JP2012509402A - Pvd法のための基材前処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.ターゲット材料に依存して、アークソースがフィルタリングされていない場合に大量の溶滴が生じ、それらの溶滴のいくつかは大径を有する。これらの溶滴は、基材表面の成分と完全に化学反応できる、または基材表面に組み込まれるのに十分なほどのエネルギーを有しない。
2.融点のより高いターゲット材料を使用することによって、溶滴発生を低減させると、材料費用が増大し、また、アーク発生に必要となる動作がより複雑になる。
融点のより高い材料に必要となるより高いソース電流および放電電圧を実現するために、アークソースの設計がより複雑になり、また、電気供給部も同様により高価になる。
3.融点のより高い材料は一般に、化学的により不活性であるため、これらの高融点材料と基材表面の成分との所望の化学反応(例えば炭化物形成)は、通常より高い温度でしか起こらない。
4.アークソースと、溶滴を減少させるための電磁式および/または機械式フィルタとの組合せによって、基材のイオン電流が損なわれる。さらに重要なことに、かかる処理の均一性は、製造システムで通常見受けられる種類の広い基材領域上では保証することができない。
5.基材のイオン電流の損失に加えて、フィルタの使用によってもまた、多価イオンの比率が低減することになる。多価イオンは、(熱誘導)化学反応の確率を増大させるものであり、多価イオンは、対応して増大したエネルギーで基材に衝突し、したがって高温安定結合の形成に重要な役割を果たすからである。実際には、基材バイアスを増大させることによって、多価イオンの損失を補償することが考えられるが、アーク発生を低減させるためだけでなく、安全面の理由からも、一般に1,000Vよりも高い電圧は避けることが賢明である。
6.工程ガス圧力を高くすると、溶滴は減少することになるが、基材電流もやはり大幅に低減することになり、したがって多価金属イオンの比率も主に低減することになる。しかし、工程適合性の理由で、反応性ガス内でアークを生じるためにもやはり十分に高い基材イオン電流を実現することが望ましい。
1.堆積速度が低すぎるため、アーク層堆積ソースと適合性がなく、すなわちスパッタソースの動作用に特別なソースおよび電気供給部が必要となる。
2.基材イオン電流は、パルス中にしか生成されない。イオンの大部分は、マグネトロン磁場によって捕捉され、基材には到達しない(メンツ、W.D.他、Vacuum in Research and Practice,19(2007)12)。
3.スパッタソースの動作には作動ガスが常に必要となり、この作動ガスは基材表面に組み込まれ、ほとんどの場合、望ましくない応力を生じ、基材表面が不安定になる。
4.スパッタ動作における反応性ガスを用いた加工は、制御が困難である。
アークソースに関して重要な課題は、問題を引き起こす大きな溶滴であり、これらの溶滴は、基材表面に衝突した後、基材中にさらに拡散できるのに十分なほどのエネルギー、または基材表面の成分と化学反応するのに十分なほどのエネルギーを有しないからである。上記以外の点では、アーク蒸発は、多価イオンを生成する潜在能力を備え、金属イオンエッチングによる基材前処理を実施するのに最適である。
アーク電流のパルス化によって、基材電流が増大する。
パルス電流と休止電流との差が大きいほど、パルス中の基材電流、および時間平均基材電流のどちらもより大きくなる。
反応性ガス窒素中でも、アークソースのパルス化動作によって、基材イオン電流が増大する。
基材電流の増大は、ランダムアークよりも、制御アークの場合の方が遙かに顕著である。
制御アークでは、パルス化によって、蒸発速度および基材イオン電流のどちらも増大するが、基材イオン電流の増大の方が比較的大きい。
ランダムアークでは、蒸発速度の変化はほんのわずかであるが、基材イオン電流はかなり増大している。
要約すると、ここでもやはり、パルス化動作によって、基材バイアスが低くても、基材イオン電流を増大させることが可能であるので、パルス化動作は層成長ゼロの実現に寄与すると言える。
・制御アークでは、ターゲット材料の蒸発速度は低くなるが、溶滴形成の頻度が激減する。
・制御アークのパルス化によって、ターゲット材料の蒸発速度は確かに増大するが、それよりも基材イオン電流の方が遙かに増大する。
特に、ねじ切りインサートまたはある種のHSSなどの硬金属基材の通常のウェット化学前処理では、特定の材料成分が基材表面で欠乏する(例えば、硬金属の結合剤の欠乏、硬金属では結合剤にコバルトが多用される)結果となることがある。これは、特に、その後付着させる硬材料層(TiC、TiCN、Al2O3)をより良く支持するために刃先により高い強度を与えるように、基材表面に向けてコバルト濃度を増大させているねじ切りインサートでは重大である(米国特許第04497874号参照)。本発明者は、本発明による上述の方法が、コバルトの基材表面に向けた拡散を引き起こし、したがって、ウェット化学前処理によって生じた損傷をほぼ補償することができる一助となることを見出すことができた。これまでは、層の接着性を保証するために、堆積チャンバ内でより長いエッチング段階によって損傷層を除去しなければならなかった。本発明者はまた、この修復工程は、特に刃先、特にねじ切りインサートの場合、基材の刃先でイオン衝撃が増大するため、非常に有効であることを確証することができた。これは、1つには、イオン衝撃の増大は、縁部半径が小さい幾何形状にバイアスを印加したときに生じる電界強化によって引き起こされることから説明できる。本明細書ではコバルト拡散の例で説明してきたが、上記は、基材表面を熱的に制御する他のタイプの「修復工程」にも本質的に関連する。
Claims (17)
- ターゲットとして実施され、アーク蒸発ソースの一部である第1の電極を有する真空処理システム内でワークピースを表面処理する方法であって、
前記第1の電極によって、アーク電流を用いてアークを動作させ、
前記ターゲットから、前記ワークピース上に少なくとも部分的に、かつ断続的に堆積させる材料を蒸発させ、
ワークピースホルダとして実施され、前記ワークピースと共にバイアス電極を構成する第2の電極を有し、
電圧供給部によって、前記バイアス電極に前記アーク電流と整合するようにバイアス電圧を印加し、
したがって本質的に、前記表面上に材料が正味で蓄積されない方法において、前記第1の電極を、パルス化電流を用いて動作させ、
前記パルス化によって、非パルス化動作に比べて、前記ワークピース表面を流れる基材電流が増大し、
その結果、前記第1の電極の非パルス化動作に比べてより低いバイアス電圧で、前記表面上に材料が正味で蓄積されないことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、作動ガスおよび/または反応性ガスなしで実施することを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記基材バイアス電圧を、パルス状に動作させることを特徴とする方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記基材バイアス電圧の現在存在するパルス周波数が、1の乗算を含めて、前記アーク電流のパルス周波数の整数倍であることを特徴とする方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記アーク電流の前記パルス化に対して、前記バイアス電圧の前記パルス化を、前記イオンが前記ターゲットから前記基材に至る平均飛翔時間に本質的に対応した時間間隔によって位相シフトさせることを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、基材として硬金属を使用し、前記基材表面がねじ切りインサートなどの刃先であり、前記方法を、前記表面の脱コバルト化を修復するために実施することを特徴とする方法。
- 請求項1から5のうち一項に記載の方法であって、前記ターゲット材料および/またはおそらくは前記反応性ガスが、前記基材の材料成分と化学的に反応し、好ましくはそれによってより安定した成分が生成されることを特徴とする方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記ターゲットとして金属ターゲットを使用し、前記基材が炭素を含み、前記化学反応によって炭化物が形成されることを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記アーク電流の前記パルスを、電流上昇値が少なくとも1,000A/ms、好ましくは少なくとも10,000A/msとなるように選択することを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記ターゲットから蒸発する前記材料に関して(アーク電流単位当たり時間単位当たりの質量)、平均基材イオン電流が、同じ時間平均の(DCおよびパルス化)アーク電流について、10%超、好ましくは30%超増大することを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記基材上で、成長がゼロ、または5nm/s未満の成長速度を実現することを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記アークターゲットの前でバッフル板を用いて、また用いずに、前記表面処理を実施することが可能であることを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、好ましくは500A/ms超、好ましくは1,000A/ms超のパルス勾配を使用することを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、100Hz超、好ましくは1,000Hz超のパルス周波数を使用することを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記基材表面における、一方のターゲット材料および反応性ガスと、他方の基材材料との間の化学結合の形成結果が検出可能であることを特徴とする方法。
- 前記請求項のうち一項に記載の方法であって、前記反応性ガス中で、層が蓄積されずに実施することを特徴とする方法。
- 前記基材内部よりも前記表面上で、不足した材料濃度を少なくとも部分的に修復するための、前記請求項のうち一項に記載の方法の使用。
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