JP2012108590A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リードデータの衝突を回避すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のメモリチップと、前記複数のメモリチップから内部データバスに出力されたリードデータを入力し、入力されたリードデータを外部データバスに出力するI/Fチップと、を有する。また、前記内部データバスは、前記複数のメモリチップごとに設けられている。また、前記I/Fチップは、前記複数のメモリチップから前記内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするFIFO回路と、前記FIFO回路にバッファリングされたリードデータの前記外部データバスへの出力タイミングを調整するFIFOコントローラと、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のメモリチップと、前記複数のメモリチップから内部データバスに出力されたリードデータを入力し、入力されたリードデータを外部データバスに出力するI/Fチップと、を有する。また、前記内部データバスは、前記複数のメモリチップごとに設けられている。また、前記I/Fチップは、前記複数のメモリチップから前記内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするFIFO回路と、前記FIFO回路にバッファリングされたリードデータの前記外部データバスへの出力タイミングを調整するFIFOコントローラと、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、複数のメモリチップを基板上に積層してなる半導体装置に関する。
従来、複数のDRAM(Dynamic Random Access Memory)等のメモリチップを基板上に積層し、これら複数のメモリチップをI/F(Interface)チップを介して基板に接続する半導体装置がある(特許文献1,2)。
また、半導体装置においては、低消費電力を目的として、クロック信号と出力データのタイミング調整回路(一例としてはDLL(Delay Locked Loop)回路がある。)を搭載しない場合や、タイミング調整回路を搭載していても、当該回路の機能をオフにして動作させる場合がある。
ここで、2つのメモリチップを積層した半導体装置の一例を図11に示す。図11は、半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念図である。
図11に示した半導体装置においては、2つのメモリチップ20−0,20−1に共通の内部データバス(Common Internal DQ Bus)が設けられている。メモリチップ20−0,20−1のリードデータは、共通の内部データバスを介してI/Fチップ100に入力され、I/Fチップ100から外部データバス(External DQ Bus)を介して外部に出力される。
しかしながら、図11に示した半導体装置においては、2つのメモリチップ20−0,20−1の内部データバスが共通である。
そのため、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路を未搭載の場合や、当該回路の機能をオフにしている場合、メモリチップ20−0,20−1から連続してリードデータを読み出すと、内部データバスにおいて、リードデータが衝突する可能性があるという課題がある。
以下、この課題について図12および図13を参照して説明する。
図12は、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路の機能をオンにして動作する場合のデータを読み出す時のタイミングチャートであり、また、図13は、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路を未搭載の場合や当該回路の機能をオフにして動作する場合のデータ読み出し時のタイミングチャートである。
なお、図12および図13においては、時刻T0において、メモリチップ20−0に対するリードコマンド(RD)が発行され、時刻T1において、メモリチップ20−1に対するリードコマンドが発行されるものとする。
この場合、メモリチップ20−0においては、時刻T0からCL+tAC後に、DQ0端子からリードデータD0が出力され、また、メモリチップ20−1においては、時刻T1からCL+tAC後に、DQ1端子からリードデータD1が出力される。ここで、CLは、CASレイテンシ、tACは、CLK(外部クロック)の立ち上がりエッジからリードデータが出力されるまでのタイミングである。
図12に示すように例では、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路の機能をオンにして動作する場合は、tACのばらつきが小さく、メモリチップ20−0からリードデータD0の出力が完了した後に、メモリチップ20−1からリードデータD1が出力される。したがって、内部データバスにおいて、リードデータD0とリードデータD1との衝突が発生することはない。また、データが衝突することがある場合でも、実使用上問題のないレベルで収まる。
一方、図13に示すように、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路を未搭載の場合や当該回路の機能をオフにして動作する場合は、tACのばらつきが大きい。そのため、メモリチップ20−0からリードデータD0の出力が完了する前に、メモリチップ20−1からリードデータD1が出力される場合がある。その際、内部データバスにおいて、リードデータD0とリードデータD1とが衝突してしまう。
本発明の半導体装置は、
複数のメモリチップと、前記複数のメモリチップから内部データバスに出力されたリードデータを入力し、入力されたリードデータを外部データバスに出力するI/Fチップと、を有してなる半導体装置であって、
前記内部データバスは、前記複数のメモリチップごとに設けられており、
前記I/Fチップは、
前記複数のメモリチップから前記内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするFIFO回路と、
前記FIFO回路にバッファリングされたリードデータの前記外部データバスへの出力タイミングを調整するFIFOコントローラと、を有する。
複数のメモリチップと、前記複数のメモリチップから内部データバスに出力されたリードデータを入力し、入力されたリードデータを外部データバスに出力するI/Fチップと、を有してなる半導体装置であって、
前記内部データバスは、前記複数のメモリチップごとに設けられており、
前記I/Fチップは、
前記複数のメモリチップから前記内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするFIFO回路と、
前記FIFO回路にバッファリングされたリードデータの前記外部データバスへの出力タイミングを調整するFIFOコントローラと、を有する。
本発明によれば、複数のメモリチップごとに、内部データバスを設けている。
そのため、メモリチップがタイミング調整回路を未搭載の場合や当該回路の機能をオフにして動作する場合のように、積層されたチップ間のtACのばらつきが大きい場合でも、内部データバスにおける、リードデータの衝突を回避できる。
また、I/Fチップは、メモリチップから入力されたリードデータをバッファリングし、出力タイミングを調整してから、外部データバスにリードデータを出力する。
そのため、出力タイミングにバラツキがあるリードデータを、リードコマンドの発行順にリタイミングして、外部データバスに出力することができるという効果が得られる。
また、I/Fチップでクロックと出力データのタイミング調整を行うため、メモリチップでタイミング調整を行う必要がなく、メモリチップのタイミング調整回路を未搭載としたり、当該回路の機能をオフにして動作させたりすることができるため、消費電力を低減できるという効果も得られる。
以下に、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
(1)第1の実施形態
図1に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示す。なお、図1において、図11と同様の部分については同様の符号を付す。
(1)第1の実施形態
図1に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示す。なお、図1において、図11と同様の部分については同様の符号を付す。
図1に示すように、本実施形態の半導体装置は、図11に示した半導体装置と比較して、2つのメモリチップ20−0,20−1ごとに内部データバス(Separate Internal DQ Bus)を設けた点と、I/Fチップ100の代わりにI/Fチップ10を設けた点と、が異なる。
この場合、メモリチップ20−0,20−1は、自身に対応して設けられた内部データバスを介してリードデータをI/Fチップ10に出力する。
I/Fチップ10は、メモリチップ20−0,20−1から内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするFIFO(First-In First-Out)回路11と、FIFO回路11にバッファリングされたリードデータの外部データバスへの出力タイミングを調整するFIFOコントローラ12と、を有している。
FIFOコントローラ12は、メモリチップ20−0,20−1に供給されるCLK信号、CMD信号、ADD信号、およびCont信号のうち、CLK信号、CMD信号、およびCont信号を入力する。
ここで、CLK信号は外部クロックを示すクロック信号、CMD信号はコマンド(リードコマンドまたはライトコマンド)を示すコマンド信号、ADD信号はメモリチップにおけるアドレス(読み出しアドレスまたは書き込みアドレス)を示すアドレス信号、Cont信号はコマンドの発行先となるメモリチップの制御信号である。
そして、FIFOコントローラ12は、CLK信号、CMD信号、およびCont信号に従い、リードコマンドが発行された順に、リードコマンドの発行先となったメモリチップのリードデータを、外部クロックに基づくタイミングで出力するよう、リードデータの外部データバスへの出力タイミングを調整する。
図2に、本実施形態の半導体装置の積層パッケージの一例を示す。
図2に示すように、本実施形態の半導体装置は、基板30上に、I/Fチップ10および2つのメモリチップ20−0,20−1が積層され、これらがTSV(Through Silicon Via:Si貫通電極)40によって電気的に接続された構成になっている。
以下、本実施形態の半導体装置のデータ読み出し時の動作について図3を参照して説明する。
図3は、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路を未搭載の場合や当該回路の機能をオフにして動作する場合のデータ読み出し時のタイミングチャートである。
なお、図3においては、図12および図13と同様に、時刻T0において、メモリチップ20−0に対するリードコマンド(RD)が発行され、時刻T1において、メモリチップ20−1に対するリードコマンドが発行されるものとする。
この場合、まず、メモリチップ20−0のDQ0端子から、メモリチップ20−0に対応して設けられた内部データバスへリードデータD0が出力され、続いて、メモリチップ20−1のDQ1端子から、メモリチップ20−1に対応して設けられた内部データバスへリードデータD1が出力される。したがって、内部データバスにおいて、リードデータD0とリードデータD1との衝突が発生することはない。
図1に示すFIFO回路11は、リードデータD0、リードデータD1のバッファリングを行う。
その一方、FIFOコントローラ12は、CMD信号およびCont信号が入力されており、これらを基に、メモリチップ20−0、メモリチップ20−1の順番でリードコマンドが発行されたと判断し、メモリチップ20−0のリードデータD0、メモリチップ20−1のリードデータD1の順番で外部データバスへ出力すると決定する。
また、FIFOコントローラ12は、CLK信号が入力されており、これを基に、リードデータD0、リードデータD1を、外部クロックに基づくタイミングで順番に外部データバスへ出力するよう調整する。
具体的には、FIFOコントローラ12は、時刻T3における外部クロックの立ち上がりエッジを基準に、リードデータD0が外部データバスへ出力し、外部クロックの次の立ち上がりエッジ(時刻T4)において、リードデータD1が外部データバスへ出力されるよう調整する。
上述したように本実施形態においては、メモリチップ20−0,20−1ごとに、内部データバスを設けている。
そのため、メモリチップ20−0,20−1がタイミング調整回路を未搭載の場合や当該回路の機能をオフにして動作する場合のように、tACのばらつきが大きい場合でも、内部データバスにおいて、リードデータの衝突を回避できるという効果が得られる。
また、I/Fチップ10は、メモリチップ20−0,20−1から内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングし、外部データバスへの出力タイミングを調整してから、リードデータを出力する。
そのため、リードデータを、リードコマンドの発行順にリタイミングして、外部データバスに出力することができるという効果が得られる。
また、メモリチップ20−0,20−1を、タイミング調整回路を未搭載で動作させたり、当該回路の機能をオフにして動作させたりすることができるため、消費電力を低減できるという効果も得られる。
(2)第2の実施形態
図4に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示し、図5に、本実施形態の半導体装置の積層パッケージの一例を示す。なお、図4および図5において、図1および図2と同様の部分については同様の符号を付す。
(2)第2の実施形態
図4に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示し、図5に、本実施形態の半導体装置の積層パッケージの一例を示す。なお、図4および図5において、図1および図2と同様の部分については同様の符号を付す。
図4および図5に示すように、本実施形態の半導体装置は、図1および図2に示した第1の実施形態が2つのメモリチップ20−0,20−1を積層しているのに対して、4つのメモリチップ20−0〜20−3を積層している。
すなわち、本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態と比較して、メモリチップの積層数を2層から4層にした点のみが異なり、その他の構成およびデータ読出し時の動作は第1の実施形態と略同様である。
(3)第3の実施形態
図6に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示し、図7に、本実施形態の半導体装置の積層パッケージの一例を示す。なお、図6および図7において、図1および図2と同様の部分については同様の符号を付す。
(3)第3の実施形態
図6に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示し、図7に、本実施形態の半導体装置の積層パッケージの一例を示す。なお、図6および図7において、図1および図2と同様の部分については同様の符号を付す。
図6および図7に示すように、本実施形態の半導体装置は、図1および図2に示した第1の実施形態が2つのメモリチップ20−0,20−1を積層しているのに対して、8つのメモリチップ20−0〜20−7を積層している。
すなわち、本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態と比較して、メモリチップの積層数を2層から8層にした点のみが異なり、その他の構成およびデータ読出し時の動作は第1の実施形態と略同様である。
(4)第4の実施形態
図8に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示す。なお、図8において、図1と同様の部分については同様の符号を付す。
(4)第4の実施形態
図8に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示す。なお、図8において、図1と同様の部分については同様の符号を付す。
図8に示すように、本実施形態の半導体装置は、図1に示した第1の実施形態の半導体装置と比較して、I/Fチップ10にメインコントローラ13を追加した点が異なる。
第1の実施形態においては、CLK信号、CMD信号、ADD信号、およびCont信号は、メモリチップ20−0,20−1に直接供給されていた。
しかし、この接続方法では、メモリチップの積層数が多い場合、個々のメモリチップのインプットレシーバ(Input Receiver)を駆動する必要があるため、当該レシーバを駆動するドライバからみた負荷が非常に大きくなってしまう。
そこで、本実施形態においては、I/Fチップ10内にメインコントローラ13を設け、メインコントローラ13において、CLK信号、CMD信号、ADD信号、およびCont信号をバッファリングし、メモリチップ20−0,20−1に供給することにより、インプットレシーバを駆動するドライバからみた負荷を低減している。なお、メインコントローラ13は、FIFOコントローラ12に対して、CLK信号、CMD信号、およびCont信号を供給することも行う。
なお、本実施形態の半導体装置は、その他の構成およびデータ読出し時の動作は第1の実施形態と略同様である。
また、本実施形態の半導体装置は、メモリチップの積層数が2層であるが、第2および第3の実施形態のように、4層や8層にすることもできる。
(5)第5の実施形態
図9に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示す。なお、図9において、図8と同様の部分については同様の符号を付す。
(5)第5の実施形態
図9に、本実施形態の半導体装置におけるリードデータに係るパス構成の概念を示す。なお、図9において、図8と同様の部分については同様の符号を付す。
図9に示すように、本実施形態の半導体装置は、図8に示した第4の実施形態の半導体装置と比較して、I/Fチップ10を、メモリチップ20−0と一体化した点が異なる。
すなわち、I/Fチップ10は、メモリチップ20−0に相当するメモリ(DRAM)14を実装し、メインコントローラ13からメモリ14に対して、DRAM Cont信号(DRAM制御信号)を出力する。このDRAM Cont信号は、CLK信号、CMD信号、ADD信号、およびCont信号に相当する。
図10に、本実施形態の半導体装置の積層パッケージの一例を示す。なお、図10において、図2と同様の部分については同様の符号を付す。
図10に示すように、本実施形態の半導体装置においては、図2に示した第1の実施形態等の半導体装置と比較して、I/Fチップ10およびメモリチップ20−1のみが積層されている点が異なる。
なお、本実施形態の半導体装置は、その他の構成およびデータ読出し時の動作は第4の実施形態と略同様である。
また、本実施形態の半導体装置は、メモリチップの積層数が実質的には2層であるが、第2および第3の実施形態のように、4層や8層にすることもできる。この場合、4層や8層のメモリチップのうちの1つをI/Fチップ10と一体化すればよい。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
例えば、上記実施形態では、メモリチップの積層数が2層、4層、8層の場合を例に挙げて説明したが、メモリチップの積層数はこれらに限定されない。
10 I/Fチップ
11 FIFO回路
12 FIFOコントローラ
13 メインコントローラ
14 メモリ(DRAM)
20−0〜20−7 メモリチップ
30 基板
40 TSV
11 FIFO回路
12 FIFOコントローラ
13 メインコントローラ
14 メモリ(DRAM)
20−0〜20−7 メモリチップ
30 基板
40 TSV
Claims (4)
- 複数のメモリチップと、前記複数のメモリチップから内部データバスに出力されたリードデータを入力し、入力されたリードデータを外部データバスに出力するI/Fチップと、を有してなる半導体装置であって、
前記内部データバスは、前記複数のメモリチップごとに設けられており、
前記I/Fチップは、
前記複数のメモリチップから前記内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするFIFO回路と、
前記FIFO回路にバッファリングされたリードデータの前記外部データバスへの出力タイミングを調整するFIFOコントローラと、を有する半導体装置。 - 前記FIFOコントローラは、
外部クロックを示すクロック信号、コマンドを示すコマンド信号、および、コマンドの発行先となるメモリチップを選択する制御信号を入力し、
前記クロック信号、前記コマンド信号、前記制御信号、および、前記アドレス信号に従い、リードコマンドが発行された順に、該リードコマンドの発行先となったメモリチップのリードデータを、外部クロックに基づくタイミングで出力するよう、前記出力タイミングを調整する、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記I/Fチップは、
前記クロック信号、前記コマンド信号、前記制御信号、および、前記メモリチップにおけるアドレスを示すアドレス信号をバッファリングし、前記クロック信号、前記コマンド信号、前記制御信号、および、前記アドレス信号を前記複数のメモリチップの各々に供給するとともに、前記クロック信号、前記コマンド信号、および、前記制御信号を前記FIFOコントローラに供給するメインコントローラをさらに有する、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記I/Fチップは、前記複数のメモリチップのうちの1つのメモリチップと一体化されている、請求項3に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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Cited By (1)
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