JP2012510732A - マルチチャンネル現像システム - Google Patents
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- 238000011161 development Methods 0.000 title description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 273
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 265
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 53
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 51
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
半導体基板処理動作中に流体を吐出する第１側部および第２側部を有する筐体を備える。筐体は第１処理ステーションおよび第２処理ステーションを備える。第２処理ステーションは第１処理ステーションと隣り合って配置される。さらに、基板処理装置は、第１側部と第１処理ステーションとの間に配置され、第１処理ステーションに流体を供給するように構成された第１吐出アームと、第２側部と第２処理ステーションとの間に配置され、第２処理ステーションに流体を供給するように構成された第２吐出アームと、を含む。基板処理装置は、第１処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第１リンスアームおよび第２処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第２リンスアームをも含む。
【選択図】図２Ａ
【選択図】図２Ａ
Description
[0001]本発明は、一般に、半導体処理装置の分野に関する。特に、本発明は、半導体基板の上に流体を吐出する方法および装置に関する。単なる一例として、その方法および装置は、塗布／現像モジュールの１つのチャンバー内の２つの処理ステーションに適用されてきた。しかしながら、本発明がより広い適用範囲を有することは理解されるであろう。
[0002]一般に、電子デバイス形成処理の一部は、基板（例えば、半導体ウェハー）を順次に処理することができるマルチチャンバー処理システム（例えば、クラスターツール）にて制御された処理環境中で実行される。フォトレジスト材料の堆積（すなわち、塗布）および現像に用いられる典型的なクラスターツールは、一般にはトラックリソグラフィーツールとして知られ、複数の基板搬送ロボットを収容するメインフレームを有する。その基板搬送ロボットは、メインフレームに連結された複数の処理チャンバーとポッド／カセット載置装置との間で基板を搬送する。クラスターツールは、しばしば、制御された処理環境中で繰り返し基板が処理できるように用いられる。制御された処理環境は、搬送中および種々の基板処理工程中における基板表面の汚染を最小限にすることを含む多くの利点を有している。かくして制御された処理環境中での処理は、生成される欠陥の数を減少させるとともにデバイスの歩留まりを改善する。
[0003]トラックリソグラフィーツールに一般的に備えられる２種類の処理チャンバーは、基板塗布モジュールおよび基板現像モジュールである。これらは、時々、一纏めにして塗布／現像モジュールと称される。典型的には、塗布モジュールにおいては、基板の上面にフォトレジストまたは他の塗布材料の層を形成するためにスピンコーティング処理が用いられる。一つの方法では、スピンチャックの上に基板が載置され、そのスピンチャックが数千回転／分（ＲＰＭ）にて回転される。そして、基板の中央領域に数ミリリットルの液体（例えば、フォトレジスト）が滴下され、スピンチャックの回転動作がその液体を基板の表面に渡って拡布する。当業者にはよく知られているように続く工程にて塗布されたものが処理されて基板上に特徴が形成される。現像モジュールにおいては、フォトレジストが露光された後に、基板の表面に現像液が滴下される。塗布／現像モジュールは、多くの共通点を含むとともに、他にも要因があるが、吐出する液体の粘度の種別に対応した異なるノズル構造を含む相違点も有している。
[0004]従来より知られた幾つかの塗布／現像モジュールにおいては、フォトレジストまたは他の塗布液を吐出するためのシステムに単一のスピンボウル（spin bowl）が取り付けられる。幾つかのフォトレジスト塗布用途においては、異なる厚さおよび材料を含む多くの異なる塗布材料を供給するのが望ましい。特に、３００ｍｍ基板への生産移行は異なる塗布液の数の増加を導いた。これにより、幾つかの塗布／現像モジュール、特にフォトレジスト塗布モジュールにおいては、吐出システムが異なるフォトレジストを吐出する多くの異なる吐出ノズルを含むこともある。加えて、様々な濃度の溶液および溶媒のフォトレジストを供給する他の多数の吐出ノズルが含まれることもある。
[0005]幾つかの塗布／現像モジュールにおいては、特定の半導体プロセスに関連した公差に対応する正確な公差にて吐出ノズルが製造される。これらのモジュールのうちの幾つかにおける吐出ノズルの数および質の結果として、吐出システムのコストがスピンボウルのコストよりも大きくなることがある。
[0006]一般に、塗布／現像用途では、基板を回転させて所定の回転数を達成し、塗布流体を吐出し、そして吐出工程が完了した後、所定時間基板を回転させ続ける。上述したように、基板の回転は、塗布／現像流体を基板の表面に渡って拡げるために利用される。これらのプロセスにおいて、基板回転がレジストを分配する間、吐出システムは作動していない。それゆえ、幾つかの吐出システムにおいては、最も高価なシステム構成要素すなわち吐出装置に含まれる構成要素が処理時間のかなり部分にわたってアイドル状態である。
[0007]デバイス製造の複雑さが増すにつれて、正確かつ効率的な装置の必要性も増大する。伝統的に、現像システムのスループット（時間当たりの基板処理枚数）はシステム内に存在する現像チャンバーの数によって制限されていた。より低いコストオブオーナーシップ（ＣｏＯ）への要求は、半導体装置の連続する各世代とともに増大してきている。ＣｏＯを算定するに際しての重要な要素の一つはシステムのスループットである。システムのスループットは、そのＣｏＯに反比例する。より低いＣｏＯへの要求を満たすためには、より高いシステムのスループットが望ましい。かくして、より小さなフットプリントで一時間当たりより大きくのウェハーを処理することができる基板処理システムを展開することが産業に必要とされている。これはスループットの増大によって得られる利点がシステムのより大きなフットプリントによって相殺されることなく結果としてより低いフットプリントでの生産性に結びつくことを確約する。
[0008]それゆえ、改良された塗布／現像モジュールおよびそれを操作する改良された方法のための技術に必要性が存在する。
[0009]本発明によれば、半導体処理装置の分野に関する技術が提供される。特に、本発明は、半導体基板の上に流体を吐出する方法および装置を含む。例に過ぎないが、その方法および装置は、独立した吐出アームとともに２つの現像ステーションを有する現像モジュールに適用されてきた。しかし、本発明はより広い応用範囲を有することは理解されるであろう。
[0010]本発明の特定の実施形態においては、半導体基板処理動作中に流体を吐出する装置が提供される。その装置は、第１側部および第２側部を有する筐体を含む。筐体は、第１側部に近接して基板を保持するように構成された第１処理ステーションおよび第２側部に近接して基板を保持するように構成された第２処理ステーションを含む。第２処理ステーションは第１処理ステーションと隣り合って配置される。さらに、基板処理装置は、第１側部と第１処理ステーションとの間に配置され、第１処理ステーションに流体を供給するように構成された第１吐出アームと、第２側部と第２処理ステーションとの間に配置され、第２処理ステーションに流体を供給するように構成された第２吐出アームと、を含む。基板処理装置は、第１処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第１リンスアームおよび第２処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第２リンスアームをも含む。
[0011]本発明の別の実施形態においては、基板処理装置を用いて半導体基板の上に流体を吐出する方法が提供される。その方法は、基板を基板支持部上に配置する工程と、その基板の上方に吐出アームを位置させる工程と、吐出アームを用いて基板の表面上に流体を吐出する工程と、を含む。流体の吐出は所定時間実行される。その方法は、所定時間の満了前に、リンスアームを第１の位置に移動させる工程を含む。その第１の位置はリンスアームのホームポジションとは異なる。さらに、その方法は、リンスアームを基板の上方の第２の位置に移動させるのと同時に吐出アームを戻す工程と、基板の上にリンス流体を吐出する工程と、を含む。
[0012]本発明のさらなる別の実施形態においては、流体を吐出する吐出アームが提供される。その吐出アームは、１つ以上のノズルを保持するように構成されたノズルヘッドアッセンブリーと、ノズルヘッドアッセンブリーに連結され、内部流路を有するアームアッセンブリーと、内部流路に配置され、ノズルヘッドアッセンブリーに現像流体を送給するように構成された可撓性の長管と、を含む。
[0013]本発明のさらなる別の実施形態においては、トラックリソグラフィーツールが提供される。トラックリソグラフィーツールは、複数の基板を収容するＦＯＵＰを受け入れるように適合された前端モジュールと、複数の処理ツールを備える中央モジュールと、スキャナーに連結された後部モジュールと、を含む。トラックリソグラフィーツールは、前端モジュールから基板を受け取るように適合されるとともにその基板を処理ツールおよび／または後部モジュールに配送する少なくとも１つのロボットをも含む。複数の処理ツールのうちの１つは、半導体基板処理動作中に流体を吐出する基板処理装置である。
[0014]その基板処理装置は、第１側部および第２側部を有する筐体を含む。筐体は、第１側部に近接して基板を保持するように構成された第１処理ステーションおよび第２側部に近接して基板を保持するように構成された第２処理ステーションを含む。第２処理ステーションは第１処理ステーションと隣り合って配置される。さらに、基板処理装置は、第１処理ステーションに流体を供給するように構成された第１吐出アームを含む。第１吐出アームは、第１側部と第１処理ステーションとの間に配置される。基板処理装置は、第２処理ステーションに流体を供給するように構成された第２吐出アームをも含む。第２吐出アームは、第２側部と第２処理ステーションとの間に配置される。基板処理装置は、第１処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第１リンスアームおよび第２処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第２リンスアームをも含む。
[0015]本発明によって従来技術に対する多くの利点が達成される。例えば、本発明によれば同じフットプリントにて１時間当たりにより多くのウェハーを処理することができ、そのためシステムのフットプリント生産性を向上させることができる。さらには、本発明の実施形態はシステムの信頼性およびスループットを向上させる。本発明のこれらおよび他の実施形態は多数の利点および特徴とともに以下の文書および添付の図面と併せてさらに詳細に説明される。
[0025]図１は、本発明の実施形態に係るトラックリソグラフィーツールの平面図である。図１に示す実施形態において、トラックリソグラフィーツールには液浸スキャナーが連結されている。図１には、方向関係を明確にするために、ＸＹ平面を水平面とし、Ｚ軸が鉛直方向に延びるＸＹＺ直交座標系が追記されている。
[0026]特定の実施形態において、このトラックリソグラフィーツールは、塗布プロセスを用いて基板、例えば半導体基板上に反射防止膜（ＡＲ）およびフォトレジスト膜を形成するために使用される。また、トラックリソグラフィーツールは、パターン露光プロセスが施された後の基板に現像プロセスを行うためにも使用される。このトラックリソグラフィーツールによって処理される基板は、半導体基板に限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板などであっても良い。
[0027]図１に示したトラックリソグラフィーツール１００は、ファクトリーインターフェイスブロック１と、ＢＡＲＣ(Bottom Anti-Reflection Coating)ブロック２と、レジスト塗布ブロック３と、現像処理ブロック４と、スキャナーインターフェイスブロック５と、を備える。このトラックリソグラフィーツールにおいて、５つの処理ブロック１〜５が連設されている。トラックリソグラフィーツールとは別体の外部装置である露光ユニット（すなわち、ステッパー）ＥＸＰは、スキャナーインターフェイスブロック５に連結されて設けられている。加えて、トラックリソグラフィーツールおよび露光ユニットＥＸＰはＬＡＮ回線１６２を介してホストコンピュータ１６０に接続されている。
[0028]ファクトリーインターフェイスブロック１は、トラックリソグラフィーツールの外部から受け取った未処理基板をＢＡＲＣブロック２およびレジスト塗布ブロック３に搬送するための処理ブロックである。ファクトリーインターフェイスブロック１は、現像処理ブロック４から受け取った処理済み基板をトラックリソグラフィーツールの外部に搬出するためにも有用である。ファクトリーインターフェイスブロック１は、複数の（図示の実施形態では４つ）カセット（或いはキャリア）Ｃを載置するように構成されたテーブル１１２、および、各カセットＣから未処理基板Ｗを取り出すとともに各カセットＣに処理済み基板を収納する基板移送機構１１３を備える。基板移送機構１１３は、テーブル１１２に沿ってＹ方向（水平方向）に移動可能な可動ベース１１４と、可動ベース１１４に搭載されたロボットアーム１１５とを含む。
[0029]ロボットアーム１１５は、基板移送動作中に基板Ｗを水平姿勢に支持するように構成される。さらに、ロボットアーム１１５は、可動ベース１１４に対するＺ方向（鉛直方向）の移動、水平面内での旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動が可能である。このように、基板移送機構１１３を用いることにより、保持アーム１１５は各カセットＣにアクセスして各カセットＣから未処理基板Ｗを取り出すとともに各カセットＣに処理済み基板を収納することができる。カセットＣは、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)、または基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)を含む１つ或いは複数のタイプであっても良い。
[0030]ＢＡＲＣブロック２はファクトリーインターフェイスブロック１に隣接して設けられている。ファクトリーインターフェイスブロック１とＢＡＲＣブロック２との間の雰囲気を遮断するために隔壁２０が用いられても良い。隔壁２０には上下に積層された一対の基板載置部３０，３１が設けられている。基板載置部３０，３１のそれぞれはファクトリーインターフェイスブロック１とＢＡＲＣブロック２との間で基板Ｗを搬送するときに受け渡しポジションとして用いられる。
[0031]上側の基板載置部３０は、ファクトリーインターフェイスブロック１からＢＡＲＣブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部３０は３本の支持ピンを含む。ファクトリーインターフェイスブロック１の基板移送機構１１３は、カセットＣの一つから取り出した未処理基板Ｗを基板載置部３０の３本の支持ピンの上に載置する。ＢＡＲＣブロック２（詳細は後述する）の搬送ロボット１０１は、基板載置部３０に載置された基板Ｗを受け取るように構成されている。一方、下側の基板載置部３１は、ＢＡＲＣブロック２からファクトリーインターフェイスブロック１に基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部３１も３本の支持ピンを含む。ＢＡＲＣブロック２の搬送ロボット１０１は、処理済みの基板Ｗを基板載置部３１の３本の支持ピンの上に載置する。基板移送機構１１３は、基板載置部３１に置かれた基板Ｗを受け取ってカセットＣの一つに格納するように構成されている。一対の基板載置部３２〜３９（詳細は後述する）は一対の基板載置部３０，３１と同様の構成を備えて同様の動作を行う。
[0032]基板載置部３０，３１は、隔壁２０を貫通している。基板載置部３０，３１のそれぞれは、載置される基板Ｗの有無を検出するための光学センサ（図示省略）を含む。各センサからの検出信号に基づいて、基板移送機構１１３およびＢＡＲＣブロック２の基板搬送ロボット１１０の制御が行われて基板載置部３０，３１に対する基板Ｗの受け渡しが行われる。
[0033]再び図１に戻り、ＢＡＲＣブロック２もトラックリソグラフィーツール１００に含まれる。ＢＡＲＣブロック２は、塗布プロセスを用いて基板にＡＲ膜（ＢＡＲＣとも称する）を形成するための処理ブロックである。ＢＡＲＣは膜の積層においてフォトレジスト膜の下層に形成される。フォトレジスト膜は続けて付着される。ＢＡＲＣは露光時に発生する定在波やハレーションを減少させる。ＢＡＲＣブロック２は、基板Ｗの表面にＡＲ膜を塗布形成するように構成された下地塗布処理部１２４と、ＡＲ膜の形成に付随する１つ以上の熱処理を実行するための一対の熱処理タワー１２２と、下地塗布処理部１２４および一対の熱処理タワー１２２に対して基板Ｗの受け渡しを行うのに用いられる搬送ロボット１０１と、を備える。
[0034]ＢＡＲＣブロック２においては、下地塗布処理部１２４と一対の熱処理タワー１２２とが搬送ロボット１０１を挟んで対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部１２４がトラックリソグラフィーツールの前面側に位置し、一対の熱処理タワー１２２がトラックリソグラフィーツールの背面側に位置している。さらに、一対の熱処理タワー１２２の前面側には熱隔壁（図示省略）が設けられている。このように、下地塗布処理部１２４と一対の熱処理タワー１２２とを隔てて配置するとともに熱隔壁を用いることにより一対の熱処理タワー１２２から下地塗布処理部１２４への熱的混合を減少している。
[0035]一般に、下地塗布処理部１２４は同様の構成を備えて上下に積層配置された３つの塗布処理ユニットを含んでいる。特に別な方法で特定されなければ、３つの塗布処理ユニットはまとめて下地塗布処理部１２４として参照する。それぞれの塗布処理ユニットは、基板Ｗを実質的に水平姿勢に吸着保持しつつ実質的に水平面内にて回転させるスピンチャック１２６を含む。また、各塗布処理ユニットは、スピンチャック１２６に保持された基板Ｗ上にＡＲ膜用の塗布液を吐出するために用いられる塗布ノズル１２８、スピンチャック１２６を回転駆動するように構成されたスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を含んでいる。
[0036]熱処理タワー１２２は、基板Ｗを所定の温度にまで加熱するために用いられる多数のベークプレート、および、加熱された基板を所定の温度にまで冷却してその後当該所定温度に基板を維持するために用いられる多数のクールプレートを含む。ベークプレートとクールプレートとは上下に積層されており、通常クールプレートはベークプレートの下方に配置される。また、熱処理タワーは、上下に積層された多数の密着強化処理ユニット（例えば、ＨＭＤＳ処理ユニット）を含む。処理ユニットを上下に積層することによってツールのフットプリントを減少するとともに補助装置（例えば、温度および湿度の制御装置、電力供給など）の総計も減少する。
[0037]再度図１に戻り、レジスト塗布ブロック３はＢＡＲＣブロック２にてＡＲ膜が形成された後の基板Ｗ上にレジスト膜を形成するための処理ブロックである。特定の実施形態において、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いる。レジスト塗布ブロック３は、ＡＲ膜の上面にレジスト膜を形成するために用いられるレジスト塗布処理部１３４と、レジスト塗布処理に付随する１つ以上の熱処理を実行するための一対の熱処理タワー１３２と、レジスト塗布処理部１３４および一対の熱処理タワー１３２に対して基板Ｗの受け渡しを行うのに用いられる搬送ロボット１０２と、を備える。
[0038]ＢＡＲＣブロック２における処理部の構成と同様に、レジスト塗布処理部１３４と一対の熱処理タワー１３２とが搬送ロボット１０２を挟んで対向して配置されている。熱隔壁（図示省略）が設けられて処理部間の熱混合が減少される。一般に、レジスト塗布処理部１３４は同様の構成を備えて上下に積層配置された３つの塗布処理ユニットを含んでいる。それぞれの塗布処理ユニットは、スピンチャック１３６、基板Ｗにレジストを吐出する塗布ノズル１３８、スピンモータ（図示省略）およびカップ（図示省略）等を含んでいる。
[0039]熱処理タワー１３２は上下に積層された多数のベークチャンバーおよびクールプレートを含む。特定の実施形態において、ファクトリーインターフェイスブロック１に近い熱処理タワーはベークチャンバーを含み、ファクトリーインターフェイスブロック１から遠い熱処理タワーはクールプレートを含む。図１に示す実施形態においては、ベークチャンバーは、ローカル搬送機構１３４とともに上下に積層されたベークプレートおよび基板仮置き部を含む。ローカル搬送機構１３４は、鉛直方向および水平方向に移動してベークプレートと基板仮置き部との間で基板Ｗを搬送するように構成されるとともに能動的に冷却された搬送アームを含んでも良い。搬送ロボット１０２は幾つかの実施形態において搬送ロボット１０１と同様の構成である。搬送ロボット１０２は、基板載置部３２，３３、熱処理タワー１３２、レジスト塗布処理部１３４に設けられた塗布処理ユニット、および、基板載置部３４，３５に独立してアクセスすることができる。
[0040]現像処理ブロック４は、レジスト塗布ブロック３とスキャナーインターフェイスブロック５との間に位置している。レジスト塗布ブロック３の雰囲気から現像処理ブロックを遮断する隔壁２２が設けられている。上側の基板載置部３４はレジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４に基板Ｗを搬送するために用いられる。一方、下側の基板載置部３５は現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３に基板Ｗを搬送するために用いられる。上述したように、基板載置部３２〜３９は、載置される基板Ｗの有無を検出するための光学センサを含んでも良い。各センサからの検出信号に基づいて、基板搬送処理時における各種基板搬送機構および各種処理ブロックの搬送ロボットの制御が実行される。
[0041]現像処理ブロック４は、スキャナーＥＸＰにて露光された後の基板Ｗに現像液を供給するための現像処理部１４４と、一対の熱処理タワー１４１，１４２と、搬送ロボット１０３と、を備える。現像処理部１４４は、互いに同様の構成を備えて上下に積層配置された５つの現像処理ユニットを含んでいる。それぞれの現像処理ユニットは、スピンチャック１４６、基板Ｗに現像液を供給するノズル１４８、スピンモータ（図示省略）およびカップ（図示省略）等を含んでいる。
[0042]熱処理タワー１４２は、上述の如きベークチャンバーおよびクールプレートを含む。さらに、熱処理タワー１４２は搬送ロボット１０４と同様に搬送ロボット１０３をも受け入れ可能である。熱処理ユニット１４１は搬送ロボット１０３を受け入れ可能である。加えて、熱処理タワー１４２は、現像処理ブロック４とスキャナーインターフェイスブロック５との間で基板の受け渡しを行うときに使用される基板載置部３６，３７を含む。
[0043]インターフェイスブロック５は、塗布後の基板ＷをスキャナーＥＸＰに搬送するとともに露光後の基板を現像処理ブロック５に搬送するために用いられる。本実施形態に示されたインターフェイスブロック５は、露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構１５４と、塗布後の基板の周縁部を露光する一対のエッジ露光ユニットＥＥＷと、搬送ロボット１０４と、を備える。スキャナーと現像処理ユニット４との間で基板を搬送するために一対のエッジ露光ユニットＥＥＷとともに基板載置部３８，３９が設けられている。
[0044]搬送機構１５４は、可動ベース１５４Ａと、可動ベース１５４Ａに搭載された保持アーム１５４Ｂと、を備える。保持アーム１５４Ｂは、可動ベース１５４Ａに対する鉛直方向の移動、旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動が可能である。センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗを受け入れることができない場合に露光処理に先行して基板Ｗを一時的に収納するために設けられている。センドバッファＳＢＦは複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚を含む。
[0045]コントローラ１６０は、クラスターツールで実行されるプロセスおよび構成要素の全てを制御するために使用される。コントローラ１６０は通常スキャナー５と通信を行い、クラスターツールで実行されるプロセスの状況の監視および制御を行うとともに、完全な基板処理シーケンスの全体を制御する。コントローラ１６０は、典型的にはマイクロプロセッサベースの制御部であり、ユーザおよび／または処理チャンバーのうちの１つの種々のセンサーからの入力を受け、コントローラのメモリに保持されたソフトウェア命令および種々の入力に従って処理チャンバーの構成要素を適切に制御するように構成されている。コントローラ１６０は、種々のプログラムを保持し、プログラムを処理し、必要ならばプログラムを実行するためにコントローラによって利用されるメモリおよびＣＰＵ（図示省略）を一般に備える。そのメモリ（図示省略）は、ＣＰＵに接続され、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、或いは、ローカルまたはリモートタイプの任意の他の形態のディジタル記憶媒体などの容易に利用可能なメモリの１つ以上であって良い。ソフトウェアの命令およびデータは、ＣＰＵに命令するためにコード化されてメモリ内に格納可能とされている。また、支援回路（図示しない）は、従来と同様にプロセッサを支援するためにＣＰＵに接続されている。支援回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、サブシステムなどの周知のものを含んで良い。コントローラ１６０によって読み出し可能なプログラム（またはコンピュータ命令）は、処理チャンバーにおいていずれのタスクが実行可能か決定する。好ましくは、プログラムはコントローラ１６０によって読み出し可能なソフトウェアであり、定められたルールおよび入力データに基づいて処理の監視および制御を行う命令を含む。
[0046]本発明の実施形態に係る基板処理装置の追加の説明は、"Substrate Processing Apparatus"というタイトルの米国特許出願公開第２００６／０２４５８５５および"Integrated Thermal Unit Having A Shuttle With A Temperature Controlled Surface"というタイトルの米国特許第７，２８２，６７５Ｂ２に記載されており、これらの開示内容の全体は参照により本明細書に組み込まれる。ここでは本発明の実施形態を図１に示したトラックリソグラフィーツールに関して記載しているが、トラックリソグラフィーツールの他のアーキテクチャが本発明の実施形態の範囲に含まれる。例えば、デカルト座標を用いたアーキテクチャを利用するトラックリソグラフィーツールは、本明細書において記述するような実施形態で使用するのに好適である。特定の実施形態において、日本国、京都のSokudo Co.,Ltd.から入手可能なＲＦ3ｉに対して実装が実行される。
[0047]図２Ａは、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略図である。基板処理装置２００は筐体２０１を備える。筐体２０１は、従来の製作技術を用いて、アルミニウムなどの適切な素材により構成することができる。筐体２０１内においては、２つの処理ステーション２０２，２０３が互いに隣り合って配置されている。それぞれの処理ステーションは基板を保持するように構成されている。１つの実施形態では、基板処理ステーションは円形基板用に構成されるが、当業者であれば他の形状の基板、例えば、正方形または長方形の基板を保持するように基板ステーションを変更できることを理解するであろう。
[0048]パネル２０４が２つの処理ステーション２０２および２０３の中央に配置されてそれらを仕切る。しかし、図２Ａに示した実施形態において、パネル２０４は完全には２つの処理ステーションを分離しない。各処理ステーションはもう一方のミラーイメージである。特定の実施形態においては双方の処理ステーションが同一の構成を備える。以降、処理ステーション２０２を参照しつつ各処理ステーションの構成について説明する。処理ステーション２０３についても同様の説明が適用できることは理解されるべきである。
[0049]処理ステーション２０２は、基板を保持するように構成された基板保持部２０５を備える。１つの実施形態では、基板を支持または保持するのに加えて、基板保持部が所定速度で基板を回転するように構成されている。１つの実施形態では、ステーション２０２の基板保持部は時計回りに回転し、ステーション２０３の基板保持部は反時計回りに回転すれば良い。他の実施形態では、基板保持部は静止していても良い。処理ステーション２０２は、基板保持部に載せられた基板上に流体を吐出するように構成された吐出アーム２０６をさらに備える。吐出アームは、センターパネル２０４と筐体２０１の外壁との間で基板を超える水平方向に移動するように構成されている。１つの実施形態では、吐出アーム２０６は現像液を吐出する。しかし、吐出アームは現像液を吐出するのに限定されるものではなく、当業者であればフォトレジストなどの他の種類の流体も吐出できることを理解するであろう。各吐出アームは、アームを移動可能な機械アッセンブリー２０７に連結されている。機械アッセンブリーは、吐出アームを鉛直方向（Ｚ方向）にも移動させるように構成されている。
[0050]処理ステーション２０２はリンスアーム２０８も含む。リンスアーム２０８は、リンス液、例えば、純水を基板上に吐出するように構成される。リンスアームはセンターパネル２０４に連結され、センターパネル２０４から円弧状に離れるように移動可能である。１つの実施形態では、リンスアームが移動できる最大半径は基板の中心より約１０ｍｍ遠い。加えて、処理ステーション２０２は応用形態によっては第２の吐出アーム２０９を備えていても良い。第２の吐出アーム２０９は第１の吐出アームに対して垂直な方向に沿って後述するシャッター２１０の近くに配置されている。第２の吐出アームは、基板上に流体を吐出するために基板の中心に向けて円弧状に移動するように構成されている。１つの実施形態では、図２Ａに示すように、第２の吐出アームはトラックリソグラフィーツールの基板搬送エリア２５０の近くに配置される。１つの実施形態では第２の吐出アームは現像液を吐出するように構成することができる。しかし、当業者であれば第２の吐出アーム２０９からフォトレジストなどの他の種類の流体も吐出できることを理解するであろう。
[0051]第２の吐出アーム２０９には、基板の表面に流体を供給する多数の独立したノズル（図示しない）を含むノズルヘッドアッセンブリーが連結されている。第２の吐出アームのノズルの数は２から１０の範囲とすることができる。応用形態によって、基板処理ステーションは第１の吐出アームまたは第２の吐出アームのいずれかを含むことができるし、或いは双方を含むこともできる。
[0052]図２Ｂに示すように、シャッター２１０は処理ステーション２０２をウェハー搬送エリア２５０から分離する位置に設けられる。１つの実施形態では、シャッターはＬ字形状とされ、基板搬送ロボットが基板処理ステーション２０２に基板を渡すためにアクセスできるように構成されている。シャッター２１０は、センターパネル２０４との組み合わせにより、処理ステーション２０２をウェハー搬送エリア２５０および他の処理ステーション２０３から実質的に分離する役割を果たす。典型的にはシャッターは処理ステーションで使用される処理用化学物質に耐えられる適切な素材にて作製されている。１つの実施形態では、シャッターは従来よりのプロセスを用いてアルミニウムにて作製される。
[0053]既に述べたように、処理ステーション２０３はステーション２０２と同様の構成を備えている。同様にシャッター２１１は処理ステーション２０３をウェハー搬送エリア２５０および処理ステーション２０２から分離する。これは２つの処理ステーションを互いに独立して操作することを可能にする。かくして、もし処理ステーション２０２が故障したとしても、他方の処理ステーション２０３が基板を処理できることによって基板処理装置を動作可能に維持する。典型的なフォトリソグラフィーツールは、それぞれが２つの処理ステーションを備える基板処理装置を多数含んでいても良い。１つの実施形態においては、基板処理装置は互いの上面に鉛直方向に積み重ねられる。１つの実施形態において、この積層体は約４つの基板処理装置を含む。ツールを動作させる関連ソフトウェアは積層体に含まれる任意の故障した処理ステーションに選択的に能力を与える。
[0054]図２Ｃおよび図２Ｄに示すように、センターパネル２０４は完全には２つの処理ステーションを分離しない。フィルターアッセンブリー２１２が少なくとも２つの処理ステーションのそれぞれの部位を覆うように横方向に延びて配設されている。鉛直方向におけるフィルターアッセンブリー２１２とセンターパネル２０４との間には小さな隙間が存在している。いくつかの場合、１つの処理ステーションでの基板処理動作において使用された流体から生じたミストが他方の処理ステーションに移動することができ、パーティクルを生成して隣の処理ステーションの基板に処理欠陥をもたらす。この問題を無くす或いは最小限にするために、一方の処理ステーションから他方に空気およびパーティクルが流れるのを防ぐためのスプラッシュガードパネル２１３が用いられる。スプラッシュガードパネル２１３はフィルターアッセンブリー２１２に連結される。フィルターアッセンブリー２１２は、基板処理装置内における定常的な空気流を維持するのを補助する。スプラッシュガードパネル２１３は筐体２０１の深さのほとんどに及び、鉛直方向においてセンターパネル２０４と重なる。これは一方の処理ステーションから他方に流れる空気のためのラビリンス２１４を形成する。このラビリンス２１４が空気の自由な流れを妨げることによって、２つの処理ステーション間を移動するパーティクルが減少またはある場合には消滅する。１つの実施形態では、スプラッシュガードパネル２１３はセンターパネル２０４と約５〜６ｍｍ重なり、横方向にはセンターパネル２０４から４〜５ｍｍ離れる。スプラッシュガードパネル２１３がセンターパネル２０４ではなくフィルターアッセンブリーに連結されているため、スプラッシュガードパネル２１３が２つの基板処理ステーションへのアクセス性を妨げることはなく、また基板処理ステーションを組み込んだ機器の利便性を改善する。上記の各基板処理ステーションは独立した吐出アームを備えるものとして説明したが、別の実施形態においては１つの吐出アームが全ての処理ステーションに流体を吐出するように用いられる。また、基板処理装置の他の形態は２つ以上の処理ステーションを備える。これらの処理ステーションのそれぞれは独立した吐出アームを有するか、または、全ての処理ステーションに作動する１つの吐出アームを組み込む。
[0055]上述した基板処理装置を用いることによる多くの利点が理解される。２つの処理ステーションを互いに独立して動作できることは、処理機器の全体耐用時間を維持するのを助ける。さらに、これは処理装置の平均故障間隔（MTBF:Mean Time between Failure）を長くし、それによって基板処理装置を組み込んだ機器における生産性を向上させる。加えて、多数の基板処理装置を供給することで基板処理装置を組み込んだ機器のスループット（時間当たりの基板処理枚数）を向上させ、それによって生産性における顕著な利点が得られる。
[0056]図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置３００の斜視図である。より具体的には、図３は基板処理装置の底部を示している。複数の排気ポート３０１が基板処理装置の床に連結されており、それらは各処理ステーション３０２，３０３の周縁に沿って配置されている。排気ポート３０１は基板処理装置から空気を排気するための開口を備える。排気ポートは周縁に沿った円形パターンに配置するように描かれているが、当業者であれば排気ポート３０１は任意のパターンかつ基板処理装置内の任意の所定位置に配置可能であることを理解するであろう。各排気ポート３０１は支柱３０４によって基板処理装置の床から引き起こされている。１つの実施形態では、支柱の高さは約１９ｍｍである。異なる実施形態においては、支柱の高さは５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲とすることができる。例えば、支柱の高さは２５ｍｍ，２０ｍｍ，１５ｍｍ，１０ｍｍ，５ｍｍなどとすることができる。排気ポートの開口を基板処理装置の床の上に起こすことで基板処理装置内の流体が排気ポートに入り込むのを防止することを補助している。さらに、排気ポートの開口は、当該開口における排気速度を減少するように設計されている。これは排気システムに吸引できる流体小滴の総量を低減する。加えて、各排気ポート３０１はキャップ３０５によって覆われている。１つの実施形態においては、キャップはキノコ形状であるが、当業者であれば任意の他の好適なキャップ形状も可能であることを理解するであろう。さらにキャップ３０５は基板の処理中に飛散する流体および／またはミストが排気ポートに入り込むのを防止する。排気ポート３０１のそれぞれは排気開口を終端とする排気マニフォールド（図示しない）に接続されている。各処理ステーションはそのような排気開口を少なくとも１つ備えている。後述する排気ダクト４０１，４０２が処理ステーション３０２，３０３の排気開口にそれぞれ連結され、排気能力を供給している。
[0057]基板処理装置の床のチャネル３０６は、処理ステーション３０２および３０３の双方での基板の処理中に飛散した全ての流体を回収する。チャネル３０６はドレインポート３０７に連結されている。ドレインポート３０７は２つの処理ステーション３０２，３０３によって共有されている。ドレインポートはドレイン管３０８に連結されている。１つの実施形態において、ドレイン管３０８は１１０ｍｍの長さで基板処理装置３００の底部から鉛直方向下方に延びる。ドレイン管３０８は、基板処理装置内からの飛散した流体を外部ドレイン出口（図示省略）に運ぶドレインアッセンブリー（図示省略）に連結されている。その外部ドレイン出口は主排気／ドレインアッセンブリーに連結されている。ドレイン管３０８は、金属、ＰＶＣなどを含む任意の好適な材料から作製することができる。共通のドレインポートの利点の一つは基板処理装置の設計を簡素化して次には製造コストを下げることである。さらに、ドレイン管３０８を鉛直に落とし込むことによってドレインポート３０７の内部および周囲にサイフォン効果を生み出す。これは基板処理装置から流体の大部分を効果的に排出するのを助ける。基板処理動作中に飛散した流体の大部分を効果的に排除することによって、基板処理ステーションは如何なる流体からも実質的に解放された状態に維持され、このことが基板処理ステーションを物理的に洗浄しなければならなくなる前により長い期間システムを動作可能とする。このことについてシステムの効率を測定する一般的なパラメータは平均洗浄間隔（MTBC:Mean Time Between Clean）と称される。ドレイン管３０８とともにドレインポート３０７を使用することがＭＴＢＣの向上を助け、それによってシステムの効率および生産性が向上して全体のコストオブオーナーシップ（ＣｏＯ）が減少する。さらに、これによってシステムの全体の信頼性改善も助けられる。さらには、ドレインと排気アッセンブリーとを分離することによって、従来設計における主たる問題であった排気システムへの流体の流入を防止することができる。
[0058]図４に描くように、各基板処理ステーションは排気ダクトに連結されている。１つの実施形態では、処理ステーション２０２が排気ダクト４０１に連結され、処理ステーション２０３が排気ダクト４０２に連結される。このようにして、各排気ダクトは２つの処理ステーションに対して独立した排気能力を与える。全ての処理ステーションに共通の排気ポートを用いる従来の設計においては、処理ステーションが共通の排気ポートの存在に起因した不均衡な排気流を受けていた。各処理ステーションに独立した排気能力を与えることによって、処理ステーションが受けていた混入の量を低減した。さらに、独立した排気ダクトは各処理ステーションに均衡のとれた排気を与える。排気ダクト４０１および４０２のそれぞれは排気アッセンブリー（図示省略）に連結されている。多数の基板処理装置を互いに上下に積み重ねた１つの実施形態においては、各基板処理装置が２つの排気ダクトに接続されていても良く、そのような排気ダクトの対のそれぞれは異なる高さ方向距離にて排気アッセンブリーに連結されている。
[0059]排気ダクト４０１および４０２は同様の構造であり、これからは排気ダクト４０１を参照して同じものの構造上の詳細を与える。排気ダクト４０１は第１の端部４０６にエリア排気開口４０５を有する。エリア排気４０５に加えて、排気ダクトは第２の端部４０８に向けてボウル排気開口４０７をも有する。エリア排気開口４０５は、ボウル排気開口４０７が閉止されているとき、例えば、現像処理中に基板処理ステーションに排気能力を与える。別の実施形態においては、エリア排気はノズルの移動中に発生したパーティクルを捕集するように適合されていても良い。ボウル排気４０７は各処理ステーションから空気を排気するように適合されている。ボウル排気開口４０７はボウル排気マニフォールド（図示しない）に連結されている。ボウル排気マニフォールドは各処理ステーションの基板保持部の内部周辺に排気能力を均一に分配する。ボウル排気は、例えば、リンスサイクル中に生じたミストを捕集するために用いられる。別の実施形態においては、ボウル排気は、現像処理中に現像液から生じた蒸気の幾ばくかを捕集するために用いられても良い。開口４０７は、排気される空気の流量を調整できるようにドアおよびダンパー機構（図示省略）によって制御されている。排出量は、処理ステーションで実行されている処理の要求に応じてドアおよびダンパー機構を用いて制御することができる。例えば、ボウル排気開口４０７は、基板端縁部での空気流に起因して生じる均一性の問題を回避するために現像サイクル中は閉止されている。そのような状況では、基板処理ステーションから空気を排出するのにエリア排気を用いても良い。
[0060]さらに、エリア排気４０５にはダンパー（図示省略）が設けられている。このダンパーは、エリア排気４０５およびボウル排気４０７からの等しい排気流を促進することにより排気流の調整を補助する。これは他方の処理ステーションがエリア排気とボウル排気との間を移行するときに一方の処理ステーションでの排気の変動を減少または消滅させるのに役立つ。排気ダクトの第２の端部４０８は共通の排気ダクト４０９に連結されている。第２の処理ステーションからの排気ダクト４０１もまたこの共通の排気ダクト４０９に連結される。共通の排気ダクト４０９は、次には、上下に積み重ねられた基板処理装置の全ての排気ダクトに接続されたより大きな排気ダクト（図示省略）に接続される。その排気ダクトは、全ての基板処理ステーションにわたって安定かつ再現性のある排気特性を確保するように設計されている。
[0061]図５は、発明の実施形態に係る吐出アームアッセンブリー５００を示す。吐出アームアッセンブリー５００は、供給ホース５０２およびアーム部材５０３に連結されたノズル５０１を含む。供給ホース５０２は流体源（図示省略）に連結されてノズル５０１に流体を送給する。アーム部材５０３は内部チャンバー５０４を備える。供給ホース５０２はこの内部チャンバー５０４を通る。この設計によって実現される一つの利点は、吐出アームアッセンブリーの動作中に供給ホースが受けるよじれ或いはねじれが無くなることである。アーム部材５０３の内部には、供給ホース５０２が過度に延ばされるのを防ぐのに役立つストレス軽減スリーブ５０５が有り、これによって基板処理装置の信頼性が向上している。吐出アームアッセンブリー５００は、図２Ａに述べた吐出アーム２０６または吐出アーム２０９のいずれかのように構成することもできる。
[0062]図６は、本発明の１つの実施形態に係る基板の処理方法６００を示す簡易フローチャートである。ステップ６０１では、基板処理ステーション内に設置された基板保持部の上に基板が位置される。１つの実施形態では、基板処理ステーション２０２の基板保持部２０５を時計回りまたは反時計回りに回転させることによって基板は所定の方位に向きを調整される。他の基板処理ステーション２０３の基板保持部が同様に基板の向きを調整するように回転することもできる。次にステップ６０２にて、吐出アームが能動化されて基板の上方の第１の位置に移動する。１つの実施形態では、その位置はウェハーの中心の上方で良い。しかしながら、当業者であれば吐出アームの移動軌跡に沿った任意の他の位置も可能であることを理解するであろう。次にステップ６０３にて、吐出アームが露光された基板の表面上に所定時間流体を吐出する。さらに、応用形態によっては、流体を吐出している間、所定速度にて基板を回転させるようにしても良い。１つの実施形態では、基板は１０００〜５０００ＲＰＭの速度にて回転され、流体は現像流体によって特徴付けられる。しかし、同様の技術は他の種類の流体、例えば、塗布流体またはリンス流体を吐出するのにも使用することができる。ステップ６０４では、リンスアームが能動化されて第１の円弧上位置に移動する。リンスアームは、吐出サイクルが完了する前に、当該第１の円弧上位置に移動する。ステップ６０５では、吐出サイクルが完了した後に、吐出アームがそのホームポジションに帰還する。ステップ６０５で吐出アームがそのホームポジションに帰還するのと同時に、リンスアームは基板上方の第２の円弧上位置に移動する。これはリンス工程が開始されるまでの遅れ時間を最小にし、それによって基板処理装置のスループットを高め、吐出された流体が漂った液滴が基板上に落下することに起因した欠陥ができる機会を最小限にとどめる。ステップ６０６では、リンスサイクルが能動化されてリンスアームが基板上に所定期間リンス流体を吐出する。次にステップ６０７では、リンスアームがそのホームポジションに帰還する。
[0063]図６に示した特定の工程は本発明の１つの実施形態に係る特定の基板上への流体吐出方法を与えることを認識すべきである。異なる実施形態によれば他の処理シーケンスが実行されても良い。例えば、本発明の他の実施形態においては、上記概説した工程を異なる順序にて実行するようにしても良い。さらに、図６に示した個別の工程は、その工程に適切とされる種々のシーケンスで実行しても良い多数のサブステップを含んでいても良い。さらに、特定の応用形態によっては追加の工程を追加しても良いし削除しても良い。当業者であれば多くの変形、変更および選択を理解するであろう。
[0064]ここで述べた例および実施形態は単に説明のためのものであることは理解される。また、それに鑑みて種々の変形または変更が当業者に想起され、それらの変形または変更はこの出願の思想および範囲並びに添付の請求項の範囲内に含められるべきであることも理解される。
Claims (20)
- 第１側部および第２側部を有し、前記第１側部に近接して基板を保持するように構成された第１処理ステーションおよび前記第２側部に近接して基板を保持するように構成された第２処理ステーションを備える筐体と、
前記第１側部と前記第１処理ステーションとの間に配置され、前記第１処理ステーションに第１の流体を供給するように構成された第１吐出アームと、
前記第２側部と前記第２処理ステーションとの間に配置され、前記第２処理ステーションに前記第１の流体を供給するように構成された第２吐出アームと、
前記第１処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第１リンスアームと、
前記第２処理ステーションに前記リンス流体を供給するように構成された第２リンスアームと、
を備え、
前記第２処理ステーションが前記第１処理ステーションと隣り合って配置された半導体基板処理装置。 - 前記第１吐出アームおよび前記第２吐出アームは長手方向に移動するように構成されている、請求項１記載の装置。
- 前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとを分離するように構成された複数のシャッターをさらに備える、請求項１記載の装置。
- 前記第１処理ステーションの動作は前記第２処理ステーションの動作から独立している、請求項３記載の装置。
- 前記基板処理装置は、前記筐体の外部に配置された基板搬送エリアをさらに備え、
前記複数のシャッターは、
前記第１処理ステーションを前記基板搬送エリアから分離するように構成された第１シャッターと、
前記第２処理ステーションを前記基板搬送エリアから分離するように構成された第２シャッターと、
前記第１処理ステーションを前記第２処理ステーションから分離するように構成された第３シャッターと、
を備える、請求項３記載の装置。 - 前記第３シャッターの上方に設置されたパネルをさらに備え、
少なくとも前記パネルの一部は少なくとも前記第３シャッターの一部と重なる、請求項５記載の装置。 - 前記第１処理ステーションに連結された第１排気開口および前記第２処理ステーションに連結された第２排気開口をさらに含み、
前記第１排気開口は第１排気流路に連結され、前記第２排気開口は第２排気流路に連結される、請求項１記載の装置。 - 前記第１排気流路および前記第２排気流路のそれぞれは第１排気区画および第２排気区画を含む、請求項７記載の装置。
- 前記第１処理ステーションおよび前記第２処理ステーションによって共有されるドレインポートをさらに含み、
前記ドレインポートは現像流体の排出経路を形成するように構成され、
前記排出経路はサイフォン効果を有することを特徴とする請求項１記載の装置。 - ５ｍｍから約２５ｍｍの範囲の高さを有する支柱を備える、請求項１記載の装置。
- 前記第１処理ステーションに前記第１の流体を供給するように構成された第３吐出アームおよび前記第２処理ステーションに前記第１の流体を供給するように構成された第４吐出アームをさらに備える、請求項１記載の装置。
- 前記第３吐出アームおよび前記第４吐出アームは円弧状に移動するように構成される、請求項１１記載の装置。
- 前記第３吐出アームは前記第１吐出アームに対して垂直に配置され、
前記第４吐出アームは前記第２吐出アームに対して垂直に配置される、請求項１１記載の装置。 - 基板上に流体を吐出する吐出アームであって、
１つ以上のノズルを保持するように構成されたノズルヘッドアッセンブリーと、
前記ノズルヘッドアッセンブリーに連結され、内部流路を有するアームアッセンブリーと、
前記内部流路に配置され、前記ノズルヘッドアッセンブリーに前記流体を送給するように構成された可撓性の長管と、
を備える吐出アーム。 - 複数の基板処理装置を含むトラックリソグラフィーツールであって、
それぞれの基板処理装置は、
第１側部および第２側部を有し、前記第１側部に近接して基板を保持するように構成された第１処理ステーションおよび前記第２側部に近接して基板を保持するように構成された第２処理ステーションを備える筐体と、
前記第１側部と前記第１処理ステーションとの間に配置され、前記第１処理ステーションに現像流体を供給するように構成された第１吐出アームと、
前記第２側部と前記第２処理ステーションとの間に配置され、前記第２処理ステーションに前記現像流体を供給するように構成された第２吐出アームと、
前記第１処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第１リンスアームと、
前記第２処理ステーションに前記リンス流体を供給するように構成された第２リンスアームと、
を備え、
前記第２処理ステーションが前記第１処理ステーションと隣り合って配置されたトラックリソグラフィーツール。 - 複数の前記基板処理装置が上下に積層配置されている、請求項１５記載のトラックリソグラフィーツール。
- 上下の積層は４つの基板処理装置を備える、請求項１６記載のトラックリソグラフィーツール。
- 半導体処理装置にて基板上に流体を吐出する方法であって、
基板を基板支持部上に配置する工程と、
前記基板の上方に吐出アームを位置させる工程と、
前記吐出アームを用いて前記基板の表面上に流体を所定時間吐出する工程と、
前記所定時間の満了前に、リンスアームをそのホームポジションとは異なる第１の位置に移動させる工程と、
前記リンスアームを前記基板の上方の第２の位置に移動させるのと同時に前記吐出アームを戻す工程と、
前記基板の上にリンス流体を吐出する工程と、
を備える方法。 - 前記流体を吐出する前に所定の方位に基板の向きを調整する工程をさらに備える、請求項１８記載の方法。
- 前記基板の向きの調整は前記基板支持部を回転させて行うことを特徴とする請求項１９記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/334,156 | 2008-12-12 | ||
| US12/334,156 US8127713B2 (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Multi-channel developer system |
| PCT/US2009/067038 WO2010068597A1 (en) | 2008-12-12 | 2009-12-07 | Multi-channel developer system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012510732A true JP2012510732A (ja) | 2012-05-10 |
| JP5438127B2 JP5438127B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=42241048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011539781A Active JP5438127B2 (ja) | 2008-12-12 | 2009-12-07 | マルチチャンネル現像システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8127713B2 (ja) |
| JP (1) | JP5438127B2 (ja) |
| WO (1) | WO2010068597A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6371253B2 (ja) | 2014-07-31 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
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| JP2009135169A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
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| US7282675B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-10-16 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having a shuttle with a temperature controlled surface |
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| JP4444154B2 (ja) | 2005-05-02 | 2010-03-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7608484B2 (en) * | 2006-10-31 | 2009-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Non-pull back pad package with an additional solder standoff |
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2008
- 2008-12-12 US US12/334,156 patent/US8127713B2/en active Active
-
2009
- 2009-12-07 JP JP2011539781A patent/JP5438127B2/ja active Active
- 2009-12-07 WO PCT/US2009/067038 patent/WO2010068597A1/en active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5438127B2 (ja) | 2014-03-12 |
| US8127713B2 (en) | 2012-03-06 |
| US20100151690A1 (en) | 2010-06-17 |
| WO2010068597A1 (en) | 2010-06-17 |
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