JP2012156321A - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体装置110は、第1半導体層3、第2半導体層4、第3半導体層5、第4半導体層6、第1電極10、第2電極8及び第3電極9を備える。第1半導体層3、第2半導体層4、第3半導体層5及び第4半導体層6は、窒化物半導体を含む。第2半導体層4は、第1半導体層3の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。第3半導体層5は、GaNである。第4半導体層6は、第3半導体層5の上において一部に隙間を有して設けられ、第2半導体層4の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。第1電極10は、第3半導体層5の上において第4半導体層6が設けられていない部分に設けられる。第2電極8及び第3電極9は、第4半導体層6の上において、第1電極10の一方側及び他方側にそれぞれ設けられ、第4半導体層6とオーミック接合している。
【選択図】図1
Description
第1半導体層は、窒化物半導体を含む。
第2半導体層は、前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む。
第3半導体層は、前記第2半導体層の上に設けられたGaNである。
第4半導体層は、前記第3半導体層の上において一部に隙間を有して設けられ、前記第2半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む。
第1電極は、前記第3半導体層の上において前記第4半導体層が設けられていない部分に設けられる。
第2電極は、前記第4半導体層の上において、前記第1電極の一方側に設けられ、前記第4半導体層とオーミック接合している。
第3電極は、前記第4半導体層の上において、前記第1電極の他方側に設けられ、前記第4半導体層とオーミック接合している。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式図である。
図1に表したように、第1実施形態に係る窒化物半導体装置110は、第1半導体層3、第2半導体層4、第3半導体層5及び第4半導体層6を備える。また、窒化物半導体装置110は、第1電極10、第2電極8及び第3電極9を備える。
本明細書において「窒化物半導体」とは、BαInβAlγGa1−α−β−γN(0≦α≦1,0≦β≦1,0≦γ≦1,α+β+γ≦1)なる化学式において組成比α、β及びγをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N(窒素)以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
実施形態では、窒化物半導体として、GaN及びAlGaNのIII−V族窒化物半導体を例とする。
第4半導体層6は、第3半導体層5の上において一部に隙間を有した状態で設けられる。具体的には、後述する第1電極10を形成する領域以外に設けられる。第4半導体層6の厚さは、第3半導体層5と第2半導体層4との界面に2次元電子ガス7を発生させるのに十分な厚さである。
また、リセス構造以外の部分では、AlGaN及びGaNによるへテロ構造になっており、低抵抗を実現することができる。
これらにより、低抵抗かつ高耐圧なノーマリオフ型の窒化物半導体装置を実現することができる。
先ず、図2(a)に表したように、例えばSiCの支持基板1の上に、例えばAlNのバッファ層2を形成する。次に、バッファ層2の上に、例えばGaNの第1半導体層3、その上に例えばAlGaNの第2半導体層4、その上に例えばGaNの第3半導体層5を形成する。第1半導体層3、第2半導体層4及び第3半導体層5は、エピタキシャル成長によって連続して形成される。すなわち、第1半導体層3から第3半導体層5が形成されるまで、エピタキシャル成長の炉から出されることはない。
さらに、ゲート電極である第1電極10を形成する領域以外に形成される第4半導体層(AlGaN)6は、再成長によって厚く形成されるため、この部分に対応する第1半導体層(GaN)3と第2半導体層(AlGaN)4との界面に2次元電子ガス7が発生し、低抵抗を実現できる。
図5は、第2実施形態に係る窒化物半導体装置を例示する模式的断面図である。
第2実施形態に係る窒化物半導体装置112については、第1実施形態に係る窒化物半導体装置110との相違点を中心に説明する。
窒化物半導体装置112は、第3半導体層5と、第4半導体層6と、のあいだに第5半導体層12を備えている。
第5半導体層12は、n形の窒化物半導体を含む。一例として、実施形態では、n形にドープされたAlGaNが用いられる。第4半導体層6がn形にドーピングされている場合、第5半導体層12のドーピング濃度は、第4半導体層6のドーピング濃度よりも高い。第5半導体層12のドーピングの濃度は、例えば、1×1018cm−3以上が望ましい。
図6は、第3実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
第3実施形態に係る窒化物半導体装置113については、第1実施形態に係る窒化物半導体装置110との相違点を中心に説明する。
第3実施形態に係る窒化物半導体装置113において、第3半導体層5は、第2半導体層4の一部に設けられている。
また、第4半導体層5は、第2半導体層4の上において、第3半導体層5をあいだにした両側に設けられている。
先ず、図7(a)に表したように、例えばSiCの支持基板1の上に、例えばAlNのバッファ層2を形成する。次に、バッファ層2の上に、例えばGaNの第1半導体層3、その上に例えばAlGaNの第2半導体層4、その上に例えばGaNの第3半導体層5を形成する。第1半導体層3、第2半導体層4及び第3半導体層5は、エピタキシャル成長によって連続して形成される。すなわち、第1半導体層3から第3半導体層5が形成されるまで、エピタキシャル成長の炉から出されることはない。
図11は、第3実施形態に係る窒化物半導体装置の他の例を示す模式的断面図である。
図11に表した窒化物半導体装置113Aにおいて、第2半導体層4にはサーマルクリーニングが施されている。
したがって、第1電極10の直下の第2半導体層4の厚さに比べ、第4半導体層6の直下の第2半導体層4の厚さが薄くなっている。
第2半導体層4に対するサーマルクリーニングによって、第2半導体層4の表面酸化物等が除去され、この状態で第4半導体層6がエピタキシャル成長される。したがって、第4半導体層6の成長の際、結晶欠陥の発生を抑制でき、特性異常や特性変動の少ない窒化物半導体装置113Aを実現することができる。
図12は、第4実施形態に係る窒化物半導体装置を例示する模式的断面図である。
第4実施形態に係る窒化物半導体装置114については、第3実施形態に係る窒化物半導体装置113との相違点を中心に説明する。
窒化物半導体装置114は、第2半導体層4と、第4半導体層6と、のあいだに第5半導体層12を備えている。
第5半導体層12については、第2実施形態に係る窒化物半導体装置112と同様である。すなわち、第5半導体層12は、n形の窒化物半導体を含む。また、第5半導体層12の厚さは、例えば、5nm以下であることが望ましい。
また、バッファ層2の構造や厚さについては、その上に結晶品質の良いGaN層等が形成できれば良い。また支持基板1についても結晶品質の良いGaN層等が形成できれば任意でよい。
また、実施形態では、電界効果トランジスタの例について説明したが、ショットキーバリアダイオードなど、他の素子にも容易に適用することができる。
Claims (10)
- 窒化物半導体を含む第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層と、
前記第2半導体層の上に設けられたGaNである第3半導体層と、
前記第3半導体層の上において一部に隙間を有して設けられ、前記第2半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第4半導体層と、
前記第3半導体層の上において前記第4半導体層が設けられていない部分に設けられた第1電極と、
前記第4半導体層の上において、前記第1電極の一方側に設けられ、前記第4半導体層とオーミック接合している第2電極と、
前記第4半導体層の上において、前記第1電極の他方側に設けられ、前記第4半導体層とオーミック接合している第3電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 窒化物半導体を含む第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層と、
前記第2半導体層の上の一部に設けられたGaNである第3半導体層と、
前記第2半導体層の上において前記第3半導体層をあいだにした両側に設けられ、前記第2半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第4半導体層と、
前記第3半導体層の上において前記第4半導体層が設けられていない部分に設けられた第1電極と、
前記第4半導体層の上において、前記第1電極の一方側に設けられ、前記第4半導体層とオーミック接合している第2電極と、
前記第4半導体層の上において、前記第1電極の他方側に設けられ、前記第4半導体層とオーミック接合している第3電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記第1半導体層は、AlxGa1−xN(0≦X≦1)を含み、
前記第2半導体層は、AlYGa1−YN(0≦Y≦1、X≦Y)を含み、
前記第4半導体層は、AlZGa1−zN(0≦Z≦1、X≦Z)を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第3半導体層と、前記第4半導体層と、のあいだに設けられ、n形の窒化物半導体を含む第5半導体層をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体装置。
- 前記第2半導体層と、前記第4半導体層と、のあいだに設けられ、n形の窒化物半導体を含む第5半導体層をさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の窒化物半導体装置。
- 前記第5半導体層は、AlmGa1−mN(0≦m≦1)を含むことを特徴とする請求項4または5に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第3電極と、前記第3半導体層と、のあいだに設けられた絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 前記第3電極は、前記第3半導体層との間でショットキー接合されたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 支持基板上に、窒化物半導体を含む第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層と、前記第2半導体層の上に設けられたGaNである第3半導体層と、を形成する工程と、
前記第3半導体層の上において一部に隙間を有して設けられ、前記第2半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第4半導体層を形成する工程と、
前記第3半導体層の上において前記第4半導体層が形成されていない部分に第1電極を形成し、前記第4半導体層の上において前記第1電極の両側に第2電極及び第3電極をそれぞれ形成する工程と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 支持基板上に、窒化物半導体を含む第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられ、前記第1半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第2半導体層と、前記第2半導体層の上の一部に設けられたGaNである第3半導体層と、を形成する工程と、
前記第2半導体層の上において、前記第3半導体層をあいだにした両側に、前記第2半導体層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有し、窒化物半導体を含む第4半導体層を形成する工程と、
前記第3半導体層の上において前記第4半導体層が形成されていない部分に第1電極を形成し、前記第4半導体層の上において前記第1電極の両側に第2電極及び第3電極をそれぞれ形成する工程と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2014072424A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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CN103681323B (zh) * | 2012-09-14 | 2016-06-08 | 中国科学院微电子研究所 | 高电子迁移率晶体管的制造方法 |
JP6685870B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN107768249A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-03-06 | 北京大学深圳研究生院 | 一种高电子迁移率晶体管及其制造方法 |
JP7021034B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2022-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008010526A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2009231508A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
WO2010109566A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011009493A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7432142B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-10-07 | Cree, Inc. | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions |
US7714359B2 (en) * | 2005-02-17 | 2010-05-11 | Panasonic Corporation | Field effect transistor having nitride semiconductor layer |
US7326971B2 (en) * | 2005-06-08 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Gallium nitride based high-electron mobility devices |
JP4751150B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-08-17 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体装置 |
EP2677544B1 (en) * | 2006-03-16 | 2015-04-22 | Fujitsu Limited | Compound Semiconductor Device and Manufacturing Method of the Same |
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JP4282708B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体装置 |
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JP2008270521A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP4794656B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-10-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008010526A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2009231508A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
WO2010109566A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011009493A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014072424A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9818840B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-11-14 | Transphorm Japan, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
KR20160090095A (ko) | 2015-01-21 | 2016-07-29 | (재)남해마늘연구소 | 마늘종 나물의 제조방법 |
JP2018101667A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
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