JP2012256798A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012256798A5
JP2012256798A5 JP2011130239A JP2011130239A JP2012256798A5 JP 2012256798 A5 JP2012256798 A5 JP 2012256798A5 JP 2011130239 A JP2011130239 A JP 2011130239A JP 2011130239 A JP2011130239 A JP 2011130239A JP 2012256798 A5 JP2012256798 A5 JP 2012256798A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
proximity
exposure apparatus
gap
photomask substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011130239A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5497693B2 (ja
JP2012256798A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011130239A priority Critical patent/JP5497693B2/ja
Priority claimed from JP2011130239A external-priority patent/JP5497693B2/ja
Priority to TW101119017A priority patent/TWI506355B/zh
Priority to CN201210187324.1A priority patent/CN102819182B/zh
Priority to KR1020120061391A priority patent/KR101319743B1/ko
Publication of JP2012256798A publication Critical patent/JP2012256798A/ja
Publication of JP2012256798A5 publication Critical patent/JP2012256798A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5497693B2 publication Critical patent/JP5497693B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2011130239A 2011-06-10 2011-06-10 フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 Active JP5497693B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011130239A JP5497693B2 (ja) 2011-06-10 2011-06-10 フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
TW101119017A TWI506355B (zh) 2011-06-10 2012-05-28 光罩基板、光罩基板之製造方法、光罩基底、光罩、圖案轉印方法、液晶顯示裝置之製造方法及近接空隙評估方法
CN201210187324.1A CN102819182B (zh) 2011-06-10 2012-06-07 光掩模基板及制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法
KR1020120061391A KR101319743B1 (ko) 2011-06-10 2012-06-08 포토마스크 기판, 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011130239A JP5497693B2 (ja) 2011-06-10 2011-06-10 フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012256798A JP2012256798A (ja) 2012-12-27
JP2012256798A5 true JP2012256798A5 (ko) 2013-06-27
JP5497693B2 JP5497693B2 (ja) 2014-05-21

Family

ID=47303353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011130239A Active JP5497693B2 (ja) 2011-06-10 2011-06-10 フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5497693B2 (ko)
KR (1) KR101319743B1 (ko)
CN (1) CN102819182B (ko)
TW (1) TWI506355B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6522277B2 (ja) * 2013-11-19 2019-05-29 Hoya株式会社 フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP6415186B2 (ja) * 2014-08-27 2018-10-31 キヤノン株式会社 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法
WO2016112050A1 (en) * 2015-01-05 2016-07-14 Marsupial Holdings Llc Multi-tone amplitude photomask
JP6553887B2 (ja) * 2015-02-19 2019-07-31 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及び表示装置の製造方法
JP6556673B2 (ja) * 2016-07-26 2019-08-07 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2671338B2 (ja) * 1987-12-25 1997-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び基板の姿勢制御方法
JPH02251851A (ja) * 1989-03-24 1990-10-09 Seiko Instr Inc フォトマスク
JP2877190B2 (ja) * 1996-01-09 1999-03-31 日本電気株式会社 X線マスク及びその製造方法
US7026081B2 (en) * 2001-09-28 2006-04-11 Asml Masktools B.V. Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features
TWI250133B (en) * 2002-01-31 2006-03-01 Shinetsu Chemical Co Large-sized substrate and method of producing the same
JP4657591B2 (ja) * 2003-07-25 2011-03-23 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
TWI329779B (en) * 2003-07-25 2010-09-01 Shinetsu Chemical Co Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
JP4362732B2 (ja) * 2005-06-17 2009-11-11 信越化学工業株式会社 フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法
KR100613461B1 (ko) * 2005-06-29 2006-08-17 주식회사 하이닉스반도체 이중노광기술을 이용한 이중노광방법과 이를 위한포토마스크
JP2007199434A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Dainippon Printing Co Ltd プロキシミティ方式の露光方法とそれに用いられるマスク基板、および該マスク基板の作製方法
KR101585696B1 (ko) * 2006-12-15 2016-01-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크 블랭크용의 기능막이 형성된 기판
JP2010054933A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Toshiba Corp 露光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5960198B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
US9620458B2 (en) Photolithography alignment mark structures, semiconductor structures, and fabrication method thereof
JP2012256798A5 (ko)
US8986912B2 (en) Method for generating mask pattern
WO2017038026A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and product manufacturing method
TW200416797A (en) Photo mask manufacturing method and semiconductor manufacturing method
JP6441162B2 (ja) テンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法
CN104102093B (zh) 保持器、光刻装置、平台装置以及制造物品的方法
JP5376987B2 (ja) レチクルの製造方法、および面形状計測装置
KR102126232B1 (ko) 평가 방법, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법
JP6418744B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置およびシステム、ならびに物品製造方法
JP6316036B2 (ja) フォトマスクの製造方法
JP5168190B2 (ja) 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法およびフォトマスク
JP6792669B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP2015002260A5 (ko)
TWI678726B (zh) 圖案化方法、微影蝕刻裝置及物品製造方法
JP2021026157A (ja) 露光装置、物品の製造方法、露光方法、及び記録媒体
JP5642101B2 (ja) ドーズ量の補正マップの作成方法、露光方法及び半導体装置の製造方法
JP2013044970A (ja) マイクロレンズアレイの製造方法及びマイクロレンズアレイ
JP2005331804A (ja) シリンドリカルマイクロレンズアレイ
TWI456269B (zh) 光罩用基板、光罩、光罩之製造方法及圖案轉印方法
CN105388699B (zh) 评价用掩模、评价方法、曝光装置以及物品的制造方法
US8956791B2 (en) Exposure tolerance estimation method and method for manufacturing semiconductor device
KR20170136443A (ko) 리소그래피 방법, 결정 방법, 정보 처리 장치, 기억 매체, 및 물품의 제조 방법
TW201316389A (zh) 用以校正結合至第二晶圓之第一晶圓上之位置偏差之方法