JP2012222125A - 光半導体装置およびその製造方法、それを使う装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】封止樹脂の光出射面又は光入射面に未変色感熱部によって極性を表示する手段を形成する。未変色感熱部は、実装後の工程によって感熱部の色が消える又は薄くなるため、実質的に発光機能又は受光機能に影響を与えない。
【選択図】図4
Description
2 配線パターン
3 光半導体素子
4 ワイヤ
5 封止樹脂
6 感熱部
6a 変色済感熱部
6b 未変色感熱部
7 下面側配線パターン
Claims (4)
- 配線基板と、
前記配線基板上に配置された光半導体素子と、
前記光半導体素子を覆い、かつ、光出射面又は光入射面を有する封止樹脂と、
前記封止樹脂の光出射面又は光入射面の一部を覆い、かつ、リフロー時の温度未満の環境において有色であって、リフロー時の温度以上の環境において不可逆的に色が消える又は色が薄くなる性質を持つ未変色感熱部によって極性を表示する光半導体装置。 - 配線基板の上に光半導体素子を配置する工程と、
前記光半導体素子を封止樹脂で覆う工程と、
前記封止樹脂の光出射面又は光入射面の一部に、リフロー時の温度未満の環境において有色であって、リフロー時の温度以上の環境において不可逆的に色が消える又は色が薄くなる性質を持つ未変色感熱部を形成することによって極性を表示する工程と、を有する光半導体装置の製造方法。 - 前記未変色感熱部を形成することによって極性を表示する工程は、
前記光出射面又は光入射面に感熱部を形成する工程と、
前記感熱部の一部に熱を加えて不可逆的に色を消す又は色を薄くすることによって変色済感熱部を形成しつつ、前記感熱部の他の一部に熱を加えずに未変色のまま残す工程と、を含む請求項2に記載の光半導体装置の製造方法。 - 封止樹脂の光出射面又は光入射面上に未変色感熱部によって極性を表示された光半導体装置を実装基板上に配置する工程と、
前記実装基板をリフローにかけて光半導体装置を半田で固定し、かつ、前記未変色感熱部を消色化又は薄色化する工程と、を有する装置製造方法。
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