JP2012529064A - 化学増幅型ポジフォトレジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
1)酸の作用によってアルカリ可溶性になり樹脂上で保護している酸感受性基を除去する樹脂バインダー、又は樹脂バインダーの混合物、
2)高エネルギーの線源に露光すると分解し、そして樹脂上で保護している酸感受性基を除去するのに十分に強い酸(光酸)を発生する少なくとも1つの光酸発生剤(PAG)、
3)1つ又はそれ以上のさらなるヘテロ原子で場合により置換されたイミニウム塩を含む少なくとも1つのイオン性非感光性添加剤;
4)少なくとも1つの溶媒;及び
4)クエンチャーとして場合により少なくとも1つの塩基:
を含むが、
但し、樹脂バインダー又は樹脂バインダーの混合物は、アセタール又はケタール基によって保護されたフェノール基を含まない、
新規なフォトレジスト組成物を提供する。
である。
本発明は、深紫外線又はEUVの放射に感受性のフォトレジスト組成物に関する。本開示の目的は、高性能リソグラフィ画像化及び高い処方寛容度(formulation latitude)を有するフォトレジスト組成物を得ることである。
塩及びイオン性化合物という用語は、同じ意味で用いられる。同様に、保護された及びブロックされた、並びに脱保護された及び脱ブロックされた、という用語は、同じ意味で用いられる。特に明記しない限り、%という用語は、質量%のことである。
である。
のイミニウム塩である。
イミン又はイミン誘導体と反応させてイミニウム塩を製造することができる硫酸エステルの適切な例としては、硫酸水素メチル、硫酸水素エチル、硫酸水素プロピル、硫酸水素ブチル、硫酸水素ベンジル及び硫酸水素フェニルが含まれるが、それらに制限されるわけではない。
2−[(アダマンタン−1−イルメチル)アミノ]−1,1−ジフルオロ−2−オキソエタンスルホン酸
との塩が含まれる。
との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、DBN(1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン)と以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、1,1,2,2,3,3,3−ヘプタフルオロプロパン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3,4,4,4−ノナフルオロブタン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ヘプタデカフルオロオクタン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−(ピペリジン−1−イルスルホニル)プロパン−1−スルホン酸、3−[(4−シクロヘキシルフェノキシ)スルホニル]−1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−(フェノキシスルホニル)プロパン−1−スルホン酸、3−[(4−シクロヘキシルフェノキシ)スルホニル]−1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1−スルホン酸、3−[(2−(アダマンタン−1−イルメトキシ)−1,1−ジフルオロ−2−オキソエタンスルホン酸、及び2−[(アダマンタン−1−イルメチル)アミノ]−1,1−ジフルオロ−2−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、TPI(2,4,5−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール)と以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、2−フェニル−1H−ベンゾイミダゾールと以下の酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、2,4,4−トリメチル−4,5−ジヒドロ−1,3−オキサゾールと以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジン以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、2,3,4,7,8,9−ヘキサヒドロ−6H−ピリド[1,2−a]ピリミジン−6−オンと以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、1,1,2,3,3−ペンタメチルグアニジンと以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。
との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、DBN(1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン)と以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、1,1,2,2,3,3,4,4,4−ノナフルオロブタン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ヘプタデカフルオロオクタン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−(ピペリジン−1−イルスルホニル)プロパン−1−スルホン酸、3−[(4−シクロヘキシルフェノキシ)スルホニル]−1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1−スルホン酸、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−(フェノキシスルホニル)プロパン−1−スルホン酸、及び2−[(アダマンタン−1−イルメチル)アミノ]−1,1−ジフルオロ−2−オキソエタンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、TPI(2,4,5−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール)と以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、2−フェニル−1H−ベンゾイミダゾールと以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジンと以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。また、より好ましいスルホン酸由来の添加剤としては、1,1,2,3,3−ペンタメチルグアニジンと以下のスルホン酸:カンファースルホン酸、ドデシル−ベンゼンスルホン酸、及びトルエンスルホン酸との塩が含まれる。
7−エン)と以下のビススルホニルイミド;ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれるが、それらに制限されるわけではない。さらなる適切な例としては、DBN(1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン)と以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、TPI(2,4,5−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール)と以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2−フェニル−1H−ベンゾイミダゾールと以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2,4,4−トリメチル−4,5−ジヒドロ−1,3−オキサゾールと以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1,3−チアゾールと以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジンと以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2,3,4,7,8,9−ヘキサヒドロ−6H−ピリド[1,2−a]ピリミジン−6−オンと以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。さらなる適切な例としては、1,1,2,3,3−ペンタメチルグアニジンと以下のビススルホニルイミド:ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミン、ビス(ペンタフルオロエチルスルホニル)アミン、4,4,5,5−テトラフルオロ−1,1,3,3−テトラオキシド−1,3−ジチオラン−2−イルトリフルオロメチルスルホン、及び1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロ−3−[(4−メチルピペラジン−1−イル)スルホニル]−N−[(トリフルオロメチル)スルホニル]プロパン−1−スルホンアミドとの塩が含まれる。
以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、TPI(2,4,5−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール)と以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2−フェニル−1H−ベンゾイミダゾールと以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2,4,4−トリメチル−4,5−ジヒドロ−1,3−オキサゾールと以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1,3−チアゾールと以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジンと以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、2,3,4,7,8,9−ヘキサヒドロ−6H−ピリド[1,2−a]ピリミジン−6−オンと以下のスルファミン酸:
トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。さらなる適切な例としては、1,1,2,3,3−ペンタメチルグアニジンと以下のスルファミン酸:トリフルオロメタスルファミン酸、シクロヘキシルスルファミン酸、ジシクロヘキシルスルファミン酸、ベンジルスルファミン酸、及び(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロシクロヘキシル)スルファミン酸との塩が含まれる。
硫酸水素メチル、硫酸水素フェニル、及び硫酸水素ベンジルとの塩が含まれる。
によって表されるモノマーが含まれるが、それらに制限されるわけではない。
のモノマー単位を生じるモノマーである。
& Tech., Vol. 12, No. 3, p423 (1999);C. G. Willson et al, Advances in Resist Technology and Processing, SPIE, Vol. 3333, p425, (1998)に記載されている。
アセトキシスチレン(232.66g)、PGMEA(494.93g)、PGME(329.95g)及びV601開始剤(6.61g)を2Lのアンバーガラスビンに加え、そして撹拌して溶解した。添加ポンプをこのモノマー溶液で満たした。t−ブチルメタクリレート(78.45g)、ベンジルメタクリレート(38.89g)、PGMEA(249.61g)、PGME(166.41g)及びV601開始剤(3.56g)を1Lのアンバーガラスビンに加え、そして撹拌して溶解した。添加ポンプを第2のモノマー溶液で満たした。
p−トルエンスルホン酸及びDBUの塩(ADD1)
メタノール性DBU溶液(15.35g,メタノール50ml中0.1mol)を250mlのRBフラスコ中のp−TSA(p−トルエンスルホン酸,19.2g,メタノール50ml中0.1mol)の溶液に加えた。溶液を室温で3時間撹拌し、次いで溶液を真空下で濃縮した。非常に高粘度の液体を得た。粘性液体を(温かい)酢酸エチル100mlで洗浄した。粘性液体を凝固させた。固形物を熱アセトン150ml中に溶解した。冷却すると、白色結晶が形成された。固形物を濾過によって単離し、そして吸引下、空気中で乾燥した。収量:27g(第1の収穫物、84%)。融点107.5℃。同様に、カンファースルホン酸及びDBUの塩(ADD3)を得た。
PGMEA中のメタンスルホン酸の溶液をPGMEA中の等モル量のDBUと混合し、そして1質量%に希釈した。
DBU溶液(5g,イソプロパノール(IPA)10ml中32.8mmol)を100mlのRBフラスコ中、IPA20mlで希釈されたDDBSA(ドデシルベンゼンスルホン酸,15.32g,IPA中70質量%で32.8mmol)の溶液に加えた。溶液を室温で6時間撹拌し、次いで、溶液を真空下で濃縮した。非常に高粘度の液体を得た。粘性液体を温かいヘプタン50mlで洗浄した。次いで、粘性液体を高真空中50℃で1時間さらに乾燥した。次いで、いくつかの実験のため、物質をPGMEA中に溶解した。別法として、粘性液体をPGME60ml中に溶解し、真空下で濃縮し、残留水及びIPA及び若干のPGMEを除去し、そして最後に少量のPGMEを加えることによって20質量%溶液にした。
PGMEA中のノナフルオロブタンスルホン酸の溶液をPGMEA中の等モル量の2,4,5−トリフェニルイミダゾール(TPI)と混合し、そして1質量%に希釈した。
カンファースルホン酸及びDBNの塩(ADD6)は、文献の方法に従って合成した。(Proceedings, SPIE" Vol. 3333 (1998), pages 236 to 244)。
2−エチルヘキサン酸及びDBUの塩(ADD7)は、シグマアルドリッチ社(Sigma-Aldrich, Inc.)から入手した。
塩ADD8の溶液は、PGMEA中でp−トルエンスルホン酸及び2−メチル−2−チアゾリンを混合することによって調製した。塩ADD9−ADD12は、同様に、PGMEA中で適切な酸及び塩基を混合することによって調製した。
実施例中に記載されたフォトレジスト成分をアンバーボトル中で混合し、溶媒としてPGMEAを加えて溶液の固形物含量を調節し、そして均一な溶液が得られるまで撹拌した。0.2μmフィルターを通してきれいなアンバーボトル中に溶液を濾過した。
A.ベアSi又はDUV有機BARCの上部におけるKrF評価
ベアケイ素ウエハー(bare silicon wafers)をHMDSで下塗りした。KrF有機反射防止膜の上部(top)における評価のため、商業的に入手可能なKrF BARC DUV44(ブルーアーサイエンス社(Brewer Science, Inc.)から)をスピンコーティングによってベアSiウエハーの上部に塗布し、次いで205℃で90秒間硬化させた。HMDSで下塗りされたウエハー上に、又は表5に従ってKrF BARCでコートされたウエハー上にレジストサンプルを適用し、そしてホットプレート上で90秒間プリベーク(温度設定は、個々の実施例による)して所望のレジスト膜厚にした。次いで、キャノンFPA-3000 EX6ステッパ中でライン/スペースパターンを含むフォトマスクを通してKrFエキシマレーザー光線(248nm)によりレジストサンプルをパターン様(pattern-wise)露光した。表5による照明設定により0.65NAの開口数を用いた(リソグラフィ実施例L1〜L24)。露光されたレジスト塗布ウエハーを、次いで、ホットプレート上でPEB処理にかけた(温度設定は、個々の実施例による)。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.262N溶液を用いたパドル現像処理を60秒行った。次いで、ウエハーを蒸留水で15秒間すすぎ、その後、30秒間スピン乾燥した。日立走査型電子顕微鏡(Hitachi Scanning Electron Microscope)を用いてデータを集めた。レジスト像を断面的に切り取り、そして画像を8万倍に拡大した。
FFEM1USAによって供給された商業的に入手可能な193nm下層物質TIS 193UL 52-50及び193UL-F12(下層処方実施例F12、米国特許出願第2008206676号)をスピンコーティングによってベアSiウエハーの上部に塗布し、次いで205℃で90秒間硬化させた。ULコーティングの回転速度を調節してTIS 193UL 52-50については210nm、そして193UL-F45については160nmの目標の硬化後の厚さを得た。次いで、193
nm ULコートしたウエハー上にレジストサンプルを適用し、そしてホットプレート上で90秒間プリベーク(温度設定は、個々の実施例による)して所望のレジスト膜厚を得た。ISI 193nmステッパ中で、ライン/スペースを含むフォトマスクを通してArFエキシマレーザー光線(193nm)によりレジストサンプルF30をパターン様露光した。表5による照明設定により0.6NAの開口数を用いた。(リソグラフィ実施例L31)。レジストサンプルF26〜F29(リソグラフィ実施例L27〜L29)
及びF31〜F34(リソグラフィ実施例L32〜L35)は、ASML 193nmスキャナPAS 5500M 100中でライン/スペースパターンを含むフォトマスクを通してArFエキシマレーザー光線(193nm)によりパターン様露光した。表5による照明設定により0.75NAの開口数を用いた(リソグラフィ実施例L27〜L29及びL32〜L35)。次いで、露光されたレジスト塗布ウエハーをホットプレート上でPEB処理にかけた(温度設定は、個々の実施例による)。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.262N溶液中でパドル現像処理を60秒間行った。次いで、ウエハーを蒸留水で15秒間すすぎ、その後、30秒間スピン乾燥した。日立走査型電子顕微鏡を用いてデータを集めた。レジスト像を断面的に切り取り、そして画像を8万倍に拡大した。
滴定によって測定されたフォトレジスト中の酸性度の増加から、無水物又はラクトン基を有するポリマーをベースにするレジストのエージング過程を追跡する都合のよいやり方が提供される。
リソグラフィ実施例34及び35に記載された方法を用いて、安定化(塩入り、F34)及び非安定化(塩なし、F33)処方物においてリソグラフィ処理を実施した。サンプルを20℃又は30℃で6週間エージングし、次いでリソグラフィにかけた。エージングなしのレジストのデータを表6から再生する。
Claims (23)
- 1つ又はそれ以上の酸感受性保護基を含み、そしてアセタール又はケタール基によって保護されたフェノール基を実質的に含まない、1つ又はそれ以上の樹脂バインダーで、酸の作用によってアルカリ可溶性になって、酸感受性保護基を除去する、樹脂バインダー;
高エネルギーの線源に露光すると分解し、そして1つ又はそれ以上の酸感受性基を除去するのに十分強い光酸を発生する1つ又はそれ以上の光酸発生剤;
1つ又はそれ以上のイミニウム塩のイオン性非感光性添加剤;及び
1つ又はそれ以上の溶媒:
を含むフォトレジスト組成物。 - イミニウム塩が1つ又はそれ以上のさらなるヘテロ原子で置換される、請求項1に記載の組成物。
- クエンチャーとして少なくとも1つの塩基をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 増感剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 1つ又はそれ以上の界面活性剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- イミニウム塩が構造I0(B+A0 -)[式中、B+は、
である、請求項1に記載の組成物。 - A0 -が有機スルホン酸アニオンを有する化合物から選ばれる、請求項6に記載の組成物。
- A0 -がトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物から選ばれる、請求項6に記載の組成物。
- A0 -がスルファミン酸アニオンを有する化合物を有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、及びビススルホニルイミドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる、請求項6に記載の組成物。
- イミニウム塩が、構造
の塩である、請求項1に記載の組成物。 - A0 -が有機スルホン酸アニオンを有する化合物から選ばれる、請求項10に記載の組成物。
- A0 -がトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物から選ばれる、請求項10に記載の組成物。
- A0 -がスルファミン酸アニオンを有する化合物を有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、及びビススルホニルイミドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる、請求項10に記載の組成物。
- イミニウム塩が、構造
の塩である請求項1に記載の組成物。 - A0 -が有機スルホン酸アニオンを有する化合物から選ばれる、請求項14に記載の組成物。
- A0 -がトリススルホニルメチドアニオンを有する化合物から選ばれる、請求項14に記載の組成物。
- A0 -がスルファミン酸アニオンを有する化合物を有する化合物、カルボキシルアニオンを有する化合物、硫酸アルキルアニオン、及びビススルホニルイミドアニオンを有する化合物からなる群より選ばれる、請求項12の組成物。
- 光活性化の際に発生した酸とA0 -H+とが、pKa値において少なくとも約0.5異なる、請求項1に記載の組成物。
- クエンチャーとイミニウム塩のカチオンの共役塩基とが、pKb値において0.5又はそれ以上異なる、請求項3に記載の組成物。
- 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
(a)基板を備えること;
(b)基板上に請求項1の感光性組成物を塗布すること;
(c)感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること;
(d)感光性膜をイメージング放射線に露光すること;
(e)感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること;及び
(f)基板をリンスすること;
を含む、上記方法。 - 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
(a)基板を備えること;
(b)基板上に請求項6に記載の感光性組成物を塗布すること;
(c)感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること;
(d)感光性膜をイメージング放射線に露光すること;
(e)感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること;及び
(f)基板をリンスすること;
を含む、上記方法。 - 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
(a)基板を備えること;
(b)基板上に請求項10の感光性組成物を塗布すること;
(c)感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること;
(d)感光性膜をイメージング放射線に露光すること;
(e)感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること;及び
(f)基板をリンスすること;
を含む、上記方法。 - 基板上にレリーフ構造をパターン形成する方法であって、
(a)基板を備えること;
(b)基板上に請求項14の感光性組成物を塗布すること;
(c)感光性組成物をベークして基板上に感光性膜を備えること;
(d)感光性膜をイメージング放射線に露光すること;
(e)感光性膜を現像して下にある基板の一部を可視化すること;及び
(f)基板をリンスすること;
を含む、上記方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150908 |