JP2012157936A

JP2012157936A - 研磨パッド及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2012157936A
Application number: JP2011019441A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Shirasu; 哲哉白数
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2011-02-01
Filing date: 2011-02-01
Publication date: 2012-08-23
Also published as: US20120196512A1

Abstract

【課題】半導体装置の製造コストを削減できる研磨パッド及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド４０は、第１のパッド部４０ａと、その周囲に配置される第２のパッド部４０ｂとを有し、第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂはそれぞれ個別に交換することができる。ＣＭＰ装置に研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を取り付けて半導体ウェハの研磨を実施し、総研磨時間が所定の時間に到達したら、第２のパッド部４０ｂを交換用の第２のパッド部４０ｃに交換する。
【選択図】図９

Description

本発明は、研磨パッド及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置を製造する際には、種々の工程でＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）装置が使用される。ＣＭＰ装置は、研磨パッド（研磨布）を取り付けるプラテン（定盤）と、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という）を吸着して搬送する研磨ヘッドと、研磨パッドの上にスラリ（研磨剤）を滴下するスラリノズルとを有する。そして、研磨パッドの上にスラリを滴下しつつ、研磨パッドにウェハを押し当て、プラテン及び研磨ヘッドのいずれか一方又は両方を回転させてウェハの表面を研磨する。

ところで、ＣＭＰを長時間実施すると、研磨屑が付着するなどして研磨パッドの表面状態が変化し、均一な研磨ができなくなる。そのため、例えばＣＭＰを一定の時間実施した後、研磨パッドの表面をコンディショナーと呼ばれる治具で削って表面状態を回復させている。この表面状態を回復する処理は、コンディショニングと呼ばれている。

特開平８−２６４４９７号公報

コンディショニングは安定した研磨を実施するために重要な作業である。しかし、コンディショニングを頻繁に行うと研磨パッドの寿命が短くなり、半導体装置の製造コストが増加する。

以上から、半導体装置の製造コストを削減できる研磨パッド及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

開示の技術の一観点によれば、第１のパッド部と、前記第１のパッド部の周囲に配置され、前記第１のパッド部と分割可能な第２のパッド部とを有する研磨装置用研磨パッドが提供される。

前記一観点の研磨パッドは、摩耗したパッド部のみを交換することができる。これにより、研磨パッドの消費量を抑えることができ、半導体装置の製造コストが削減される。

図１は、一般的なＣＭＰ装置の構成を説明する図である。図２は、ＣＭＰ装置の動作を説明する模式図である。図３は、総コンディショニング時間と研磨パッドの面内方向の厚み分布との関係を調べた結果を表した図である。図４は、新品の研磨パッド及び外周部の溝が消失するまでコンディショニングを実施した研磨パッドの厚み分布を表した図である。図５は、総コンディショニング時間が１．８時間のとき、及び７時間のときのウェハ面内の研磨レートプロファイルを表した図である。図６は、総コンディショニング時間が１．８時間及び６．８時間のときの研磨パッドの厚み分布を測定した結果を示す図である。図７（ａ）は第１の実施形態に係る研磨パッドを説明する平面図、図７（ｂ）は第１のパッド部と第２のパッド部とを分離した状態を表した平面図、図７（ｃ）は同じくその研磨パッドの断面図である。図８は、第２のパッド部の交換時期と交換用第２のパッド部の厚みとを決める方法を例示するフローチャートである。図９は、第１のパッド部及び第２のパッド部の交換手順を表した図である。図１０は、第１の実施形態に係る研磨パッドを用いた半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。図１１は、新品時の研磨パッドの厚み分布を表した図である。図１２は、第２のパッド部の交換時期Ｘに到達したときの研磨パッドの厚み分布を表した図である。図１３は、第２のパッド部を交換した後の研磨パッドの厚み分布を表した図である。図１４（ａ）は第２の実施形態に係る研磨パッドを説明する平面図、図１４（ｂ）は第１のパッド部と第２のパッド部とを分離した状態を表した平面図である。

以下、実施形態について説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。

図１は、一般的なＣＭＰ装置の構成を説明する図である。

一般的なＣＭＰ装置では、ベース２上に複数個（図１では３個）のプラテン１０と、１個のロードカップ２０とが設けられている。それらのプラテン１０及びロードカップ２０は、回転軸３０ａの周囲に配置されている。

各プラテン１０の上には研磨パッドが装着される。また、各プラテン１０の周囲には、先端にスラリ供給ノズルが設けられたスラリ供給アーム３１と、コンディショニングディスク１２が取り付けられたコンディショニングディスク駆動アーム３２（コンディショナー）とがそれぞれ配置されている。

ロードカップ２０の内側には、研磨前又は研磨終了後のウェハを一時的に保持するペデスタル（試料台）と、ウェハ及びペデスタルを洗浄するための水洗ノズル（図示せず）とが設けられている。

ベース２の上方には、回転軸３０ａに支持されて回転するヘッドユニット３０が配置されている。このヘッドユニット３０の下側には、プラテン１０及びロードカップ２０に対応した数（図１では４個）の研磨ヘッド１４が設けられている。各研磨ヘッド１４は、その回転軸１４ａの回転にともなって回転する。また、回転軸１４ａは、図１中に矢印で表した方向（ヘッドユニット３０の回転半径方向）に往復運動する。

研磨ヘッド１４の下側には薄膜状のゴムよりなるメンブレン１６が設けられている。このメンブレン１６を空気圧調整機構（図示せず）により駆動することで、研磨ヘッド１４にウェハを吸着し、又は研磨ヘッド１４からウェハを離脱させることができる。また、研磨ヘッド１４にウェハを吸着した状態でヘッドユニット３０が回転して、各プラテン１０上にウェハが搬送される。

図２は、ＣＭＰ装置の動作を説明する模式図である。この図２において、符号１０ａはプラテン１０の回転軸、符号１２ａはコンディショニングディスク１２の回転軸、符号１３は研磨対象のウェハである。

この図２のように、プラテン１０の上には研磨パッド１１が装着される。また、前述のスラリ供給アーム３１の先端部にはスラリ供給ノズル１５が設けられている。このスラリ供給ノズル１５はスラリ供給チューブ１５ａを介してスラリ供給装置（図示せず）に接続されており、スラリ供給ノズル１５から研磨パッド１１上にスラリが滴下される。

ＣＭＰ装置によりウェハ１３を研磨する場合、スラリ供給ノズル１５からスラリを滴下する。そして、研磨ヘッド１４によりウェハ１３を保持し、プラテン１０及び研磨ヘッド１４を回転させながらウェハ１３の研磨面を研磨パッド１１に密着させる。

研磨パッド１１上に滴下されたスラリは、プラテン１０の回転により研磨パッド１１とウェハ１３との間に供給される。そして、研磨パッド１１とスラリとにより、ウェハ１３の表面が機械的及び化学的に研磨される。

ところで、研磨パッド１１の表面には同心円状、螺旋状又は格子状等のパターンで溝が設けられている。研磨パッド１１上に滴下されたスラリは、主に研磨パッド１１の溝を介してウェハ１３の表面に供給される。また、研磨に使用した後のスラリも、主に研磨パッド１１の溝を介してウェハ１３の表面から排出される。

研磨パッド１１の表面の溝が消失すると、ウェハ１３にスラリを十分に供給することができなくなる。これにより、研磨レートが低下したり、ウェハ１３の全面を均一に研磨することができなくなる。また、研磨中に研磨ヘッド１４からウェハ１３が離脱（スリップアウト）する原因ともなる。従って、溝が消失する前に研磨パッド１１を交換することが重要である。

図３は、横軸に研磨パッドの中心からの距離をとり、縦軸に研磨パッドの厚みをとって、総コンディショニング時間（コンディショニング時間の合計）と研磨パッドの面内方向の厚み分布（厚みプロファイル）との関係を調べた結果を表した図である。なお、以下の説明において研磨パッドの厚みとは、研磨パッドのうち研磨層の厚み（すなわち、下地層の厚みは含まない）をいうものとする。

この図３のように、コンディショニングを実施すると、研磨パッドの厚みは均一に減少するのではなく、ばらつきが発生する。すなわち、研磨パッドの中心部に比べて周辺部の厚みが大きく減少する。

コンディショニング条件を調整して、研磨パッドの厚み分布を調整することは可能である。しかし、研磨パッドの厚みが均一となるようにコンディショニング条件を調整することは容易ではなく、時間がかかるため、半導体装置の製造コストの増加の原因となる。また、所望の研磨レートとなるように、あえて研磨パッドの厚み分布を均一にしないこともある。

図４は、横軸に研磨パッドの中心からの距離をとり、縦軸に研磨パッドの厚みをとって、新品の研磨パッド及び外周部の溝が消失するまでコンディショニングを実施した研磨パッドの厚み分布（厚みプロファイル）を表した図である。なお、新品の研磨パッドの総コンディショニング時間は０分であり、外周部の溝が消失するまでコンディショニングを実施した研磨パッドの総コンディショニング時間は４００分である。

この図４からわかるように、外周部の溝が消失するまでコンディショニングを実施しても、研磨パッドの中心部には十分な深さの溝が存在している。

図５は、横軸にウェハ中心からの距離をとり、縦軸に研磨レートをとって、総コンディショニング時間が１．８時間のとき、及び７時間のときのウェハ面内の研磨レートプロファイルを表した図である。

但し、ここでは、研磨試料として表面にＴＥＯＳ（Tetra Ethoxy Silane）膜を形成した直径が３００ｍｍのウェハを使用し、総コンディショニング時間が１．８時間又は７時間経過した後に試料表面を１２０秒間ＣＭＰして研磨レートを算出している。また、ここでは下地層が不織布からなり、研磨層が発泡ウレタンからなる直径が７７．５ｃｍの研磨パッドを使用している。更に、コンディショニングディスクには、メッシュ１００のダイヤモンドをＮｉ（ニッケル）めっきによりステンレス製の座金の上にスポット（円状）に電着した市販品を使用している。更にまた、スラリとして、コロイダルシリカを純水に溶解し、有機酸と過酸化水素水とを加えたものを使用している。

研磨時の条件を下記表１に記載する。なお、表１中のリテイニングリングは研磨ヘッドの外周部に設けられたリテイニングリングに印加される圧力であり、ゾーン１〜３はウェハの中心からの距離により分割された３つの領域（ゾーン１〜３）にそれぞれ印加される圧力である。

総コンディショニング時間が１．８時間の場合、図５に記載した所望の研磨レートプロファイルとなっている。しかし、総コンディショニング時間が７時間の場合は、同じ研磨条件でＣＭＰを行っているにもかかわらず、研磨レートプロファイルが１．８時間のときと大きく異なっている。

すなわち、総コンディショニング時間が７時間のときは、１．８時間のときと比べてウェハ外周部の研磨レートが大きく低下しており、ウェハ中心から約１２５ｍｍまでの領域の研磨レートも低下している。しかし、ウェハ中心から約１３０ｍｍの位置の研磨レートは、１．８時間のときと殆ど同じである。

この図５の例では、総コンディショニング時間が１．８時間のときの研磨レートの標準偏差σは３．９４％であり、研磨レートの最大値と最小値との差は１４．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、総コンディショニング時間が７時間のときの研磨レートの標準偏差σは６．９１％であり、研磨レートの最大値と最小値との差は２８．４ｎｍ／ｍｉｎであった。

このとき使用した研磨パッドの厚みを測定することができなかったため、新しい研磨パッドを使用して、総コンディショニング時間が１．８時間及び約７時間（６．８時間）のときの研磨パッドの厚み分布（厚みプロファイル）を測定した。その結果を、図６に記載する。なお、研磨パッドの厚みを測定する際には、研磨パッドの研磨層（樹脂層）を下地層（不織布）から剥離し、研磨層の厚みをマイクロメーターにより測定した。また、コンディショニング条件を、下記表２に示す。

図６からわかるように、研磨パッドの中心から約３０ｃｍまでの領域では、総コンディショニング時間が１．７時間の場合及び６．８時間の場合のいずれにおいても、厚みのばらつきは小さい。しかし、総コンディショニング時間が１．７時間の場合は研磨パッドの周辺部の厚みの減少が比較的小さいのに対し、総コンディショニング時間が６．８時間の場合は研磨パッドの周辺部の厚みが大きく減少している。

この図６と図５とから、総コンディショニング時間が６．８時間の場合に所望の研磨プロファイルが得られない原因は、主に研磨パッドの中心部と周辺部とで研磨パッドの厚みが大きく違うことにあると考えられる。

以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図７（ａ）は第１の実施形態に係る研磨パッドを説明する平面図、図７（ｂ）は第１のパッド部と第２のパッド部とを分離した状態を表した平面図、図７（ｃ）は同じくその研磨パッドの断面図である。

図７（ａ）〜（ｃ）のように、本実施形態の研磨パッド４０は、円形の第１のパッド部４０ａと、この第１のパッド部４０ａを囲んで配置するリング状の第２のパッド部４０ｂとに分割されている。また、第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂは、それぞれ下地層４１ａとその上に配置された研磨層４１ｂとの２層構造を有する。下地層４１ａは例えば不織布又は軟質樹脂等より形成されており、研磨層４１ｂは例えば硬質樹脂により形成されている。

研磨層４１ｂの表面には例えば幅が約０．４ｍｍ、深さが約０．３８ｍｍの溝４２が設けられている。図５（ａ），（ｂ）では溝４２が格子状に形成された例を記載しているが、同心円状又は螺旋状などのパターンで形成されていてもよい。また、研磨層４１ｂには、溝に替えて又は溝とともに、直径が例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度の孔が設けられていてもよい。

例えば図４，図６の例では、長時間の使用により研磨パッドの周辺部の溝が消失しても、中心から約３０ｃｍの範囲では十分な深さの溝が残っている。この場合、本実施形態では、第１のパッド部４０ａの半径を３０ｃｍとし、第２のパッド部４０ｂの内半径を３０ｃｍ、外半径を３８．７５ｃｍとする。そして、第２のパッド部４０ｂの溝深さが少なくなると、第２のパッド部４０ｂのみを交換する。これにより、研磨パッド４０の寿命を延ばすことができる。

ところで、第２のパッド部４０ｂのみを交換する場合、第１のパッド部４０ａは新品時よりも厚みが薄くなっている。従って、交換する第２のパッド部４０ｂの厚みは、交換時の第１のパッド部４０ａの厚みと同じにすることが重要になる。

しかし、第２のパッド部４０ｂを交換する際に第１のパッド部４０ａの厚みを測定し、その厚みに合わせて第２のパッド部４０ｂの厚みを調整することは困難である。そこで、本実施形態では、予め総コンディショニング時間と溝深さとの関係を求めておき、その関係を利用して、第２のパッド部４０ｂの交換時期と交換用第２のパッド部の厚みとを決めておく。

以下、その方法について、図８のフローチャート及び図９の説明図を参照して説明する。なお、ここでは、説明の便宜上、交換用の第２のパッド部を、符号４０ｃで表す。

まず、ステップＳ１１において、ＣＭＰ装置（図１参照）のプラテン１０の上に新品の研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を装着（貼り付け）する（図９（ａ）参照）。ここでは、新品の研磨パッド４０の厚みをＡとする。

次に、ステップＳ１２に移行して、実際にウェハを研磨するときの条件で、ウェハの研磨状態が悪くなるまでウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを実施する。そして、ステップＳ１３において、ステップＳ１２で実施したＣＭＰのウェハ研磨状態から、第２のパッド部４０ｂの交換時期Ｘを決定する。

次に、ステップＳ１４に移行し、ＣＭＰ装置のプラテン１０の上に新品の研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を装着する（図９（ａ）参照）。そして、ステップＳ１５に移行し、実際にウェハを研磨するときの条件で交換時期Ｘになるまでウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを実施する。

その後、ステップＳ１６に移行し、第１のパッド部４０ａを取り外してその厚みを測定し、その結果に応じて交換用第２のパッド部４０ｃの厚みを決定する。ここでは、交換時期Ｘの第１のパッド部４０ａの厚みがＢであったとする。この場合、交換用第２のパッド部４０ｃの厚みをＢとする。

次に、ステップＳ１７に移行し、ＣＭＰ装置のプラテン１０の上に新品の研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を装着する（図９（ａ）参照）。そして、ステップＳ１８において、実施にウェハを研磨するときの条件で交換時期Ｘになるまでウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを実施する。

次に、ステップＳ１９に移行し、第１のパッド部４０ａを残して第２のパッド部４０ｂのみを取り外す（図９（ｂ）参照）。そして、厚みがＢの交換用第２のパッド部４０ｃをＣＭＰ装置のプラテン１０の上に装着する（図９（ｃ）参照）。

次いで、ステップＳ２０に移行し、ウェハの研磨状態が悪くなるまでウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを実施する。その後、ステップＳ２１において、ステップＳ２０で実施したＣＭＰのウェハ研磨状態から、研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び交換用第２のパッド部４０ｃ）の交換時期Ｙを決定する。

このようにして第２のパッド４０ｂの交換時期Ｘ、並びに第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｃの交換時期Ｙを決定したら、実際にウェハの研磨を実施する。

図１０は、本実施形態に係る研磨パッドを用いた半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。ここでも、図９を随時参照して説明する。

まず、ステップＳ３１において、ＣＭＰ研磨装置のプラテン上に新品の研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を装着する（図９（ａ）参照）。その後、ステップＳ３２に移行し、ウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを実施する。

次のステップＳ３３では、第２のパッド部４０の交換時期Ｘに到達したか否かを判定する。この判定は、例えば計時装置（タイマー）を用いて総研磨時間を計時し、その結果により作業者が判定すればよい。総研磨時間が交換時期Ｘに到達したときに計時装置から警報が発生するようにしてもよい。

ステップＳ３３において交換時期Ｘに到達していないと判定したとき（ＮＯのとき）は、ステップＳ３２に戻り、ウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを継続する。一方、ステップＳ３３で交換時期Ｘに到達したと判定したとき（ＹＥＳのとき）は、ステップＳ３４に移行する。

ステップＳ３４では、プラテンから第２のパッド部４０ｂを取り外し（図９（ｂ）参照）、その代わりに交換用の第２のパッド部４０ｃを装着する（図９（ｃ）参照）。その後、ステップＳ３５に移行し、ウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを実施する。

次のステップＳ３６では、第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｃの交換時期Ｙに到達したか否かを判定する。ステップＳ３６で交換時期Ｙに到達していないと判定したとき（ＮＯのとき）は、ステップＳ３５に戻り、ウェハの研磨（ＣＭＰ）と研磨パッド４０のコンディショニングとを継続する。一方、ステップＳ３６で交換時期Ｙに到達したと判定したとき（ＹＥＳのとき）は、ステップＳ３７に移行する。

ステップＳ３７では、プラテン１０から研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｃ）を取り外す。そして、ステップＳ３１に戻り、上述の処理を繰り返す。

図１１〜図１３に、研磨パッドの厚み分布の変化を示す。図１１は新品時の研磨パッドの厚み分布、図１２は交換時期Ｘに到達したときの研磨パッドの厚み分布、図１３は第２のパッド部を交換した後の研磨パッドの厚み分布を表している。

この例では、新品時（図１１）の研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）の厚みＡは約１．３２ｍｍである。また、第２のパッド部４０ｂを第２のパッド部４０ｃに交換した後の研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｃ）の厚みＢは約１．０４ｍｍである。

本実施形態では、上述の如く研磨パッド４０を、内側に配置される第１のパッド部４０ａと、外側に配置される第２のパッド部４０ｂとに分割し、それぞれ個別に交換可能としているので、摩耗したパッド部のみを交換することができる。これにより、半導体装置の製造コストが削減される。また、廃棄される研磨パッドの量を抑えることができるので、環境に与える負荷が少ない。

なお、上述の実施形態では研磨パッド４０を２つのパッド部（第１のパッド部及び第２のパッド部）に分割した場合について説明したが、研磨パッド４０を３以上のパッド部に分割してもよい。

また、上述の実施形態では第２のパッド部を２回交換する毎に第１のパッド部を１回交換する場合について説明したが、例えば第２のパッド部を３回交換する毎に第１のパッド部を１回交換するようにしてもよい。この場合、厚みが相互に異なる３種類の第２のパッド部を用意することになる。

（第２の実施形態）
図１４（ａ）は第２の実施形態に係る研磨パッドを説明する平面図、図１４（ｂ）は第１のパッド部と第２のパッド部とを分離した状態を表した平面図である。

第１の実施形態では第１のパッド部４０ａが円形であり、第２のパッド部４０ｂ，４０ｃがリング状の場合について説明した。これに対し、第２の実施形態では、図１４（ａ），（ｂ）のように、第１のパッド部４０ａの外周に凸部４３ａを設け、第２のパッド部４０ｂの内周に凹部４３ｂを設けている。

前述したように、通常、研磨パッドの表面には同心円状、螺旋状又は格子状等のパターンで溝が設けられており、本実施形態の研磨パッド４０の表面にも溝が設けられている。溝のパターンが同心円の場合は、第２のパッド部４０ｂを第１のパッド部４０ａの外側に配置する際に、角度（円周方向の回転角）を考慮する必要はない、しかし、溝のパターンが螺旋状又は格子状の場合は、第１のパッド部４０ａの溝と第２のパッド部４０ｂの溝とを位置合わせすることが重要になる。

本実施形態の研磨パッド４０は、図１４（ａ），（ｂ）のように第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂにそれぞれ凹部４３ａ及び凸部４３ｂを設けている。このため、第２のパッド部４０ｂの凹部４３ｂに第１のパッド部４０ａの凸部４３ａを嵌め合わせることにより、第１のパッド部４０ａの溝と第２のパッド部４０ｂの溝とを容易に位置合わせすることができる。

なお、本実施形態では、第１のパッド部４０ａに凸部４３ａを設け、第２のパッド部４０ｂに凹部４３ｂを設けているが、第１のパッド部４０ａに凹部を設け、第２のパッド部４０ｂに凸部を設けてもよい。また、第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂにそれぞれに凹部及び凸部の両方を設けてもよい。

２…ベース、１０…プラテン、１０ａ…回転軸、１１…研磨パッド、１２…コンディショニングディスク、１２ａ…回転軸、１３…ウェハ、１４…研磨ヘッド、１４ａ…回転軸、１５…スラリ供給ノズル、１５ａ…スラリ供給チューブ、１６…メンブレン、２０…ロードカップ、３０…ヘッドユニット、３０ａ…回転軸、３１…スラリ供給アーム、３２…コンディショニングディスク駆動アーム、４０…研磨パッド、４０ａ…第１のパッド部、４０ｂ…第２のパッド部、４０ｃ…交換用の第２のパッド部、４１ａ…下地層、４１ｂ…研磨層、４２…溝、４３ａ…凸部、４３ｂ…凹部。

Claims

第１のパッド部と、
前記第１のパッド部の周囲に配置され、前記第１のパッド部と分割可能な第２のパッド部と
を有することを特徴とする研磨装置用研磨パッド。
前記第１のパッド部は円形の形状を有し、
前記第２のパッド部はリング状の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置用研磨パッド。
前記第１のパッド部の周囲には凸部又は凹部が設けられており、前記第２のパッド部の内周側には前記第１のパッド部の凸部又は凹部に嵌合する凹部又は凸部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置用研磨パッド。
前記第１のパッド部及び前記第２のパッド部の表面には溝が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の研磨装置用研磨パッド。
前記第１のパッド部及び前記第２のパッド部の表面には孔が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の研磨装置用研磨パッド。
更に、前記第２のパッド部の周囲に配置され、前記第１のパッド部及び前記第２のパッド部と分割可能な１又は複数のパッド部を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の研磨装置用研磨パッド。
第１のパッド部と第２のパッド部とに分割可能な研磨パッドを使用し、該研磨パッドに半導体ウェハを押し当てて半導体ウェハの表面を研磨する工程と、
前記研磨パッドの表面をコンディショニングする工程と、
前記研磨パッドの第１のパッド部又は第２のパッド部のいずれかを交換する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体ウェハの表面を研磨する工程では、前記研磨パッドの上にスラリを供給することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２のパッド部は、総コンディショニング時間が所定の時間に到達したときに交換することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
交換用の第２のパッド部の厚みは、前記第２のパッド部の交換時における第１のパッド部の厚みに応じて設定されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。