JP2012518595A - グラフェン含有プレートレットおよび電子デバイス、並びにグラフェンを剥離する方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 253
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims abstract description 158
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims abstract description 158
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 138
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 31
- 101710091977 Hydrophobin Proteins 0.000 claims description 27
- 102000037865 fusion proteins Human genes 0.000 claims description 18
- 108020001507 fusion proteins Proteins 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 101001003067 Hypocrea jecorina Hydrophobin-1 Proteins 0.000 claims description 13
- MSYHGYDAVLDKCE-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,4-heptafluoro-1-imidazol-1-ylbutan-1-one Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(=O)N1C=CN=C1 MSYHGYDAVLDKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 10
- 241000499912 Trichoderma reesei Species 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 6
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 6
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000233866 Fungi Species 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 101001003080 Hypocrea jecorina Hydrophobin-2 Proteins 0.000 description 3
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- 125000003275 alpha amino acid group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000539 amino acid group Chemical group 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 235000011835 quiches Nutrition 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108020004511 Recombinant DNA Proteins 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 230000019552 anatomical structure morphogenesis Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical class 0.000 description 2
- 230000002538 fungal effect Effects 0.000 description 2
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 2
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 2
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UHPMCKVQTMMPCG-UHFFFAOYSA-N 5,8-dihydroxy-2-methoxy-6-methyl-7-(2-oxopropyl)naphthalene-1,4-dione Chemical compound CC1=C(CC(C)=O)C(O)=C2C(=O)C(OC)=CC(=O)C2=C1O UHPMCKVQTMMPCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000222518 Agaricus Species 0.000 description 1
- 241000228212 Aspergillus Species 0.000 description 1
- 241000222290 Cladosporium Species 0.000 description 1
- 241000206602 Eukaryota Species 0.000 description 1
- 241000223218 Fusarium Species 0.000 description 1
- 101000651211 Homo sapiens Transcription factor PU.1 Proteins 0.000 description 1
- 101000836070 Rattus norvegicus Serine protease inhibitor A3L Proteins 0.000 description 1
- 240000004808 Saccharomyces cerevisiae Species 0.000 description 1
- 241000222480 Schizophyllum Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100027654 Transcription factor PU.1 Human genes 0.000 description 1
- 241000223259 Trichoderma Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001344 confocal Raman microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002255 enzymatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009144 enzymatic modification Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000004481 post-translational protein modification Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000006916 protein interaction Effects 0.000 description 1
- 239000012460 protein solution Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- BBIKPGRUAMIMIA-UHFFFAOYSA-N sapb Chemical compound C1SCC(C(=O)NC(CC(N)=O)C(O)=O)NC(=O)C(C(C)O)NC(=O)C(C(C)O)NC(=O)C(C(C)CC)NC(=O)C(=C)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(CO)NC(=O)C1NC(=O)C(CC(O)=O)NC(=O)CNC(=O)C1NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(CC(C)C)NC(=O)C(=C)NC(=O)C(C)NC(=O)C(CCCNC(N)=N)NC(=O)C(NC(=O)CNC(=O)C(N)C(C)O)CSC1 BBIKPGRUAMIMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012064 sodium phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
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- C01B32/182—Graphene
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/1606—Graphene
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Abstract
【選択図】図2
Description
グラフェンとは、sp2結合炭素原子の1原子厚平面シートのみから実質的になる材料を一般的に指す。グラフェンには、炭素原子がハチの巣状の結晶格子に高密度に充填されている。
実施形態によれば、グラフェン含有プレートレットは表面からグラフェン層を剥離することによって製造する。その表面は剥離すべきグラフェン層を含む任意の表面でよい。表面は、例えば、グラファイトの物体または粒子の表面でもよい。表面が高配向のグラファイト体の一部を形成する場合、その表面は剥離されるグラフェン層を繰り返し製造することができる。また、高配向のグラファイトではドメインサイズが一般的に大きいので、製造されるグラフェン含有プレートレットの寸法または範囲は比較的大きい。最高品質の高配向熱分解性グラファイト(HOPG)を使用する場合(ZYAグレード)、ドメインサイズは最大10μm2であり、従って、これに対応する寸法範囲のグラフェン含有プレートレットの製造ができる。
最高品質(ZYAグレード、10μm2までのドメインサイズ)の高配向の熱分解グラファイト(HOPG)もしくはキッシュグラファイトの小さい断片(<1mg)、pH8の10mMリン酸ナトリウム緩衝溶液中の0.02〜0.026mMタンパク質(HFBI野生型または融合タンパク質NCysHFBI)、または脱イオン水を含む0.5〜1.0mlの溶液に対して先端ソニケーター中で超音波を照射することによって、グラフェンの剥離を行った。プローブの大きさは26μmに設定した。溶液の温度は、超音波処置の間氷浴中に試料を保持することによって制御した。試料は合計で10分間超音波処理下にさらしたが、溶液の沸騰を防ぐため、超音波処理の小中止を約1分間隔でし続けた。従って、超音波処理温度は0〜100℃の間に保たれた。超音波処理の後、試料を500rpmで15分間遠心分離して、グラファイトのより重い断片の堆積を促進した。上澄みはさらなる分析に使用した。
キッシュグラファイトおよびHOPGピラーからのグラフェン剥離もまた、実験によって試験した。グラファイト片およびハイドロフォビンタンパク質を水溶液中で40分間、超音波浴(Branson,Bransonic 1510,周波数40kHz)で超音波照射して、グラフェンおよび薄いグラファイトシートの剥離を行った。使用したタンパク質は、野生型HFBIおよびその融合(NCysHBFI)2二両体およびHFBI-ZEであった。超純水(Millipore)に0.3〜1ml容積のタンパク質が溶解した、1.0〜3mg/ml溶液中で剥離を行った。化学的に精製したキッシュグラファイトは、タンパク質溶液中に入れて上記のように処理した顆粒として加えた。HOPGから製造した、リソグラフィー処理したウェーハを、マイクロピラーおよび支持グラファイトウェーハを含むプレートレットとして溶液中に浸し、超音波浴中にて超音波処理した。
上述のプレートレットはさまざまな態様で電子デバイスおよびセンサーに活用できる。図11から13は、3つのかような実施形態を示す。
Claims (34)
- 表面からグラフェン層を剥離してグラフェン含有プレートレットを製造する方法であって、タンパク質で処理をすることによって剥離を促進することを特徴とする、グラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質が両親媒性タンパク質を含む、請求項1に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質はハイドロフォビンを含む、請求項1または2に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質が融合タンパク質を含み、該融合たんぱく質は少なくとも2つの機能部位を含み、該機能部位の少なくとも1つはハイドロフォビンによって形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記ハイドロフォビンはクラスIIハイドロフォビンである、請求項3または4に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記ハイドロフォビンはTrichoderma reesei由来である、請求項3〜5のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質は、HFBIおよび融合タンパク質NCysHFBIの少なくとも1つを含む、請求項3〜6のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質は前記表面上に層を形成する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記処理は、前記タンパク質を含む溶液中に前記表面を浸漬することを含む、請求項1〜8に記載のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記処理は、
前記タンパク質の層を形成する工程と、
形成した前記タンパク質の層を前記表面に接触させて、前記表面に前記タンパク質の層を接着させる工程と、
基板に対して前記表面上の前記タンパク質の層を押し付けて、前記基板上に前記グラフェンをスタンプする工程と、を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。 - 前記表面に超音波を照射して剥離を促進する工程を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記表面は、高配向のグラファイト体の表面である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記表面がパターン化された面を含み、所定形状のプレートレットを製造する、請求項1〜12のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質は、グラフェンと接着可能な疎水性部分をそれぞれ有する複数のタンパク質を含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- 前記タンパク質は、互いに接着してタンパク質のネットワークを形成可能な複数のタンパク質を含む、請求項1〜14のいずれか1項に記載のグラフェン含有プレートレットの製造方法。
- グラフェン層を有するプレートレットであって、前記グラフェン層の表面上のタンパク質層を特徴とするプレートレット。
- 前記グラフェン層の厚みが1〜10グラフェンシートである、請求項16に記載のプレートレット。
- 前記グラフェン層が単層のグラフェンシートからなる、請求項16に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層はハイドロフォビンを含む、請求項16〜18のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層が融合タンパク質を含む、請求項16〜19のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記融合タンパク質が第1機能部位および少なくとも1つの第2機能部位を含み、前記第1機能部位がハイドロフォビンによって形成される、請求項20に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層がクラスIIハイドロフォビンを含む、請求項16〜21のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層はTrichoderma reesei由来のハイドロフォビンを含む、請求項16〜22のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層はHFBIおよび融合タンパク質NCysHFBIの少なくとも1つを含む、請求項16〜24のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層はタンパク質の秩序性ネットワークによって形成される、請求項16〜24のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記プレートレットの厚みは50nmより小さい、請求項16〜25のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 2つのタンパク質層を含み、前記グラフェン層が前記2つのタンパク質層の間に位置する、請求項16〜26のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 前記タンパク質層によって分離した2つのグラフェン層を含む、請求項16〜26のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 互いに離間し、複数のタンパク質層に支持される複数のグラフェン層の層構造を含む、請求項16〜28のいずれか1項に記載のプレートレット。
- 請求項16〜29のいずれか1項に記載のプレートレットを含むことを特徴とする、電子デバイス。
- 前記電子デバイスがトランジスタであり、前記グラフェン層が前記トランジスタのチャネルを形成する、請求項30に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスがトランジスタであり、前記タンパク質層が前記トランジスタのゲート誘導体を形成する、請求項30または31に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスがセンサーであり、前記センサーのセンサー部として少なくとも1つのタンパク質層を含む、請求項30〜32のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスがトランジスタ型センサーであり、
前記グラフェン層の少なくとも一部を含むチャネルと、
前記グラフェン層の前記表面上に、前記チャネルの伝導性に影響することによって前記センサーのセンサー部として機能する少なくとも1つのタンパク質層と、を含む、請求項30に記載の電子デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20095191 | 2009-02-26 | ||
FI20095191A FI122511B (fi) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Grafeenia sisältävät hiutaleet ja menetelmä grafeenin eksfoliaatiota varten |
PCT/FI2010/050142 WO2010097517A2 (en) | 2009-02-26 | 2010-02-25 | Graphene-containing platelets and electronic devices, and method of exfoliating graphene |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012518595A true JP2012518595A (ja) | 2012-08-16 |
JP5560292B2 JP5560292B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=40404688
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011551508A Expired - Fee Related JP5878763B2 (ja) | 2009-02-26 | 2010-02-25 | タンパク質層を有する電子デバイス |
JP2011551507A Expired - Fee Related JP5560292B2 (ja) | 2009-02-26 | 2010-02-25 | グラフェン含有プレートレットおよび電子デバイス、並びにグラフェンを剥離する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011551508A Expired - Fee Related JP5878763B2 (ja) | 2009-02-26 | 2010-02-25 | タンパク質層を有する電子デバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120058344A1 (ja) |
EP (2) | EP2401230A2 (ja) |
JP (2) | JP5878763B2 (ja) |
FI (1) | FI122511B (ja) |
WO (2) | WO2010097518A1 (ja) |
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- 2009-02-26 FI FI20095191A patent/FI122511B/fi not_active IP Right Cessation
-
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- 2010-02-25 US US13/203,482 patent/US20120058344A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-25 JP JP2011551508A patent/JP5878763B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 JP JP2011551507A patent/JP5560292B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 EP EP10710367A patent/EP2401230A2/en not_active Withdrawn
- 2010-02-25 WO PCT/FI2010/050143 patent/WO2010097518A1/en active Application Filing
- 2010-02-25 US US13/203,481 patent/US9620727B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 EP EP10710368A patent/EP2401778A1/en not_active Withdrawn
- 2010-02-25 WO PCT/FI2010/050142 patent/WO2010097517A2/en active Application Filing
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WO2010097518A1 (en) | 2010-09-02 |
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WO2010097517A2 (en) | 2010-09-02 |
EP2401230A2 (en) | 2012-01-04 |
EP2401778A1 (en) | 2012-01-04 |
US20120052301A1 (en) | 2012-03-01 |
JP2012518915A (ja) | 2012-08-16 |
US9620727B2 (en) | 2017-04-11 |
FI20095191A (fi) | 2010-08-27 |
FI122511B (fi) | 2012-02-29 |
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