JP2012138411A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ発生室の誘電体壁内側に2重以上の防着シールドを配置し,この防着シールドは、真空容器の誘電体壁のすぐ真空側に設けられ,誘電体壁を覆うように形成された誘電体製の防着シールドと前記防着シールドの内側に設けられる,遮蔽電極として作用し,かつエッチング生成物の形成膜のつながりをきることでRF電力伝達の低下を防ぐためのスリット状の形状を持つ金属性の防着シールドとを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【選択図】図1
Description
また、特許文献4記載のプラズマ発生装置のように、サセプタ203に対向する面がほぼ金属板271で構成されると、プラズマ着火が起こりにくくなるという問題がある。特許文献4では、このような場合に備えて、減圧処理室201にプラズマ着火手段としてプラズマトーチ209を設けなければならないという問題があった
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記第2のシールドのスリットの隙間Wは、1mm以上4mm以下であることを特徴とするプラズマ処理装置としたものである。
本発明の第2の特徴点は、第1のシールドの内側に、スリット状の形状を持つ金属性の第2のシールドを、絶縁部材を介して真空容器に取り付け、放電着火時には、真空容器内にプラズマを生成するための第1に電極として機能し、放電着火後には、ファラデーシールドとして機能するようにした点である。
図1は、本発明のプラズマ発生装置の好ましい実施形態である誘導結合型のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す断面図であり、図2は図1中のシールドの構造を示す図である。
次に、図7を用いて、本発明のプラズマ発生装置をイオンビームエッチング装置に適用した第2の実施形態を図示する。本実施形態により広範囲に均一性良く発生したプラズマから,複数枚のグリッド30、31、32からなるイオンビームレンズ系によりイオンビームとして引き出すことで,広範囲に均一なイオン密度を持つイオンビームを得ることができる。引き出したイオンビームを基板ホルダ(不図示)上に配置された被処理基板(不図示)へ入射させることにより,イオン衝撃による物理的エッチングが可能となる。具体的には、図7においては、縦方向に2mmから3mmの間隔を設けて3枚のグリッド(第1のグリッド30、第2のグリッド31、第3のグリッド31)を配置している。第1のグリッド30の穴径は4mm、第2のグリッド31の穴径は5mm、第3のグリッド32の穴径は6mmにするのが望ましい。また、第2の実施形態では、第1のグリッド30は直流電源30aに接続されており、真空容器1は浮遊電位(フローティング電位)となっている。その他の構成は第1の実施形態と同様である。
ここで、磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜としては、例えば、多層磁性膜(MR層)の一種で、基板の上に下部電極を形成し、その上に磁気抵抗効果素子を構成する7層の多層膜が形成されているものなどがある。この場合、7層の多層膜は、例えば、一番下側に下地層となるTa層、その上に、反強磁性層となるPtMn層、磁化固着層(Pinned Layer、Ru、Pinned Layer)、絶縁層(Barrier Layer)、フリー層が順に積層され、その上にハードマスク層が積層されているものなどがある。
3 誘電体壁
4 高周波誘導アンテナ
6 被処理基板
7 基板ホルダ
10 高周波電源
11 第1のシールド
12 第2のシールド
Claims (2)
- 内部に被処理基板を配置可能な真空容器と、
前記真空容器の一部を構成する誘電体壁と、
前記誘電体壁を介して前記真空容器の外側に配置され、該真空容器内にプラズマを発生させるための高周波誘導アンテナと、
前記被処理基板を支持するための基板ホルダと、
を備えたプラズマ処理装置であって、
前記誘電体壁と対向する真空容器内に、前記誘電体壁を覆うように形成された誘電体製の第1のシールドを設け、
前記第1のシールドの内側に、スリット状の形状を持つ金属性の第2のシールドを、絶縁部材を介して前記真空容器に取り付けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第2のシールドのスリットの隙間Wは、1mm以上4mm以下であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
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