JP2012165618A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御回路は、正常時のミラー期間Tmの終了時t4におけるIGBT110dのゲート電圧がミラー電圧Vmより高い場合、電流制御用FET121aのショート故障、又は、電流検出用抵抗121bのショート故障が発生していると判断する。具体的には、IGBT110dのゲート電圧の立ち上がり時t2を基準として、所定時間T1経過後のt4におけるIGBT110dのゲート電圧に基づいて異常を検出する。これにより、電流制御用FET121a又は電流検出用抵抗121bの異常を検出するころができる。
【選択図】図4
Description
まず、図1を参照して第1実施形態のモータ制御装置の構成について説明する。ここで、図1は、第1実施形態におけるモータ制御装置の回路図である。
次に、第2実施形態のモータ制御装置について説明する。第2実施形態のモータ制御装置は、第1実施形態のモータ制御装置が、ミラー期間終了の所定時におけるIGBTのゲート電圧に基づいて異常を検出するのに対して、ミラー期間中の所定時におけるIGBTのゲート電圧に基づいて異常を検出するようにしたものである。第2実施形態のモータ制御装置は、制御回路の異常検出動作を除いて第1実施形態のモータ制御装置と同一構成である。
次に、第3実施形態のモータ制御装置について説明する。第3実施形態のモータ制御装置は、第1実施形態のモータ制御装置が、所定時におけるIGBTのゲート電圧に基づいて異常を検出するのに対して、IGBTのゲート電圧が所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出するようにしたものである。第3実施形態のモータ制御装置は、制御回路の異常検出動作を除いて第1実施形態のモータ制御装置と同一構成である。
次に、第4実施形態のモータ制御装置について説明する。第4実施形態のモータ制御装置は、第3実施形態のモータ制御装置が、IGBTのゲート電圧がミラー電圧より高い所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出するのに対して、IGBTのゲート電圧が0Vより高く、かつ、ミラー電圧以下である所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出するようにしたものである。第3実施形態のモータ制御装置は、制御回路の異常検出動作を除いて第3実施形態のモータ制御装置と同一構成である。
Claims (16)
- 制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の制御端子に接続され、前記スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込み電荷を充電するオン駆動用定電流回路と、
前記スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ駆動用スイッチング素子と、
入力される駆動信号に基づいて前記オン駆動用定電流回路と前記オフ駆動用スイッチング素子を制御することで、前記スイッチング素子の制御端子の電圧を制御して前記スイッチング素子を駆動する制御回路と、
を備えた電子装置において、
前記オン駆動用定電流回路は、
前記スイッチング素子の制御端子に流し込む電流を制御する電流制御用トランジスタと、
前記電流制御用トランジスタに流れる電流を検出する電流検出用抵抗と、
を有し、
前記制御回路は、駆動信号が前記スイッチング素子のオンを指示しているときの前記スイッチング素子の制御端子の電圧と時間に基づいて、前記電流制御用トランジスタ、前記電流検出用抵抗及び前記オフ駆動用スイッチング素子の少なくともいずれかの異常を検出することを特徴とする電子装置。 - 前記制御回路は、所定時における前記スイッチング素子の制御端子の電圧に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、正常時のミラー期間終了の所定時における前記スイッチング素子の制御端子の電圧が、ミラー電圧より高い場合、前記電流制御用トランジスタのショート故障、又は、前記電流検出用抵抗のショート故障が発生していると判断することを特徴とする請求項2に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、正常時のミラー期間中の所定時における前記スイッチング素子の制御端子の電圧が、ミラー電圧より低い場合、前記電流制御用トランジスタのオープン故障、前記電流検出用抵抗のオープン故障及び前記オフ駆動用スイッチング素子のショート故障の少なくともいずれかが発生していると判断することを特徴とする請求項2に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記スイッチング素子の制御端子の電圧の立ち上がりを基準として、所定時間経過後の所定時における前記スイッチング素子の制御端子の電圧に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項2又は3に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、駆動信号の前記スイッチング素子のオン指示の開始を基準として、所定時間経過後の所定時における前記スイッチング素子の制御端子の電圧に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記電流制御用トランジスタの制御端子の電圧の立ち上がりを基準として、所定時間経過後の所定時における前記スイッチング素子の制御端子の電圧に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記スイッチング素子の制御端子の電圧が所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記スイッチング素子の制御端子の電圧がミラー電圧より高い所定電圧になるまでの時間が、正常時より短い場合、前記電流制御用トランジスタのショート故障、又は、前記電流検出用抵抗のショート故障が発生していると判断することを特徴とする請求項8に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記スイッチング素子の制御端子の電圧が0Vより高く、かつ、ミラー電圧以下である所定電圧になるまでの時間が、正常時より長い場合、前記電流制御用トランジスタのオープン故障、前記電流検出用抵抗のオープン故障及び前記オフ駆動用スイッチング素子のショート故障の少なくともいずれかが発生していると判断することを特徴とする請求項8に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記スイッチング素子の制御端子の電圧の立ち上がりを基準として、前記スイッチング素子の制御端子の電圧が所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項8又は9に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、駆動信号の前記スイッチング素子のオン指示の開始を基準として、前記スイッチング素子の制御端子の電圧が所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、前記電流制御用トランジスタの制御端子の電圧の立ち上がりを基準として、前記スイッチング素子の制御端子の電圧が所定電圧になるまでの時間に基づいて異常を検出することを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載の電子装置。
- 前記制御回路は、異常を検出したとき、前記オフ駆動用スイッチング素子以外で前記スイッチング素子をオフすることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の電子装置。
- 前記スイッチング素子の制御端子に接続され、オンすることで前記スイッチング素子の制御端子から電荷を放電するオフ保持用スイッチング素子を有し、
前記制御回路は、前記スイッチング素子の制御端子の電圧がオン、オフ閾値電圧より低いオフ保持閾値以下になると、前記オフ保持用スイッチング素子を制御して前記スイッチング素子のオフ状態を保持し、異常を検出したとき、前記オフ保持用スイッチング素子を制御して前記スイッチング素子をオフすることを特徴とする請求項14に記載の電子装置。 - 前記制御回路は、異常を検出したとき、異常信号を出力することを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の電子装置。
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