JP2012145908A - 回折格子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の格子溝を精度良く機械加工すること
【解決手段】CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子10の製造方法は、加工機20による機械加工によって被加工物Wの被加工面に複数の格子溝17を形成して前記ブレーズ型回折格子を形成するステップ(S150)と、形成ステップによって形成される各格子の三角形の断面形状の短辺11を有する面16が結晶方位である(110)面となるように加工機20に被加工物を搭載するステップ(S140)と、を有する。
【選択図】図2

Description

本発明は、回折格子の製造方法に関する。
結晶材料からなるエシェル型回折格子は高次の回折光を使用するように設計された回折格子であり、良好な光学特性を得るためには格子溝を形成する機械加工を延性モードで行う必要である。なお、延性モードと脆性モードとの境界には臨界切り取り厚さが存在する。例えば、特許文献1は、SiやGe結晶において加工面を(111)面、切削方向を(111)面内とし、単結晶ダイヤモンドバイトを使用して超精密切削加工で格子溝を形成することを提案している。
特開2002−075622号公報
しかしながら、CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるエシェル型回折格子の格子溝を形成する機械加工は従来提案されておらず、結晶方位(結晶の面方位)や臨界切り取り厚さをパラメータとしても安定した延性モードは得られなかった。エシェル型回折格子はそれが透過型(イマージョン型)として使用される場合、長辺と短辺の両方の影響を受けることが容易に想像される。しかし、光の入射方向は格子の断面形状の短辺に垂直になるように入射する使い方が一般的であり、反射型と同様に短辺の品質が非常に重要となる。
そこで、本発明は、CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の格子溝を精度良く機械加工する回折格子の製造方法を提供することを例示的な目的とする。
本発明のCdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の製造方法は、加工機による機械加工よって被加工物の被加工面に複数の格子溝を形成して前記ブレーズ型回折格子を形成するステップと、前記形成するステップによって形成される各格子の三角形の断面形状の短辺を有する面が前記結晶の結晶方位である(110)面となるように前記加工機に前記被加工物を搭載するステップと、を有することを特徴とする。
本発明によれば、CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の格子溝を精度良く機械加工する回折格子の製造方法を提供することができる。
本実施形態のブレーズ型回折格子の概略断面図である。 本実施形態の加工機の概略斜視図である。 図1に示すブレーズ型回折格子を製造する製造方法を説明するための概略断面図である。 図1に示すブレーズ型回折格子を製造する製造方法を説明するためのフローチャートである。 図4の各ステップにおける被加工物の断面図である。
図1は、入射光を回折させるエシェル型回折格子(ブレーズ型回折格子)10の概略断面図である。ブレーズ型回折格子は、格子溝が鋸歯(ブレーズ型)である回折格子であり、特定の次数と波長に対して高い回折効率を有する。本実施形態のエシェル型回折格子10は、図1に示すように、イマージョン型回折格子(透過型回折格子)であるが、エシェル型回折格子10は反射型回折格子として構成されてもよい。
エシェル型回折格子10の各格子は、ブレーズ方向BDとこれに垂直な格子法線(Grating Normal)GNを含む断面において、短辺11と長辺12で構成される非対称の三角形形状を有している。図1の紙面に垂直な方向に短辺11と長辺12はそれぞれ延びている。
短辺11と長辺12がなす角度θは頂角13と呼ばれ、本実施形態ではθ=90°である。頂角13は後述するバイトの先端部の開き角θ1とほぼ等しい。本実施形態のエシェル型回折格子10においては、各格子を構成する面のうち、短辺11を有する面16が入射光を最も多く受光するブレーズ面として機能し、長辺12を有する面15がブレーズ面に隣接するカウンタ面として機能する。しかし、反射型のエシェル型回折格子においては面15がブレーズ面となり、面16がカウンタ面となる場合もある。また、ブレーズ方向BDとこれに垂直な格子法線(Grating Normal)GNを含む断面において各格子が三角形形状の断面を有しない場合にも本発明は適用可能である。
エシェル型回折格子10は、図1に示すように、入射光をできるだけ多く分割するために短辺側に光の入射方向Lが正対するような配置で使用され易く、回折効率は短辺11の面精度(表面粗さ)に依存する。そこで、短辺11を含む面16を高精度に加工することが求められる。
図2は、本実施形態の加工機20の概略斜視図であり、直交する3軸方向にXYZを設定している。加工機20は、CdTe結晶材料(単結晶CdTe)またはCdZnTe結晶材料(単結晶CdZnTe)からなる被加工物(ワーク)Wに複数の格子溝17を形成してエシェル型回折格子10を製造する製造装置である。
加工機20は、数十nmオーダーで切込みの数値制御(NC制御)が可能な超精密切削加工機である。加工機20は、先端が鋭利で高精度な加工転写性が得られるダイヤモンドバイト22を工具として利用し、切削刃を移動させて表面を切削するシェーパー(鉋削り)方式によって格子溝17を形成する。
加工機20は、外部振動に強い高剛性の筺体21内に、X方向に移動可能なXステージ25とY方向に移動可能なYステージ26からなるXYステージに被加工物Wを搭載している。ダイヤモンドバイト22は、Z方向に移動可能なZステージ27に搭載されている。なお、本実施例では、ダイヤモンドバイト22は回転しないが、ダイヤモンドバイト22が回転する加工機を使用してもよい。
図3は、ダイヤモンドバイト22の概略断面図であり、Mはダイヤモンドバイト22が被加工物Wに相対的に移動されるバイト送り方向Tと平行なブレーズ方向に平行なバイト送り平面を示している。
ダイヤモンドバイト22は、図3に示すように、格子溝17として機能する多角形溝断面形状を転写する少なくとも2つの稜線切れ刃23、24を有する。稜線切れ刃23、24の先端がなす角度θ1は格子溝17の開き角θとほぼ等しく、本実施形態では90°である。稜線切れ刃23、24の先端部の丸みは極力少なく、稜線の直線精度は先端部で非常に高いため、エシェル型回折格子10の格子溝の壁面精度を高精度に維持することができる。
ダイヤモンドバイト22と被加工物Wが対抗する位置でZ方向への切込み量が、例えば、0.2μmとなるようにダイヤモンドバイト22を被加工物側に下ろした状態でXまたはY方向に直線または曲線状的にXYステージを移動する。ダイヤモンドバイト22と被加工物Wとの相対移動により切削速度を得て稜線切れ刃23、24で被加工物Wを切削加工する。
もちろん、機械加工において移動対象はバイト側でも被加工物側でもよい。また、バイトへの過負荷を避けるためにZ方向への必要な切込み量を分割して分割された切り込み量だけを形成する工程を複数回繰り返してもよい。加工の際にはオイルミストをバイトすくい面の裏側から噴射させ加工熱を除去しながら切り屑を潤滑に流す。
以下、加工機20を使用した回折格子の製造方法について説明する。図4は、加工機20を使用した回折格子の製造方法(機械加工)を説明するためのフローチャートであり、Sは「ステップ」の略である。また、図5は、図4の各ステップにおける被加工物Wの概略断面図である。
まず、図5(a)に示すように、CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなる被加工物(ワーク)Wを円筒形状、立方体形状、または直方体形状などの適当な形状で取得する。例えば、立方体形状の被加工物Wを結晶成長装置などを利用して取得する(S110)。本実施形態では、上面(上側端面)と左側端面の両方が結晶方位(110)面となる直方体形状の被加工物Wを取得する。
次に、S110の被加工物Wを、図5(b)の点線Dで示すように、切削する(S120)。本実施形態では、この点線Dの上面に対する傾斜角度は例示的に20°とする。本実施形態は、S120で使用する切削加工機は加工機20ではなく、より精度の低い加工機を使用する。
次に、図5(c)に示すように、S120の被加工物Wの切削面Cを研磨装置Pによって研磨する(S130)。この場合、被加工物WはS140で使用する治具30を使用して研磨装置に設置してもよい。
次に、図5(d)に示すように、研磨された被加工物Wを治具30を介して加工機20の上述したXYステージに設置する(S140)。治具30は傾斜角度が20°であるので、被加工面がYステージ26の表面と平行になる。
加工機20のバイト送り平面Mに対し、20度に傾斜するように被加工物Wを治具30に載せて傾けて加工機20に搭載し、バイト22が溝を加工するバイト送り平面Mの結晶方位が(Tanθ,1,0)になるように配置する(θ=20°)。このように、本実施形態は、工具であるダイヤモンドバイト22を回折格子溝面の分散直交方向(溝方向)と並進させてその形状を転写させるシェーパー方式を用いている。
次に、被加工物Wの切削面Cに格子溝を形成する機械加工を行い(S150)、図3に示す状態を得る。S150は被加工面である切削面Cに複数の格子溝を形成するステップである。本実施例では、CdTeまたはCdZnTeの結晶を用いてエシェル型回折格子を製作する際に、短辺11を含む面が(110)面になるように結晶方位を選択し、臨界切り取り厚さ以下で加工している。これにより、短辺11を含む面が(110)面以外の面の場合と比較して、脆性破壊を最小限に留めた非常に良好な加工により高品位な回折素子を得ることができた。頂角13が90度の場合には短辺11を含む面と長辺12を含む面の両面を(110)面で構成することができた。
図3では、一例として、20度の傾斜面を有する短辺11と長辺12が90度のエシェル型回折格子10の短辺11を有する面16と長辺12を有する面15が(110)面になるように加工している。仕上げ時の切り込み厚さを0.2μm以下にすることにより表面粗さ10nm以下の良好な光学面が得られた。
一方、このように結晶方位を選択せずに、例えば、短辺11を有する面16を(111)面とした場合、仕上げ時の切り込み厚さを0.2μm以下としても表面粗さが100nmを上回り、面精度が低下した。なお、従来は、S130の切削面の結晶方位を(111)面などに設定していた。
なお、不純物により完全な結晶を得ることは難しいが、本実施形態の結晶方位は結晶支配性を意味しており、評価結晶方位すべてが完全に方位が揃った状態に限定されるものではない。
エシェル型回折格子10を反射型回折格子として使用する場合、光の入射方向は図1のブレーズ方向に垂直な格子法線から所定角度傾いた方向から格子に入射するために、短辺11と長辺12の影響を受ける。このため、この場合には、短辺11と長辺12の少なくとも一方が(110)面になるように機械加工することが好ましい。もちろん、頂角13が90°であれば短辺11と長辺12の両方を(110)面に設定することができる。また、本実施形態では、機械加工にダイヤモンドバイト22を使用しているが砥石を使用した切削加工であっても(110)面の加工は他の結晶方位面の加工よりも表面粗さを低く抑えることができる。
以上、本実施形態について説明したが、本発明は本実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
回折格子の製造方法は回折格子を製造する用途に適用することができる。
W 被加工物
10 エシェル型回折格子(ブレーズ型回折格子)
11 短辺
22 ダイヤモンドバイト
16 短辺を有する面
17 格子溝
特開2003−075622号公報

Claims (6)

  1. 入射光を回折させ、CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の製造方法であって、
    加工機による機械加工よって被加工物の被加工面に複数の格子溝を形成して前記ブレーズ型回折格子を形成するステップと、
    前記形成するステップによって形成される各格子を構成する面のうち前記入射光を最も多く受光する面が前記結晶の結晶方位である(110)面となるように前記加工機に前記被加工物を搭載するステップと、
    を有することを特徴とするブレーズ型回折格子の製造方法。
  2. 前記入射光を最も多く受光する面は、各格子の三角形の断面形状の短辺を有する面であることを特徴とする請求項1に記載のブレーズ型回折格子の製造方法。
  3. 前記格子溝の開き角は90度であることを特徴とする請求項1または2に記載のブレーズ型回折格子の製造方法。
  4. 前記加工機はダイヤモンドバイトを有し、
    前記形成するステップは、前記ダイヤモンドバイトを用いてシェーパー方式によって前記格子溝を形成することを特徴とする請求項1に記載のブレーズ型回折格子の製造方法。
  5. 前記ブレーズ型回折格子はイマージョン型回折格子であることを特徴とする請求項1に記載のブレーズ型回折格子の製造方法。
  6. 入射光を回折させ、CdTeまたはCdZnTeの結晶材料からなるブレーズ型回折格子の製造方法であって、
    加工機による機械加工よって被加工物の被加工面に複数の格子溝を形成して前記ブレーズ型回折格子を形成するステップと、
    前記形成するステップによって形成される各格子の三角形の断面形状の短辺を有する面が前記結晶の結晶方位である(110)面となるように前記加工機に前記被加工物を搭載するステップと、
    を有することを特徴とするブレーズ型回折格子の製造方法。
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EP11009814.2A EP2466346B1 (en) 2010-12-20 2011-12-13 Manufacturing method of diffraction grating in CdTe or CdZnTe
EP13004129.6A EP2667228B1 (en) 2010-12-20 2011-12-13 Diffraction grating
US13/330,748 US9678253B2 (en) 2010-12-20 2011-12-20 Manufacturing method of diffraction grating
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038158A (ja) * 2012-08-13 2014-02-27 Canon Inc 反射型回折素子
JP2015121605A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 キヤノン株式会社 回折格子および回折格子の製造方法
JP2016173614A (ja) * 2016-07-08 2016-09-29 キヤノン株式会社 反射型回折素子

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5731811B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 キヤノン株式会社 ブレーズ型回折格子の製造方法及びそのための型の製造方法
JP6032869B2 (ja) * 2011-03-10 2016-11-30 キヤノン株式会社 ブレーズ型回折格子
JP6049320B2 (ja) 2012-06-20 2016-12-21 キヤノン株式会社 回折格子および回折格子の製造方法
JP6049319B2 (ja) * 2012-06-20 2016-12-21 キヤノン株式会社 回折格子および回折格子の製造方法
CN103499851B (zh) * 2013-09-29 2015-06-10 清华大学深圳研究生院 一种闪耀凹面光栅制作方法
CN109407192A (zh) * 2018-11-26 2019-03-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种光栅刻划机刻线位置测量光路的调整方法及其系统
CN110788710B (zh) * 2019-10-16 2021-02-19 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种碲锌镉晶体表面磨抛装置
CN112372036B (zh) * 2020-10-30 2023-05-23 东北林业大学 一种亚波长闪耀光栅结构的加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4475792A (en) * 1982-07-27 1984-10-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High resolution diffraction grating
JP2003075622A (ja) * 2001-09-05 2003-03-12 Toshiba Corp 回折格子、回折格子の加工方法及び光学要素

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5946363B2 (ja) * 1979-04-06 1984-11-12 日本電信電話株式会社 平面回折格子の製法
EP0007108B1 (en) * 1978-07-18 1983-04-13 Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation A method of manufacturing a diffraction grating structure
US4376663A (en) * 1980-11-18 1983-03-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for growing an epitaxial layer of CdTe on an epitaxial layer of HgCdTe grown on a CdTe substrate
JP5669434B2 (ja) * 2009-05-09 2015-02-12 キヤノン株式会社 回折素子及び回折素子の製造方法及びそれを用いた分光器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4475792A (en) * 1982-07-27 1984-10-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High resolution diffraction grating
JP2003075622A (ja) * 2001-09-05 2003-03-12 Toshiba Corp 回折格子、回折格子の加工方法及び光学要素

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038158A (ja) * 2012-08-13 2014-02-27 Canon Inc 反射型回折素子
JP2015121605A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 キヤノン株式会社 回折格子および回折格子の製造方法
JP2016173614A (ja) * 2016-07-08 2016-09-29 キヤノン株式会社 反射型回折素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP2466346A1 (en) 2012-06-20
JP5864920B2 (ja) 2016-02-17
EP2667228B1 (en) 2017-07-19
US20120156967A1 (en) 2012-06-21
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