JP2939251B1 - 窒化ホウ素膜の成膜装置 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 超硬合金や高速度鋼を材料とした先端部が特
殊な形状を呈する工具部材の表面に、全面に亘って均一
な窒化ホウ素膜を成膜できる装置を提供する。 【解決手段】 真空槽２１内の下方に蒸発材料２３を充
填した坩堝２４と電子銃２５を備えた蒸発源２２を有
し、この蒸発源２２と所定距離を隔てた真空槽２１の上
方に基板ホルダー３２に支持された基板１と、上記蒸発
源２２と基板１との間で上記基板１の近傍の左右にマグ
ネットケース４６ａ、４６ｂに収容されて配置されてい
る一対の磁石４５ａ、４５ｂと、この磁石と同一平面内
に配置されている熱電子放出用カソード４１およびアノ
ード４３とを具備している成膜装置に、上記基板１の先
端部よりやや離れた位置に金属板３３を配置し、上記マ
グネットケース上面と基板との間にメッシュ板４８を設
け、さらに上記左右のマグネットケースの背面にヨーク
４７ａ、４７を取り付けた構造の成膜装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、立方晶窒化ホウ
素膜の成膜装置に関し、詳しくは高硬度、低摩擦係数、
耐熱性等の物性が他の物質よりすぐれている立方晶窒化
ホウ素膜を切削工具や耐摩耗工具などの工具部材表面に
付与して、これら部材の長寿命化を達成することを目的
として、立方晶窒化ホウ素膜を再現性よく成膜すること
のできる成膜装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）は、ダイヤ
モンドに次ぐ硬度を持ち、しかも熱的および化学的安定
性にすぐれており、鉄系材料との反応性がダイヤモンド
に比べて低いなどの特性を有することから、超高圧、高
温下で焼結して得られたｃＢＮ焼結体はワイヤ放電加工
機等で適当な大きさに切断し、超硬チップ、エンドミル
等に蝋付けして切削用工具としたり、耐摩耗性用品の材
料として用いられている。

【０００３】しかしながら、ｃＢＮ成形体の製造には上
述のように、超高圧、高温による合成を必要とすること
から、複雑な形状のものが得難く、また量産性が低く、
かつ製造コストが非常に高くつくなどから、この成形体
の使用範囲は著しく限定されている。また、処理工程の
煩雑さと処理温度が高温であるため、量産工具であるハ
イス材小型工具への適応が行えないこともあって大幅な
普及には至っていない。

【０００４】そこで、上記したｃＢＮが持っている特性
を活かすべく、基材表面にｃＢＮからなる被覆層を形成
することにより、低コストで基材の耐摩耗性、耐食性を
向上させた成形体を得る試みが広く行われている。この
ようなｃＢＮによる被覆はＣＶＤ法やＰＶＤ法などによ
り、ｃＢＮを基材表面に析出させることが試みられ、ｃ
ＢＮの気相合成による被覆が工業的に可能になってきて
いる。

【０００５】上記の気相合成法によって得たｃＢＮ皮膜
は、その製法の如何に係わらず大きな内部応力を持って
いるため成膜後に剥離を起こしやすく、ｃＢＮ膜のみで
は０．１μｍ以上になると剥離してしまう。このような
ｃＢＮ膜の剥離を防止するために、例えば特開平８−６
０３３９号公報には基材界面に中間層としてＴｉ膜を形
成し、その後に窒素組成を変化させながらホウ素のイオ
ンプレーティングを行って、ホウ素と窒素の傾斜層を形
成させ、この傾斜層を介してｃＢＮ層を形成することで
０．５μｍ程度のｃＢＮ膜を得る方法とそれに用いるイ
オンプレーティング装置が提案されている。

【０００６】その装置の構成は概略図４に示すものであ
る。このイオンプレーティング装置は、真空槽６１の内
部下方に蒸発材料を収容する坩堝７０と、これを加熱し
て蒸発させる電子銃７１を備えた蒸発源６２が設置され
ている。そして、真空槽の内部上方にワークＴがホルダ
ー６３に取り付けられている。ホルダー６３は、外部の
高周波バイアス電源６９に接続されている。基板ホルダ
ー６３の下方に熱電子放射用のカソード６６とそれに対
向するアノード６７が設けられ、このカソード６６とア
ノード６７と同一水平面内の位置にカソード６６とアノ
ード６７で形成される電界と同じ向きに平行磁界が形成
されるように一対の磁石６８ａ、６８ｂが配置されてい
る。６４は、外部に伸びている導入管に設けた流量調整
弁７２によって調節されたＡｒガス、Ｎ₂ ガスあるいは
混合ガスを真空槽６１内に送り込むガスノズルである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このようなイオンプレ
ーティング装置を用いて、圧力：３〜１０×１０^-2Ｐ
ａ、基板温度：２５０℃以上、アノード電圧、電流：４
０〜７０Ｖ、２〜２０Ａ、カソード加熱電流：３０〜５
０Ａ、バイアス電源パワー：５００Ｗ以下、電子銃電
力：１．７〜２．３ｋＷの条件から適宜選択した成膜条
件で基板の成膜を行う場合、特に基板が工具のようなエ
ッジ部（刃部）など鋭利な部分を有する場合、その成膜
工程でイオン源近傍の基板には基板バイアスを印加して
いるため、このエッジ部にはエッチングにより成膜され
ない領域が生じるという問題がある。

【０００８】そこで、上述の特開平８−６０３３９号に
おいては、導電性、多孔性材料からなるバイアスコント
ロール治具６５を、その基部をホルダー６３に嵌合ある
いは溶接により取り付けることを提案している。そし
て、このバイアスコントロール治具６５により、ガスイ
オンはバイアスコントロール治具６５に衝突して加速が
解かれ、慣性力で多孔部分から内部空間に進入するため
イオン密度が均一化され、基板の鋭利部分に対するスパ
ッタ作用が生じず、鋭利部分にも適切に成膜される、と
している。

【０００９】しかしながら、上記のバイアスコントロー
ル治具は、成膜しようとするそれぞれの基板の形状に対
応するように導電性、多孔性の材料を加工する必要があ
り、また基板と治具との距離を夫々の形状に応じて調整
しなければならず、多種類の基板に成膜を行う場合には
非常な手間がかかってコスト上昇を招くと共に、再現性
にも問題を有している。

【００１０】上記に鑑みて、この発明は基材へｃＢＮ膜
を成膜する装置において、特殊な形状の基板であっても
均一な成膜を可能とし、さらに成膜範囲を拡大すること
のできる装置を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、内部が排気される真空槽内の下方に配置されて蒸発
材料が充填されている坩堝と電子銃とを備えた蒸発源
と、この蒸発源と所定距離を隔てて上記真空槽の上方に
基板ホルダーに支持された基板と、この基板の先端部よ
りやや離れた位置に配置されている金属板と、上記蒸発
源と上記基板との間における上記基板の近傍の左右にマ
グネットケースに収容されて配置されている一対の磁石
と、この一対の磁石と同一平面内に配置される熱電子放
出用カソードおよびこれと対向するアノードと、上記マ
グネットケース上面と基板との間に配置されたメッシュ
板とを、具備している窒化ホウ素膜の成膜装置である。

【００１２】請求項２に記載の発明は、内部が排気され
る真空槽内の下方に配置されて蒸発材料が充填されてい
る坩堝と電子銃とを備えた蒸発源と、この蒸発源と所定
距離を隔てて上記真空槽の上方に基板ホルダーに支持さ
れた基板と、この基板の先端部よりやや離れた位置に配
置されている金属板と、上記蒸発源と上記基板との間に
おける上記基板の近傍の左右にマグネットケースに収容
されて配置されている一対の磁石と、この一対の磁石と
同一平面内に配置される熱電子放出用カソードおよびこ
れと対向するアノードと、上記マグネットケースと基板
との間に配置されたメッシュ板と、さらに上記左右のマ
グネットケースの背面に設置したヨークとを、具備して
いる窒化ホウ素膜の成膜装置である。

【００１３】上記の請求項１の発明は、真空槽内におい
て、蒸発源と所定距離を隔てて真空槽の上方に基板ホル
ダーに支持されて基板が取り付けられ、この基板と同電
位で基板より大きなエッチング防止板（金属板）が基板
先端部より５〜２０ｍｍの位置に配置されている。さら
にマグネットケース上面と基板との間に開口率３０〜８
０％の鉄系メッシュ板を設けることによって、この真空
槽での成膜中に特殊形状の基板や、先端が刃先等の形状
の違い、位置の違いによる成膜薄膜のエッチングを防止
できることで、均一なる成膜が可能となり、基板の材
質、形状に成膜条件が左右されなくなって、真空槽内へ
の基板の設置を容易とすることができる。

【００１４】請求項２の発明は、請求項１の発明に加え
て、磁石を収容しているマグネットケースの背面にヨー
クを設置したことであり、これによって成膜範囲を拡大
させることができるのである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の窒化ホウ素膜成
膜装置の構成について図を参照して説明する。図１に示
すように、１１は下部に排気口２７が設けられている真
空槽である。この排気口２７は、図示していないが真空
ポンプに接続されており、この真空ポンプによって真空
槽２１が排気される。

【００１６】２２は、真空槽２１の内部下方に設けられ
た蒸発源であり、ホウ素、チタンなどの蒸発材料２３を
収容する坩堝２４と、この蒸発材料２３を加熱して蒸発
させる電子銃２５とを備えている。上記の蒸発源２２は
１つしか図示していないが、これを多点ハース、または
多元蒸発機構としてもよい。

【００１７】真空槽２１内の上記蒸発源２２と対面する
上方位置には、回転可能な基板ホルダー３２に支持され
て被覆される基板ないしワーク（例えば工具）１が配置
されている。さらに、上記基板１の先端部より５〜２０
ｍｍ離れた位置にエッチング防止の役目を果たすべく、
基板１と同電位で基板より大きな金属板（エッチング防
止板）が取り付けられている。上記基板１は真空槽２１
の外部に設けられたバイアス電源３４にマッチングボッ
クス３５を介して接続されており、負の直流電源または
高周波電圧が印加される。バイアス電源３４の他端は接
地されている。

【００１８】真空槽２１内に配置されている上記基板１
と上記蒸発源２２との間隔は、ホウ素やチタンを安定に
０．２〜３．０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で蒸発させるた
めに、一般に２５０〜７００ｍｍである。

【００１９】３８は、Ａｒガス、Ｎ₂ ガス、Ｈ₂ ガスあ
るいはそれらの２種以上の混合ガスを真空槽２１内に導
入するためのガスノズルであり、その下方の真空槽２１
外に伸びる導入管に設けた流量調整弁３９によって、そ
の流量が調整されて導入される。４１は、熱電子放出用
カソードであり、この熱電子放出用カソード４１と対向
するようにアノード４３が設けられている。

【００２０】そして、上記熱電子放出用カソード４１と
対向するアノード４３と同一水平面内の位置に、一対の
磁石４５ａ、４５ｂが配置されており、これによってカ
ソード４１とアノード４３が形成する電界の方向と同じ
向きに平行磁界が形成されるようになっている。この一
対の磁石４５ａ、４５ｂは、それぞれ平行磁界発生用マ
グネットケース４６ａ、４６ｂに収容されている。ま
た、４７ａ、４７ｂは、基板付近で磁束密度均一分布を
大とするために、この平行磁界発生用マグネットケース
４６ａ、４６ｂの背面に設置した逆Ｌ字型のヨークであ
る。さらに、基板１の下方で、上記マグネットケース４
６ａ、４６ｂとヨーク４７ａ、４７ｂの中間には鉄系材
料よりなるメッシュ板４８が設置されている。なお、４
９は、真空槽２１内上方の基板１およびプラズマ発生機
構に係わる部位と下方の蒸発源との間に設けた摺動可能
なシャッターである。

【００２１】上記した成膜装置において、プラズマ発生
機構に係わる部位の全体は、真空槽２１内の基板１と蒸
発源２２との間の中間、例えば少なくとも蒸発源２２か
ら１５０ｍｍ離れた位置に設けられる。カソード４１と
アノード４３の間隔は、プラズマ空間を広くするため
に、１２０〜５００ｍｍとすることが好ましい。

【００２２】カソード４１は、Ｗ、Ｔａ、Ｗ／Ｔｈなど
の熱陰極材料で作られたフィラメントからなり、電源４
２により通電加熱されることで熱電子を放出する。

【００２３】アノード４３は、カソード４１と対向する
側の磁石４５ａに結線して磁石そのものを電極としても
よいし、磁石４５ａの前面側に電極を別に設置すること
で構成してもよく、いずれの場合も、アノード４３には
接地電位に対して正の直流電圧、例えば３０〜７０Ｖの
直流電圧が電源４４によって印加される。

【００２４】磁石４５ａ、４５ｂは正対しており、その
磁束密度の強さは、高密度のプラズマを形成させるた
め、両磁石の中間地点で３〜１２ｍＴとすることが好ま
しい。

【００２５】この発明の磁界励起型イオンプレーティン
グ成膜装置による成膜の一例を説明すると、まず基板１
を基板ホルダー３２にセットし、真空槽２１を真空排気
する。その後、真空槽２１内にガスノズル３８からＡｒ
ガス等を導入しイオンボンバードを所定時間行ったの
ち、成膜を行うものである。

【００２６】この成膜工程では、ガスノズル３８により
真空槽２１内に所定成分のＡｒガス、窒素ガスを導入
し、カソード４１を通電するとともに、アノード４３に
正電圧を印加する。これにより磁石４５ａ、４５ｂの平
行磁場と相まってプラズマが形成される。この状態で蒸
発源２２の電子ビーム２６を作動して蒸発材料２３とし
てホウ素Ｂを蒸発させる。これにより、ホウ素Ｂの蒸発
粒子は上昇し、プラズマを通過して基板１に付着させら
れる一方、基板１に印加した負の電圧又は高周波により
生じるセルフバイアス電圧によりプラズマ内で生成した
Ａｒ、窒素ガスイオンが引きつけられ、基板１に衝突さ
れる。これにより、基板１に反応生成膜として立方晶窒
化ホウ素膜が堆積されるのである。

【００２７】次に、図２、３を参照してこの装置の特徴
とする点を説明する。図２は、図１における基板１近傍
の部分拡大図であり、ａは側面図、ｂは上面図である。
この発明の第１の特徴は、窒化ホウ素膜の成膜時に、基
板１に印加する負の電圧または高周波によるイオンの基
板１への衝突が原因して、基板薄膜がエッチングされる
ことを防止する目的から、基板１の先端部より５〜２０
ｍｍ離れた位置にエッチング防止の役目を果たす基板１
と同電位で基板より大きな金属板（エッチング防止板）
３３を取り付け、さらにマグネットケース４６ａ、４６
ｂ間の上面で基板１との間に鉄系材料（例えばＳＵＳ
製）からなる開口率３０〜８０％のメッシュ板４８を設
置したものである。

【００２８】このエッチング防止板３３としては、基板
１断面より５ｍｍ以上の大きさのＳＵＳ製で厚み２〜５
ｍｍの基板１と同電位の金属板が好ましく、基板先端
部、例えばドリル等の先端の刃先部から５〜２０ｍｍの
位置に設置することにより、そしてさらにマグネットケ
ース４６ａ、４６ｂ間の上面で基板１との間にＳＵＳ製
の開口率３０〜８０％のメッシュ板４８を設置すること
により、ドリル等の刃先部から５ｍｍ程度が非成膜領域
（エッチング）となるのを解消して、基板全体に亘って
均一な成膜を施すことができるのである。

【００２９】次に、この発明の第２の特徴は、ｃＢＮ成
膜可能範囲の拡大である。このために、磁石４５ａ、４
５ｂを収容しているマグネットケース４６ａ、４６ｂの
背面にヨーク４７ａ、４７ｂをそれぞれ設置したもので
あり、これによってｃＢＮ膜の成膜範囲を拡大させるこ
とができるのである。図３に見られるように、ｃＢＮの
成膜可能範囲の成膜条件は、基板上でＸ方向での磁束密
度は１〜３ｍＴである。従って、磁石４５ａ、４５ｂ、
マグネットケース４６ａ、４６ｂの大きさ、強さ、形状
により磁束密度分布が変化する。

【００３０】図３に示す方位で説明すると、Ｚ方向、蒸
発源−基板方向でマグネットケース４６ａ、４６ｂの上
面より一定の高さ３０〜２００ｍｍの間の面内でのＹ方
向成膜可能範囲は、磁石４５ａ、４５ｂ、マグネットケ
ース４６ａ、４６ｂの長さを拡大すれば成膜面積は大き
くなる。Ｘ方向は、固定であるので成膜範囲はあまり影
響しない。従って、この面内の成膜可能面積の拡大は図
３ａの本発明装置によるものも、図３ｂの従来の装置に
よるものも変化は同じである。

【００３１】基板上での磁束密度のＸ方向の強さが１〜
３ｍＴであるこの発明の装置でｃＢＮ成膜条件を大面積
に適応させるため、この発明では、対向しているマグネ
ットケース４６ａ、４６ｂのそれぞれの背面側に鉄系材
料からなる逆Ｌ字型のヨーク４７ａ、４７ｂを設置し
た。これにより、基板付近のＸ方向の磁束密度はマグネ
ットケース４６ａ、４６ｂの対向面でのＸ方向の磁束密
度の方向と逆の方向となるが、マグネットケース４６
ａ、４６ｂ上面より３０〜２００ｍｍの範囲でＸ方向の
磁束密度の強さが１〜３ｍＴの大きさとなるので、これ
によって、マグネットケース４６ａ、４６ｂの上面より
Ｚ軸方向でのｃＢＮ成膜可能範囲は、図３ａのＡ１で示
すように３０〜２００ｍｍまで拡大させることができる
のである。これに対して、この発明のようなヨークを設
けていない従来の装置によるものは、図３ｂのＡ２のよ
うにマグネットケース４６ａ、４６ｂの上面より３０〜
５０ｍｍの成膜可能範囲しか有しないのである。このよ
うに、この発明では対向しているマグネットケース４６
ａ、４６ｂのそれぞれの背面側に鉄系材料からなるヨー
ク４７ａ、４７ｂを設置したことがｃＢＮ成膜可能範囲
の拡大に大きく寄与しているのである。

【００３２】この成膜装置によって、基材として３．４
ｍｍφの高速度鋼製ストレートドリルを用い、このドリ
ルにｃＢＮ成膜を施す動作について説明すると、上記ド
リルを基材１として真空槽２１内の基材ホルダー２２に
取付け、槽内を２×１０^-4Ｐａまで真空排気し、基材温
度を２５０℃に保持したのち、まず基材クリーニングと
して（１）２．５〜４０ＰａのＡｒガスを導入し、基材
に印加した１００〜２００Ｗの高周波電力により基材−
真空壁間でグロー放電を起こさせて２０分間基板表面の
クリーニングするグロー放電ボンバード、（２）６．７
×１０^-2ＰａのＡｒガスを槽内に導入し、平行磁界中に
６５Ｖ印加されたアノード電圧と、３００Ｗのカソード
間でアノード電流１５Ａとなる放電をさせ、この放電に
よって生成したＡｒイオンにより基材に印加した２００
Ｗ〜３００Ｗの高周波電力で基材表面をクリーニングす
る高真空ボンバード、（３）Ｔｉを５．５ｋＷの電子銃
にて加熱蒸発させ、２．０×１０^-2ＰａのＡｒガスを導
入し、平行磁界中に６５Ｖ印加されたアノード電圧と、
３００Ｗのカソード間でアノード電流１５Ａとなる放電
によってイオン化したＴｉイオンにより、基材１に３６
０Ｗの高周波バイアスを印加して２分間のクリーニング
を行うＴｉボンバードを続けて実施した。

【００３３】次いで、上記でクリーニングした基材１表
面に、Ｔｉを５．５ｋＷの電子銃２５にて加熱蒸発さ
せ、２．０×１０^-2ＰａのＡｒガスをガスノズル３８か
ら導入し、平行磁界中に５０Ｖ印加されたアノード４３
と、３００Ｗのカソード４１間でアノード電流２０Ａと
なる放電によってイオン化したＴｉイオンにより、基材
１に２００Ｗの高周波バイアス（ＲＦ）３４を印加し、
Ｎ₂ ガスを３分間導入して０．３〜０．７μｍのＴｉＮ
膜を成膜した。

【００３４】上記でＴｉＮ膜を形成した基材上に、Ｔｉ
の電子銃出力５．５ｋＷ、アノード電圧５０Ｖ、アノー
ド電流１０Ａ、カソード電流３００Ｗ、導入Ａｒガス圧
力２．０×１０^-2Ｐａ、ＲＦ出力２００Ｗ、成膜時間１
５秒の条件でＴｉ膜を形成した後、Ｂの電子銃出力６．
０ｋＷ、アノード電圧４０Ｖ、アノード電流１０Ａ、カ
ソード電流３００Ｗ、導入Ａｒガス圧力６．７×１０^-2
Ｐａ、導入Ａｒガス量１２ｍＬ／ｍｉｎ、ＲＦ出力１５
０Ｗ、成膜時間１５秒でＢ膜を形成し、さらに上記Ｂ膜
を成膜したのち、Ａｒガス圧力と同圧力でＮ₂ ガスを同
時に導入し、この両者の流量比、ＲＦ出力、成膜時間
を、Ｎ₂ ：Ａｒ＝１：１、ＲＦ＝２２０Ｗ、１５秒、Ｎ
₂ ：Ａｒ＝１．５：１、ＲＦ＝２２０Ｗ、１５秒、
Ｎ₂ ：Ａｒ＝１．５：１、 ＲＦ＝２５０Ｗ、４５秒、
Ｎ₂ ：Ａｒ＝１．５：１、ＲＦ＝３００Ｗ、１２０秒の
条件で、Ｂ膜層上に形成させるＢＮ層をその下層から上
層にいくに従って、Ｎ₂ 量を多くしてホウ素過剰なアモ
ルファスＢＮを形成していき、最終的には最表面がＢ／
Ｎ＝１に近いＢＮ層とした。

【００３５】次いで、上記で形成したＢＮ層の上に、Ｂ
の電子銃出力６．０ｋＷ、アノード電圧４０Ｖ、アノー
ド電流１０Ａ、カソード電流３００Ｗ、導入ガス圧力
６．７×１０^-2Ｐａ、導入Ａｒガス量１２ｍＬ／ｍｉ
ｎ、導入Ｎ₂ ガス量１８ｍＬ／ｍｉｎ、ＲＦ出力３６０
Ｗ、成膜時間４分、の条件で０．３〜０．８μｍのｃＢ
Ｎ膜の被覆を行なって、窒化ホウ素膜を成膜したとこ
ろ、刃先部も含めてドリルの表面全体に均一な窒化ホウ
素膜が形成されていることが認められた。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の成膜装
置は、真空槽内の下方に蒸発材料が充填されている坩堝
と電子銃とを備えた蒸発源を有し、この蒸発源と所定距
離を隔てた真空槽の上方に基板ホルダーに支持された基
板と、上記蒸発源と上記基板との間における上記基板の
近傍の左右にマグネットケースに収容されて配置されて
いる一対の磁石と、この一対の磁石と同一平面内に配置
される熱電子放出用カソードおよびこれと対向するアノ
ードとを具備している成膜装置に、上記基板の先端部よ
りやや離れた位置に金属板を配置し、上記マグネットケ
ース上面と基板との間にメッシュ板を設け、さらに上記
左右のマグネットケースの背面にヨークを取り付けた構
造であり、これによって先端が鋭利な刃先部を有するよ
うな特殊形状の基板に対しても基板全体に亘って均一な
ｃＢＮ膜の形成を可能とし、また成膜範囲の拡大を可能
とするものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の成膜装置の概略説明図である。

【図２】図１の基板近傍の拡大図であって、ａは側面
図、ｂは上面図である。

【図３】この発明の装置によるｃＢＮの成膜範囲を示す
説明図である。

【図４】従来の成膜装置の概略説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２１ 真空槽 ２２ 蒸発源 ２３ 蒸発材料 ２５ 電子銃 ３２ 基板ホルダー ３３ エッチング防止板 ３４ バイアス電源 ３８ ガスノズル ４１ 熱電子放出用カソード ４３ アノード ４５ａ、４５ｂ 磁石 ４６ａ、４６ｂ マグネットケース ４７ａ、４７ｂ ヨーク ４８ メッシュ板

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部が排気される真空槽内の下方に配置
   されて蒸発材料が充填されている坩堝と電子銃とを備え
   た蒸発源と、この蒸発源と所定距離を隔てて上記真空槽
   の上方に基板ホルダーに支持された基板と、この基板の
   先端部よりやや離れた位置に配置されている金属板と、
   上記蒸発源と上記基板との間における上記基板の近傍の
   左右にマグネットケースに収容されて配置されている一
   対の磁石と、この一対の磁石と同一平面内に配置される
   熱電子放出用カソードおよびこれと対向するアノード
   と、上記マグネットケース上面と基板との間に配置され
   たメッシュ板とを、具備していることを特徴とする窒化
   ホウ素膜の成膜装置。
2. 【請求項２】 内部が排気される真空槽内の下方に配置
   されて蒸発材料が充填されている坩堝と電子銃とを備え
   た蒸発源と、この蒸発源と所定距離を隔てて上記真空槽
   の上方に基板ホルダーに支持された基板と、この基板の
   先端部よりやや離れた位置に配置されている金属板と、
   上記蒸発源と上記基板との間における上記基板の近傍の
   左右にマグネットケースに収容されて配置されている一
   対の磁石と、この一対の磁石と同一平面内に配置される
   熱電子放出用カソードおよびこれと対向するアノード
   と、上記マグネットケースと基板との間に配置されたメ
   ッシュ板と、さらに上記左右のマグネットケースの背面
   に設置したヨークとを、具備していることを特徴とする
   窒化ホウ素膜の成膜装置。