JP2012215741A - マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム - Google Patents
マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012215741A JP2012215741A JP2011081632A JP2011081632A JP2012215741A JP 2012215741 A JP2012215741 A JP 2012215741A JP 2011081632 A JP2011081632 A JP 2011081632A JP 2011081632 A JP2011081632 A JP 2011081632A JP 2012215741 A JP2012215741 A JP 2012215741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask
- mask pattern
- reference layer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】設計データの所定のレイヤーが、重ね合わせする際の基準となる基準層であるか否かを選定する工程と、基準層であると選定したレイヤーにおいて、マスク描画の座標基準として基準格子を選択し、基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、作製された基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する工程と、を有し、基準層でないと選定したレイヤーのマスク描画の座標基準として前記第2の基準格子を選択し、基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
次に、従来のマスクパターンデータ生成方法と比較しながら、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
図1の本発明のマスク製造フロー図を用いて説明する。まず、図1に示すように、半導体デバイスの設計データを準備した(S10)。この半導体デバイスは、アクティブ層、ゲート層、配線層、コンタクトホール層などの複数の層から構成されており、上記の設計データのアクティブ層のレイヤーを、複数のレイヤーを重ね合わせ(アライメント)する際の基準となる基準層として選定した(S11)。他の層は基準層でないレイヤーとした。
一方、比較のために、従来のマスクパターンデータ生成方法を含むマスク製造手順として、図7に示すフロー図に基づいてマスクを作製した。設計データは実施例と同じデータを用い、比較のために実施例と同じく、第1のマスクパターンとしてアクティブ層レイヤー、第2のマスクパターンとしてゲート層レイヤーとした。描画座標基準としては標準的な座標基準格子(理想格子)を選択し、また作製されたマスクの位置精度測定には、上記の標準的な座標基準格子を用い、実施例と同様に複数のレイヤーのマスクを作製した。
表3は、表1に示した本発明のパターンデータ生成方法を用いた実施例と、表2に示した従来技術の基準格子によるパターンデータ生成方法を用いた比較例との、転写時のX座標とY座標の位置誤差(nm)を比較したものである。
22 位置測定点
23 位置誤差
24 第2の基準格子(実効基準格子)
51 基準格子
52 位置測定点
81 基準格子
82 位置測定点
91 基準格子
92 位置測定点
181 基準格子
182a、182b 位置測定点
183 位置誤差
191 ウェハ
194 アパーチャ
195 レンズ
196 マスク
197 縮小レンズ
Claims (6)
- 半導体デバイスの設計データからマスク作製に必要な複数のレイヤーのマスクパターンデータを生成するマスクパターンデータ生成方法であって、
前記設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定する工程と、
前記基準層であると選定したレイヤーにおいて、
前記基準層であるレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記基準層であるレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択し、前記基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、
前記マスク描画データを用いて、所定のマスクブランクに前記基準層であるレイヤーのマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、前記基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、
前記作製されたマスクの前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する工程と、を有し、
前記基準層でないと選定したレイヤーにおいて、
前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を用い、前記基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記第2の基準格子を選択し、前記基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、
を含むことを特徴とするマスクパターンデータ生成方法。 - 前記基準層であると選定したレイヤーが、前記半導体デバイスの設計データの中の2層であることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターンデータ生成方法。
- 前記基準層が、同一レイヤーの複数枚の基準層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクパターンデータ生成方法。
- 請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターンデータ生成方法を用い、
前記基準層でないレイヤーの前記変換されたマスク描画データを用いて、所定のマスクブランクに前記基準層でないレイヤーのマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、前記基準層でないレイヤーのマスクを作製し、
前記作製された前記基準層でないレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記第2の基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とすることを特徴とするマスクの製造方法。 - 請求項4に記載のマスクの製造方法を用いて作製されたマスクであって、前記基準層でないと選定したレイヤーのマスクの重ね合わせ精度が、前記第2の基準格子を基準として測定されたものであることを特徴とするマスク。
- 半導体デバイスの設計データからマスク作製に必要な複数のレイヤーのマスクパターンデータを生成するマスクパターンデータ生成プログラムであって、
前記設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定する手順と、
前記基準層であると選定したレイヤーにおいて、
前記基準層であるレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記基準層であるレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択し、前記基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する手順と、
前記マスク描画データを用いて、前記基準層であるレイヤーのマスクを作製し、
前記作製されたマスクの前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する手順と、を有し、
前記基準層でないと選定したレイヤーにおいて、
前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を用い、前記基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記第2の基準格子を選択し、前記基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する手順と、
前記基準層でないレイヤーのマスク描画データを用いて、前記基準層でないレイヤーのマスクを作製し、
前記作製されたマスクのパターンの位置精度を測定し、前記第2の基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とする手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするパターンデータ生成プログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081632A JP5703910B2 (ja) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081632A JP5703910B2 (ja) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012215741A true JP2012215741A (ja) | 2012-11-08 |
JP5703910B2 JP5703910B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=47268553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011081632A Active JP5703910B2 (ja) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5703910B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102529563B1 (ko) | 2015-08-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 마스크 오차 측정 장치 및 마스크 오차 측정 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307424A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および製造装置、ならびにそれにより製造された半導体デバイス |
JP2001318455A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2005183746A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 重ね合わせ測定パターンおよび重ね合わせ補正方法 |
JP2009217010A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | フォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-04-01 JP JP2011081632A patent/JP5703910B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307424A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および製造装置、ならびにそれにより製造された半導体デバイス |
JP2001318455A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2005183746A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 重ね合わせ測定パターンおよび重ね合わせ補正方法 |
JP2009217010A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | フォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5703910B2 (ja) | 2015-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4488822B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品 | |
JP4675854B2 (ja) | パターン評価方法と評価装置及びパターン評価プログラム | |
US20120244459A1 (en) | Method for evaluating overlay error and mask for the same | |
JP5792431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013222811A (ja) | Euvマスクブランクス、マスクの製造方法、及びアライメント方法 | |
US20090119635A1 (en) | Mask pattern correction method for manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
JP5082902B2 (ja) | フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク | |
JP5136745B2 (ja) | 多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法 | |
TWI421908B (zh) | 光學鄰近校正模型的建立方法 | |
JP5703910B2 (ja) | マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成プログラム | |
US20090233187A1 (en) | Designing method of photo-mask and method of manufacturing semiconductor device using the photo-mask | |
US8603707B2 (en) | Exposure method and exposure mask | |
JP5421054B2 (ja) | マスクパターン検証装置、マスクパターン検証方法及びその方法を用いた半導体装置の製造方法 | |
JP5356089B2 (ja) | エッチング近接効果補正モデルの作成方法、エッチング近接効果補正モデル、マスクパターンの補正方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
JP5123059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010217428A (ja) | パターン検証方法、検証装置及びプログラム | |
JP6316036B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
JP2013055306A (ja) | 半導体装置の製造方法および露光補正方法 | |
JP2005175270A (ja) | 位置ずれ検出用マーク | |
JP2006337668A (ja) | 半導体装置の製造方法およびレイアウトパターンの作成プログラム | |
JP6021444B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画データ作成装置 | |
JP4774917B2 (ja) | マスクパターンの検査装置及び検査方法 | |
TW201502694A (zh) | 使基板缺陷減到最少的雙遮罩光微影方法 | |
JP4563101B2 (ja) | マスクパターンデータ補正方法 | |
JP2010038944A (ja) | フォトマスクの製造方法及びこのフォトマスクを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20130823 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5703910 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |