JP2012256798A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007430 reference method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011130239A JP5497693B2 (ja) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
TW101119017A TWI506355B (zh) | 2011-06-10 | 2012-05-28 | 光罩基板、光罩基板之製造方法、光罩基底、光罩、圖案轉印方法、液晶顯示裝置之製造方法及近接空隙評估方法 |
CN201210187324.1A CN102819182B (zh) | 2011-06-10 | 2012-06-07 | 光掩模基板及制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法 |
KR1020120061391A KR101319743B1 (ko) | 2011-06-10 | 2012-06-08 | 포토마스크 기판, 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011130239A JP5497693B2 (ja) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256798A JP2012256798A (ja) | 2012-12-27 |
JP2012256798A5 true JP2012256798A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2013-06-27 |
JP5497693B2 JP5497693B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=47303353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011130239A Active JP5497693B2 (ja) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5497693B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
KR (1) | KR101319743B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
CN (1) | CN102819182B (enrdf_load_stackoverflow) |
TW (1) | TWI506355B (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6522277B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2019-05-29 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
JP6415186B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-10-31 | キヤノン株式会社 | 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法 |
KR20170110593A (ko) * | 2015-01-05 | 2017-10-11 | 마수피얼 홀딩스 아이엔시. | 멀티톤 레벨 포토마스크 |
JP6553887B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2019-07-31 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及び表示装置の製造方法 |
JP6556673B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2671338B2 (ja) * | 1987-12-25 | 1997-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び基板の姿勢制御方法 |
JPH02251851A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-09 | Seiko Instr Inc | フォトマスク |
JP2877190B2 (ja) * | 1996-01-09 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | X線マスク及びその製造方法 |
US7026081B2 (en) * | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
TWI250133B (en) * | 2002-01-31 | 2006-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Large-sized substrate and method of producing the same |
JP4657591B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク用基板の選定方法 |
TWI329779B (en) * | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank substrate, photomask blank and photomask |
JP4362732B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2009-11-11 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法 |
KR100613461B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-08-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중노광기술을 이용한 이중노광방법과 이를 위한포토마스크 |
JP2007199434A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | プロキシミティ方式の露光方法とそれに用いられるマスク基板、および該マスク基板の作製方法 |
WO2008072706A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Asahi Glass Company, Limited | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 |
JP2010054933A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 露光装置 |
-
2011
- 2011-06-10 JP JP2011130239A patent/JP5497693B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-28 TW TW101119017A patent/TWI506355B/zh active
- 2012-06-07 CN CN201210187324.1A patent/CN102819182B/zh active Active
- 2012-06-08 KR KR1020120061391A patent/KR101319743B1/ko active Active
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