JP2012124223A - 圧電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、基板30、振動層膜40、圧電体膜60、二つの電極膜50、70を有する圧電アクチュエータにおいて、前記圧電体膜に接触して、Ti,Ta,Zr,V,Nb,Moから選ばれる少なくとも1つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるバリア層10、11を設ける。
【選択図】図2
Description
デバイスの用途は異なるが、インクジェット用アクチュエーターも強誘電体メモリーも駆動電圧の繰り返し印加が実行される点では同じであり、駆動電圧の繰り返しによるデバイスの耐久性の課題も共通していると言える。
前記の特許文献4には、RTA(Rapid Thermal Anneal)を採用する強誘電体デバイスの形成方法が記載されている。
前記の特許文献5には、第2電極層上の第1バリア層をIrO2で形成する強誘電体デバイスが記載されている。
前記の特許文献6には、上部電極が誘電体膜に近い側に形成されたSrRuO3膜と、誘電体膜から遠い側にSrRuO3とは異なる導電材料を用いて形成された導電膜とによって構成する半導体が記載されている。
前記の特許文献7には、バリア膜(TiAlN膜、TiN膜等)を下部電極の下全面上に形成する半導体が記載されている。
(2)基板上に、振動層膜、第一の電極膜、第一のバリア層膜、圧電体膜、第二のバリア層膜、第二の電極膜がこの順番で積層され、かつ該第二のバリア層膜がTi,Ta,Zr,V,Nb,Moから選ばれる少なくとも1つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されることを特徴とする上記(1)に記載の圧電アクチュエータ。
(3)前記第二バリア層膜を構成する材料における金属炭化物の割合が20mol%以上であることを特徴とする上記(2)に記載の圧電アクチュエータ。
(4)前記第一層膜を構成する材料がLaNiO3であることを特徴とする上記(2)または(3)に記載の圧電アクチュエータ。
(5)前記圧電体膜がチタン酸ジルコン酸鉛からなることを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載の圧電体アクチュエータ。
(6)上記(1)〜(5)のいずれかに記載の圧電アクチュエータを備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
(7)上記(6)に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
図1に本発明の圧電アクチュエータの概略図を示す。基板30上に第一バリア層膜10および下部電極50と第二バリア層膜11および上部電極70との間に挟まれた電気機械変換効果を示す圧電体膜60が形成され、電界印加に対して基板と一体となっている振動層膜の一部を変形させる。図中、符号40は振動層膜、51は電極密着層を示している。ここで、基板30と電極密着層51の間に形成されている振動層膜40は、例えば、Si基板材料の表面を熱酸化することにより形成されるSiO2絶縁膜である。また、振動層膜40と下部電極50との間に形成されている電極密着層51は、圧電アクチュエータの機械的強度を担うことから、金属酸化膜で形成される。
下部電極50の膜厚は100〜250nmである。また、下部電極50の形成条件は、基板温度:250〜350℃、RF投入パワー:300〜500W、Arガス圧:2×10−3〜5×10−2Torrである。
上部電極70の膜厚は50〜150nmである。また、上部電極70の形成条件は、基板温度:250〜350℃、RF投入パワー:300〜500W、Arガス圧:2×10−3〜5×10−2Torrである。
上記の記載では、電極形成にスパッタ法を用いた場合の条件を示してある。スパッタ装置は、キヤノンアネルバ社製のスパッタ装置(型式:E−401S)を用いた。本装置はターゲットサイズは4インチφのサイズであり、上記に記載した投入パワーは4インチφのサイズに印加した電力であり、ターゲットサイズが変わった場合は面積比率で増減することにより条件の置き換えが可能である。
第二バリア層膜11の材料としては、バリア性が良く、酸素が移動する電極界面において酸化物電極より安定な材料で、しかもPZTおよび通常用いられるPt、Irなどの金属電極との密着性にも優れ、電気抵抗の小さな材料が選択され、具体的には、Ti、Ta、Zr、V、Nb、Moから選ばれた少なくとも一つの金属と酸素および炭素により構成された材料が用いられる。
第二バリア層膜11の膜厚は、化学的な安定性が高いため公知の密着層膜厚範囲よりも薄くてもよく、第二バリア層の膜厚は2〜50nm程度であり、好ましくは2〜30nm、より好ましくは2〜20nmである。2nm未満であると膜として全面を均一に覆うことが難しく、50nmを超えると圧電体膜の変位を阻害し始める。
また、第二バリア層膜11は、前記材料の粉末を用い、均一混合後HIP法(ガス圧を用いて等方圧加圧下で焼結させる方法)によりスパッタリング・ターゲット状に焼結し、これを用いてスパッタリングより成膜される。第二バリア層11の形成条件は、基板温度:200〜300℃、RF投入パワー:300〜500W、Arガス圧:2×10−3〜5×10−2Torrである。
第一バリア層膜10の材料としては、次に積層される圧電体膜60と結晶の格子整合性が良好なLaNiO3、IrO2、SrO、SrRuO3、CaRuO3、BaRuO3、LaCuO3、LaCoO3、LaTiO3、LuNiO3、CaIrO3、CaRuO3、などであるのが好ましい。特に好ましい材料はLaNiO3である。
第一バリア層膜10の膜厚は10〜100nm、好ましくは30〜80nmである。10nm未満であると膜として十分なバリア性が得られない場合が起こりえることとなり、100nmを超えるとエッチング時の時間が掛かり過ぎる、プロセス時間が増大することとなってしまう。
第一バリア層膜10の形成条件は、基板温度:250〜550℃、RF投入パワー:300〜500W、Arガス圧:2×10−3〜5×10−2Torrである。
電極密着層膜51の膜厚は100〜600nmであり、膜内の応力分布を生じさせないためには、より好ましくは300〜400nmである。密着層膜51の形成条件は、基板温度:300〜500℃、RF投入パワー:300〜500W、Arガス圧:3×10−3〜7×10−3Torrである。
本発明に係る液滴吐出装置は、液滴を吐出(噴射ともいう)させて画像を形成する装置であって、前述した本発明の液滴吐出ヘッドを備えていることを特徴とする。
ここでは、図4及び図5を用いて、本発明の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置であるインクジェット記録装置を実施例として説明する。なお、図4は同記録装置の斜視説明図、図5は同記録装置の機構部の側面説明図である。
以下の手順で、圧電アクチュエータ及び圧電アクチュエータ構造体(液滴吐出ヘッド1)を作製した。
まず、Si(100)基板材料の表面を熱酸化することによりSiO2絶縁膜を形成した。このSiO2膜が振動板40となる。このときのSiO2膜厚は2μmとした。
つぎに、このSiO2/Si基板の上に下部電極50との密着層となる電極密着層51を成膜した。電極密着層51の形成条件は、基板温度:300℃、RF投入パワー:500W、Arガス圧:5×10−3Torr、形成した膜厚は50nmである。
次に、下部電極50としてのPt電極を200nmの膜厚で形成した。下部電極50の形成条件は、基板温度:300℃、RF投入パワー:500W、Arガス圧:3×10−3〜5×10−3Torrとした。これにより、下部電極50は(111)面が膜厚方向に配向している。
さらに、下部電極膜50上に第一バリア層10として、次に積層される圧電体膜60と結晶の格子整合性の良好なLaNiO3を100nmの厚みで成膜した。第一バリア層10の形成条件は、基板温度:300℃、RF投入パワー:300W、Arガス圧:4.2×10−3Torr、酸素ガス圧:8×10−4Torrである。酸素ガスを導入する理由はLaNiO3膜中の酸素欠損を減らす目的である。
まず、酢酸鉛三水化物を2メトキシエタノール中に溶解させ、137℃で蒸留し結晶水を排出させる。次に、所定の組成(この場合は質量割合が、Pb/Ti/Zr=100/47/53)になるように秤量したZrとTiのアルコキシドを、上記脱水した酢酸鉛溶液に加え、127℃で還流させることによりPb、Ti、Zrに複合アルコキシド溶液を調製した。この溶液を用い、(111)面が膜厚方向に配向するPtコーティング層をもつPt/Ti/SiO2/Si基板上に3000rpmでのスピンコート法により薄膜を作成した。ついで、これを乾燥した後、400℃および450℃の2種類の温度条件でそれぞれ保持時間:3分間、有機物熱分解を10〜25回繰り返した後、昇温速度30℃/secで700℃、5分間の焼成をO2雰囲気中で行い、膜厚300nm〜1μmのPb(Ti0.47Zr0.53)O3
薄膜をPt/Ti/SiO2/Si基板からなる積層薄膜上に形成した。
ターゲットの仕込みの状態では、酸化物と炭化物の混合物であり、焼結後もその状態はほぼ変わらないものと思われるが、膜となった状態ではランダムなネットワークを作っており、X線回折測定を行っても回折ピークが現れてくることはなかった。前記の表1には、酸化物と炭化物のターゲット仕込み量で記載しているが、成膜された薄膜としては結晶構造をもっていないことを確認している。
ここで、第二バリア層11の形成条件は、基板温度:300℃、RF投入パワー:300W、Arガス圧:5×10−3Torr、形成した膜厚は10nmである。
その後、フォトリソグラフィーの技術を用いレジストパターンを形成後、断面で図2となる形状に積層構造のエッチング及びレジストアッシングを行った。図1の上部電極のサイズは、45μm×1mmの短冊状の形状とした。
評価結果は表3に示されるとおりであり、1012回までは、上記条件にて初期値10%以内減衰で確保できることが判った。
印加電圧 40V (0Vから3minでゆっくり電圧を上げ、1min保持
3minで0Vまでゆっくり電圧を下げる。)
分極後の評価 上部電極と下部電極との間に駆動電圧繰り返し印加テストの印加電圧の矩形波1kHzで計測したキャパシタンスを初期値として測定。
《駆動電圧繰り返し印加テスト条件》
印加電圧 DC 0−30V 矩形波(上部電極が正の電位)
印加周期 100kHz
Duty 50%(プラス電位印加の時間割合)
テスト途中の評価 分極後のキャパシタンス初期値を1として規格化し、印加回数毎に各ポイントで分極後の評価と同じ評価をして減衰率を見た。規格化後初期値10%減衰した時点を疲労評価ポイントとした。
その結果、1012回までは、上記条件にて初期値10%以内減衰で確保できることが判った。
実施例1において、スパッタリングターゲットの組成を(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、(TaO2)0.2(TaC)0.8とし、それ以外は実施例1と同様にして、図1の圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、スパッタリングターゲットの組成を(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、(ZrO2)0.5(ZrC)0.5とし、それ以外は実施例1と同様にして、図1の圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、スパッタリングターゲットの組成を(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、(VO2)0.2(VC)0.8とし、それ以外は実施例1と同様にして、図1の圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、スパッタリングターゲットの組成を(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、(Nb2O5)0.3(NbC)0.7とし、それ以外は実施例1と同様にして、図1の圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、スパッタリングターゲットの組成を(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、(MoO2)0.05(MoC)0.95とし、それ以外は実施例1と同様にして、図1の圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、第二バリア層である(TiO2)0.3(TiC)0.7を設けないで、圧電体膜60の上に直接上部電極70を成膜した以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。その結果は、初期値の10%減衰値での繰り返し回数で109回であり、実施例1と比べ2〜3桁低い値であった。
実施例1において、(TiO2)0.3(TiC)0.7を用いる代わりに、TiC単体を成膜した以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製した。ところが、上部電極形成後フォトリグラフィーの工程で誘電体膜とTiC膜との間で膜の剥離が起こり、その後のプロセス継続を断念した。表3の評価結果「×」は、強誘電体との間で膜剥れが発生したため、評価できなかったことを意味する。
実施例1において、(TiO2)0.3(TiC)0.7を用いる代わりに、(SiO2)0.3(SiC)0.7を成膜した以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。また、この例では、Siの酸化物と炭化物では、円形状の剥離が観察された。表3の評価結果「×」は、強誘電体および上部電極との間で円形状に膜剥れが発生したため、評価できなかったことを意味する。
実施例1において、(TiO2)0.3(TiC)0.7を用いる代わりに、(Cr2O3)0.3(CrC)0.7を成膜した以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。表3の評価結果「×」は、膜の応力により不定形に膜剥れが発生したため、評価できなかったことを意味する。
実施例1において、(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、LaNIO3を第二バリア層として成膜した(ただし、膜厚は100nmとした)以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、LaNIO3を第二バリア層として成膜した(ただし、膜厚は100nmとした)以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
実施例1において、(TiO2)0.3(TiC)0.7に代えて、IrO2を第二バリア層として成膜した(ただし、膜厚は100nmとした)以外は、実施例1と同様にして圧電膜積層構造体を作製し、実施例1と同じ疲労特性テストの評価を行った。評価結果をまとめて表3に示す。
炭化物と酸化物の組成量に関して混合割合によるターゲットの比抵抗を調査した。結果を図6に示す。炭化物組成量が20mol%に変曲点があり20mol%未満の炭化物組成量ではでは炭化物を混合した効果が比抵抗の上でも出ていないことがわかる。
実施例1〜6の圧電アクチュエータ構造体を適用して、図4に示す構成の液滴吐出ヘッドを作製したところ、第二バリア層11により疲労劣化が生じない為、素子劣化によるドット抜けや駆動不良のない安定したインク滴吐出特性を有する液滴吐出ヘッドを得ることができた。
また、これら実施例1〜6の液滴吐出ヘッドをインクジェットヘッドとして、図4、図5のインクジェット記録装置に搭載して使用したところ、駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られて、画像の抜け等もなく良好な画像品質が獲られた。
10 第一バリア層膜
11 第二バリア層膜
20 ノズルプレート
21 ノズル孔
30 基板
31 圧力室
40 振動板(SiO2絶縁膜)
50 下部電極
51 電極密着層
60 圧電体膜
70 上部電極
(図3において)
1 第1の基板
2 第2の基板
3 第3の基板
20 ノズルプレート
21 ノズル孔
30 シリコン基板
31 吐出口
32 流体抵抗部
33 共通液室
34 インク供給口
72 保護基板
73 圧電体膜
74 空間
(図4、5において)
81 記録装置本体
82 印字機構部
84 給紙カセット
85 手差しトレイ
86 排紙トレイ
91 主ガイドロッド
92 従ガイドロッド
93 キャリッジ
94 記録ヘッド
95 インクカートリッジ
97 主走査モータ
98 駆動プーリ
99 従動プーリ
100 タイミングベルト
101 給紙ローラ
102 フリクションパッド
103、115、116 ガイド部材
104 搬送ローラ
105、111 搬送コロ
106 先端コロ
107 副走査モータ
109 印字受け部材
112、114 拍車
113 排紙ローラ
117 回復装置
Claims (7)
- 少なくとも、基板、振動層膜、圧電体膜、二つの電極膜を有する圧電アクチュエータであって、前記圧電体膜に接触して、Ti,Ta,Zr,V,Nb,Moから選ばれる少なくとも1つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるバリア層を設けたことを特徴とする圧電アクチュエータ。
- 基板上に、振動層膜、第一の電極膜、第一のバリア層膜、圧電体膜、第二のバリア層膜、第二の電極膜がこの順番で積層され、かつ該第二のバリア層膜がTi,Ta,Zr,V,Nb,Moから選ばれる少なくとも1つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されることを特徴とする請求項1に記載の圧電アクチュエータ。
- 前記第二バリア層膜を構成する材料における金属炭化物の割合が20mol%以上であることを特徴とする請求項2に記載の圧電アクチュエータ。
- 前記第一のバリア層膜を構成する材料が、LaNiO3であることを特徴とする請求項2または3に記載の圧電アクチュエータ。
- 前記圧電体膜がチタン酸ジルコン酸鉛からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の圧電体アクチュエータ。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の圧電アクチュエータを備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項6に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
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