JP2012533674A - 反転パターン形成方法及び材料 - Google Patents
反転パターン形成方法及び材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012533674A JP2012533674A JP2012521648A JP2012521648A JP2012533674A JP 2012533674 A JP2012533674 A JP 2012533674A JP 2012521648 A JP2012521648 A JP 2012521648A JP 2012521648 A JP2012521648 A JP 2012521648A JP 2012533674 A JP2012533674 A JP 2012533674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- group
- coating composition
- solvent
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02137—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)m
(RSiO(3−x)/2(OR’)x)n
(R1SiO(3−x)/2(OR’)x)o
(SiO(4−x)/2(OR’)x)p
(Ph(CH2)sSiO(3−x)/2(OR’)x)q
を含むシルセスキオキサン樹脂について開示するが、Phはフェニル基であり、Meはメチル基であり、R’は水素原子又は1〜4個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Rは3−無水コハク酸プロピル基のような無水物含有基であり、R1は親水基又は疎水基であり、sは0、1、2、3、又は4の値を有し、xは0、1又は2の値を有し、樹脂中、mは0.1〜0.95の値を有し、nは0.020〜0.5の値を有し、oは0〜0.5の値を有し、pは0〜0.95の値を有し、qは0〜0.5の値を有し、m+n+o+p+q=1である。一般的にはmは0.1〜0.95、あるいは0.2〜0.85の値を有する。一般的にはnは0.020〜0.5、あるいは0.025〜0.2の値を有する。一般的にはoは0〜0.5、あるいは0〜0.15の値を有する。一般的にはpは0〜0.95、あるいは0〜0.75の値を有する。一般的にはqは0〜0.5、あるいは0〜0.20の値を有する。
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)0.80(RSiO(3−x)/2(OR’)x)0.20
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)0.45(RSiO(3−x)/2(OR’)x)0.05(S
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)0.20(RSiO(3−x)/2(OR’)x)0.05(SiO(4−x)/2(OR’)x)0.75
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)0.80(RSiO(3−x)/2(OR’)x)0.05(PhSiO(3−x)/2(OR’)x)0.15
を挙げることができ、上記樹脂中、Rは、
(I)コーティング組成物を第1パターン形成材料の上に塗布するステップであって、
該コーティング組成物が、
(i)単位
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)m
(RSiO(3−x)/2(OR’)x)n
(R1SiO(3−x)/2(OR’)x)o
(SiO(4−x)/2(OR’)x)p
(Ph(CH2)sSiO(3−x)/2(OR’)x)q
を含み、Phはフェニル基であり、Meはメチル基であり、R’は水素原子又は1〜4個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Rは3−無水コハク酸プロピル基のような無水物含有基であり、R1は親水基又は疎水基であり、sは0、1、2、3、又は4の値を有し、xは0、1又は2の値を有し、樹脂中、mは0.1〜0.95の値を有し、nは0.020〜0.5の値を有し、oは0〜0.5の値を有し、pは0〜0.95の値を有し、qは0〜0.5の値を有し、m+n+o+p+q=1である、シルセスキオキサン樹脂;
(ii)アルコール又はエーテルのような該樹脂を担持する溶媒;
(iii)任意で、熱酸発生剤、光酸発生剤、アミン架橋剤のような活性剤
を含む、ステップと;
(II)該コーティング組成物を硬化し、該第1パターン形成材料の上に硬化シリコンコーティングを生成し、パターン全体を覆うステップと;
(III)該硬化シリコンコーティングを部分的に除去し、該第1パターン形成材料の上面を露出するステップと;
(IV)該第1パターン形成材料を除去し、これにより該硬化シリコンコーティングに第2パターンを形成するステップと;
(V)任意で、該第2パターンをいずれかの下層上にさらに転写するステップと、
を具える。
以下の実施例では、Meはメチルを表し、Phはフェニルを表し、CHはシクロへキシルを表し、n−Prはn−プロピルを表す。
ここで、Rは、
90gのトルエン、54.49gのメチルトリメトキシシラン(0.40mol)、49.6gのトリエトキシプロピルコハク酸無水物(0.10mol)、294gのメタノール、71gの水、1gの0.1N硝酸を窒素入口及び出口、機械撹拌軸、Dean−Starkトラップ、濃縮器を備える500mLフラスコに添加した。混合物を1時間室温で撹拌した後、4時間還流した。約200gの溶媒をDean−Starkトラップから除去した後、温度を72℃まで上昇させた。75gのトルエンを反応器に添加した。75gの溶媒の除去及び同量の溶媒の添加の工程を温度が100℃に達するまで3回繰り返した。反応を停止した。樹脂溶液を40℃で10重量%の濃度を有する4−メチル−2−ペンタノールに溶媒交換した。
ここで、Rは、
100gのメチルイソブチルケトン、40.12gのメチルトリエトキシシラン(0.225mol)、7.61gの無水コハク酸トリエトキシプロピル(0.025mol)、52.08gのテトラエトキシシラン(0.25mol)、80gのエタノール、55gの水、2gの0.1N硝酸を窒素入口及び出口、機械撹拌軸、Dean−Starkトラップ、濃縮器を備える500mLフラスコに添加した。混合物を1時間室温で撹拌した後、4時間還流した。約200gの溶媒をDean−Starkトラップから除去した後、温度を81℃まで上昇させた。75gのトルエンを反応器に添加した。75gの溶媒の除去及び同量の溶媒の添加の工程を温度が115℃に達するまで3回繰り返した。反応を停止した。樹脂溶液を40℃で10重量%の濃度を有する4−メチル−2−ペンタノールに溶媒交換した。
ここで、Rは、
80gのメチルイソブチルケトン、17.83gのメチルトリエトキシシラン(0.10mol)、7.61gの無水コハク酸トリエトキシプロピル(0.025mol)、78.12gのテトラエトキシシラン(0.375mol)、100gのエタノール、45gの水、2gの0.1N硝酸を窒素入口及び出口、機械撹拌軸、Dean−Starkトラップ、濃縮器を備える500mLフラスコに添加した。混合物を1時間室温で撹拌した後、4時間還流した。約200gの溶媒をDean−Starkトラップから除去した後、温度を81℃まで上昇させた。その後、75gのトルエンを反応器に添加した。75gの溶媒の除去及び同量の溶媒の添加の工程を温度が115℃に達するまで3回繰り返した。反応を停止した。樹脂溶液を40℃で10重量%の濃度を有する4−メチル−2−ペンタノールに溶媒交換した。
ここで、Rは、
150gのメチルイソブチルケトン、54.49gのメチルトリエトキシシラン(0.40mol)、14.9gのフェニルトリメトキシシラン(0.075mol)、7.61gの無水コハク酸トリエトキシプロピル(0.025mol)、30gのエタノール、36gの水、1gの0.1N硝酸を窒素入口及び出口、機械撹拌軸、Dean−Starkトラップ、濃縮器を備える500mLフラスコに添加した。混合物を1時間室温で撹拌した後、4時間還流した。約200gの溶媒をDean−Starkトラップから除去した後、温度を120℃まで上昇させた。溶液を2時間還流させながら、水をDean−Strakトラップによって回収した。樹脂を4−メチル−2−ペンタノールに溶媒交換し、10重量%の樹脂溶液を得た。
ここで、Rは、
300gのメチルイソブチルケトン、109.0gのメチルトリメトキシシラン(0.80mol)、30.65gのシクロへキシルトリメトキシシラン(0.15mol)、15.22gの無水コハク酸トリエトキシプロピル(0.05mol)、72gの水、2gの0.1N硝酸を窒素入口及び出口、機械撹拌軸、Dean−Starkトラップ、濃縮器を備える1Lフラスコに添加した。混合物を1時間室温で撹拌した後、4時間還流した。約370gの溶媒をDean−Starkトラップから除去した後、温度を125℃まで上昇させた。溶液を2時間還流させながら、水をDean−Strakトラップによって回収した。樹脂を4−メチル−2−ペンタノールに溶媒交換し、10重量%の樹脂溶液を得た。
ここで、Rは、
300gのメチルイソブチルケトン、109.0gのメチルトリメトキシシラン(0.80mol)、24.64gのn−プロピルトリメトキシシラン(0.15mol)、15.22gの無水コハク酸トリエトキシプロピル(0.05mol)、72gの水、2gの0.1N硝酸を窒素入口及び出口、機械撹拌軸、Dean−Starkトラップ、濃縮器を備える1Lフラスコに添加した。混合物を1時間室温で撹拌した後、4時間還流した。約370gの溶媒をDean−Starkトラップから除去した後、温度を125℃まで上昇させた。溶液を2時間還流させながら、水をDean−Strakトラップによって回収した。樹脂を4−メチル−2−ペンタノールに溶媒交換し、10重量%の樹脂溶液を得た。
各コーティングには約2gの10重量%の上記樹脂溶液を用いた。ウェーハ上の膜コーティングはKarl Suss CT62スピンコーターで行った。膜厚はJ.A.Woollam偏光解析器を用いて測定した。配合した樹脂溶液をまず0.20μmPTFE薄膜フィルターを通してろ過した後、標準片面4インチ研磨低抵抗ウェーハ又は両面研磨FTIRウェーハ上にスピンコーティングした(回転速度2000〜4000rpm)。膜を120℃又は150℃で2分間予備焼成及び硬化した。
Claims (14)
- 単位
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)m
(RSiO(3−x)/2(OR’)x)n
(R1SiO(3−x)/2(OR’)x)o
(SiO(4−x)/2(OR’)x)p
(Ph(CH2)sSiO(3−x)/2(OR’)x)q
を含み、上記式中、Phはフェニル基であり、Meはメチル基であり、R’は水素原子又は1〜4個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Rは無水物含有基であり、R1は親水基又は疎水基であり、sは0、1、2、3、又は4の値を有し、xは0、1又は2の値を有し、樹脂中、mは0.1〜0.95の値を有し、nは0.020〜0.5の値を有し、oは0〜0.5の値を有し、pは0〜0.95の値を有し、qは0〜0.5の値を有し、m+n+o+p+q=1である、シルセスキオキサン樹脂。 - mが0.2〜0.85の値を有し、nが0.02〜0.2の値を有し、oが0〜0.15の値を有し、pが0〜0.75の値を有し、qが0〜0.15の値を有する、請求項1に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- R1が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、脂肪族基、脂環式基、及びフッ素含有アルキル基から選択される、請求項1又は2に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- Rが3−無水コハク酸プロピル基である、請求項1、2又は3に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- 基板上に反転パターンを形成する方法であって、該方法は
(I)コーティング組成物を第1パターン形成材料の上に塗布するステップであって、該コーティング組成物が、
(i)単位
(MeSiO(3−x)/2(OR’)x)m
(RSiO(3−x)/2(OR’)x)n
(R1SiO(3−x)/2(OR’)x)o
(SiO(4−x)/2(OR’)x)p
(Ph(CH2)sSiO(3−x)/2(OR’)x)q
を含み、上記式中、Phはフェニル基であり、Meはメチル基であり、R’は水素原子又は1〜4個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Rは無水物含有基であり、R1は親水基又は疎水基であり、sは0、1、2、3、又は4の値を有し、xは0、1又は2の値を有し、樹脂中、mは0.1〜0.95の値を有し、nは0.020〜0.5の値を有し、oは0〜0.5の値を有し、pは0〜0.95の値を有し、qは0〜0.5の値を有し、m+n+o+p+q=1である、シルセスキオキサン樹脂;
(ii)溶媒;並びに
(iii)任意で、活性剤
を含む、ステップと;
(II)該コーティング組成物を硬化し、該第1パターン形成材料の上に硬化シリコンコーティングを生成し、パターン全体を覆うステップと;
(III)該硬化シリコンコーティングを部分的に除去し、該第1パターン形成材料の上面を露出するステップと;
(IV)該第1パターン形成材料を除去し、これにより該硬化シリコンコーティング内に第2パターンを形成するステップと;
(V)任意で、該第2パターンをいずれかの下層の上にさらに転写するステップとを具える方法。 - mが0.2〜0.85の値を有し、nが0.02〜0.2の値を有し、oが0〜0.15の値を有し、pが0〜0.75の値を有し、qが0〜0.20の値を有する、請求項5に記載の方法。
- R1が置換フェニル基、エステル基、ポリエーテル基、メルカプト基、脂肪族基、脂環式基、及びフッ素含有基から選択される、請求項5又は6に記載の方法。
- Rが3−無水コハク酸プロピル基である、請求項5、6又は7に記載の方法。
- 前記溶媒が1−メトキシ−2−プロパノール、4−メチル−2−ペンタノール、酢酸プロピレングリコールモノメチルエチル、γ−ブチロラクトン、及びシクロヘキサノンから選択される、請求項5に記載の方法。
- 前記活性剤が熱酸発生剤、光酸発生剤、又はアミンから選択される、請求項5に記載の方法。
- 前記コーティング組成物が80℃〜450℃で0.1〜60分間加熱することにより熱硬化される、請求項5に記載の方法。
- 前記コーティング組成物がUV、X線、eビーム、又はEUVから選択される放射線源に露出することにより放射線硬化される、請求項5に記載の方法。
- 前記硬化シリコンコーティング組成物が塩基水溶液の揮散剤を用いて部分的に除去される、請求項5に記載の方法。
- 前記第1パターン形成材料がO2を含有する反応性イオンエッチングにより除去される、請求項5に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22791909P | 2009-07-23 | 2009-07-23 | |
US61/227,919 | 2009-07-23 | ||
US25009209P | 2009-10-09 | 2009-10-09 | |
US61/250,092 | 2009-10-09 | ||
PCT/US2010/039415 WO2011011142A2 (en) | 2009-07-23 | 2010-06-22 | Method and materials for reverse patterning |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012533674A true JP2012533674A (ja) | 2012-12-27 |
JP5364207B2 JP5364207B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=43499590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012521648A Expired - Fee Related JP5364207B2 (ja) | 2009-07-23 | 2010-06-22 | 反転パターン形成方法及び材料 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8828252B2 (ja) |
EP (1) | EP2456811A4 (ja) |
JP (1) | JP5364207B2 (ja) |
KR (1) | KR101296889B1 (ja) |
CN (1) | CN102439069B (ja) |
SG (1) | SG176550A1 (ja) |
TW (1) | TW201114839A (ja) |
WO (1) | WO2011011142A2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012215837A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jsr Corp | 感放射線性組成物、並びに硬化膜及びその形成方法 |
WO2015129405A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターンに塗布されるポリマー含有塗布液 |
JPWO2018066515A1 (ja) * | 2016-10-04 | 2019-07-18 | 日産化学株式会社 | パターン反転のための被覆組成物 |
JP2020178022A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及びパターン形成システム |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201229693A (en) * | 2010-10-01 | 2012-07-16 | Fujifilm Corp | Gap embedding composition, method of embedding gap and method of producing semiconductor device by using the composition |
JP5720604B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-05-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物、並びに硬化膜及びその形成方法 |
KR101798014B1 (ko) * | 2011-03-22 | 2017-11-15 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 조성물, 그리고 경화막 및 그의 형성 방법 |
US20140014621A1 (en) * | 2012-07-16 | 2014-01-16 | Zhaoning Yu | Analysis of pattern features |
KR102210467B1 (ko) | 2013-07-11 | 2021-02-02 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09263638A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Dow Corning Asia Ltd | 放射線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
WO2008002970A2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Dow Corning Corporation | Silsesquioxane resin systems with base additives bearing electron-attracting functionalities |
JP2008081646A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 |
JP2008512546A (ja) * | 2004-09-10 | 2008-04-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 無水物官能性シルセスキオキサン樹脂 |
JP2008519314A (ja) * | 2004-11-02 | 2008-06-05 | ダウ・コーニング・コーポレイション | レジスト組成物 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383952B1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | RELACS process to double the frequency or pitch of small feature formation |
DE10217151A1 (de) * | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Clariant Gmbh | Nanoimprint-Resist |
KR20070004587A (ko) * | 2003-12-23 | 2007-01-09 | 게에 바이엘 실리콘스 게엠베하 운트 코. 카게 | 개질된 표면 특성을 갖는 경화성 실록산 조성물 |
JP4488174B2 (ja) | 2004-02-05 | 2010-06-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2006117846A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | パターン形成用樹脂組成物及びパターン形成方法 |
JP4775561B2 (ja) | 2005-04-01 | 2011-09-21 | 信越化学工業株式会社 | シルセスキオキサン系化合物混合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法 |
US20070212886A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-13 | Dong Seon Uh | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
JP4946169B2 (ja) | 2006-05-15 | 2012-06-06 | Jnc株式会社 | シルセスキオキサン骨格を有する酸無水物および重合体 |
US7704670B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-04-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | High silicon-content thin film thermosets |
JP5000250B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
TW200848935A (en) | 2007-02-08 | 2008-12-16 | Fujifilm Electronic Materials | Photosensitive compositions employing silicon-containing additives |
US7651950B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-01-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming a pattern of a semiconductor device |
US20090142694A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Braggone Oy | Siloxane polymer compositions and methods of using the same |
WO2009085598A2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Lam Research Corporation | Photoresist double patterning |
EP2250213B1 (en) * | 2008-03-04 | 2013-08-21 | Dow Corning Corporation | Silsesquioxane resins |
US20100040838A1 (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Abdallah David J | Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image |
KR20110096155A (ko) * | 2008-12-10 | 2011-08-29 | 다우 코닝 코포레이션 | 습식 에칭가능한 반사방지 코팅 |
EP2507316A1 (en) * | 2009-12-04 | 2012-10-10 | Dow Corning Corporation | Stabilization of silsesquioxane resins |
-
2010
- 2010-06-22 SG SG2011080504A patent/SG176550A1/en unknown
- 2010-06-22 US US13/386,514 patent/US8828252B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-22 WO PCT/US2010/039415 patent/WO2011011142A2/en active Application Filing
- 2010-06-22 JP JP2012521648A patent/JP5364207B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-22 CN CN201080022154.0A patent/CN102439069B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-22 KR KR1020127004659A patent/KR101296889B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-22 EP EP10802609.7A patent/EP2456811A4/en not_active Withdrawn
- 2010-07-12 TW TW99122875A patent/TW201114839A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09263638A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Dow Corning Asia Ltd | 放射線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
JP2008512546A (ja) * | 2004-09-10 | 2008-04-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 無水物官能性シルセスキオキサン樹脂 |
JP2008519314A (ja) * | 2004-11-02 | 2008-06-05 | ダウ・コーニング・コーポレイション | レジスト組成物 |
WO2008002970A2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Dow Corning Corporation | Silsesquioxane resin systems with base additives bearing electron-attracting functionalities |
JP2008081646A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012215837A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Jsr Corp | 感放射線性組成物、並びに硬化膜及びその形成方法 |
WO2015129405A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターンに塗布されるポリマー含有塗布液 |
US10025191B2 (en) | 2014-02-26 | 2018-07-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polymer-containing coating liquid applied to resist pattern |
JPWO2018066515A1 (ja) * | 2016-10-04 | 2019-07-18 | 日産化学株式会社 | パターン反転のための被覆組成物 |
JP7011229B2 (ja) | 2016-10-04 | 2022-02-10 | 日産化学株式会社 | パターン反転のための被覆組成物 |
JP2020178022A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及びパターン形成システム |
JP7203677B2 (ja) | 2019-04-17 | 2023-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及びパターン形成システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101296889B1 (ko) | 2013-08-14 |
WO2011011142A2 (en) | 2011-01-27 |
JP5364207B2 (ja) | 2013-12-11 |
EP2456811A2 (en) | 2012-05-30 |
SG176550A1 (en) | 2012-01-30 |
US20120123135A1 (en) | 2012-05-17 |
EP2456811A4 (en) | 2013-10-02 |
CN102439069B (zh) | 2014-11-05 |
KR20120044368A (ko) | 2012-05-07 |
US8828252B2 (en) | 2014-09-09 |
TW201114839A (en) | 2011-05-01 |
CN102439069A (zh) | 2012-05-02 |
WO2011011142A3 (en) | 2011-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5247936B2 (ja) | 反転パターン形成方法及び材料 | |
JP5364207B2 (ja) | 反転パターン形成方法及び材料 | |
JP5571788B2 (ja) | ダブルパターニング方法及び材料 | |
JP4688882B2 (ja) | 反射防止膜の形成方法、レジスト画像の形成方法、パターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP4995096B2 (ja) | 反射防止膜の形成方法、レジスト画像の形成方法、パターンの形成方法、電子デバイスの製造方法及びarc組成物 | |
TWI416262B (zh) | A silicon film-forming composition, a silicon-containing film, and a pattern-forming method | |
TWI531865B (zh) | A multilayer photoresist process pattern forming method and an inorganic film forming composition for a multilayer photoresist process | |
JP5642731B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5644339B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターン形成方法 | |
JP2011510133A (ja) | シルセスキオキサン樹脂 | |
JP2021534315A (ja) | 高解像度パターニングのためのシラノール含有有機‐非有機ハイブリッドコーティング | |
JP2008524651A (ja) | 反射防止膜の形成方法 | |
JP4946787B2 (ja) | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 | |
WO2018155377A1 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及びポリシロキサン |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130730 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130906 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |