JP2012243695A - 分散型el素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分散型EL素子10は、基板1上に形成された透明電極2、発光層3、誘電体層4、および背面電極5を積層して構成される。本発明に係る分散型EL素子では、発光層3と誘電体層4との間に、バインダー6A中に誘電体粉末6Bを分散してなる中間層6が形成されている。中間層6は、誘電体粉末6Bがバインダー4A中に分散混合されたペーストを発光層3上に塗布することにより形成される。
【選択図】図1
Description
片面にITO(酸化インジウムスズ)の透明導電膜(透明電極2)を形成したPETフィルム(基板1)のITO透明導電膜側に発光層3、中間層6、誘電体層4および背面電極5を順次積層することにより、図1に示す構造の分散型EL素子10を作製した。発光層3は、蛍光体粉末(オスラムシルバニア社製GC45)およびフッ素系の樹脂、溶剤を蛍光体と樹脂の重量比が4:1となるように分散混合した蛍光体ペースト((有)イメージテック社製)を透明電極2上に塗布し、焼成後の膜厚が約80μmとなるように成膜した。中間層6は、チタン酸バリウム粉末をフッ素系樹脂中に分散混合した誘電体ペーストを発光層3上に均一に塗布して形成した。フッ素系樹脂に対するチタン酸バリウムの混合率は体積比で5〜20%の範囲とし、中間層6の膜厚は1〜10μmとした。誘電体層4はチタン酸バリウム粉末とフッ素系樹脂を重量比3:1(体積比1:1)で混合した誘電体ペーストを中間層6上に塗布し、焼成後の膜厚が約30μmとなるように成膜した。背面電極5は、アルミニウムを、誘電層4上に真空成膜することで形成した。
実施例2の分散型EL素子は、実施例1の分散型EL素子に対して中間層6の誘電体材料が異なるものである。中間層6は、酸化チタン粉末をフッ素系樹脂中に分散混合した誘電体ペーストを発光層3上に均一に塗布して形成される。フッ素系樹脂に対する酸化チタンの混合率は体積比で2〜25%の範囲とし、それ以外は実施例1と同様の方法で図1に示すような分散型EL素子10を作製した。
比較例1の分散型EL素子は、図7に示すように、誘電体粉末を含まないフッ素系樹脂のみから成る中間層106を有する従来の分散型EL素子である。中間層6は、フッ素系樹脂のみのペーストを発光層3上に塗布して形成される。中間層6の膜厚は1〜3μmとした。それ以外は、実施例1と同様にして図7に示すような分散型EL素子210を作製した。
比較例2の分散型EL素子は、比較例1と同様の構成を備えた従来の分散型EL素子210において、中間層106の膜厚を厚くしたものである。すなわち、比較例1の分散型EL素子の製造工程において、フッ素系樹脂ペーストの塗布工程を増やし、中間層106を厚くした。それ以外は、比較例1と同様にして図7に示すような分散型EL素子210を作製した。
比較例3の分散型EL素子は、図5に示すように、中間層をもたない従来の分散型EL素子である。すなわち、実施例1の分散型EL素子の製造工程において、誘電体層4はチタン酸バリウム粉末とフッ素系樹脂を重量比3:1(体積比1:1)で混合した誘電体ペーストを発光層3上に塗布し、焼成後の膜厚が約30μmとなるように成膜した。それ以外は、実施例1と同様にして図5に示すような分散型EL素子110を作製した。
中間層中のチタン酸バリウム粉末の混合率の異なる実施例1の分散型EL素子の3つのサンプル(バインダーに対する体積比で、5%、10%および20%)および中間層中の酸化チタン粉末の混合率の異なる実施例2の分散型EL素子の4つのサンプル(バインダーに対する体積比で、2%、5%、15%および25%)を用意し、発光均一性を5段階の指標(図2参照。)で評価した。その結果を表1に示す。比較のため、中間層をもたない比較例3の分散型EL素子でも評価を行った。
中間層中のチタン酸バリウム粉末の混合率の異なる実施例1の分散型EL素子の3つのサンプル(バインダーに対する体積比で、10%、15%および25%)および中間層中の酸化チタン粉末の混合率の異なる実施例2の分散型EL素子の3つのサンプル(バインダーに対する体積比で、5%、15%および25%)を用意し、輝度および発光効率を測定した。その結果を図3、図4にそれぞれ示す。比較のため、中間層がフッ素系樹脂のみから成る比較例1、2の分散型EL素子でも測定を行った。測定は各サンプルについて正弦波駆動、周波数2kHzで電圧を変えて行った。
実施例3の分散型EL素子は、実施例1の分散型EL素子に対して透明電極2の表面状態が異なるものである。すなわち、実施例1の分散型EL素子の製造過程において、発光層3を形成する前にあらかじめ透明電極2表面に紫外線照射処理を施しておく。それ以外は、実施例1と同様にして図1に示すような分散型EL素子10を作製した。この実施例3の分散型EL素子では、発光均一性が向上した。この原因として、紫外線照射処理により透明電極2表面の親油性が向上し、透明電極2上に形成される発光層3の密着性が向上したためと考えられる。
2−透明電極
3−発光層
4−誘電体層
5−背面電極
6−中間層
6A−バインダー
6B−誘電体粉末
10−分散型EL素子
Claims (6)
- 基板上に形成された透明電極と、発光層と、誘電体層と、背面電極とを積層して構成される分散型EL素子において、前記発光層と前記誘電体層との間に、バインダー中に誘電体粉末を分散してなる中間層が形成された分散型EL素子。
- 前記誘電体層が、バインダー中に誘電体粉末を分散してなり、前記中間層中の前記誘電体粉末の混合率は、前記誘電体層のそれに比べて低い請求項1に記載の分散型EL素子。
- 前記誘電体粉末が、酸化チタン、チタン酸バリウム、ジルコニア、イットリア、チタン酸ストロンチウム、または酸化タンタルのいずれかの酸化物誘電体の粉末である請求項1に記載の分散型EL素子。
- 前記バインダーが、フッ素系樹脂である請求項1〜3のいずれかに記載の分散型EL素子。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の分散型EL素子の製造方法において、前記中間層は、前記誘電体粉末がバインダー中に分散混合されたペーストを前記発光層上に塗布することにより形成される分散型EL素子の製造方法。
- 前記発光層を形成する前にあらかじめ透明電極表面に紫外線照射処理を施す請求項5に記載の分散型EL素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012243695A true JP2012243695A (ja) | 2012-12-10 |
JP2012243695A5 JP2012243695A5 (ja) | 2014-05-08 |
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JP (1) | JP5744621B2 (ja) |
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