JP2012182427A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板101の撮像領域103及び周辺領域104に第1導波路部材118を形成する。第1導波路部材118の周辺領域104に配された部分を除去する。その後、第1導波路部材118の半導体基板101とは反対側の面を平坦化する平坦化工程を行う。
【選択図】 図2
Description
図2(b)の工程、すなわち第1導波路部材118が平坦化された後に、第1導波路部材118の周辺領域104に形成された部分を除去する工程を行ってもよい。特にこの工程では、プラグ121が配される位置、及びプラグ121が配される位置から所定の距離以内に配された第1導波路部材118を除去することが好ましい。その後、第6層間絶縁膜119を形成する。
実施例2では、第2導波路部材122を形成した後に、図4(c)で示される平坦化の工程を行った。しかし、図4(a)の工程の後に平坦化を行い、その後第2導波路部材122を形成してもよい。
101 半導体基板
103 撮像領域
104 周辺領域
105 光電変換部
113a〜113e 第1〜第5層間絶縁膜
116 開口
118 第1導波路部材
Claims (14)
- 第1領域及び第2領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1領域の上、及び前記第2領域の上に配された絶縁体と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁体の前記第1領域の上に配された部分に複数の第1開口を形成し、前記絶縁体の前記第2領域の上に配された部分に前記複数の第1開口の密度よりも低い密度で複数の第2開口を形成する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記複数の第1開口の各々の内部、及び前記絶縁体の上に第1部材を形成する第2工程と、
前記第1部材のうち前記第2領域の上に配された部分であって、前記絶縁体の上に配された部分の少なくとも一部を除去する第3工程と、
前記第3工程の後に、前記第1領域の上の露出面、及び前記第2領域の上の露出面を平坦化する第4工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1領域及び第2領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1領域の上、及び前記第2領域の上に配された絶縁体と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁体の前記第1領域の上に配された部分に複数の第1開口を形成し、前記絶縁体の前記第2領域の上に配された部分には開口を形成しない第1工程と、
前記第1工程の後に、前記複数の第1開口の各々の内部、及び前記絶縁体の上に第1部材を形成する第2工程と、
前記第1部材のうち前記第2領域の上に配された部分の少なくとも一部を除去する第3工程と、
前記第3工程の後に、前記第1領域の上の露出面、及び前記第2領域の上の露出面を平坦化する第4工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の光電変換部が配された第1領域、及び前記複数の光電変換部からの信号を処理する回路が配された第2領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1領域の上、及び前記第2領域の上に配された絶縁体と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁体の前記複数の光電変換部の各々と重なる位置に複数の第1開口を形成する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記複数の第1開口の各々の内部、及び前記絶縁体の上に第1部材を形成する第2工程と、
前記第1部材のうち前記第2領域の上に配された部分の少なくとも一部を除去する第3工程と、
前記第3工程の後に、前記第1領域の上の露出面、及び前記第2領域の上の露出面を平坦化する第4工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程と前記第4工程との間に、前記第1部材の上に第2部材を形成する第5工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程における前記第1領域の上の前記露出面、及び前記第2領域の上の前記露出面は、前記第2部材の前記半導体基板とは反対側の面であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程の後に、前記第1部材の前記第2領域の上に配された部分、及び前記第2部材の前記第2領域の上に配された部分を除去する第6工程をさらに含むことを特徴とする請求項4または請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程の後に、前記第2部材の前記第2領域の上に配された部分を除去する第6工程をさらに含むことを特徴とする請求項4または請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程の後に、前記第1部材の上に第2部材を形成する第5工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第5工程の後に、前記第1部材の前記第2領域の上に配された部分、及び前記第2部材の前記第2領域の上に配された部分を除去する第6工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1部材及び前記第2部材が同じ材料で構成されることを特徴とする請求項4乃至請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程の後に、前記第1部材の前記第2領域の上に配された部分を除去する第6工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3工程において、前記第1部材のうち前記第2領域の上に配された前記部分はエッチングによって除去され、
前記第3工程の後に、前記第1部材のうち前記第2領域の上に配された前記部分の一部が
前記絶縁体の上に残ることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁体は複数の絶縁膜から形成され、
前記複数の第1開口は、前記複数の絶縁膜を貫通していることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程において、前記絶縁体の前記第2領域に配された部分には開口が形成されないことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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