JP2012195510A5 - - Google Patents

Description

本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラーと活性層と選択酸化層と上部反射ミラーとを含む積層体と、前記積層体の表面に形成された表面レリーフ構造と、を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、下部反射ミラーと活性層と選択酸化層と上部反射ミラーとを含む積層体を形成する工程と、前記積層体の上に、マスク膜を形成する工程と、前記マスク膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを形成する工程と、前記第１のパターンと前記第２のパターンが形成された前記マスク膜の上と前記第１のパターンと前記第２のパターンに対応する前記積層体の上に、保護膜を形成する工程と、前記第２のパターンに対応する前記積層体の上の前記保護膜を残して、前記第１のパターンに対応する積層体の上の前記保護膜を除去する工程と、前記保護膜が除去された前記マスク膜の前記第１のパターンを用いて、前記メサ構造を形成する工程と、前記メサ構造を形成する工程の後に、前記選択酸化層を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する工程と、前記電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記第２のパターンに対応する前記積層体の上の前記保護膜を除去する工程と、前記保護膜が除去された前記マスク膜の前記第２のパターンを用いて、前記積層体の表面に前記表面レリーフ構造を形成する工程と、を有することを特徴とする。

次に、図３（ｃ）に示すように、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウエットエッチングにより、第一のレジストパターン２２４を第一の誘電体膜２２２に転写する。
なお、この転写はウエットエッチングによるだけでなく、ドライエッチングによって行ってもよい。
この際に、第一の誘電体膜２２２には、中心軸が同一である大小二つの異なる環状の開口パターンによる前記第１のパターンと第２のパターンが形成されるように転写される。
上記バッファードフッ酸を用いたウエットエッチングを行った後に、第一のレジストパターン２２４除去する。
次に、図３（ｄ）に示すように、第１のパターン２２６及び第２のパターン２２８が形成された第一の誘電体膜２２２を有した積層された半導体層上に、ＣＶＤ成膜技術を用いて第二の誘電体膜２３０を成膜する。
この第二の誘電体膜２３０は、表面レリーフ構造を保護するための層であり、例えば２００ｎｍで形成する。
第二の誘電体膜２３０としては、例えばシリコンオキサイド膜、シリコンナイトライド膜、シリコンオキシナイトライド膜が挙げられる。
このように、本実施例では、表面レリーフ構造は第二の誘電体膜２３０で保護されているため、後の工程（図５（ａ））でレジストを除去するための酸素プラズマアッシングを実施しても、表面レリーフ構造表面への損傷を低減することができる。
ところで、この工程においては、第一の誘電体膜２２２に形成した第１のパターン２２６を覆うように第二の誘電体膜２３０が形成され、フォトリソグラフィにより決定したパターン形状が変化してしまうことになる。
しかし、第二の誘電体膜２３０は例えばプラズマＣＶＤ法を用いて成膜するため、第二の誘電体膜２３０は第一の誘電体膜２２２に形成した第１のパターン２２６の側壁に、第一の誘電体膜２２２の膜厚より薄い均一な厚さで成膜される。
このため、メサ構造を画定するための第１のパターン２２６の幅は狭まるが、均一な膜厚の第二の誘電体膜２３０が等方的に成膜されることから、後の工程（図４（ｄ））のメサ構造の形成に際し、ドライエッチングにおいて支障をきたすことは少ない。

Claims (5)

1. 基板上に、下部反射ミラーと活性層と選択酸化層と上部反射ミラーとを含む積層体と、前記積層体の表面に形成された表面レリーフ構造と、を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、
   下部反射ミラーと活性層と選択酸化層と上部反射ミラーとを含む積層体を形成する工程と、
   前記積層体の上に、マスク膜を形成する工程と、
   前記マスク膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを形成する工程と、
   前記第１のパターンと前記第２のパターンが形成された前記マスク膜の上と前記第１のパターンと前記第２のパターンに対応する前記積層体の上に、保護膜を形成する工程と、
   前記第２のパターンに対応する前記積層体の上の前記保護膜を残して、前記第１のパターンに対応する積層体の上の前記保護膜を除去する工程と、
   前記保護膜が除去された前記マスク膜の前記第１のパターンを用いて、前記メサ構造を形成する工程と、
   前記メサ構造を形成する工程の後に、前記選択酸化層を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する工程と、
   前記電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記第２のパターンに対応する前記積層体の上の前記保護膜を除去する工程と、
   前記保護膜が除去された前記マスク膜の前記第２のパターンを用いて、前記積層体の表面に前記表面レリーフ構造を形成する工程と、
   を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
2. 前記保護膜は、前記マスク膜よりも薄い膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザの製造方法。
3. 前記保護膜を形成する工程において、前記保護膜は前記マスク膜の側壁にまで形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザの製造方法。
4. 前記第１のパターンの中心軸と前記第２のパターンの中心軸とが一致していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光レーザの製造方法。
5. 複数の面発光レーザを有する面発光レーザアレイの製造方法であって、
   前記複数の面発光レーザの少なくとも一つの面発光レーザを、請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザの製造方法を用いて製造することを特徴とする面発光レーザアレイの製造方法。