JP2012122790A - センサー装置及びセンサー装置アレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサー装置は、弾性部材11と弾性部材11の内部に配置されたセンサー部12を有し、センサー部12は、圧電性を有するシート状基板と該シート状基板の表面に形成された第1配線層と該シート状基板の裏面に形成された第2配線層とで構成されているトランスデューサー素子(A)131及びトランスデューサー素子(B)132を有し、該トランスデューサー素子(A)131と該トランスデューサー素子(B)132は、該シート状基板よって連結されており、該トランスデューサー素子(A)131に接する第1仮想接平面と該トランスデューサー素子(B)132に接する第2仮想接平面が交差する。
【選択図】図1
Description
本実施形態では、剪断力を検出する特徴的なセンサー装置の例について、図1〜図3に従って説明する。図1は、センサー装置の構成を示す概略斜視図である。図1に示すように、センサー装置1は弾性部材11を備え、該弾性部材の内部にはセンサー部12が設置されている。センサー部12は長尺のシートを中央にて湾曲させて折り曲げた形状に形成されている。そして、センサー部12の一端に第1トランスデューサー素子としてのトランスデューサー素子(A)131が設置され、他端に第2トランスデューサー素子としてのトランスデューサー素子(B)132が設置されている。
(1)本実施形態によれば、トランスデューサー素子(A)131とトランスデューサー素子(B)132とがシート状基板120上に設置され、センサー部12として一体となっている。従って、弾性部材11の内部へトランスデューサー素子(A)131とトランスデューサー素子(B)132とを別々に配置するときに比べて、トランスデューサー素子の配置が容易になる。その結果、センサー装置は製造し易い構造にすることができる。
次に、センサー装置の一実施形態について図4のセンサー部の形状を示す概略斜視図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、第1仮想接平面141と第2仮想接平面142とのなす角度が垂直となっている点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(1)本実施形態によれば、第1仮想接平面141と第2仮想接平面142のなす角度が垂直となっている。トランスデューサー素子(A)131とトランスデューサー素子(B)132とはそれぞれの素子の面と垂直の方向のせん断応力に対して高い感度をもっている。従って、トランスデューサー素子(A)131の面と垂直の方向のせん断応力とトランスデューサー素子(B)132の面と垂直の方向のせん断応力とを高感度に検出することができる。そして2つのトランスデューサー素子の面が垂直になっているので、直交する2方向の剪断力を感度良く検出できる。さらに、2方向の剪断力の情報から剪断力が作用する方向を検出することができる。
次に、センサー装置の一実施形態について図5(a)のセンサー部の形状を示す概略斜視図と図5(b)のセンサー部を展開した模式平面図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、センサー部の形状が異なっている点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(1)本実施形態によれば、シート状基板125に切れ込み129をいれて、シート状基板125を長手方向に縮めるだけでセンサー部14の形状を形成している。従って、生産性良くセンサー部14を製造できる。
次に、センサー装置の一実施形態について図6のセンサー装置の構成を示す概略斜視図と図7のセンサー部の形状を示す概略斜視図を用いて説明する。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、一対のトランスデューサー素子がなす角度が異なっている点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(1)本実施形態によれば、第1仮想接平面141と第3仮想接平面143とが平行となっている。そして、トランスデューサー素子(A)131の出力電圧とトランスデューサー素子(C)133の出力電圧との差分を算出する。該差分は、第1仮想接平面141及び第3仮想接平面143に平行な方向の応力に対する出力電圧を相殺することができる。第1仮想接平面141に対して垂直な方向を第3方向141aとする。従って、第1仮想接平面141及び第3仮想接平面143に垂直な方向である第3方向141aのせん断応力のみを抽出して検出することができる。
次に、センサー装置の一実施形態について図8(a)のセンサー部の形状を示す概略斜視図と図8(b)のセンサー部を展開した模式平面図を用いて説明する。本実施形態が第4の実施形態と異なるところは、センサー部の形状が異なっている点にある。尚、第4の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(1)本実施形態によれば、シート状基板125に切れ込み129を形成してシート状基板125を長手方向に縮めるだけでセンサー部16の形状ができる。従って、生産性良くセンサー部16を製造できる。
次に、センサー装置の一実施形態について図9のセンサー部の形状を示す概略斜視図と図10のセンサーアレイ部を展開した模式平面図を用いて説明する。本実施形態が第3の実施形態及び第5の実施形態と異なるところは、センサー部が複数設置されている点にある。尚、第3の実施形態及び第5の実施形態と同じ点については説明を省略する。
図10に示すように、シート状基板126に第1配線層121及び第2配線層122を形成する。第1配線層121及び第2配線層122はトランスデューサー素子(A)131〜トランスデューサー素子(D)134の各場所でシート状基板126を挟むように対向する場所に形成する。トランスデューサー素子(A)131〜トランスデューサー素子(D)134を反時計回りでこの順に配置し、4つのトランスデューサー素子を1組のセンサー部18とする。
(1)本実施形態によれば、センサー装置アレイ9にはセンサー部18が複数設置されている。これにより、複数のセンサー部18が各場所における剪断力を検出することができるので、剪断力の分布を検出することができる。
(変形例1)
第1の実施形態では、センサー部12はシート状基板120を湾曲させて、第1仮想接平面141と第2仮想接平面142とが交差する形状にした。これに限らず、シート状基板120に折り目をつけて折り曲げた形状やそれらを組み合わせたものでも良い。例えばL字型に角度をもってシートを折り曲げた形状に形成しても良い。シート状基板120を折り曲げることにより、曲げた場所の角度を維持し易くなる。従って、センサー部12を形成し易くすることができる。同様の内容は、第2の実施形態〜第6の実施形態にて行うことができる。
第6の実施形態では、センサー部18を2行2列配置したが、センサー装置の配列数は2行2列に限定されない。例えば、センサー部が一列に連結したセンサーアレイ部を1つだけ有する1次元のセンサー装置アレイでも良い。他にも、1列に連結した該センサーアレイ部を複数配列させて、2次元のセンサー装置アレイにしても良い。用途に応じたレイアウトに配置することができる。
第6の実施形態では、センサー部18を平面上に並べた配置とした。曲面上にセンサー部18を並べた配置にしても良い。用途に応じたレイアウトに配置することができる。
第6の実施形態では、各切れ込み129が平行になるように配置した。各切れ込み129が異なる方向に延在するように配置しても良い。これにより、トランスデューサー素子が検出する方向を変えることができる。用途に応じて検出する方向をかえてセンサー部18を配置することができる。
第6の実施形態では、トランスデューサー素子(A)131の接平面とトランスデューサー素子(D)134の接平面とが交差するように配置された。同様に、トランスデューサー素子(B)132の接平面とトランスデューサー素子(C)133の接平面とが交差するように配置された。これに限らず、トランスデューサー素子(A)131の接平面とトランスデューサー素子(D)134の接平面とが平行となるようにトランスデューサー素子(A)131の接平面とトランスデューサー素子(D)134の接平面とを配置しても良い。同様に、トランスデューサー素子(B)132の接平面とトランスデューサー素子(C)133の接平面とが平行となるようにトランスデューサー素子(B)132の接平面とトランスデューサー素子(C)133の接平面とを配置しても良い。このとき、各トランスデューサー素子の接平面と垂直な方向の剪断力の分布を検出することができる。
Claims (6)
- 弾性部材と前記弾性部材の内部に配置されたセンサー部とを有し、
前記センサー部は、
圧電性を有するシート状基板を挟んで一対の配線層が設置された第1トランスデューサー素子と、
前記シート状基板を挟んで一対の配線層が設置された第2トランスデューサー素子と、を有し、
前記第1トランスデューサー素子における接平面と前記第2トランスデューサー素子における接平面とが交差するように前記第1トランスデューサー素子と前記第2トランスデューサー素子とが設置されていることを特徴とするセンサー装置。 - 請求項1に記載のセンサー装置において、
前記第1トランスデューサー素子における接平面と前記第2トランスデューサー素子における接平面とのなす角度が垂直となるように前記第1トランスデューサー素子と前記第2トランスデューサー素子とが設置されていることを特徴とするセンサー装置。 - 請求項1または請求項2に記載のセンサー装置において、
前記シート状基板は切れ込みを有し、該切れ込みの隙間が広げられていて、
前記シート状基板のうち、前記切れ込みによって分割される一方側に前記第1トランスデューサー素子を有し、他方側に前記第2トランスデューサー素子を有することを特徴とするセンサー装置。 - 弾性部材と前記弾性部材の内部に配置されたセンサー部とを有し、
前記センサー部は、
圧電性を有するシート状基板を挟んで一対の配線層が設置された第1トランスデューサー素子と、
前記シート状基板を挟んで一対の配線層が設置された第2トランスデューサー素子と、を有し、
前記第1トランスデューサー素子における接平面と前記第2トランスデューサー素子における接平面とが同じ向きを向くように前記第1トランスデューサー素子と前記第2トランスデューサー素子とが設置されていることを特徴とするセンサー装置。 - 請求項4に記載のセンサー装置において、
前記シート状基板は切れ込みを有し、該切れ込みの隙間が広げられていて、
前記シート状基板のうち、前記切れ込みによって分割される一方側に前記第1トランスデューサー素子を有し、他方側に前記第2トランスデューサー素子を有することを特徴とするセンサー装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のセンサー装置を有するセンサー装置アレイであって、
前記センサー部が前記シート状基板に複数設置されたことを特徴とするセンサー装置アレイ。
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