JP2012510155A - ウェーハの微小割れを検出するための装置およびそのための方法 - Google Patents
ウェーハの微小割れを検出するための装置およびそのための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012510155A JP2012510155A JP2011537399A JP2011537399A JP2012510155A JP 2012510155 A JP2012510155 A JP 2012510155A JP 2011537399 A JP2011537399 A JP 2011537399A JP 2011537399 A JP2011537399 A JP 2011537399A JP 2012510155 A JP2012510155 A JP 2012510155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- wafer
- along
- image
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 59
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 23
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 146
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【選択図】図11
Description
wi=tw×sinθ
例えば、ソーラーウェーハ114は典型的に、厚さ200μmを有する。鋭角θが30°である場合、装置100により取り込まれた画像における微小割れ500の幅wiは、100μmである。このことは微小割れ500を有利に目立たせ、それにより装置100による微小割れ500の検出を容易にする。
Claims (20)
- ウェーハ検査のための方法であり、
ウェーハの第1表面に向けて第1軸に実質的に沿って光を向け、それにより前記ウェーハの第2表面から前記第1軸に沿って発散する光を取得することであって、前記ウェーハの前記第1表面および前記第2表面は、実質的に外向きに対置し、面に平行に実質的に延びていることと、
前記ウェーハの前記第1表面に向けて第2軸に実質的に沿って光を向け、それにより前記ウェーハの前記第2表面から前記第2軸に沿って発散する光を取得することであって、前記第1軸は、前記面に沿って延びる基準軸に対して前記第2軸から離れるように角度をなすことと、
を含む方法であって、
前記面上の前記第1軸の直交射影は、前記面上の前記第2軸の直交射影と実質的に平行であり、前記面上の前記第1軸および前記第2軸の前記直交射影の各々は、前記基準軸に対して実質的に直交する、方法。 - 前記第1軸に実質的に沿って前記ウェーハの前記第2表面から発散する前記光に基づいて前記第1表面の第1画像を形成することであって、前記ウェーハは、そこに形成された割れを有し、前記第1画像は、前記割れの少なくとも1つの第1部分を含むことと、
前記第2軸に実質的に沿って前記ウェーハの前記第2表面から発散する前記光に基づいて前記第1表面の第2画像を形成することであって、前記第2画像は、前記割れの少なくとも1つの第2部分を含むことと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記割れの前記少なくとも1つの第1部分および第2部分に基づいて前記第1画像および第2画像から第3画像を構築すること、
さらに含み、
前記第3画像は、前記ウェーハにおける前記割れを検査するために実質的に処理可能である、請求項2に記載の方法。 - 前記第1画像と前記第2画像とを重ね合わせ、それにより前記第3画像を取得すること、
を含む、請求項3に記載の方法。 - ウェーハの第1表面に向けて第1軸に実質的に沿って光を向けることは、前記面に対して実質的に鋭角で前記ウェーハの前記第1表面に向けて光を向けることを含む、請求項1に記載の方法。
- ウェーハの第1表面に向けて第2軸に実質的に沿って光を向けることは、前記面に対して実質的に鋭角で前記ウェーハの前記第1表面に向けて光を向けることを含む、請求項1に記載の方法。
- ウェーハの第1表面に向けて第1軸に実質的に沿って光を向け、それにより前記ウェーハの第2表面から前記第1軸に沿って発散する前記光を取得することは、前記面上の前記第1軸の前記直交射影に沿って前記ウェーハを運搬することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェーハの前記第1表面に向けて第2軸に実質的に沿って光を向け、それにより前記ウェーハの前記第2表面から前記第2軸に沿って発散する光を取得することは、前記面上の前記第2軸の前記直交射影に沿って前記ウェーハを運搬することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェーハの前記第2表面から前記第1軸に沿って発散する前記光を捕捉するために第1撮像デバイスを提供すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ウェーハの前記第2表面から前記第2軸に沿って発散する前記光を捕捉するために第2撮像デバイスを提供すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - ウェーハの第1表面に向けて第1軸に実質的に沿って光を向け、それにより前記ウェーハの第2表面から前記第1軸に沿って発散する光を取得する第1光源であって、前記ウェーハの前記第1表面および前記第2表面は、実質的に外向きに対置し、面に平行に実質的に延びている、第1光源と、
前記ウェーハの前記第1表面に向けて第2軸に実質的に沿って光を向け、それにより前記ウェーハの前記第2表面から前記第2軸に沿って発散する光を取得する第2光源であって、前記第1軸は、前記面に沿って延びる基準軸に対して前記第2軸から離れるように角度をなす、第2光源と、
を具備する装置であって、
前記面上の前記第1軸の直交射影は、前記面上の前記第2軸の直交射影と実質的に平行であり、前記面上の前記第1軸および前記第2軸の前記直交射影の各々は、前記基準軸に対して実質的に直交する、装置。 - 前記第1軸に実質的に沿って前記ウェーハの前記第2表面から発散する前記光に基づいて前記第1表面の第1画像を形成するための第1撮像デバイス、
をさらに具備し、
前記ウェーハは、そこに形成された割れを有し、前記第1画像は、前記割れの少なくとも1つの第1部分を含む、請求項11に記載の装置。 - 前記第2軸に実質的に沿って前記ウェーハの前記第2表面から発散する前記光に基づいて形成される前記第1表面の第2画像を形成するための第2撮像デバイス、
をさらに具備し、
前記第2画像は、前記割れの少なくとも1つの第2部分を含む、請求項11に記載の装置。 - 前記割れの前記少なくとも1つの第1部分および第2部分に基づいて前記第1画像および前記第2画像から第3画像を構築するためのコンピュータ、
をさらに具備し、
前記第3画像は、前記ウェーハにおける前記割れを検査するために、前記コンピュータによって実質的に処理可能である、請求項11に記載の装置。 - 前記コンピュータは、前記第1画像と前記第2画像とを重ね合わせ、それにより前記第3画像を取得する、請求項14に記載の装置。
- 前記第1光源は、前記面に対して実質的に鋭角で前記ウェーハの前記第1表面に向けて光を向ける、請求項11に記載の装置。
- 前記第2光源は、前記面に対して実質的に鋭角で前記ウェーハの前記第1表面に向けて光を向ける、請求項11に記載の装置。
- 前記面上の前記第1軸の前記直交射影に沿って前記ウェーハを運搬するための運搬システム、
をさらに具備する、請求項11に記載の装置。 - 前記運搬システムは、前記面上の前記第2軸の前記直交射影に沿って前記ウェーハを運搬する、請求項18に記載の装置。
- 前記面上の前記第1軸の前記直交射影は、前記面上の前記第2軸の前記直交射影と実質的に一致する、請求項19に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SG200808731-4A SG158787A1 (en) | 2008-07-28 | 2008-11-25 | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor |
SG200808731-4 | 2008-11-25 | ||
PCT/SG2009/000174 WO2010062262A1 (en) | 2008-11-25 | 2009-05-15 | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012510155A true JP2012510155A (ja) | 2012-04-26 |
JP5549985B2 JP5549985B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=42226428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011537399A Active JP5549985B2 (ja) | 2008-11-25 | 2009-05-15 | ウェーハの微小割れを検出するための装置およびそのための方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2351073B8 (ja) |
JP (1) | JP5549985B2 (ja) |
KR (1) | KR101639083B1 (ja) |
CN (1) | CN102113106B (ja) |
HU (1) | HUE040516T2 (ja) |
MY (1) | MY154349A (ja) |
TW (1) | TWI440113B (ja) |
WO (1) | WO2010062262A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI508656B (zh) * | 2012-12-11 | 2015-11-21 | Univ Nat Kaohsiung Applied Sci | 水生物檢測裝置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI462206B (zh) * | 2011-03-11 | 2014-11-21 | Chroma Ate Inc | Detection method of micro - micro - detecting platform for solar cells and its detection method |
US9735036B2 (en) * | 2011-08-19 | 2017-08-15 | Cognex Corporation | System and method for aligning a wafer for fabrication |
KR102073767B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2020-02-05 | 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) | 리브 마크 두께 검사 방법 |
CN110767563B (zh) * | 2019-10-25 | 2022-05-27 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 检测晶圆完整性的方法、rtp机台 |
KR102632652B1 (ko) | 2019-11-27 | 2024-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 불량 검출 방법 |
CN111693546A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-22 | 湖南大学 | 缺陷检测系统、方法及图像采集系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024040A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体デバイス検査装置 |
JP2006184177A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置及び赤外検査方法 |
EP1956366A1 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | Basler AG | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
JP2008198966A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ欠陥検査装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4689491A (en) * | 1985-04-19 | 1987-08-25 | Datasonics Corp. | Semiconductor wafer scanning system |
JP3314440B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
US7061601B2 (en) * | 1999-07-02 | 2006-06-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for double sided optical inspection of thin film disks or wafers |
JP2002310929A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 欠陥検査装置 |
JP2003247953A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル外観検査方法及び検査装置 |
DE102005061785B4 (de) * | 2005-12-23 | 2008-04-03 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erkennen von Rissen in Silizium-Wafern |
JP2008267851A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Ushio Inc | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
-
2009
- 2009-05-15 MY MYPI2010004911A patent/MY154349A/en unknown
- 2009-05-15 KR KR1020107025782A patent/KR101639083B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-15 WO PCT/SG2009/000174 patent/WO2010062262A1/en active Application Filing
- 2009-05-15 HU HUE09829413A patent/HUE040516T2/hu unknown
- 2009-05-15 CN CN2009801304459A patent/CN102113106B/zh active Active
- 2009-05-15 JP JP2011537399A patent/JP5549985B2/ja active Active
- 2009-05-15 EP EP09829413.5A patent/EP2351073B8/en active Active
- 2009-05-22 TW TW098117193A patent/TWI440113B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024040A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体デバイス検査装置 |
JP2006184177A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置及び赤外検査方法 |
EP1956366A1 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | Basler AG | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
JP2008198966A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ欠陥検査装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI508656B (zh) * | 2012-12-11 | 2015-11-21 | Univ Nat Kaohsiung Applied Sci | 水生物檢測裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2351073B8 (en) | 2018-11-07 |
WO2010062262A1 (en) | 2010-06-03 |
CN102113106B (zh) | 2013-06-05 |
HUE040516T2 (hu) | 2019-03-28 |
KR101639083B1 (ko) | 2016-07-12 |
EP2351073A1 (en) | 2011-08-03 |
KR20110095129A (ko) | 2011-08-24 |
MY154349A (en) | 2015-05-29 |
EP2351073A4 (en) | 2014-01-22 |
JP5549985B2 (ja) | 2014-07-16 |
TWI440113B (zh) | 2014-06-01 |
TW201021141A (en) | 2010-06-01 |
EP2351073B1 (en) | 2018-07-04 |
CN102113106A (zh) | 2011-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5500414B2 (ja) | ウェーハの微小割れを検出する検査方法および検査装置 | |
US8428337B2 (en) | Apparatus for detecting micro-cracks in wafers and method therefor | |
JP5549985B2 (ja) | ウェーハの微小割れを検出するための装置およびそのための方法 | |
US11105839B2 (en) | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces | |
JP4575886B2 (ja) | 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法 | |
US20090196489A1 (en) | High resolution edge inspection | |
EP2198279B1 (en) | Apparatus and method for detecting semiconductor substrate anomalies | |
JP4713278B2 (ja) | 多結晶半導体ウエハの外観検査方法および外観検査装置 | |
US9255893B2 (en) | Apparatus for illuminating substrates in order to image micro cracks, pinholes and inclusions in monocrystalline and polycrystalline substrates and method therefore | |
JP2012037425A (ja) | 多結晶シリコンウェーハの検査方法及びその装置 | |
JP2001209798A (ja) | 外観検査方法及び検査装置 | |
TWI601952B (zh) | Wafer edge measurement module (a) | |
TWM527153U (zh) | 晶圓邊緣量測模組(一) | |
TWI797689B (zh) | 檢查電子元件內部缺陷的裝置及方法 | |
JP2017138246A (ja) | 検査装置、検査方法、及びイメージセンサ | |
JP2022138855A (ja) | 半導体チップの検査方法及び装置 | |
JP2005201880A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
TWM439175U (en) | Semiconductor component inspection machine |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131022 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131029 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131122 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131209 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140320 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5549985 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |