JP2012209356A - 電子部品内蔵基板、複合モジュール、および電子部品内蔵基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電子部品内蔵基板100は、可撓性を有し、両主面にそれぞれ電極2が形成されたフレキシブル基板1と、電極2に、それぞれ実装された電子部品4、5、6と、フレキシブル基板1の両主面に、それぞれ、電子部品4、5、6を覆って形成された樹脂層7とを備え、フレキシブル基板1は屈曲部Bを有するようにした。
【選択図】 図1
Description
図1(A)〜(C)に、本発明の第1実施形態にかかる電子部品内蔵基板100を示す。上述したとおり、図1(A)〜(C)は、それぞれ、製造する際に適用される工程を示す。なお、図1(C)は、電子部品内蔵基板100の完成図でもある。
図3(D)〜図4(G)に、本発明の第2実施形態にかかる電子部品内蔵基板200を示す。ただし、図3(D)〜図4(G)は、それぞれ、製造する際に適用される工程を示す。なお、図4(G)は、電子部品内蔵基板200の完成図でもある。
樹脂層7の表面からフレキシブル基板1に形成された電極2に至るビア8a’と、樹脂層7の表面から電子部品4の端子電極4aに至るビア8b’を形成する。次に、薬液を用いてデスミア処理をおこない、ビア8a’、8b’内から樹脂などの残渣を除去する。
図5に、本発明の第3実施形態にかかる複合モジュール300を示す。
2:電極(フレキシブル基板1に形成されたもの)
3:導電ビア(フレキシブル基板1に形成されたもの)
4:電子部品(厚みの大きなもの)
5、6、15:電子部品(電子部品4に比べて厚みの小さなもの)
7:樹脂層
8a’、8b’:ビア
8a、8b:ビア導体
9’:金属箔
9:表面電極
B:屈曲部
Claims (5)
- 可撓性を有し、両主面にそれぞれ電極が形成されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の両主面に形成された前記電極に、それぞれ実装された電子部品と、
前記フレキシブル基板の両主面に、それぞれ、前記電子部品を覆うように形成された樹脂層と、を備えた電子部品内蔵基板であって、
前記フレキシブル基板が、前記電子部品が実装されていない領域において、屈曲部を有してなる電子部品内蔵基板。 - 前記樹脂層の表面と前記フレキシブル基板の前記電極との間、および、前記樹脂層の表面と前記電子部品の端子電極との間の少なくとも一方に、導電ビアが形成されてなる、請求項1に記載された電子部品内蔵基板。
- 請求項1または2に記載された電子部品内蔵基板の少なくとも一方の主面に、さらに電子部品が実装されてなる複合モジュール。
- 可撓性を有し、両主面にそれぞれ電極が形成されたフレキシブル基板を準備する工程と、
前記フレキシブル基板の両主面に形成された前記電極に、それぞれ、電子部品を実装する工程と、
前記フレキシブル基板の両主面に、それぞれ、熱硬化性樹脂からなる樹脂層を配置し、前記樹脂層の両主面側から加圧して、前記樹脂層が前記電子部品を覆った、前記フレキシブル基板と前記樹脂層との積層体を形成する工程と、
前記積層体を加熱して、硬化させる工程とを備え、
前記フレキシブル基板が、前記電子部品が実装されていない領域において、屈曲部を有してなる電子部品内蔵基板の製造方法。 - 前記樹脂層を硬化させる工程の後に、
前記樹脂層の表面と前記フレキシブル基板の前記電極との間、および、前記樹脂層の表面と前記電子部品の端子電極との間の少なくとも一方に、ビアを形成する工程と、
前記ビアに導電物質を充填して、導電ビアを形成する工程とをさらに備えた、請求項4に記載された電子部品内蔵基板の製造方法。
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JP2011072609A JP2012209356A (ja) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | 電子部品内蔵基板、複合モジュール、および電子部品内蔵基板の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112770478A (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-07 | 联想(新加坡)私人有限公司 | 电子基板以及电子基板的制造方法 |
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JPH04192397A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
JPH05267502A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂成形品 |
JPH06112369A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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