1導電性半導体層101が残存する状態を撮影した写真であり、図9(b)は上述の方法により第1導電性半導体層101が除去された状態を撮影した写真である。図9(a)に示されたようにウェハーWの表面に残存する第1導電性半導体層101は、図9(b)のようにエッチングガスにより上記ウェハーWの表面から除去されたことが分かる。
このように、発光部と分離された後の半導体成長用基板を用いて再び半導体発光素子を製造するには、上記ウェハーWの表面に残存する半導体層を除去しなければならない。半導体層の蒸着工程と同様の方法により、上記ウェハーWを上記化学気相蒸着装置の反応チャンバ10内に備えられる上記サセプタ20上に装着させたり、上記ボート30に積載させ、エッチングガスgを噴射して上記再生の対象となるウェハーWの表面上に残存する残存物を除去することで、使用済みの基板を再生することができる。
従って、半導体層が分離されたウェハーの表面を物理的に研磨して再生する従来方式のように別途の再生装置を設けずに、半導体発光素子を製造するための化学気相蒸着装置1、1'を、そのままウェハーの再生に用いることができるという長所がある。
このように、本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、物理的加工や化学的浸漬のための別途の装置や設備がなくても、ウェハー上に半導体層蒸着のために用いられる化学気相蒸着装置を、ウェハー再生のための再生装置として転用することができる。
また、化学気相蒸着装置を通じた半導体層薄膜蒸着工程と実質的に同様に、蒸着のための反応ガスの代わりにエッチングのためのエッチングガスを供給する方式で再生工程を容易に行うことができる。
なお、エッチングガスを通じて半導体層を除去することで、ウェハーの表面の損傷を最小化することができる。
なお、上記においては、半導体成長用基板の表面に残存する半導体発光素子を、エッチングガスを適用することにより除去する実施形態を説明したが、半導体成長用基板に形成される半導体素子は半導体発光素子に限らない。半導体成長用基板に形成される半導体素子は、例えば、トランジスタ、集積回路、抵抗、コンデンサなどであってもよい。何れの半導体素子を形成するのに用いられた半導体成長用基板も、エッチングガスを適用することにより、表面に残存する半導体層が除去され、再び半導体層成長のための基板として再使用することができる。
1、1' 化学気相蒸着装置
10 反応チャンバ
20 サセプタ
30 ボート
40 ガス供給部
W ウェハー
100 発光部
101 第1導電性半導体層
102 活性層
103 第2導電性半導体層
200 支持部
300 導電性接着層
400 電極
10 反応チャンバ
20 サセプタ
30 ボート
40 ガス供給部
W ウェハー
100 発光部
101 第1導電性半導体層
102 活性層
103 第2導電性半導体層
200 支持部
300 導電性接着層
400 電極
Claims (16)
- 半導体成長用基板上に第1導電性半導体層、活性層及び第2導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、
前記第2導電性半導体層上に前記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、
前記発光部から前記半導体成長用基板を分離する段階と、
分離された前記半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように前記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階と
を含む半導体発光素子の製造方法。 - 前記エッチングガスを適用する段階後、前記半導体成長用基板の表面の残存物有無及び前記半導体成長用基板の厚さの減少有無を検査する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記半導体層は、窒化物系半導体層を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物系半導体層は、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaNを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記支持部は、導電性物質からなることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチングガスを適用する段階は、
表面に前記半導体層が残存する前記半導体成長用基板を反応チャンバ内に配置させる段階と、
前記半導体成長用基板が、設定された温度及び圧力条件に露出されるように前記反応チャンバの内部を加熱及び加圧する段階と、
ガス供給部を通じて前記反応チャンバの内部に前記エッチングガスを噴射して、前記半導体成長用基板上に残存する前記半導体層を除去する段階と
を含む請求項1から5の何れか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記エッチングガスは、HClガスまたはCl2ガスを含むことを特徴とする請求項1または6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチングガスを適用する段階は、前記エッチングガスに補助ガスをさらに混合することを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記補助ガスは、水素(H2)、窒素(N2)、アルゴン(Ar)ガスを含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチングガスを適用する段階は、前記エッチングガスをプラズマ化して噴射することを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチングガスを適用する段階は、前記反応チャンバの高さ方向に沿って区画された各領域の高さに対応して異なる高さを有するように備えられた複数の前記ガス供給部を通じて各領域に前記エッチングガスを噴射することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチングガスを適用する段階は、前記反応チャンバの上面に備えられ、下部に備えられる前記半導体成長用基板に向かって前記エッチングガスを噴射することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記エッチングガスを適用する段階は、前記反応チャンバの側面の周りに沿って備えられ、前記反応チャンバの中心部に向かって逆放射状(inverse radially)に前記エッチングガスを噴射することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記反応チャンバは、枚葉式化学気相蒸着装置を構成し、内部に備えられるサセプタの上面に前記半導体成長用基板を装着させることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記反応チャンバは、炉型化学気相蒸着装置を構成し、内部に備えられるボートに前記半導体成長用基板を積載させることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 半導体成長用基板において成長した半導体層を、前記半導体成長用基板から分離する分離段階と、
前記分離段階の後に前記半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように前記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階と
を含む半導体層の除去方法。
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