JP2000235839A - 電子線応用装置 - Google Patents
電子線応用装置Info
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- JP2000235839A JP2000235839A JP11036812A JP3681299A JP2000235839A JP 2000235839 A JP2000235839 A JP 2000235839A JP 11036812 A JP11036812 A JP 11036812A JP 3681299 A JP3681299 A JP 3681299A JP 2000235839 A JP2000235839 A JP 2000235839A
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- electron beam
- beam application
- filament
- application apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型電子顕微鏡や電子線描画装置など、電
子線応用装置において、電子源の安定化を図り、装置の
精度および信頼性を向上させる電子銃を提供する。 【解決手段】 光ファイバ１９を電子銃７内のカソード
１５近傍に導入し、検出器２０にてカソード１５の放射
強度を測定する。この放射強度が一定になるように、電
子銃７内の発熱体１６（ヒータもしくはフィラメント）
に流す電流を制御する。これにより、周囲の温度変化な
どの外乱や、寿命やコンタミなどによる経年変化が生じ
ても、カソード１５の温度を一定に保つことが可能とな
る。
子線応用装置において、電子源の安定化を図り、装置の
精度および信頼性を向上させる電子銃を提供する。 【解決手段】 光ファイバ１９を電子銃７内のカソード
１５近傍に導入し、検出器２０にてカソード１５の放射
強度を測定する。この放射強度が一定になるように、電
子銃７内の発熱体１６（ヒータもしくはフィラメント）
に流す電流を制御する。これにより、周囲の温度変化な
どの外乱や、寿命やコンタミなどによる経年変化が生じ
ても、カソード１５の温度を一定に保つことが可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型電子顕微鏡
や電子線描画装置など半導体製造および検査を目的とし
た電子線応用装置に係り、特に電子線源である電子銃の
安定化に関する。
や電子線描画装置など半導体製造および検査を目的とし
た電子線応用装置に係り、特に電子線源である電子銃の
安定化に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセスにおいて、素子の構造観
察や検査工程では走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭと略
す）が用いられている。これは電子線を用いているため
従来からある光学顕微鏡に比べて、高分解能かつ焦点深
度が深という利点がある。同様に、半導体基板上にＬＳ
Ｉ回路パターンを転写するリソグラフィ工程において
も、光を用いたステッパ／スキャナに対して、より微細
パターンを成形可能な電子線描画装置が開発されてい
る。これらＳＥＭや電子線描画装置の内部には、陰極か
ら放出された電子を加速し、ある電流密度を持った電子
ビームを放出できる電子銃が構成されている。電子銃は
熱電子放出型と電界放出型の２つに分類される。前者は
陰極（カソード）にタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔ
ａ）、ランタンヘキサボライド（ＬａＢ６）などが用い
られ、周囲に構成されたヒータの通電加熱などによっ
て、１８００〜２５００Ｋという高温にすることで電子
を放出させる。また、後者の電界放出型はカソード材と
して主にＷが用いられており、このＷ尖端に１０7Ｖ／
ｃｍ程度の電界を印加し、かつ１７００Ｋ程度まで加熱
を行い電子を放出させる。
察や検査工程では走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭと略
す）が用いられている。これは電子線を用いているため
従来からある光学顕微鏡に比べて、高分解能かつ焦点深
度が深という利点がある。同様に、半導体基板上にＬＳ
Ｉ回路パターンを転写するリソグラフィ工程において
も、光を用いたステッパ／スキャナに対して、より微細
パターンを成形可能な電子線描画装置が開発されてい
る。これらＳＥＭや電子線描画装置の内部には、陰極か
ら放出された電子を加速し、ある電流密度を持った電子
ビームを放出できる電子銃が構成されている。電子銃は
熱電子放出型と電界放出型の２つに分類される。前者は
陰極（カソード）にタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔ
ａ）、ランタンヘキサボライド（ＬａＢ６）などが用い
られ、周囲に構成されたヒータの通電加熱などによっ
て、１８００〜２５００Ｋという高温にすることで電子
を放出させる。また、後者の電界放出型はカソード材と
して主にＷが用いられており、このＷ尖端に１０7Ｖ／
ｃｍ程度の電界を印加し、かつ１７００Ｋ程度まで加熱
を行い電子を放出させる。
【０００３】ここで、カソード温度の変化による電子銃
への影響として、以下の特性変化が挙げられる。
への影響として、以下の特性変化が挙げられる。
【０００４】（１）電流密度：高温になるほど増加す
る。
る。
【０００５】（２）エネルギ幅：電子源の種類に応じて
最適の温度があり、それより低くても高くても広がり、
分解能は低下する。
最適の温度があり、それより低くても高くても広がり、
分解能は低下する。
【０００６】（３）カソード形状：高温ほど先端がＲに
なり易く、短寿命化。
なり易く、短寿命化。
【０００７】（４）エミッション電流：高温ほど原子の
自己拡散によりノイズが発生する。
自己拡散によりノイズが発生する。
【０００８】特に（１）においては、電流密度はｅｘｐ
（−Φ／ｋ・Ｔ）に比例するため、例えばカソード温度
が１７００Ｋにて±１Ｋの温度変化が生じると、電流密
度は１％変化する（ただし、Φ：仕事関数＝２．７５〜
２．９５ｅＶ、ｋ：ボルツマン定数＝８．６２５×１０
-5ｅＶ／Ｋ、Ｔ：カソード温度）。
（−Φ／ｋ・Ｔ）に比例するため、例えばカソード温度
が１７００Ｋにて±１Ｋの温度変化が生じると、電流密
度は１％変化する（ただし、Φ：仕事関数＝２．７５〜
２．９５ｅＶ、ｋ：ボルツマン定数＝８．６２５×１０
-5ｅＶ／Ｋ、Ｔ：カソード温度）。
【０００９】以上より、安定した電子源を構成するには
カソードの温度変化を抑える必要がある。このために用
いられてきた従来の手法として、 （ａ）電子銃単体調整時において、パイロメータにより
カソード温度とヒータ（もしくはフィラメント）通電加
熱の電流値との相関をとり、実機組み込み後は電流値が
一定になる様、管理していた。
カソードの温度変化を抑える必要がある。このために用
いられてきた従来の手法として、 （ａ）電子銃単体調整時において、パイロメータにより
カソード温度とヒータ（もしくはフィラメント）通電加
熱の電流値との相関をとり、実機組み込み後は電流値が
一定になる様、管理していた。
【００１０】（ｂ）特開平６−１２４８７８号公報に記
載されているように、カソード近傍に熱電対を配置して
いた。
載されているように、カソード近傍に熱電対を配置して
いた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た（ａ）の方法では実機内での温度変化が不明であるた
め、フィラメントやヒータの劣化による温度上昇や、周
囲の温度変化の影響により、カソードを一定温度に保つ
ことが難しい。例えば、フィラメントに供給される熱量
をＱ、フィラメントと電子銃外壁との温度差をΔＴとす
ると、フィラメントに対する熱伝導方程式は Ｑ＝ε・σ・Ａ・ΔＴ4＋ｓ／ｌ・λ・ΔＴ で与えられる。第１項目が輻射、２項目が伝導によるも
のである。ただし、ε：フィラメントの放射率、σ：ボ
ルツマン定数、Ａ：輻射面積、ｓ：伝熱面積、ｌ：伝熱
経路長、λ：伝熱経路部の熱伝導率、である。ここで電
流一定（すなわちＱ＝一定）であるため、ΔＴ4とΔＴ
も一定になる。従って、外壁温度が１℃変化するとフィ
ラメント温度は輻射の分で０．１℃、伝導分で１℃の、
合わせて１．１℃変化する。つまり、電流値を一定に制
御しても、電子銃の置かれる環境温度の変化に相当する
分だけ、フィラメント温度が変化することが分かる。
た（ａ）の方法では実機内での温度変化が不明であるた
め、フィラメントやヒータの劣化による温度上昇や、周
囲の温度変化の影響により、カソードを一定温度に保つ
ことが難しい。例えば、フィラメントに供給される熱量
をＱ、フィラメントと電子銃外壁との温度差をΔＴとす
ると、フィラメントに対する熱伝導方程式は Ｑ＝ε・σ・Ａ・ΔＴ4＋ｓ／ｌ・λ・ΔＴ で与えられる。第１項目が輻射、２項目が伝導によるも
のである。ただし、ε：フィラメントの放射率、σ：ボ
ルツマン定数、Ａ：輻射面積、ｓ：伝熱面積、ｌ：伝熱
経路長、λ：伝熱経路部の熱伝導率、である。ここで電
流一定（すなわちＱ＝一定）であるため、ΔＴ4とΔＴ
も一定になる。従って、外壁温度が１℃変化するとフィ
ラメント温度は輻射の分で０．１℃、伝導分で１℃の、
合わせて１．１℃変化する。つまり、電流値を一定に制
御しても、電子銃の置かれる環境温度の変化に相当する
分だけ、フィラメント温度が変化することが分かる。
【００１２】また（ｂ）の方法は、測定対象を非接触に
より熱電対で測定するため、輻射面積が小さいフィラメ
ントや熱電対では測定誤差が大きくなってしまう。また
熱電対自体の持つ熱容量のために時間遅れが発生し、急
激な温度変化に対処が出来ない、という問題点がある。
より熱電対で測定するため、輻射面積が小さいフィラメ
ントや熱電対では測定誤差が大きくなってしまう。また
熱電対自体の持つ熱容量のために時間遅れが発生し、急
激な温度変化に対処が出来ない、という問題点がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、以下の手段を用いる。
に、以下の手段を用いる。
【００１４】光ファイバを電子銃内のフィラメント近傍
に導入し、フィラメントの放射強度を測定する。この放
射強度が一定になるように、電子銃内の発熱体（ヒータ
もしくはフィラメント）に流す電流を制御し、カソード
温度を一定に保つ。ここで、フィラメント近傍とは、実
質的には、フィラメントと引き出し電極とで形成される
電解を乱さない範囲、具体的にはフィラメントから２０
ｍｍ以内、望ましくは１５ｍｍ以内の範囲をいう。
に導入し、フィラメントの放射強度を測定する。この放
射強度が一定になるように、電子銃内の発熱体（ヒータ
もしくはフィラメント）に流す電流を制御し、カソード
温度を一定に保つ。ここで、フィラメント近傍とは、実
質的には、フィラメントと引き出し電極とで形成される
電解を乱さない範囲、具体的にはフィラメントから２０
ｍｍ以内、望ましくは１５ｍｍ以内の範囲をいう。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例にしたがっ
て説明する。
て説明する。
【００１６】（実施例１）図１は本発明の実施例を示す
電子線応用装置の概略構成図である。図において、試料
室１内にはＸＹモータ２によって位置制御を行うＸＹス
テージ３が搭載されており、ＸＹステージ３上には基板
ホルダ４が固定されている。基板ホルダ４には観察・検
査もしくは描画対象であるウエハ５が載置されている。
試料室１の上には電子線カラム６が設けられており、電
子銃７、絞り８、偏向器９、電子レンズ１０等によって
構成されている。電子銃７から発せられた電子線１１
は、絞り８を通過し、偏向制御系１２によって制御され
た成形偏向器９によって所望の形状に成形される。さら
に、レンズ電源１４が接続された電子レンズ１０と、偏
向器１３を制御することによりウエハ５上の任意の位置
に結像される。これらはすべて中央演算処理装置２２と
端末２３によって、操作・制御される。電子銃７は、電
子を放射するカソード１５と、カソード１５の温度をコ
ントロールするヒータ１６、電子を引き出すためのウェ
ネルト電極１７およびアノード１８からなる。カソード
１５はランタン・ヘキサ・ボライド（ＬａＢ６）によっ
て構成されており、使用時はヒータ１６によって１７０
０Ｋ程度まで加熱される。電子銃７内には石英ガラス製
光ファイバ１９が導入されており、その受光面はカソー
ド１５に向けられて固定されている。１７００Ｋの物体
はウィーンの法則により、波長がおよそ１．７μｍにピ
ークをもつ光を放出しているため、光ファイバ１９は近
赤外領域に透過特性をもつ石英ガラス、サファイア、弗
化カルシウム（ＣａＦ２）などが適している。光ファイ
バ１９のもう一方の端は検出器２０内部の受光素子であ
るＳｉに導かれており、光強度に応じた起電力を発生す
る。光強度は放射対象の温度に依存した値を持つため、
カソード１５温度を正確に把握することが可能となる。
また、Ｓｉの測定波長は０．９μｍ前後の範囲にあるた
め、比較的高温（６００℃以上）の温度を高精度で測定
するのに適している。測定されたカソード１５の温度は
ヒータ温度コントローラ２１によって、設定された温度
になるよう制御される。これによりカソードの温度変動
を１℃以内に制御することが可能となり、エミッション
電流の変動が１％以下の安定した電子線を得ることがで
きる。
電子線応用装置の概略構成図である。図において、試料
室１内にはＸＹモータ２によって位置制御を行うＸＹス
テージ３が搭載されており、ＸＹステージ３上には基板
ホルダ４が固定されている。基板ホルダ４には観察・検
査もしくは描画対象であるウエハ５が載置されている。
試料室１の上には電子線カラム６が設けられており、電
子銃７、絞り８、偏向器９、電子レンズ１０等によって
構成されている。電子銃７から発せられた電子線１１
は、絞り８を通過し、偏向制御系１２によって制御され
た成形偏向器９によって所望の形状に成形される。さら
に、レンズ電源１４が接続された電子レンズ１０と、偏
向器１３を制御することによりウエハ５上の任意の位置
に結像される。これらはすべて中央演算処理装置２２と
端末２３によって、操作・制御される。電子銃７は、電
子を放射するカソード１５と、カソード１５の温度をコ
ントロールするヒータ１６、電子を引き出すためのウェ
ネルト電極１７およびアノード１８からなる。カソード
１５はランタン・ヘキサ・ボライド（ＬａＢ６）によっ
て構成されており、使用時はヒータ１６によって１７０
０Ｋ程度まで加熱される。電子銃７内には石英ガラス製
光ファイバ１９が導入されており、その受光面はカソー
ド１５に向けられて固定されている。１７００Ｋの物体
はウィーンの法則により、波長がおよそ１．７μｍにピ
ークをもつ光を放出しているため、光ファイバ１９は近
赤外領域に透過特性をもつ石英ガラス、サファイア、弗
化カルシウム（ＣａＦ２）などが適している。光ファイ
バ１９のもう一方の端は検出器２０内部の受光素子であ
るＳｉに導かれており、光強度に応じた起電力を発生す
る。光強度は放射対象の温度に依存した値を持つため、
カソード１５温度を正確に把握することが可能となる。
また、Ｓｉの測定波長は０．９μｍ前後の範囲にあるた
め、比較的高温（６００℃以上）の温度を高精度で測定
するのに適している。測定されたカソード１５の温度は
ヒータ温度コントローラ２１によって、設定された温度
になるよう制御される。これによりカソードの温度変動
を１℃以内に制御することが可能となり、エミッション
電流の変動が１％以下の安定した電子線を得ることがで
きる。
【００１７】（実施例２）図２は別の実施例を示す電子
線応用装置の電子銃部詳細図である。図において、タン
グステン製のフィラメント２４の中央部に先端を鋭くし
た別のタングステンを溶接し、カソード２５を構成して
いる。フィラメント２４の両端には電極２６が接続され
ており、両端に電圧を印加することでカソード２５の加
熱を行う。フィラメント２４は、フィラメント２４に対
して負の電位を持つサプレッサ電極２７に囲まれてお
り、サプレッサ電極２７の中央の穴からカソード２４が
突出している。さらにその外側に、正の電位を持つアノ
ード２８を配置し、カソード２５から電子を引き出す構
造になっている。光ファイバ３０は、受光面がフィラメ
ント２４に対向し、カソード２５を見込めるように、配
置されている。光ファイバ３０のもう一端は電子銃外壁
３１に取り付けられた真空フランジ３２へと導かれる。
フィラメント２４からの放射光は、真空フランジ３２内
に設けられた透過窓３３を通って、真空外に取り付けら
れた光ファイバ３４へと送られる。さらにこの光ファイ
バ３４は検出器３５に接続され、その測定値は温度制御
部３６へと送られる。温度制御部３６では設定された温
度になるよう、フィラメント２４に接続された直流電源
３７を制御する。これにより、突発的な外乱や、寿命や
コンタミなどによる経年変化が生じても、カソード２５
の温度を一定に保つことが可能となり、安定した電子線
を得ることができる。
線応用装置の電子銃部詳細図である。図において、タン
グステン製のフィラメント２４の中央部に先端を鋭くし
た別のタングステンを溶接し、カソード２５を構成して
いる。フィラメント２４の両端には電極２６が接続され
ており、両端に電圧を印加することでカソード２５の加
熱を行う。フィラメント２４は、フィラメント２４に対
して負の電位を持つサプレッサ電極２７に囲まれてお
り、サプレッサ電極２７の中央の穴からカソード２４が
突出している。さらにその外側に、正の電位を持つアノ
ード２８を配置し、カソード２５から電子を引き出す構
造になっている。光ファイバ３０は、受光面がフィラメ
ント２４に対向し、カソード２５を見込めるように、配
置されている。光ファイバ３０のもう一端は電子銃外壁
３１に取り付けられた真空フランジ３２へと導かれる。
フィラメント２４からの放射光は、真空フランジ３２内
に設けられた透過窓３３を通って、真空外に取り付けら
れた光ファイバ３４へと送られる。さらにこの光ファイ
バ３４は検出器３５に接続され、その測定値は温度制御
部３６へと送られる。温度制御部３６では設定された温
度になるよう、フィラメント２４に接続された直流電源
３７を制御する。これにより、突発的な外乱や、寿命や
コンタミなどによる経年変化が生じても、カソード２５
の温度を一定に保つことが可能となり、安定した電子線
を得ることができる。
【００１８】（実施例３）図３は本発明の別の実施例を
示す電子銃に設置した、光ファイバの断面図である。図
において、フィラメント２４およびカソード２５に向け
られた光ファイバ３０は、その先端が筒状で、かつ受光
面が球面状に形成されている。この形状のため、電子銃
内部でコンタミが発生しても、受光面に到達する前に筒
の内壁に付着するため、受光面の汚染がなく、測定精度
の劣化がない。また、受光面をレンズ形状にすることに
より、集光することができるため、筒の内壁面の影響を
受けること無く、測定が可能となる。
示す電子銃に設置した、光ファイバの断面図である。図
において、フィラメント２４およびカソード２５に向け
られた光ファイバ３０は、その先端が筒状で、かつ受光
面が球面状に形成されている。この形状のため、電子銃
内部でコンタミが発生しても、受光面に到達する前に筒
の内壁に付着するため、受光面の汚染がなく、測定精度
の劣化がない。また、受光面をレンズ形状にすることに
より、集光することができるため、筒の内壁面の影響を
受けること無く、測定が可能となる。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、フィラメント温度を一定
に保持することが可能となり、電子源の安定化が図ら
れ、電子線応用装置の高精度化・高信頼性化が可能とな
る。
に保持することが可能となり、電子源の安定化が図ら
れ、電子線応用装置の高精度化・高信頼性化が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例である電子線応用装置の概略構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の別の実施例を示す電子線応用装置の電
子銃部詳細図である。
子銃部詳細図である。
【図３】本発明の別の実施例を示す電子銃内に設置した
光ファイバ断面図である。
光ファイバ断面図である。
１…試料室、２…ＸＹモータ、３…ＸＹステージ、４…
基板ホルダ、５…ウエハ、６…電子線カラム、７…電子
銃、８…絞り、９…偏向器、１０…電子レンズ、１１…
電子線、１２…偏向制御系、１３…偏向器、１４…レン
ズ電源、１５…カソード、１６…ヒータ、１７…ウェネ
ルト電極、１８…アノード、１９…光ファイバ、２０…
検出器、２１…ヒータ温度コントローラ、２２…中央演
算処理装置、２３…端末、２４…フィラメント、２５…
カソード、２６…電極、２７…サプレッサ電極、２８…
アノード、２９…電子、３０…光ファイバ、３１…電子
銃外壁、３２…真空フランジ、３３…透過窓、３４…光
ファイバ、３５…検出器、３６…温度制御部、３７…直
流電源。
基板ホルダ、５…ウエハ、６…電子線カラム、７…電子
銃、８…絞り、９…偏向器、１０…電子レンズ、１１…
電子線、１２…偏向制御系、１３…偏向器、１４…レン
ズ電源、１５…カソード、１６…ヒータ、１７…ウェネ
ルト電極、１８…アノード、１９…光ファイバ、２０…
検出器、２１…ヒータ温度コントローラ、２２…中央演
算処理装置、２３…端末、２４…フィラメント、２５…
カソード、２６…電極、２７…サプレッサ電極、２８…
アノード、２９…電子、３０…光ファイバ、３１…電子
銃外壁、３２…真空フランジ、３３…透過窓、３４…光
ファイバ、３５…検出器、３６…温度制御部、３７…直
流電源。
フロントページの続き (72)発明者 品田 博之 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 高藤 敦子 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA02 BB01 CA16 LA10 5C030 BC02 5C034 BB01 5F056 AA01 BA01 BB10 CB03 EA02
Claims (6)
- 【請求項１】電子を放射するフィラメントと、該フィラ
メントに電源を供給する電極と、該フィラメントと対向
して配置された引き出し電極とを備え、放射された電子
を試料上に照射する電子線応用装置であって、該フィラ
メントの近傍にファイバー状の光導波路を設け、該光導
波路を通った該フィラメントの放射強度を測定する放射
強度測定手段を有することを特徴とする電子線応用装
置。 - 【請求項２】請求項１記載の電子線応用装置において、
該放射強度測定手段によって測定された放射強度が実質
的に一定になる様、該フィラメントに流す電流を制御す
るための制御手段を具備することを特徴とする電子線応
用装置。 - 【請求項３】請求項１および２記載の電子線応用装置に
おいて、該光導波路の材質が石英ガラスであることを特
徴とする電子線応用装置。 - 【請求項４】請求項１から３のうちいずれかに記載の電
子線応用装置において、該放射強度測定手段は、該光導
波路によって取り込んだ放射光を検出素子であるシリコ
ンに照射し、該Ｓｉから発生した起電力によって放射強
度を測定することを特徴とする電子線応用装置。 - 【請求項５】請求項３記載の電子線応用装置において、
該光導波路の受光面の形状が球面であることを特徴とす
る電子線応用装置。 - 【請求項６】請求項３記載の電子線応用装置において、
該光導波路の受光側の先端形状が筒状であることを特徴
とする電子線応用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036812A JP2000235839A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 電子線応用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036812A JP2000235839A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 電子線応用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235839A true JP2000235839A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12480198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11036812A Pending JP2000235839A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | 電子線応用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000235839A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013131505A (ja) * | 2013-03-29 | 2013-07-04 | Param Co Ltd | 電子銃および電子ビーム装置 |
| US9070527B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-06-30 | Param Corporation | Electron gun and electron beam device |
-
1999
- 1999-02-16 JP JP11036812A patent/JP2000235839A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9070527B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-06-30 | Param Corporation | Electron gun and electron beam device |
| JP2013131505A (ja) * | 2013-03-29 | 2013-07-04 | Param Co Ltd | 電子銃および電子ビーム装置 |
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