KR101142411B1 - 플라즈마처리장치 - Google Patents

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KR101142411B1
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가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
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Abstract

본 발명은 더욱 균일한 처리를 실현할 수 있는 플라즈마처리장치를 제공하는 것이다.
이를 위하여 본 발명에서는 진공용기 내부의 처리실에 배치된 시료대 상에 탑재된 웨이퍼를 이 처리실 내에서 형성한 플라즈마를 사용하여 처리하는 플라즈마처리장치에 있어서, 상기 진공용기의 상부를 구성하고 상기 처리실을 둘러싸는 유전체성의 벨자와, 이 벨자의 바깥 둘레에 감겨 배치되어 상기 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전력이 공급되는 코일형상의 안테나와, 이 안테나와 상기 벨자와의 사이에서 안쪽과 바깥쪽에서 간극을 두고 2중으로 배치되어 각각이 복수의 슬릿을 가지고 소정의 전위가 되는 도전체제의 패러데이 실드를 구비하고, 상기 바깥쪽의 패러데이 실드와 상기 안쪽 패러데이 실드가 각각의 슬릿이 엇갈리도록 덮는 위치에 배치되었다.

Description

플라즈마처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마처리장치에 관한 것으로, 특히, 처리 용기의 바깥 둘레에 감긴 코일형상의 안테나에 고주파를 공급하여 처리실 내에 형성한 플라즈마를 사용하여 시료를 에칭 등 처리하는 플라즈마처리장치에 관한 것이다.
상기와 같은 에칭장치에서는, 일반적으로, 에칭 대상인 반도체 웨이퍼 등 기판형상의 시료의 표면에 배치된 막을 구성하는 재료나 처리 가스의 종류에 따라, 지금부터 형성되는 반응 생성물이 처리 용기의 내부에 배치된 처리실의 내벽면에 부착된다. 이와 같은 부착물이 상기 내벽면의 표면에 퇴적한 양이 커지면 벽면 상으로부터 벗겨지거나 해리되어 시료의 표면에 재부착되어 이것을 오염하는 이물의 원인이 되는 것이 알려져 있다.
또, 이와 같은 생성물의 퇴적은, 예를 들면 Al2O3를 Cl2로 에칭하는 경우나 SiO2를 CF 등으로 에칭하는 경우에 처리의 안정성을 저하시키는 것이 알려져 있다. 그래서, 종래부터, 처리실 내벽면 상에 대한 생성물의 부착을 저감하는 구성을 구비한 기술이 알려져 있었다.
예를 들면, 진공용기의 외부에서 주위를 감도록 배치된 코일형상의 안테나와 플라즈마의 사이에 패러데이 실드를 설치하고, 이것에 고주파 전력을 공급함으로써, 진공용기 내벽의 디포지션을 억제, 또는 제거할 수 있는 것이 알려져 있다. 이와 같은 종래기술의 예로서는, 일본국 특개2000-323298호 공보(특허문헌 1)에 개시된 것이 알려져 있다. 이 특허문헌 1에서는, 코일형상의 안테나에 공급되는 고주파 전력에 의해 절연체제의 처리 용기의 안쪽에 유도전계 또는 자장에 의한 플라즈마가 형성되나, 이 플라즈마를 구성하는 하전입자를 패러데이 실드에 공급된 전력에 의해 처리 용기 내벽면 상에 유지되는 소정 크기의 전위와의 전위차에 의해 인입하여 내벽면의 생성물과 충돌시켜 이것을 제거하는 것이 개시되어 있다.
또한, 이와 같은 패러데이 실드를 구성하는 하나의 방법으로서, 처리 용기의 외벽면 상에 특정한 금속의 피막을 배치하여 이것을 패러데이 실드로서 기능시키는 것이 알려져 있다. 예를 들면, 일본국 특개2004-235545호 공보(특허문헌 2)에는, 절연체제의 처리 용기의 외벽면 상에 텅스텐의 피막을 용사하여 형성하는 기술이 개시되어 있다.
[특허문헌 1]
일본국 특개2000-323298호 공보
[특허문헌 2]
일본국 특개2004-235545호 공보
상기한 종래기술에서는, 다음과 같은 점에 대하여 고려가 불충분하였기 때문에 문제가 생기고 있었다.
즉, 특허문헌 2에 개시된 바와 같이, 진공용기 외면에 피막을 형성하는 것에서는, 피막의 패러데이 실드와 진공용기 사이의 외벽면과의 사이의 간극이 없어지고, 이것에 의해 패러데이 실드와 플라즈마 사이의 정전 용량을 가능한 한 작게 할 수 있다. 그리고, 이 때문에 종래의 것에 비하여 디포지션을 억제, 또는 제거하는 효과를 향상시킬 수 있는 한편으로, 형성되는 패러데이 실드의 면 방향에 대한 형상은, 판형상의 부재에 의해 구성되어 있던 종래의 것과 마찬가지로, 세로방향(상하방향)으로 연장되는 슬릿을 가지는 형상이기 때문에, 이 슬릿부의 바로 밑(슬릿 의 내부 공간에 대응하는 처리 용기 안쪽)의 내벽면에는, 패러데이 실드에 공급되는 전력에 의해 형성되는 정전계는 작용하지 않는다.
즉, 이 슬릿부에는 하전입자가 진공용기 내벽면에 인입되지 않거나, 좌우의 비슬릿부(판형상 또는 막형상 부재에 바깥 둘레측이 덮여져 있는 내벽면)와 비교하여 하전입자의 인입량이 크게 감소하는, 바꿔 말하면 이온 스퍼터링이 작아진다. 이 때문에, 슬릿부와 비슬릿부에 대응하는 진공용기 내벽면의 각각의 표면에서의 생성물의 부착량, 퇴적량에 큰 차이가 생겨 부착물을 균일하게 제거하는 것은 곤란하게 되어 있었다. 이것은, 시료의 둘레방향(원통 또는 원뿔(대)형상을 가지는 처리 용기의 둘레방향)에 대하여 처리가 불균일, 불안정해지는 것으로, 상기 패러데이 실드의 구성에 의해 균일한 처리의 실현을 손상한다는 문제가 생기고 있었다.
본 발명의 목적은, 더욱 균일한 처리를 실현할 수 있는 플라즈마처리장치를 제공하는 것에 있다. 또, 본 발명의 목적은, 이물의 발생을 억제하여 수율을 향상시킨 플라즈마처리장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제는, 진공용기 내부의 처리실에 배치된 시료대 상에 탑재된 웨이퍼를 이 처리실 내에서 형성을 한 플라즈마를 사용하여 처리하는 플라즈마처리장치로서, 상기 진공용기의 상부를 구성하여 상기 처리실을 둘러싸는 유전체성의 벨자와, 이 벨자의 바깥 둘레에 감겨 배치되어 상기 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전력이 공급되는 코일형상의 안테나와, 이 안테나와 상기 벨자의 사이에서 안쪽과 바깥쪽에서 간극을 두고 2중으로 배치되어 각각이 복수의 슬릿을 가지고 소정의 전위가 되는 도전체제의 패러데이 실드를 구비하고, 상기 바깥쪽의 패러데이 실드와 상기안쪽 패러데이 실드가 각각의 슬릿이 엇갈리게 덮는 위치에 배치된 플라즈마처리장치에 의해 달성된다.
또한, 상기 패러데이 실드가 상기 벨자의 바깥 둘레 벽면 상에 배치된 복수의 막층으로 구성됨으로써 달성된다.
또한, 상기 패러데이 실드에 고주파 전력이 공급됨으로써 달성된다.
또한, 상기 바깥쪽의 패러데이 실드의 상기 인접하는 슬릿 사이의 부재가 상기 안쪽 패러데이 실드의 슬릿의 상기 웨이퍼의 둘레방향의 간극의 전체를 덮어 배치됨으로써 달성된다.
또한, 상기 안쪽 및 바깥쪽 패러데이 실드의 사이에 절연체제(製)의 막이 배치됨으로써 달성된다.
또한, 상기 안쪽 또는 바깥쪽 패러데이 실드가 용사에 의해 형성됨으로써 달성된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 플라즈마처리장치의 구성의 개략을 설명하는 도,
도 2는 전형적인 종래 기술의 패러데이 실드의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도,
도 3은 도 1에 나타내는 실시예 상부의 구성의 개략을 확대하여 나타내는 도,
도 4는 도 3에 나타내는 패러데이 실드와 벨자(12)의 횡단면을 모식적으로 나타내는 확대도,
도 5는 종래기술에 관한 패러데이 실드를 사용한 플라즈마처리장치에서의 처리 용기 및 그 내부의 정전계 또는 자계의 분포를 모식적으로 나타내는 도,
도 6은 도 1에 나타내는 실시예에서의 처리 용기 및 그 내부의 정전계 또는 자계의 분포를 모식적으로 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 이용하여 본 발명에 관한 플라즈마처리장치의 실시형태를 설명한다.
(실시예 1)
도 1은, 본 발명의 실시예에 관한 플라즈마처리장치의 구성의 개략을 설명하는 도면이다. 본 실시예의 플라즈마처리장치(100)에서는, 진공처리실을 둘러싸서 구성하는 진공용기(2)를 가지는 용기와 이 용기 외부에 배치되어 진공처리실 내에 공급되는 전계 또는 자계를 공급하는 전파원 또는 자장원과 용기 내부를 배기하여 감압하는 배기수단을 구비하고 있다.
용기는, 원통형상의 진공용기(2)와 이 윗쪽에 배치되어 진공용기(2)와 연결되어 내부의 원통형상의 공간을 폐쇄하는 절연재료(예를 들면, 석영, 세라믹 등의 비도전성 재료)제의 벨자(12)을 구비하고 있다. 이 벨자(12)는 종단면이 대형상(臺形狀)을 가지고 있고, 횡단면의 원형 중심을 지나는 상하방향의 중심축 주위에 축 대칭 형상을 구비한 원뿔대 형상을 가지고 있다. 이들의 내부에 배치된 공간인 진공처리실은, 진공용기(2)와 벨자(12)의 내벽면에 의해 둘러 싸여 구성되고, 이들의 연결은 플라즈마처리장치(100)의 외부의 대기압 분위기에 대하여 기밀하게 내부를 밀봉 가능하게 되어 있다.
용기 내부의 공간인 진공처리실 내부에는, 벨자(12)의 정점부의 평면부분의 내벽면에 대하여 평행이 되도록, 기판형상의 시료(13)를 탑재하기 위한 탑재대(5)를 구비하고 있다. 탑재대(5) 윗쪽의 진공처리실 내의 공간은, 뒤에서 설명하는 바와 같이, 소정의 진공도까지 감압되어 플라즈마(6)가 형성되고 이것을 사용하여 시료(13)가 처리되는 영역으로 되어 있다. 또, 탑재대(5)는 이것을 포함하는 원통형상을 가지는 시료 유지부(9)의 상부를 구성하고 있다. 시료 유지부(9)의 바깥 둘레와 진공용기(2)의 원통형 내벽과의 사이의 공간은, 진공처리실을 구성하는 공간으로서, 시료(13) 윗쪽에서 형성된 플라즈마(6), 공급된 처리 가스나 시료(13)의 처리에 따라 생성된 생성물 등의 입자를 함유하는 가스가 아래쪽으로 흘러 배기되는 통로로 되어 있다.
벨자(12)의 경사면의 외벽면 바깥 둘레에는, 코일형상의 안테나(1)가 그 외벽을 따라 복수회 감겨져 배치되어 있다. 본 실시예의 안테나(1)는 복수 높이의 위치로 나뉘어져 상부 안테나(1a) 및 하부 안테나(1b)가 배치되어 있다. 또한 벨자(12)의 상기 경사면의 외벽면의 바깥쪽에는 이것을 따라 막형상의 패러데이 실드(8)가 경사면을 덮도록 배치되어 있다.
본 실시예의 벨자(12)는, 진공용기(2) 윗쪽에 설치되어 기밀하게 연결된 상태에서, 그 하단이 탑재대(5) 상면의 시료 탑재면보다 윗쪽에 위치하고, 원형의 하단부가 탑재된 시료(13)의 윗쪽에서 이것을 원주방향으로 둘러싸도록 배치되어 있다. 벨자(12)의 바깥 둘레측에서 이것을 덮어 배치되는 패러데이 실드(8) 및 이 바깥쪽에서 감겨져 배치되는 코일형상의 안테나(1)는, 탑재대(5) 또는 탑재된 시료(13) 윗쪽의 플라즈마(6)가 형성되는 진공처리실의 바깥 둘레측에서 이것을 둘러싸서 배치되어 있다.
본 실시예의 패러데이 실드(8)는, 벨자(12)의 경사면 및 정점부의 평면부를 포함하여 그 외벽면을 덮어 배치되어 있다. 정합기(매칭박스)(3)를 개재하여 고주파 전원(제 1 고주파 전원)(10)에 직렬로 접속되어 있고, 시료(13)의 처리 중에 전체가 소정의 전위를 가지고, 유전체로서 특정한 전위를 가지는 플라즈마(6)와 정전 용량적으로 결합한다. 상기 상부 안테나(1a)와 하부 안테나(1b) 및 패러데이 실드(8)는, 또, 패러데이 실드(8)와 어스 사이에 병렬로 임피던스의 크기가 가변 가능한 직렬 공진 회로[가변 콘덴서(VC3) 및 리액터(L2)]가 접속되어 있다.
직렬 공진 회로를 포함하는 정합기(3)에 의해 패러데이 실드(8)의 전위는 소기의 것이 되도록 조절된다. 특히, 본 실시예의 패러데이 실드(8)의 전위는, 접지전위뿐만 아니라 음양의 임의의 값으로 조절 가능하고, 이 값은 예를 들면 진공처리실 내의 플라즈마 중의 하전입자를 패러데이 실드(8)의 방향으로 인입하여 벨자(12)의 표면에 충돌시키는 것으로 설정 가능하다. 이 하전입자의 충돌에 의해 부착된 생성물이 물리적, 화학적으로 진공처리실 내의 공간으로 다시 유리되어 부착물의 저감이 가능해진다.
진공용기(2)와 진공처리실 내에 공급되는 처리가스의 가스원(4)과의 사이를 연결하는 가스 공급관(4a)이 진공용기(2)의 상단부에 연결되어 있다. 이 가스 공급관(4a) 내부를 통류하는 가스원(4)으로부터의 처리가스가 진공처리실에 면한 개구부로부터 내부로 공급된다. 또, 진공처리실 내의 가스는 진공용기(2) 아래쪽에서 이것과 연결되어 배치된 배기장치(7)의 동작에 의해 이것에 연통한 진공처리실 하부의 개구로부터 배기되어, 진공처리실 내부가 소정의 압력으로 감압된다.
배기장치(7)는 터보분자 펌프 등 본 발명의 기술분야에서 일반적으로 사용되는 배기 펌프를 구비하고, 이것과 진공처리실 내부를 연통하는 개구는 진공용기(2)하부의 탑재대(5)의 중심축으로부터 설계상 정해진 수평방향의 거리만큼 떨어져 설치되어 있다. 이 개구와 배기 펌프의 입구와의 사이를 연통하는 통로 상에는 수평방향으로 배치된 축 주위로 회전하여 통로의 개방된 면적을 증감하는 복수의 배기밸브가 배치되고, 이들을 회전시켜 통로 유로의 면적을 조절하여 배기량 속도를 조절함으로써 압력의 조절이 행하여진다.
가스 공급관(4a)을 거쳐 진공처리실 내에 공급된 처리 가스를 상기 상부 안테나(1a) 및 하부 안테나(1b)에 공급된 전력에 의해 발생하는 전계 또는 자계의 작용에 의해 플라즈마화한다. 탑재대(5) 내부에 배치된 전극에는 기판 바이어스 전원(제 2 고주파 전원)(11)이 접속되어 있고, 이 기판 바이어스 전원(11)으로부터 전극에 공급된 전력에 의해 탑재대(5) 및 이것에 탑재된 시료(13) 윗쪽에 바이어스 전위가 형성된다. 이 바이어스 전위와 플라즈마(6) 전위와의 전위차에 따라 플라즈마(6) 중에 존재하는 이온 등 하전입자를 시료(13) 상으로 인입하여 소망하는 시료(13)의 처리를 고속으로 실시할 수 있다.
또한, 고주파 전원(10)으로부터 공급되는 전력은, 주파수로서 예를 들면 13.56 MHz나 더욱 주파수가 높은 VHF 대 등의 고주파의 전력을 사용한다. 이와 같은 고주파의 전력을 안테나(1) 또는 패러데이 실드(8)에 공급함으로써, 진공처리실 내에 플라즈마(6)를 생성하기 위한 유도전계 또는 자계를 형성한다. 이 때, 정합기(매칭박스)(3)를 사용하여, 안테나(1)의 임피던스를 고주파 전원(10)의 출력 임피던스에 일치시켜, 전력의 반사를 억제하도록 조절할 수 있다. 본 실시예에서는, 정합기(3)로서, 예를 들면 도면에 나타내는 바와 같이 가변 용량 콘덴서(VC1, VC2)를 역 L자형으로 접속한 것을 사용한다.
이와 같은 실시예에서는, 진공용기(2)의 바깥쪽 측벽에 연결되어 그 내부가 감압된 용기 내의 반송실을(도시 생략한 진공용 로봇 아암에 유지되어) 반송되어 온 반도체 웨이퍼 등의 시료(13)가 진공처리실 내의 탑재대(5) 상에서 복수의 핀 위로 수수된 후 탑재대(5)의 원형의 상면에 탑재되어 흡착 유지된다. 시료(13) 이면과 탑재대(5) 사이로 열전달 가스가 공급된 상태에서, 시료(13) 윗쪽의 진공처리실 내로 공급된 처리가스의 입자가 안테나(1)로부터 공급된 유도전계 또는 자계에 의해 해리되어, 유도결합에 의한 플라즈마, 소위 유도형의 플라즈마(6)가 형성됨 과 동시에, 탑재대(5) 내의 전극에 공급된 전력에 의해 시료(13) 윗쪽에 기판 바이어스를 형성하여 그 처리가 실시된다.
처리가 개시되어 시료(13)의 소정의 처리가 종료된 것이 검출된 후, 흡착을 해제하여 상기한 반입 순서를 반대로 하여 시료(13)가 반출된다.
본 실시예에서는, 플라즈마(6)를 생성함에 있어서 패러데이 실드(8)는 중요한 효과를 발휘한다. 패러데이 실드(8)가 없는 경우, 안테나(1)에 공급된 고주파의 전력에 의해 전압이 인가된 안테나(1) 코일의 각 부는 임의로 정해지는 전위를 가지고, 이 때문에 안테나(1) 코일 및 진공처리실 내에서 전위를 가지는 플라즈마(6)와의 사이에서의 정전적 결합이 생기고, 이것에 의해 경사면부의 바깥 둘레에 감긴 안테나(1) 근방의 벨자(12) 내벽면이 국소적으로 플라즈마(6)로부터의 하전입자의 충돌에 의해 깎이게 되어 진공처리실의 내벽면이 불균일하게 소모된다.
또한, 이와 같은 벽면 상태의 변화에 의해, 안테나(1)와 벨자(12) 내 플라즈마(6)와의 결합상태가 변화되어, 시료(13) 표면에서의 에칭의 특성, 예를 들면 속도나 그 균일성, 처리의 수직성 등이 변동한다는 악영향을 받는다. 이와 같은 문제를 저감하기 위하여 플라즈마(6)와 패러데이 실드(8)가 설치되고, 벨자(12)의 내벽면과 플라즈마 사이의 전위차를 저감하도록 패러데이 실드(8)에 소정의 전위를 준다. 또한, 본 발명과 같이, 패러데이 실드(8)에 공급하여 이것에 형성하는 전위를, 플라즈마(6)로부터의 하전입자의 충돌에 의해 벨자(12) 내벽면에 부착하여 퇴적되는 부착물이 제거되도록 조절함으로써, 벨자(12) 내벽면의 소모를 억제하면서 처리의 균일성이나 경시(經時)의 변화를 억제하여 수율을 향상할 수 있다.
도 2는, 종래기술에 의한 패러데이 실드의 구성에 대하여 모식적으로 나타내는 사시도이다. 이 도면에서, 도면 상 윗쪽이 벨자(12)의 윗쪽이며, 금속 등 도전체제의 패러데이 실드(8)는 벨자(12)의 상면 및 경사면을 덮도록 소정의 간극을 개재하여 이것에 씌워진다. 그리고, 패러데이 실드(8)의 경사면을 덮는 부분에는, 이 패러데이 실드(8)의 바깥 둘레측에서 절연되어 배치되어 있는 안테나(1) 코일의 감김방향을 가로지르도록 상하방향으로 연장되는 복수의 슬릿이 원형의 상면 중심의 축 주위에 방사상으로 배치되어 있다. 이들 슬릿은 안테나(1)에 의해 형성되는 전계 또는 자계를 모두 차폐하는 것은 아니고 플라즈마(6)의 점화를 용이하게 하기 위하여 일부를 진공처리실 내부로 도입할 목적으로 배치되어 있다.
이와 같은 종래기술에 관한 패러데이 실드(8)를 사용한 처리장치에서는, 이하에 나타내는 바와 같이, 슬릿부 바로 밑의 벨자(12) 내벽면과 패러데이 실드(8)의 슬릿 사이의 부재와의 사이에서 부착물의 양에 차이가 크게 생긴다. 즉, 슬릿의 바로 안쪽의 벨자(12) 내벽면 상에서는 부착물의 양이 크고, 슬릿 사이의 바로 안쪽에서는 양이 적어져, 진공처리실 내벽면 상의 부착물의 양이 시료(13) 또는 진공처리실의 원통형상의 둘레방향에 대하여 불균일해지고, 나아가서는 시료(13)의 처리가 둘레방향으로 불균일해진다.
도 3은, 도 1에 나타내는 실시예의 주요부를 확대한 것을 나타내는 종단면도이다. 본 도면에 나타내는 바와 같이, 벨자(12)는 절연재료(예를 들면, 석영, 산화알루미늄과 같은 세라믹 등의 비도전성 재료)제로 종단면이 사다리꼴 형상을 하고 있고, 벨자(12) 경사부의 바깥 둘레에 감기도록 상기 안테나(1)[상부 안테나(1a), 하부 안테나(1b)]가 배치되어 있다. 이들 상부 안테나(1a) 및 하부 안테나(1b)와 벨자(12)의 바깥 둘레 벽면과의 사이에 패러데이 실드(8)가 위치하고 있다.
가스링(14)은, 벨자(12)의 원형상 하단의 아래쪽에 배치된 링형상의 부재로서, 진공처리실의 바깥 둘레측을 둘러싸서 배치된다. 이 가스링(14)은, 상기 공급되는 처리 가스가 진공처리실 내로 도입되는 적어도 하나의 개구가 진공처리실에 면한 부분에 배치된 부재이다. 가스링(14)의 내부에는, 가스 공급관(4a)으로부터 공급된 처리 가스(예를 들면 Cl2, BC13, C4F8, C5F8, CO, CF4 등의 불화탄소)가 통류하는 도시 생략한 가스 통로가 배치되어 있다. 이 가스 통로를 통과한 처리 가스는, 가스링(14)의 진공처리실 안쪽에 면해 설치되어 있는 가스 분출구(16)로부터 진공처리실 내로 유출된다.
본 실시예에서는, 가스링(14)의 진공처리실에 면한 내벽면의 안쪽에는, 간극을 개재하여 이것을 덮는 링형상의 방착판(15)이 배치되고, 가스링(14) 특히 가스분출구(16)의 표면에 생성물 등 부착물이 퇴적하는 것을 억제하고 있다. 가스 분출구(16)로부터 진공처리실 내로 도입된 처리가스는, 방착판(15) 상에 형성되어 있는 분출 개구(15a)를 통과하여 시료(13) 윗쪽의 공간으로 유입, 확산된다. 또한, 방착판(15)은 그 상단부가 본 실시예는 벨자(12)의 하단에서 그 하면과 가스링(14) 상단면과의 사이에 끼워져 배치되어 있으나, 상단부를 벨자(12)의 하단부의 내벽면을 덮도록 연장시켜 배치되어 있어도 된다.
본 실시예에서는, 패러데이 실드(8)는 벨자(12) 바깥 둘레 벽면을 덮는 도전성 박막(17)에 의해 구성되어 있다. 특히, 도 3에 나타내는 바와 같이 복수의 막층으로 구성되어 있고, 아래쪽 막인 도전성 박막(17a) 및 윗쪽 막인 도전성 박막(17b)(예를 들면 W)과 이들의 층간 및 벨자(12)와의 사이를 절연하는 예를 들면 Al2O3제의 절연재층(18)이 배치되어 있다. 절연재층(18)도 복수의 도전성 박막(17a, 17b)을 절연하기 위하여 복수의 층으로 구성되어 있고, 아래쪽의 절연재층(18a) 및 윗쪽의 절연재층(18b)이 도전성 박막(17a, 17b)과 교대로 적층되어 배치되어 있다.
이들 막층은, 벨자(12)의 바깥쪽 표면 상에 특정한 제막(製膜)의 방법에 의해 형성된다. 특히, 본 실시예에서는 용사에 의해 배치되어 있다. 패러데이 실드(8) 및 절연재층(18)을 용사에 의해 박막으로서 형성한 것에 의하여, 그 두께를 둘레방향 및 상하의 방향에 대하여 정밀도 좋게 구성할 수 있다. 이 때문에, 패러데이 실드(8)와 플라즈마(6) 사이의 거리를 정밀도 좋게 관리할 수 있고, 벨자(12) 내벽면의 부착물의 양의 균일성이 향상하여, 벨자(12) 내벽면에 대한 디포지션 제거가 균일화된다.
또한, 패러데이 실드(8)가 소정의 거리를 두고 배치된 복수의 막층으로서 구성됨으로써, 패러데이 실드(8)에 인가되는 전압(Faraday Shield Voltage ; FSV)을 낮은 전압으로 퇴적물을 제거하는 것이 가능해진다. 이에 의하여, 슬릿을 가진 패러데이 실드(8)에 의한 벨자 내벽면의 소모를 완화할 수 있다. 또한, 패러데이 실드의 벨자 내벽면 클리닝 원리와 FSV를 최적화하는 방법에 대해서는, 상기 특허문헌 4에 상세하게 기재되어 있다.
도 4는, 도 1에 나타내는 실시예에 관한 패러데이 실드 및 진공용기의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 도면과 같이, 본 실시예에서는 패러데이 실드(8)를 구성하는 복수층의 도전성 박막(17a, 17b)은 절연재층(18a, 18b)을 사이에 두고 교대로 배치되어 패러데이 실드(8)의 슬릿부를 3차원적으로 구성하고 있다.
즉, 벨자(12) 바깥 둘레 표면으로부터 윗쪽(바깥쪽)으로 순서대로 텅스텐제의 도전성 박막(17a), 알루미나제의 박막인 절연재층(18a), 마찬가지로 텅스텐제의 도전성 박막(17b), 알루미나제의 절연재층(18b)이 설치되어 있다. 윗쪽의 도전성박막(17b) 및 아래쪽의 도전성 박막(17a)은, 각각 벨자(12)의 경사면부 및 정점부의 전체를 덮어 배치되어 있음과 동시에, 안테나(1)가 감긴 방향(본 실시예에서는 좌우방향)을 가로지르는 방향으로, 즉 상하방향으로 연장되는 복수의 슬릿부를 가지고 있다.
이들 슬릿부는, 패러데이 실드(8)에 안테나(1) 또는 플라즈마(6)의 유도전계 또는 자계에 의해 생기되는 역기전류가 상기 전계 또는 자계의 형성을 방해하는 방향으로 흐르는 것을 억제하기 위하여 배치되고, 상기 전계 또는 자계가 미치는 범위에서 가능한 한 넓은 범위에서 많은 부분에 배치되어 있다. 즉, 도 2의 구성을 구비하고 있다.
또, 윗쪽의 도전성 박막(17b)의 슬릿 사이의 막부는 아래쪽의 도전성 박막(17a)을 슬릿부의 바깥쪽(윗쪽)을 덮도록 배치되어 있다. 즉, 도전성 박막(17a, 17b)은 상하에서 각 슬릿부가 한쪽의 슬릿부를 다른쪽 슬릿 사이의 부재가 서로 덮는 구성을 구비하고 있다. 바꿔 말하면, 다중으로 배치된 패러데이 실드(8)의 도전성 박막(17a, 17b)은 그 복수의 슬릿부 또는 슬릿 사이의 부재의 부분이 엇갈리도록 배치되어 있다.
도전성 박막(17a, 17b)의 슬릿 사이의 막부의 좌우방향의 끝부의 상대 위치는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 바깥쪽 방향(상기 방사상의 방향)에 대하여 본 경우에 간극이 비어도 되고, 끝부로부터 안쪽으로 들어가 막부가 겹쳐 오버랩되어 있어도 된다. 본 실시예에서는, 슬릿 사이의 막부끼리의 끝점이 직선 상의 위치에 겹쳐 있거나, 작용?효과가 현저하게 손상되지 않을 정도로 겹쳐 있다.
한편, 본 도면에 나타내는 α와 같이 상하의 도전성 박막(17a, 17b)의 슬릿 사이의 막부의 끝점끼리에 간극이 크게 비면, 이 간극 부분(α)의 바로 안쪽의 벨자(12) 내벽면 상에는 그 주위와 비교하여 크게 생성물이 퇴적되게 된다. 또, β와 같이 텅스텐 박막을 크게 오버랩한 경우, 오버랩한 영역이 클수록, 도전성 박막(17a, 17b)의 사이에서 부유 용량을 개재하여 주회 전류가 발생하기 쉬워진다. 이 때, 안테나(1)로부터 발생되는 유도자장이 주회 전류에 의해 상쇄되어 형성되는 플라즈마(6)의 밀도나 분포를 소기의 것으로 하는 것이 곤란해지는 경우가 있기 때문에, 사양을 실현하기 위하여 오버랩의 양을 적절한 것으로 하는 것이 바람직하다.
본 실시예의 패러데이 실드(8)의 막층 구조를 실현하는 각 막의 두께는, 도전성 박막(17a, 17b)은 각각 100 ㎛, 절연재층(18a, 18b)은 각각 150 ㎛가 되도록 형성된다. 본 발명에서, 이들 두께의 값은, 본 실시예의 값에 한정되는 것은 아니고, 도전성 박막(17a, 17b) 전체에 주회 전류가 발생하지 않는 적절한 막 두께로 설정된다. 또한, 이들 슬릿의 폭, 슬릿 간 막부의 폭에 대해서도, 공급되는 전력의 크기, 주파수, 벨자(12)의 재료, 두께 등 사양에 따라 적절하게 선택된다.
또, 본 실시예에서는, 아래쪽의 막층과 함께 절연재층(18b)이 벨자(12)의 정점부 및 경사면부의 전체를 덮어 배치되어 벨자(12)를 피복하고, 도전체 박막(17a, 17b)은 그 바깥쪽의 외기에 노출되지 않게 되어 있다. 이 때문에, 벨자(12)를 플라즈마처리장치(100) 본체로부터 떼어내어 이것을 세정할 때에, 도전성 박막(17a, 17b)이 대기나 세정용 재료에 닿아 부식하는 것이 저감되어, 처리도 용이해지고 세정의 효율이 향상한다.
다음에, 본 실시예의 정전계 또는 자계의 작용에 대하여, 도 5 및 도 6을 이용하여 설명한다. 도 5는, 종래기술에 관한 패러데이 실드를 사용한 플라즈마처리장치에서의 처리 용기 및 그 내부의 정전계 또는 자계의 분포를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 6은, 도 1에 나타내는 실시예에서의 처리 용기 및 그 내부의 정전계 또는 자계의 분포를 모식적으로 나타내는 도면이다. 이들 도면에서 굵은 실선으로 나타내는 등고선은, 패러데이 실드(8) 또는 도전성 박막(17a, 17b)으로부터 공급되는 정전계 또는 자계의 등강도를 연결하는 것으로, 이 등고선이 더욱 평탄할수록, 플라즈마(6) 중의 하전입자를 인입하는 작용의 크기가 더욱 평탄해지는 즉, 하전입자의 벨자(12)의 내벽면에 대한 충돌의 정도가 더욱 균일해지게 된다.
종래기술에 관한 도 5에 나타내는 패러데이 실드(8)의 구성에서는, 공급되는 전력에 의해 지금부터 발생하는 정전계(20)는, 상기와 같이, 슬릿부에서 정전계(20)의 강도가 저하하는 부분이 생겨 그 등고선에 불균일한 부분이 생기기 때문에, 플라즈마(6)에 대하여 벨자(12)의 내벽면 상에서 불균일한 상태로 정전계(20)가 도달한다. 이 때문에, 벨자 내벽면 상에 도달하는 이온의 밀도, 양 나아가서는 부착량이 면 상에서의 둘레방향에 대하여 불균일함이 현저해졌다.
한편, 본 실시예에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 패러데이 실드(8)를 구성하는 다중층의 도전성 박막(17a, 17b)의 각 슬릿은 절연재층(18a)을 사이에 두고 엇갈리게 배치되어 있다. 이 구성에서, 절연재층(18a)의 아래쪽 막인 도전성 박막(17a)의 슬릿부 및 그 상부에는 윗쪽의 도전성 박막(17b)의 슬릿 사이의 막부로부터 정전계 또는 자계가 공급되게 되고, 이 전계 또는 자계에 의하여 상기 슬릿부[아래쪽 도전성 박막(17a)의 막부 끝부끼리의 사이]에서의 도전성 박막(17a)의 정전계 또는 자계의 강도는 증가되고, 도전성 박막(17b)으로부터 발생하는 정전계 또는 자계(21)와 결합을 일으키고, 아래쪽 도전성 박막(17a)의 슬릿부에서의 정전계 또는 자계(21)의 저하가 억제되어 벨자(12)의 안쪽 벽면에 도달한 정전계 또는 자계(21)가 더욱 평탄한 상태에서 플라즈마(6)와 면할 수 있다. 그 때문에, 종래의 기술에 비하여 균일성 좋게 퇴적물을 제거하는 것이 가능해진다.
한편, 상하의 도전성 박막(17a, 17b)의 슬릿끼리가 서로 막부로 덮여지게 되나, 안테나(1)로부터의 유도전장 또는 자장은 상하방향으로 적층된 도전성 박막(17a, 17b)의 사이에 배치된 절연재층(18a, 18b)을 통하여, 도전성 박막(17a)의 슬릿부로부터 벨자(12)를 개재하여, 진공처리실 내부에 전계, 자계를 형성할 수 있다. 이 때문에, 플라즈마(6)를 착화하여 유지하는 데 필요한 전계, 자계는, 종래 기술과 비교하여 본 실시예의 구성의 패러데이 실드(8)는 현저하게 손상되는 것이 억제되어 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 의하면, 패러데이 실드(8)에 바깥 둘레 벽면이 덮여진 진공처리실의 안쪽 벽면의 부착물의 양 또는 소모량이 시료(13) 또는 진공처리실의 둘레방향에 대하여 균등화되어, 신뢰성과 수명을 향상시킨 플라즈마처리장치를 실현할 수 있다. 또, 둘레방향에 대한 시료의 처리가 균등화되고, 또는 이물의 발생이 억제되고 이물의 분포가 균등화되어, 처리의 효율, 수율이 향상된다.
상기한 본 발명의 구성은, 본 실시예에 한정되는 것은 아니고, 부착 및 처리의 균등화, 또는 신뢰성과 효율 향상의 작용?효과를 손상하지 않는 범위에서 요구되는 사양에 따라 적절한 것을 선택할 수 있다. 예를 들면, 본 실시예에서는 고주파 전력을 패러데이 실드(8)에 공급하여 바이어스 전위를 벨자(12)의 내벽면 상에 형성하여 하전입자를 인입하고 있으나, 종래 기술과 같이 접지전위로 하여도 되고, 부착물을 적절하게 부착시켜 균등한 양으로 유지시키는 전위가 되도록 공급 전력을 조절하여도 된다.
1 : 안테나 2 : 진공용기
3 : 정합기 4 : 가스원
5 : 탑재대 6 : 플라즈마
7 : 배기장치 8 : 패러데이 실드
9 : 시료 유지부 10 : 고주파 전원
11 : 기판 바이어스 전원 12 : 벨자
13 : 시료 14 : 가스링
15 : 방착판 16 : 가스 분출구
17 : 도전성 박막 18 : 절연재층

Claims (7)

  1. 진공용기 내부의 처리실에 배치된 시료대 상에 탑재된 웨이퍼를 이 처리실 내에서 형성한 플라즈마를 사용하여 처리하는 플라즈마처리장치에 있어서,
    상기 진공용기의 상부를 구성하여 상기 처리실을 둘러싸는 절연체제의 벨자와, 이 벨자의 바깥 둘레에 감겨 배치되어 상기 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전력이 공급되는 코일형상의 안테나와, 이 안테나와 상기 벨자와의 사이에 배치된 패러데이 실드로서, 상기 벨자의 외벽 표면으로부터 바깥쪽을 향하여 순서대로 배치된 안쪽의 패러데이 실드 및 이 안쪽의 패러데이 실드로부터 간극을 두고 이를 덮는 바깥쪽의 패러데이 실드를 가진 이중의 패러데이 실드를 구비하고, 이들 안쪽 및 바깥쪽의 패러데이 실드의 각각이 상기 안테나의 감긴 방향을 가로지르는 방향으로 연장되는 복수의 슬릿을 가지고 소정의 전위가 되는 도전체로 구성되고,
    상기 바깥쪽의 패러데이 실드와 상기 안쪽 패러데이 실드가 각각의 슬릿이 엇갈리게 덮는 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 패러데이 실드가 상기 벨자의 바깥 둘레 벽면 상에 배치된 복수의 막층으로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  3. 안쪽이 감압되는 처리 용기 내부에 배치된 처리실 내에 배치되어 그 상면에 원형의 웨이퍼가 탑재되는 시료대와, 이 시료대의 윗쪽에서 상기 처리 용기의 상부를 구성하여 상기 시료대의 바깥 둘레를 둘러싸는 절연체제의 벨자와, 이 벨자의 외벽면의 바깥쪽에서 상기 시료대를 둘러싸서 감긴 코일형상의 안테나와, 이 안테나에 고주파 전력을 공급하는 전원과, 상기 벨자와 상기 안테나의 사이에 배치되어 소정의 전위가 되는 막형상의 패러데이 실드와, 상기 처리 용기 아래쪽에 연결되어 상기 처리실과 연통하여 배치된 배기수단을 구비하고,
    상기 패러데이 실드가 상기 벨자의 외벽 표면으로부터 바깥쪽을 향하여 순서대로 배치된 안쪽의 패러데이 실드 및 이 안쪽의 패러데이 실드로부터 간극을 두고 이를 덮는 바깥쪽의 패러데이 실드를 가진 이중의 패러데이 실드를 구비하고, 이들 안쪽 및 바깥쪽의 패러데이 실드의 각각이 상기 안테나의 감긴 방향을 가로지르는 방향으로 연장되는 복수의 슬릿을 가지고, 이들 안쪽 및 바깥쪽 패러데이 실드의 상기 복수의 슬릿 사이의 부재가 다른쪽 슬릿을 엇갈리게 덮는 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패러데이 실드에 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 바깥쪽 패러데이 실드의 인접하는 슬릿 사이의 부재가 상기 안쪽 패러데이 실드의 슬릿의 상기 웨이퍼의 둘레방향의 간극의 전체를 덮어 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  6. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안쪽 및 바깥쪽의 패러데이 실드의 사이에 절연체제의 막이 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  7. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안쪽 또는 바깥쪽의 패러데이 실드가 용사에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5711953B2 (ja) * 2010-12-13 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5856791B2 (ja) * 2011-10-05 2016-02-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
WO2013099372A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 キヤノンアネルバ株式会社 放電容器及びプラズマ処理装置
DE102012103425A1 (de) * 2012-04-19 2013-10-24 Roth & Rau Ag Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
JP6620078B2 (ja) * 2016-09-05 2019-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP7042143B2 (ja) * 2018-03-30 2022-03-25 株式会社ダイヘン プラズマ発生装置
JP7042142B2 (ja) * 2018-03-30 2022-03-25 株式会社ダイヘン プラズマ発生装置
JP7139181B2 (ja) * 2018-07-26 2022-09-20 ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
KR102540773B1 (ko) * 2021-01-19 2023-06-12 피에스케이 주식회사 패러데이 실드 및 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040077019A (ko) * 2003-02-27 2004-09-04 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마처리장치 및 처리방법
KR100452920B1 (ko) 2002-07-19 2004-10-14 한국디엔에스 주식회사 유도결합형 플라즈마 에칭 장치
US20050194355A1 (en) 2002-07-31 2005-09-08 Lam Research Corporation Method for adjusting voltage on a powered faraday shield
KR100783071B1 (ko) 2006-12-22 2007-12-07 세메스 주식회사 패러데이 실드 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6063233A (en) * 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6024826A (en) * 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US5540800A (en) * 1994-06-23 1996-07-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing
US5650032A (en) * 1995-06-06 1997-07-22 International Business Machines Corporation Apparatus for producing an inductive plasma for plasma processes
US6132551A (en) * 1997-09-20 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil
US6149760A (en) * 1997-10-20 2000-11-21 Tokyo Electron Yamanashi Limited Plasma processing apparatus
US6280563B1 (en) * 1997-12-31 2001-08-28 Lam Research Corporation Plasma device including a powered non-magnetic metal member between a plasma AC excitation source and the plasma
US6388382B1 (en) * 1999-03-09 2002-05-14 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and method
JP4384301B2 (ja) * 1999-09-13 2009-12-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US6447636B1 (en) * 2000-02-16 2002-09-10 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with dynamic RF inductive and capacitive coupling control
US6685799B2 (en) * 2001-03-14 2004-02-03 Applied Materials Inc. Variable efficiency faraday shield
US20070170867A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma Immersion Ion Source With Low Effective Antenna Voltage
JP4659771B2 (ja) * 2007-02-13 2011-03-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100452920B1 (ko) 2002-07-19 2004-10-14 한국디엔에스 주식회사 유도결합형 플라즈마 에칭 장치
US20050194355A1 (en) 2002-07-31 2005-09-08 Lam Research Corporation Method for adjusting voltage on a powered faraday shield
KR20040077019A (ko) * 2003-02-27 2004-09-04 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마처리장치 및 처리방법
KR100783071B1 (ko) 2006-12-22 2007-12-07 세메스 주식회사 패러데이 실드 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치

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KR20110065252A (ko) 2011-06-15
JP2011124293A (ja) 2011-06-23

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