JPH0582061A - 液体金属イオン源のフラツシング制御装置 - Google Patents
液体金属イオン源のフラツシング制御装置Info
- Publication number
- JPH0582061A JPH0582061A JP23930291A JP23930291A JPH0582061A JP H0582061 A JPH0582061 A JP H0582061A JP 23930291 A JP23930291 A JP 23930291A JP 23930291 A JP23930291 A JP 23930291A JP H0582061 A JPH0582061 A JP H0582061A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- current
- temperature
- heating
- ion source
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＬＭＩＳ、該ＬＭＩＳのエミッターを加熱する
手段、該エミッターの温度を半導体のＰＮ接合を利用し
た光素子（例えばフォト・トランジスタ）により非接触
で検出する手段、該温度検出手段からの温度情報をもと
に該加熱手段を制御して加熱温度及び加熱時間を制御す
る手段によりＬＭＩＳのフラッシング制御装置を構成し
た。 【効果】本発明によれば、ＬＭＩＳの安定動作に必要不
可欠なフラッシングを簡便に確実に行うハードウエア
を、小型で安価に提供できる。
手段、該エミッターの温度を半導体のＰＮ接合を利用し
た光素子（例えばフォト・トランジスタ）により非接触
で検出する手段、該温度検出手段からの温度情報をもと
に該加熱手段を制御して加熱温度及び加熱時間を制御す
る手段によりＬＭＩＳのフラッシング制御装置を構成し
た。 【効果】本発明によれば、ＬＭＩＳの安定動作に必要不
可欠なフラッシングを簡便に確実に行うハードウエア
を、小型で安価に提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの断面
加工及び観察が可能な集束イオンビーム（Focused Ion
Beam：略してＦＩＢ）装置に係り、特に安定なビーム形
成に不可欠な液体金属イオン源(Liquid Meetal Ion Sou
rce:略してＬＭＩＳ）の制御装置に関する。
加工及び観察が可能な集束イオンビーム（Focused Ion
Beam：略してＦＩＢ）装置に係り、特に安定なビーム形
成に不可欠な液体金属イオン源(Liquid Meetal Ion Sou
rce:略してＬＭＩＳ）の制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術として、特開昭60−232651号
「液体金属イオン源」がある。明細書には、ＬＭＩＳのエ
ミッター近傍の温度を測定し、その測定温度と設定基準
温度との比較に基づきイオン化物質を加熱溶融する電源
を制御することにより、安定なイオンビームを発生する
イオン源が記載されている。
「液体金属イオン源」がある。明細書には、ＬＭＩＳのエ
ミッター近傍の温度を測定し、その測定温度と設定基準
温度との比較に基づきイオン化物質を加熱溶融する電源
を制御することにより、安定なイオンビームを発生する
イオン源が記載されている。
【０００３】図４は該明細書に記載されている実施例の
説明図である。以下、動作を説明する。ヒーター５０に
搭載されたイオン化物質５２にエミッター５１が挿入さ
れており、ヒーター５０に加熱電源からの電流を供給す
るとイオン化物質５２が溶融し、溶融状態でエミッター
先端に供給される。この状態で引出し電極５５に引出し
電源５９から負極性の高電圧を印加するとエミッター先
端からイオン５４が放出される。真空壁５８に設置され
た測定窓５６を介して、エミッター先端近傍５３から発
生した光を温度測定器５７により検出し、電気信号に変
換する。変換された信号は、演算器６３により、設定温
度に対応した基準電圧６４と比較され、その差分信号は
光ファイバー６２を通じて、加熱電源６１に送られる。
この構成によると、エミッター先端近傍５３の温度が設
定値になるように自動制御される。
説明図である。以下、動作を説明する。ヒーター５０に
搭載されたイオン化物質５２にエミッター５１が挿入さ
れており、ヒーター５０に加熱電源からの電流を供給す
るとイオン化物質５２が溶融し、溶融状態でエミッター
先端に供給される。この状態で引出し電極５５に引出し
電源５９から負極性の高電圧を印加するとエミッター先
端からイオン５４が放出される。真空壁５８に設置され
た測定窓５６を介して、エミッター先端近傍５３から発
生した光を温度測定器５７により検出し、電気信号に変
換する。変換された信号は、演算器６３により、設定温
度に対応した基準電圧６４と比較され、その差分信号は
光ファイバー６２を通じて、加熱電源６１に送られる。
この構成によると、エミッター先端近傍５３の温度が設
定値になるように自動制御される。
【０００４】この従来技術において、融点が高く、蒸気
圧の高いイオン材料「金」が安定にイオン化できたと報
告されている。
圧の高いイオン材料「金」が安定にイオン化できたと報
告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術ではエミ
ッターの温度が高精度に設定できる利点がある。これに
より、融点が高く、蒸気圧の高い金のような物質であっ
ても、安定にイオン化できる。しかし、この開示資料に
は温度検出器の種類が明確には記述されていない。高精
度に温度を検出する測定器としては集光レンズとサーモ
パイルを組み合わせたもの（パイロメータ）が考えられ
るが、測定器の体積が大きく、コストも高いという欠点
がある。
ッターの温度が高精度に設定できる利点がある。これに
より、融点が高く、蒸気圧の高い金のような物質であっ
ても、安定にイオン化できる。しかし、この開示資料に
は温度検出器の種類が明確には記述されていない。高精
度に温度を検出する測定器としては集光レンズとサーモ
パイルを組み合わせたもの（パイロメータ）が考えられ
るが、測定器の体積が大きく、コストも高いという欠点
がある。
【０００６】本発明の課題は、ガリウム等の比較的低融
点で低蒸気圧のＬＭＩＳに適用する目的で、主にフラッ
シング（後述）に限定してヒーター加熱回路を考え、体
積が小さく低コストの温度測定部を有するＬＭＩＳの制
御装置を提供することにある。
点で低蒸気圧のＬＭＩＳに適用する目的で、主にフラッ
シング（後述）に限定してヒーター加熱回路を考え、体
積が小さく低コストの温度測定部を有するＬＭＩＳの制
御装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】ＬＭＩＳ、該ＬＭＩＳの
エミッターを加熱する手段、該エミッターの温度を半導
体のＰＮ接合を利用した光素子（例えばフォト・トラン
ジスタ）により非接触で検出する手段、該温度検出手段
からの温度情報をもとに該加熱手段を制御して加熱温度
及び加熱時間を制御する手段によりＬＭＩＳのフラッシ
ング制御装置を構成した。
エミッターを加熱する手段、該エミッターの温度を半導
体のＰＮ接合を利用した光素子（例えばフォト・トラン
ジスタ）により非接触で検出する手段、該温度検出手段
からの温度情報をもとに該加熱手段を制御して加熱温度
及び加熱時間を制御する手段によりＬＭＩＳのフラッシ
ング制御装置を構成した。
【０００８】
【作用】イオン材料として比較的融点が低く、蒸気圧も
低い物質を用いる場合、ビーム放出時のエミッター温度
は従来技術の金の場合のように、温度を必ずしも高精度
に設定する必要は無い。ガリウム(Ｇａ)の場合は加熱し
なくとも常温でＬＭＩＳの動作が可能である。また、一
度大気に触れたり長時間動作させたＧａ−LMISは溶融Ｇ
ａ表面の酸化膜等の不純物を除去する目的で、高温に一
定時間加熱するフラッシングという操作を行う必要があ
る。この操作は不純物が除去される温度（ガリウムの場
合６００〜７００℃）以上でイオン材料が多量に蒸発す
る温度以下にエミッター温度を制御すれば良く、高精度
の温度制御は必要無い。例えばガリウムの場合、７００
〜１０００℃程度に温度設定できれば十分である。
低い物質を用いる場合、ビーム放出時のエミッター温度
は従来技術の金の場合のように、温度を必ずしも高精度
に設定する必要は無い。ガリウム(Ｇａ)の場合は加熱し
なくとも常温でＬＭＩＳの動作が可能である。また、一
度大気に触れたり長時間動作させたＧａ−LMISは溶融Ｇ
ａ表面の酸化膜等の不純物を除去する目的で、高温に一
定時間加熱するフラッシングという操作を行う必要があ
る。この操作は不純物が除去される温度（ガリウムの場
合６００〜７００℃）以上でイオン材料が多量に蒸発す
る温度以下にエミッター温度を制御すれば良く、高精度
の温度制御は必要無い。例えばガリウムの場合、７００
〜１０００℃程度に温度設定できれば十分である。
【０００９】エミッター温度をある程度一定にする手法
として、ヒーターを定電流加熱する方法があるが、ＬＭ
ＩＳの場合イオン材料の消費と共に電流とエミッター温
度の関係が変化するため、必ずエミッター温度をモニタ
ーして制御する手法が望ましい。従って、ＬＭＩＳのフ
ラッシングに限定してヒーター加熱回路を考えると、温
度をモニターする機能は必要であるが、そのモニター精
度はあまり必要では無いということになる。ＬＭＩＳの
エミッターは通常、後段の光学系で良好な集束特性が得
られるように引出し電極との距離が適正値に調整される
（引出し電圧が適正値になる）。従って、真空窓に固定
した光検出器側から見たエミッターの大きさは常に一定
である。つまり、光検出器に入る光のパワーを計測する
ことで実施例で説明するようにエミッターの温度が推定
できる。
として、ヒーターを定電流加熱する方法があるが、ＬＭ
ＩＳの場合イオン材料の消費と共に電流とエミッター温
度の関係が変化するため、必ずエミッター温度をモニタ
ーして制御する手法が望ましい。従って、ＬＭＩＳのフ
ラッシングに限定してヒーター加熱回路を考えると、温
度をモニターする機能は必要であるが、そのモニター精
度はあまり必要では無いということになる。ＬＭＩＳの
エミッターは通常、後段の光学系で良好な集束特性が得
られるように引出し電極との距離が適正値に調整される
（引出し電圧が適正値になる）。従って、真空窓に固定
した光検出器側から見たエミッターの大きさは常に一定
である。つまり、光検出器に入る光のパワーを計測する
ことで実施例で説明するようにエミッターの温度が推定
できる。
【００１０】以上の理由により、半導体のＰＮ接合を利
用した光素子を利用しても十分に目的が達成できる。
用した光素子を利用しても十分に目的が達成できる。
【００１１】
【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は実施例のフラッシング制御回路の構成図であ
る。ＬＭＩＳ１のイオン材料にはガリウムを用いた。エ
ミッター２は通電により加熱される。エミッター２は従
来技術と同様、加速電圧となるため、絶縁トランス７に
より接地電位から浮かせる。絶縁トランス７は交流電源
１０からスイッチ回路９及び電流制御回路８を介して駆
動される。電流制限回路８により絶縁トランス７の一次
電流が一定値に制御され、二次電流（ヒーター電流）を
定電流制御する。本実施例の場合、ヒーター電流がフラ
ッシング時に約４アンペアとなるようにした。エミッタ
ー２から放出する光はフォト・トランジスタ４により電
流に変換され、プリアンプ５により増幅及び電圧変換さ
れる。フォト・トランジスタは光−電流変換効率が高い
という特徴がある。半導体のＰＮ接合を利用した光素子
としては、この他フォト・ダイオードがあり、変換効率
はフォト・トランジスタに劣るものの、ダイナミックレ
ンジが広いという特徴がある。図２は加熱制御回路６の
構成図である。加熱温度及び加熱時間(ＯＮ／OFF）はビ
ーム制御システム２０（後述）から設定される。加熱温
度情報はＤ／Ａコンバータ１３により電圧信号となり、
プリアンプ５の出力（エミッターの温度情報を持つ）と
コンパレータ１１により比較される。この情報をＡＮＤ
ゲート１２を介してスイッチ回路９を駆動する。ＡＮＤ
ゲート１２はビーム制御システム２０から見て、加熱の
許可機能を受け持っている。このように加熱制御回路６
はエミッター温度が設定値になるようにスイッチ回路９
を制御する。
る。図１は実施例のフラッシング制御回路の構成図であ
る。ＬＭＩＳ１のイオン材料にはガリウムを用いた。エ
ミッター２は通電により加熱される。エミッター２は従
来技術と同様、加速電圧となるため、絶縁トランス７に
より接地電位から浮かせる。絶縁トランス７は交流電源
１０からスイッチ回路９及び電流制御回路８を介して駆
動される。電流制限回路８により絶縁トランス７の一次
電流が一定値に制御され、二次電流（ヒーター電流）を
定電流制御する。本実施例の場合、ヒーター電流がフラ
ッシング時に約４アンペアとなるようにした。エミッタ
ー２から放出する光はフォト・トランジスタ４により電
流に変換され、プリアンプ５により増幅及び電圧変換さ
れる。フォト・トランジスタは光−電流変換効率が高い
という特徴がある。半導体のＰＮ接合を利用した光素子
としては、この他フォト・ダイオードがあり、変換効率
はフォト・トランジスタに劣るものの、ダイナミックレ
ンジが広いという特徴がある。図２は加熱制御回路６の
構成図である。加熱温度及び加熱時間(ＯＮ／OFF）はビ
ーム制御システム２０（後述）から設定される。加熱温
度情報はＤ／Ａコンバータ１３により電圧信号となり、
プリアンプ５の出力（エミッターの温度情報を持つ）と
コンパレータ１１により比較される。この情報をＡＮＤ
ゲート１２を介してスイッチ回路９を駆動する。ＡＮＤ
ゲート１２はビーム制御システム２０から見て、加熱の
許可機能を受け持っている。このように加熱制御回路６
はエミッター温度が設定値になるようにスイッチ回路９
を制御する。
【００１２】ここで、フォト・トランジスタを利用した
温度計測が可能である理論的根拠を述べる。
温度計測が可能である理論的根拠を述べる。
【００１３】表面積Ｓ，絶対温度Ｔの黒体から放射され
るエネルギーＥは次式で記述できる。
るエネルギーＥは次式で記述できる。
【００１４】 Ｅ＝ρ（Ｔ4−Ｔ0 4）Ｓ …（数１） 但し、Ｔ0 は周囲温度、ρはボルツマン定数（５.６７
３×１０-12(Ｗ・cm-2・Ｋ-4））である。実施例で用い
たＬＭＩＳのエミッタの光放出部は直径０.１６mm，長
さ１.５mm のワイヤである。エミッタ温度を１０００°
ｋとし、エミッターが黒体でないための補正係数を０.
４５ とすると、放射エネルギーＥ(Ｗ)は Ｅ＝５.６７３×１０-12×(１０００)4×π×０.０１６×０.１５×０.４５ ＝１.９×１０-2(Ｗ) …（数２） エミッターから距離Ｌ（cm）離れた位置でのエネルギー
密度Ｊ（Ｗ・cm-2）は Ｊ＝Ｅ／（４πＬ2） Ｌ＝１２cmとすると Ｊ＝１.９×１０-2／（４×π×１２2） ＝１.０×１０-5（Ｗ・cm-2） 次に、このエネルギー密度で得られる光電流を求める。
３×１０-12(Ｗ・cm-2・Ｋ-4））である。実施例で用い
たＬＭＩＳのエミッタの光放出部は直径０.１６mm，長
さ１.５mm のワイヤである。エミッタ温度を１０００°
ｋとし、エミッターが黒体でないための補正係数を０.
４５ とすると、放射エネルギーＥ(Ｗ)は Ｅ＝５.６７３×１０-12×(１０００)4×π×０.０１６×０.１５×０.４５ ＝１.９×１０-2(Ｗ) …（数２） エミッターから距離Ｌ（cm）離れた位置でのエネルギー
密度Ｊ（Ｗ・cm-2）は Ｊ＝Ｅ／（４πＬ2） Ｌ＝１２cmとすると Ｊ＝１.９×１０-2／（４×π×１２2） ＝１.０×１０-5（Ｗ・cm-2） 次に、このエネルギー密度で得られる光電流を求める。
【００１５】フォト・トランジスタＰＴ３５０の場合を
考える。このトランジスタの分光感度特性は８００ｎｍ
にピークを持ち、ＦＷＨＭは３００ｎｍ（６５０ｎｍか
ら９５０ｎｍ）である。これとタングステンからの分光
放射率を合わせて考えると、トランジスタの吸収できる
エネルギーは全エネルギーの約１／８となる。従って、
実質的なエネルギー密度Ｊeff は Ｊeff＝１.０×１０-5×１／８ ＝１.２５×１０-6(Ｗ・cm-2) …（数３） となる。
考える。このトランジスタの分光感度特性は８００ｎｍ
にピークを持ち、ＦＷＨＭは３００ｎｍ（６５０ｎｍか
ら９５０ｎｍ）である。これとタングステンからの分光
放射率を合わせて考えると、トランジスタの吸収できる
エネルギーは全エネルギーの約１／８となる。従って、
実質的なエネルギー密度Ｊeff は Ｊeff＝１.０×１０-5×１／８ ＝１.２５×１０-6(Ｗ・cm-2) …（数３） となる。
【００１６】ＰＴ３５０において、放射照度Ｅｅ（Ｗ／
cm2）と光電流Ｉｃ（Ａ）の関係は次式で表現できる。
cm2）と光電流Ｉｃ（Ａ）の関係は次式で表現できる。
【００１７】 Ｉｃ＝０.２７Ｅｅ Ｅｅ＝Ｊeff …（数４） とすると、 Ｉｃ＝０.２７×１.２５×１０-6 =3.４×１０-7(Ａ) ＰＴ３５０の暗電流は２ｎＡ(２×１０-9Ａ)程度である
から、このエミッタ温度は検出可能なレベルであること
が分かる。
から、このエミッタ温度は検出可能なレベルであること
が分かる。
【００１８】図３は実施例で用いたＦＩＢ装置の構成図
である。この装置により、デバイスの断面を加工した
り、その断面が走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Micro
scope：略してＳＩＭ）像で観察できる。以下、構成を
簡単に説明する。
である。この装置により、デバイスの断面を加工した
り、その断面が走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Micro
scope：略してＳＩＭ）像で観察できる。以下、構成を
簡単に説明する。
【００１９】LMIS100 から放出したイオンはコンデンサ
ーレンズ１０１と対物レンズ１０７により試料１１２上
に集束する。ビーム加速電圧は３０ｋＶである。レンズ
間には可変アパーチャー１０２，アライナー・スティグ
マー１０３，ブランカー104，ブランキング・アパーチ
ャー１０５，デフレクター１０６が配置されている。試
料１１２はステージ１０８により移動できる。ステージ
はｘ，ｙ，ｚ，チルト，回転の５軸方向に制御される。
ＦＩＢ照射により試料１１２から発生した二次電子は、
二次電子検出器１０９により検出・増幅され、偏向制御
と同期させることにより、コンピューターのＣＲＴ上に
ＳＩＭ像として表示される。
ーレンズ１０１と対物レンズ１０７により試料１１２上
に集束する。ビーム加速電圧は３０ｋＶである。レンズ
間には可変アパーチャー１０２，アライナー・スティグ
マー１０３，ブランカー104，ブランキング・アパーチ
ャー１０５，デフレクター１０６が配置されている。試
料１１２はステージ１０８により移動できる。ステージ
はｘ，ｙ，ｚ，チルト，回転の５軸方向に制御される。
ＦＩＢ照射により試料１１２から発生した二次電子は、
二次電子検出器１０９により検出・増幅され、偏向制御
と同期させることにより、コンピューターのＣＲＴ上に
ＳＩＭ像として表示される。
【００２０】このシステムにおいて、ＬＭＩＳの安定性
は加工制度に直接関与するため、前述のフラッシングを
簡便に、かつ確実に行う必要がある。本発明の構成によ
り、それを小型で安価に提供できる。
は加工制度に直接関与するため、前述のフラッシングを
簡便に、かつ確実に行う必要がある。本発明の構成によ
り、それを小型で安価に提供できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ＬＭＩＳの安定動作に
必要不可欠なフラッシングを簡便に確実に行うハードウ
エアを、小型で安価に提供できる効果がある。
必要不可欠なフラッシングを簡便に確実に行うハードウ
エアを、小型で安価に提供できる効果がある。
【図１】本発明の実施例のフラッシング制御回路の構成
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例の加熱制御回路の構成図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例で用いたＦＩＢ装置の構成図で
ある。
ある。
【図４】従来技術の説明図である。
１…液体金属イオン源、２，５１…エミッター、３…シ
ールド電極、４…フォト・トランジスタ、５…プリアン
プ（電流−電圧変換アンプ）、６…加熱制御回路、７…
絶縁トランス、８…電流制限回路、９…スイッチ回路、
１０…交流電源、１１…コンパレータ、１２…ＡＮＤゲ
ート、１３…Ｄ／Ａコンバータ、２０…ビーム制御シス
テム、２１…イオン源制御部、２２…コンピューター、
２３…ステージ制御システム、５０…ヒーター、５２…
イオン化物質、５３…エミッター先端近傍、５４…イオ
ン、５５…引出し電極、５６…測定窓、５７…温度測定
器、５８…真空壁、５９…引出し電源、６０…加速電
源、６１…加熱電源、６２…光ファイバー、６３…演算
器、６４…基準電源。
ールド電極、４…フォト・トランジスタ、５…プリアン
プ（電流−電圧変換アンプ）、６…加熱制御回路、７…
絶縁トランス、８…電流制限回路、９…スイッチ回路、
１０…交流電源、１１…コンパレータ、１２…ＡＮＤゲ
ート、１３…Ｄ／Ａコンバータ、２０…ビーム制御シス
テム、２１…イオン源制御部、２２…コンピューター、
２３…ステージ制御システム、５０…ヒーター、５２…
イオン化物質、５３…エミッター先端近傍、５４…イオ
ン、５５…引出し電極、５６…測定窓、５７…温度測定
器、５８…真空壁、５９…引出し電源、６０…加速電
源、６１…加熱電源、６２…光ファイバー、６３…演算
器、６４…基準電源。
Claims (2)
- 【請求項１】液体金属イオン源、該イオン源のエミッタ
ーを加熱する手段、該エミッターの温度を半導体のＰＮ
接合を利用した光素子により非接触で検出する手段、該
温度検出手段からの温度情報をもとに該加熱手段を制御
して加熱温度及び加熱時間を制御する手段からなること
を特徴とする液体金属イオン源のフラッシング制御装
置。 - 【請求項２】該温度検出手段が赤外線領域に検出感度の
ピーク値を有するフォト・トランジスタであることを特
徴とする請求項１記載の液体金属イオン源のフラッシン
グ制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23930291A JPH0582061A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 液体金属イオン源のフラツシング制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23930291A JPH0582061A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 液体金属イオン源のフラツシング制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582061A true JPH0582061A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17042709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23930291A Pending JPH0582061A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 液体金属イオン源のフラツシング制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582061A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012529746A (ja) * | 2009-06-12 | 2012-11-22 | カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー | 荷電粒子源の先端頂部を加熱する方法及びシステム |
| DE112010002981T5 (de) | 2009-06-30 | 2013-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Gasfeldionisations-Ionenquellenvorrichtung und damit ausgestattetesRasterladungsteilchenmikroskop |
| CN106693200A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-05-24 | 深圳市智连众康科技有限公司 | 一种智能生发装置及系统 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP23930291A patent/JPH0582061A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012529746A (ja) * | 2009-06-12 | 2012-11-22 | カール ツァイス エヌティーエス エルエルシー | 荷電粒子源の先端頂部を加熱する方法及びシステム |
| US8993981B2 (en) | 2009-06-12 | 2015-03-31 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle source with light monitoring for tip temperature determination |
| TWI506665B (zh) * | 2009-06-12 | 2015-11-01 | Carl Zeiss Microscopy Llc | 氣體場離子系統、使用一氣體場離子源的方法以及操作一氣體場離子裝置之方法 |
| DE112010002981T5 (de) | 2009-06-30 | 2013-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Gasfeldionisations-Ionenquellenvorrichtung und damit ausgestattetesRasterladungsteilchenmikroskop |
| CN106693200A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-05-24 | 深圳市智连众康科技有限公司 | 一种智能生发装置及系统 |
| CN106693200B (zh) * | 2015-12-29 | 2023-08-01 | 深圳市智连众康科技有限公司 | 一种智能生发装置及系统 |
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