JP2012529746A - 荷電粒子源の先端頂部を加熱する方法及びシステム - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 74
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/242—Filament heating power supply or regulation circuits
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/243—Beam current control or regulation circuits
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
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Abstract
【選択図】図4
Description
Claims (20)
- 先端頂部を有する先端を備える荷電粒子源であり、前記先端頂部を前記荷電粒子源の使用時に荷電粒子を放出するよう構成し、前記先端頂部は加熱時に光を発生させることが可能である、荷電粒子源と、
該荷電粒子源が放出した荷電粒子から荷電粒子ビームを形成すること及び該荷電粒子ビームを試料領域に送ることが可能な荷電粒子光学系と、
前記先端頂部が発生させた光を検出するよう構成した検出器と、
前記荷電粒子源及び前記検出器と結合して、該検出器が検出した前記光に基づき前記先端頂部の加熱を制御できるようにした、コントローラと、
を備えるシステムであって、
第1モードで、前記先端頂部が放出した前記荷電粒子を用いて、前記先端頂部が発生させた光を検出せずに前記試料領域を調査及び/又は修正し、
第2モードで、前記荷電粒子源を加熱し、前記先端頂部が放出した光を検出する
ように構成した、システム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、前記荷電粒子源は、該荷電粒子源が放出した荷電粒子ビームが伝播する際に沿う光軸を画定し、前記検出器を、前記光軸外に配置した、システム。
- 請求項1又は2に記載のシステムにおいて、該システムはガス電界イオン源である、システム。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のシステムにおいて、前記荷電粒子源はイオン源である、システム。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のシステムにおいて、光学装置をさらに備え、前記光は、前記検出器による検出前に前記光学装置と相互作用する、システム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記光学装置は前記光を前記検出器に指向させる、システム。
- 請求項5又は6に記載のシステムにおいて、前記光学装置は光学フィルタを含む、システム。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のシステムにおいて、開口をさらに備え、前記光は、前記検出器への到達前に前記開口を通過する、システム。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のシステムにおいて、加熱されると前記先端頂部を加熱するよう構成した抵抗加熱素子に結合した電源をさらに備える、システム。
- 請求項9に記載のシステムにおいて、前記加熱抵抗素子の両端間の電圧を測定するよう構成した電圧センサ、及び/又は前記加熱抵抗素子を流れる電流を測定するよう構成した電流センサからなる群から選択される少なくとも1つのセンサをさらに備える、システム。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載のシステムにおいて、前記先端頂部を加熱するよう構成した熱源をさらに備え、該熱源は、レーザ及び電子源からなる群から選択される、システム。
- 請求項11に記載のシステムにおいて、前記熱源を、少なくとも2ワットの加熱電力を前記先端に供給するよう構成した、システム。
- a)荷電粒子源の先端の先端頂部を再形成するステップであり、
i)荷電粒子源の先端の先端頂部を加熱するステップ、
ii)前記先端頂部の加熱中に該先端頂部が発生させた光を検出するステップ、
iii)前記検出光に基づき熱を前記先端頂部に送るか否かを判定するステップ、及び
iv)検出光の量に比例して前記先端頂部の温度を変化させるステップ、
を含む、再形成するステップと、
b)前記荷電粒子源の前記先端の前記先端頂部が放出した光を検出せずに、前記荷電粒子源の前記先端の再形成した前記先端頂部を用いて荷電粒子を発生させるステップと、
c)前記荷電粒子を用いて試料を調査及び/又は修正するステップと、
を含む、方法。 - 請求項13に記載の方法において、前記先端頂部に送る熱を変化させるか否かを判定するステップは、前記検出光の量を前記先端頂部の所望の温度で検出されることが期待される光の量と比較するステップを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法において、前記比較を用いて前記先端頂部に送る熱を変化させるステップをさらに含み、第1温度及び第2温度間の差が所定値よりも大きいことを前記比較が示す場合、前記先端頂部に送る熱を変化させ、前記第1温度は前記検出光に基づく前記先端頂部の温度であり、前記第2温度は前記先端頂部の所望の温度である、方法。
- 請求項15に記載の方法において、第1温度及び第2温度間の差が所定値よりも小さいことを前記比較が示す場合、前記先端頂部に送る熱を変化させず、前記第1温度は前記検出光に基づく前記先端頂部の温度であり、前記第2温度は前記先端頂部の所望の温度である、方法。
- 請求項13〜16のいずれか1項に記載の方法において、前記先端頂部に送る熱を変化させるか否かを判定するステップは、少なくとも2つのパラメータを求めるステップを含み、
前記少なくとも2つのパラメータは、第1温度及び第2温度間の差の積分、前記第1温度及び前記第2温度間の前記差の導関数、及び前記第1温度及び前記第2温度間の前記差の比率からなる群から選択され、
前記第1温度は、前記検出光に基づく前記先端頂部の温度であり、
前記先端頂部の前記第2温度は、前記先端頂部の所望の温度である、方法。 - 先端を有する荷電粒子源を備える荷電粒子装置を操作する方法であって、
前記荷電粒子源が発生させた荷電粒子ビームを荷電粒子光学系を通して試料に指向させて、該試料を調査及び/又は修正する第1動作モードで、前記荷電粒子装置を操作するステップであり、前記第1動作モードを前記荷電粒子ビームが放出した光を検出せずに行う、ステップと、
エネルギーを前記荷電粒子源の前記先端に付与する第2動作モードで、前記荷電粒子装置を操作するステップと、
前記先端が放出した光を検出するステップと、
前記先端が放出した前記検出光に基づき前記先端に付与する前記エネルギーを制御するステップと、
を含む、方法。 - 請求項18に記載の方法において、前記先端に付与する前記エネルギーを制御するステップは、第1温度及び第2温度間の差が所定値よりも大きいことを判定するステップを含み、前記第1温度は前記検出光に基づく先端頂部の温度であり、前記第2温度は前記先端頂部の所望の温度である、方法。
- 請求項18又は19に記載の方法において、前記荷電粒子装置は、真空下で保持されるハウジング内にあり、前記第1動作モード及び前記第2動作モード間の切り換えに前記ハウジングの通気が必要ない、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18652109P | 2009-06-12 | 2009-06-12 | |
US61/186,521 | 2009-06-12 | ||
PCT/US2010/036527 WO2010144267A1 (en) | 2009-06-12 | 2010-05-28 | Method and system for heating a tip apex of a charged particle source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012529746A true JP2012529746A (ja) | 2012-11-22 |
JP5674772B2 JP5674772B2 (ja) | 2015-02-25 |
Family
ID=42630068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012514989A Active JP5674772B2 (ja) | 2009-06-12 | 2010-05-28 | 荷電粒子源の先端頂部を加熱する方法及びシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8993981B2 (ja) |
EP (1) | EP2441083B1 (ja) |
JP (1) | JP5674772B2 (ja) |
TW (1) | TWI506665B (ja) |
WO (1) | WO2010144267A1 (ja) |
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- 2010-05-28 JP JP2012514989A patent/JP5674772B2/ja active Active
- 2010-05-28 EP EP10737667.5A patent/EP2441083B1/en active Active
- 2010-06-09 TW TW099118668A patent/TWI506665B/zh active
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- 2011-10-20 US US13/277,583 patent/US8993981B2/en active Active
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Also Published As
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---|---|
TWI506665B (zh) | 2015-11-01 |
US8993981B2 (en) | 2015-03-31 |
WO2010144267A1 (en) | 2010-12-16 |
EP2441083B1 (en) | 2021-03-31 |
US20120074318A1 (en) | 2012-03-29 |
TW201123251A (en) | 2011-07-01 |
JP5674772B2 (ja) | 2015-02-25 |
EP2441083A1 (en) | 2012-04-18 |
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