JP2012194564A - 表示装置及びマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるTFTパネルの製造では、半導体パターンとTFTのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。一方、画素電極の直下に形成される絶縁膜のパターニングには別のマスクを利用する。ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。ストレージ電極の上方を覆う絶縁膜の領域は薄い一部を残して感光させる。ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。その後、絶縁膜のその薄い一部を画素電極の一部に置換し、保護された誘電膜を隔ててストレージ電極と対向させる。
【選択図】図2
Description
基板の上に形成されているストレージ電極、
前記ストレージ電極上に形成された第1誘電膜、
前記第1誘電膜の上に配置されるドレイン電極、
前記第1誘電膜上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させている第1コンタクトホールを有する第2誘電膜、
前記第2誘電膜上に形成され、前記第1コンタクトホールに対応する第2コンタクトホール、及び前記第2誘電膜のうちストレージ電極の上部に位置する部分を露出させる第3コンタクトホールを有する絶縁層、並びに、
前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記ストレージ電極の上部の前記第3コンタクトホールに位置して前記ストレージ電極と向かい合っているストレージ電極部を含む画素電極を含み、
前記ストレージ電極、前記第1誘電膜、前記第2誘電膜及び前記画素電極の前記ストレージ電極部は互いに重なってストレージキャパシタを構成する。
基板と第1誘電膜との間に形成されているストレージ電極、
前記第1誘電膜上に配置されるドレイン電極、
前記第1誘電膜上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させている第1コンタクトホールを有し、前記ストレージ電極の上方に位置する表面積増加部を含む第2誘電膜、
前記第2誘電膜上に形成され、前記第1コンタクトホールに対応する第2コンタクトホール、及び前記表面積増加部の一部を露出させる第3コンタクトホールを有する絶縁層、
並びに、
前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記ストレージ電極の上部の前記表面積増加部の上部に位置して前記ストレージ電極と向かい合っているストレージ電極部を含む画素電極を含み、
前記ストレージ電極、前記第1誘電膜、前記第2誘電膜及び前記画素電極の前記ストレージ電極部は、互いに重なってストレージキャパシタを構成する。
前記信号出力ユニットのドレイン電極を覆っている前記絶縁層の第1部分を第1光量で露光する第1光透過部と、前記第1部分の周辺を囲んでいる前記絶縁層の第2部分を前記第1光量より小さい第2光量で露光する第2光透過部とを含む第1露光部、及び
前記ストレージ電極を覆っている前記絶縁層の第3部分を、前記第1光量よりは小さく、一方、前記第2光量よりは大きい第3光量で露光する第3光透過部、を含む第2露光部、を有する。
信号出力ユニットとストレージ電極を覆う絶縁層をパターニングするためのマスクであって、
複数のスリットを含み、前記信号出力ユニットのドレイン電極を覆っている前記絶縁層の領域を露光するスリット露光部、及び
前記ストレージ電極を覆っている前記絶縁層の領域を均一に露光して一定の厚みまで感光させる光吸収−透過部を有する。
図37、38に示されているマスク70が用いられても良い。すなわち、このマスク70は、
図38に示されているように、薄膜トランジスタのドレイン電極77h及びストレージ電極77bのそれぞれの上方での絶縁膜77e(フォトレジストフィルム)のパターニングで使用される。
する。それにより、図44に示されている通り、第2誘電膜F2の上に絶縁パターンIP1が形成される。絶縁パターンIP1には特に、第1開口部FO及び第2開口部SOが形成される。第2開口部SOの内側の絶縁パターンIP1には薄い残留膜Lが形成されている。好ましくはその残留膜Lの厚みが第2誘電膜F2の厚みと実質的に等しい。その残留膜Lが、ストレージ電極SEPの上方を覆っている第2誘電膜F2の部分を、意図しないエッチングから保護する。
ついては、図15に示されている工程の説明を援用する。
12 マスク本体
14 第1露光部
14a 第1光透過部
14b 第2光透過部
16 第2露光部
16a 第3光透過部
20 ストレージ電極
40 ドレイン電極
50 誘電膜
60 絶縁膜
100 薄膜トランジスタパネル
110 基板
120 ストレージ電極
122 モリブデンパターン
124 アルミニウムパターン
125 信号出力ユニット
130 誘電膜
140 ドレイン電極
150 誘電パターン
160 絶縁パターン
170 画素電極
Claims (17)
- 基板の上に形成されているストレージ電極、
前記ストレージ電極上に形成された第1誘電膜、
前記第1誘電膜の上に配置されるドレイン電極、
前記第1誘電膜上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させている第1コンタクトホールを有する第2誘電膜、
前記第2誘電膜上に形成され、前記第1コンタクトホールに対応する第2コンタクトホール、及び前記第2誘電膜のうちストレージ電極の上部に位置する部分を露出させる第3コンタクトホールを有する絶縁層、並びに、
前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記ストレージ電極の上部の前記第3コンタクトホールに位置して前記ストレージ電極と向かい合っているストレージ電極部を含む画素電極を含み、
前記ストレージ電極、前記第1誘電膜、前記第2誘電膜及び前記画素電極の前記ストレージ電極部は互いに重なってストレージキャパシタを構成する表示装置。 - 前記第1コンタクトホールの内壁が階段状である請求項1に記載の表示装置。
- 前記内壁の段差が前記絶縁膜の最大厚の半分と等しい請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1コンタクトホールの位置は、前記第2コンタクトホールの位置と同じである請求項1から3のいずれか1つに記載の表示装置。
- 前記絶縁パターンが有機物及び感光物質を含む請求項1に記載の表示装置。
- 前記第3コンタクトホールの幅は前記ストレージ電極の幅より狭い請求項1から5のいずれか1つに記載の表示装置。
- 基板と第1誘電膜との間に形成されているストレージ電極、
前記第1誘電膜上に配置されるドレイン電極、
前記第1誘電膜上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させている第1コンタクトホールを有し、前記ストレージ電極の上方に位置する表面積増加部を含む第2誘電膜、
前記第2誘電膜上に形成され、前記第1コンタクトホールに対応する第2コンタクトホール、及び前記表面積増加部の一部を露出させる第3コンタクトホールを有する絶縁層、
並びに、
前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記ストレージ電極の上部の前記表面積増加部の上部に位置して前記ストレージ電極と向かい合っているストレージ電極部を含む画素電極を含み、
前記ストレージ電極、前記第1誘電膜、前記第2誘電膜及び前記画素電極の前記ストレージ電極部は、互いに重なってストレージキャパシタを構成する表示装置。 - 前記表面積増加部が、前記誘電パターンの表面の窪みを含む請求項7に記載の表示装置。
- 前記表面積増加部は波形状である請求項7に記載の表示装置。
- 前記表面積増加部が、前記誘電パターンの表面で交互に連なる複数のグルーブと複数の突起とを含む凸凹である請求項7に記載の表示装置。
- 前記画素電極が透明電極である請求項7から10のいずれか1つに記載の表示装置。
- 信号出力ユニットとストレージ電極を覆う絶縁層をパターニングするためのマスクであって、
前記信号出力ユニットのドレイン電極を覆っている前記絶縁層の第1部分を第1光量で露光する第1光透過部と、前記第1部分の周辺を囲んでいる前記絶縁層の第2部分を前記第1光量より小さい第2光量で露光する第2光透過部とを含む第1露光部、及び
前記ストレージ電極を覆っている前記絶縁層の第3部分を、前記第1光量よりは小さく、一方、前記第2光量よりは大きい第3光量で露光する第3光透過部、を含む第2露光部、を有するマスク。 - 前記第2光透過部が、前記第1光透過部と同心の閉ループ形状である請求項12に記載のマスク。
- 前記第3光透過部が、所定の間隔に連なる複数の帯形状である請求項12に記載のマスク。
- 信号出力ユニットとストレージ電極を覆う絶縁層をパターニングするためのマスクであって、
複数のスリットを含み、前記信号出力ユニットのドレイン電極を覆っている前記絶縁層の領域を露光するスリット露光部、及び
前記ストレージ電極を覆っている前記絶縁層の領域を均一に露光して一定の厚みまで感光させる光吸収−透過部を有するマスク。 - 前記スリットが閉ループ形状である請求項15に記載のマスク。
- 波長193nm〜436nmの光に対して、前記光吸収−反射部の透過率が20%〜70%である。請求項16に記載のマスク。
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