JP2012160738A - 逆阻止型半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 title claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 17
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 13
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】表面および裏面に素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な支持部材を貼り合わせ、支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面に分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態とし、半導体ウエハーの裏面側にコレクタ層と電極を形成し、支持部材の、個々のチップに相当する部分を個別に加熱してその部分に位置するチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する。
【選択図】図2
Description
や反りが発生しやすい。
る。
また、請求項6の発明にかかる半導体素子の製造方法は、請求項1〜5のいずれか一つに記載の発明において、前記加熱工程は、前記接着層のうち任意の前記チップに貼り合わされている部分に対してレーザー光を照射して加熱し、前記剥離工程は、前記レーザー光が照射された部分と貼り合わせられている前記チップを剥離することを特徴とする。
また、請求項7の発明にかかる半導体素子の製造方法は、請求項6に記載の発明において、前記加熱工程は、前記チップの大きさに略一致する照射範囲のレーザー光を照射することを特徴とする。
態を詳細に説明する。
(参考例)
参考例では、FS型IGBTの製造工程において、ダイシングカットされたチップをダイシングテープからピックアップして個々のチップに分離する場合について説明する。なお、この参考例や後述の実施の形態では、FS型IGBTの製造に本発明を適用する場合について説明するが、NPT型IGBTや逆阻止型IGBT、MOS−FET、ダイオードなどの製造時にも、同様に適用することができる。
を、図3中黒四角のプロットで示す(従来例1)。また、ダイシングテープとして発泡テープを用い、発泡テープの加熱後にピンセットでチップをピックアップした場合のチップの割れ率とチップの厚さの関係を、図3中白三角のプロットで示す(従来例2)。さらに、剥離用テープを用いたピーリング剥離によってダイシングテープからチップを引っ張り上げた後、剥離用テープからピンセットでチップをピックアップした場合のチップの割れ率およびチップの厚さの関係を、図3中黒丸のプロットで示す(従来例3)。
(実施の形態)
実施の形態では、FS型IGBTの製造工程において、アルカリエッチングによってチップの周囲に分離溝を形成し、その分離溝に沿って個々のチップを支持部材からピックアップする場合について説明する。
つづいて、支持部材40から分離溝34に沿って個々のチップ37を剥離させる(図11)。具体的には、図11に示すように、剥離したいチップ37の位置に合わせ、かつ、接着テープ45の発泡テープ42(図7参照)に焦点を合わせて、支持部材40側からYAGレーザー(波長:1064nm)またはCO2レーザー(波長:10.64μm)を照射する。なお、支持部材40であるガラス基板の波長透過帯は、0.3μm〜2.4μmであるので、YAG3ωレーザー(YAGレーザーの第3高調波)やYAG2ωレーザー(YAGレーザーの第2高調波)、半導体レーザー(波長:800nm程度)などであってもよい。また、CO2レーザーを用いる場合には、波長が長いので、例えばレーザーを光で反射させて照射したい部分に誘導し、非接触的に照射してもよい。
22 チップ
31 ウエハー
32 表面電極
33 エッチングマスク
34 分離溝
35 コレクタ層
36 裏面電極
37 チップ
40 支持部材
41 PETフィルム
42 発泡テープ
43 UVテープ
45 接着テープ
Claims (7)
- 半導体ウエハーに素子構造部を形成する形成工程と、
前記素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な支持部材を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面に分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態にする分離工程と、
前記反対側の面から前記半導体ウエハーに不純物イオンを注入する工程と、
前記反対側の面にレーザーを照射してアニールを行ってコレクタ層を形成する工程と、
前記反対側の面に電極を形成する工程と、
前記支持部材の、個々のチップに相当する部分を個別に加熱する加熱工程と、
前記支持部材の、前記加熱工程で加熱された部分に貼り合わされているチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する剥離工程と、
を含むことを特徴とする逆阻止型半導体素子の製造方法。 - 半導体ウエハーのおもて面側に素子構造部を形成する形成工程と、
前記半導体ウエハーの裏面を研削して、ウエハーの厚さを所定の厚さとする研削工程と、
前記素子構造部が形成された半導体ウエハーのおもて面に、加熱によって剥離可能な支持部材を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面にエッチングマスクを形成し、湿式異方性エッチングによりV字型の分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態にする分離工程と、
前記反対側の面から前記半導体ウエハーに不純物イオンを注入する工程と、
前記反対側の面にレーザーを照射してアニールを行ってコレクタ層を形成する工程と、
前記反対側の面に電極を形成する工程と、
前記支持部材の、個々のチップに相当する部分を個別に加熱する加熱工程と、
前記支持部材の、前記加熱工程で加熱された部分に貼り合わされているチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する剥離工程と、
を含むことを特徴とする逆阻止型半導体素子の製造方法。 - 前記支持部材は、加熱によって剥離可能な接着層を介して前記半導体ウエハーに貼り合わされるガラス基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の逆阻止型半導体素子の製造方法。
- 前記接着層は、加熱発泡によって剥離可能な接着シートであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の逆阻止型半導体素子の製造方法。
- 前記形成工程は、前記半導体ウエハーの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の逆阻止型半導体素子の製造方法。
- 前記加熱工程は、前記接着層のうち任意の前記チップに貼り合わされている部分に対してレーザー光を照射して加熱し、
前記剥離工程は、前記レーザー光が照射された部分と貼り合わせられている前記チップを剥離することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の逆阻止型半導体素子の製造方法。 - 前記加熱工程は、前記チップの大きさに略一致する照射範囲のレーザー光を照射することを特徴とする請求項6に記載の逆阻止型半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012054064A JP5772670B2 (ja) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | 逆阻止型半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012054064A JP5772670B2 (ja) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | 逆阻止型半導体素子の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006158329A Division JP2007329234A (ja) | 2006-06-07 | 2006-06-07 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160738A true JP2012160738A (ja) | 2012-08-23 |
JP5772670B2 JP5772670B2 (ja) | 2015-09-02 |
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ID=46840968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012054064A Expired - Fee Related JP5772670B2 (ja) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | 逆阻止型半導体素子の製造方法 |
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JP (1) | JP5772670B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP7388004B2 (ja) | 2019-05-30 | 2023-11-29 | 株式会社レゾナック | 半導体装置の製造方法 |
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JP5772670B2 (ja) | 2015-09-02 |
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