JP2012103126A - 光センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板に受光素子が複数形成され、半導体基板における受光素子の形成面上に透光膜が形成され、透光膜に遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子の受光面に入射する光の角度を規定する開口部が形成された光センサと、受光素子の出力信号に基づいて光の仰角と左右角を算出する角度算出部と、を有する光センサ装置であって、対応する開口部によって規定される光の左右角が互いに同一であり、仰角が互いに異なる複数の受光素子によって、受光素子群が複数構成され、複数の受光素子群それぞれの左右角が異なっており、角度算出部は、各受光素子の出力信号の強度を比べることで、最も強い出力信号を出力している受光素子を特定し、特定された受光素子の受光面に入射する光の角度を特定する。
【選択図】図1
Description
(第1実施形態)
図1は、光センサ装置の概略構成を示す回路図である。図2は、受光素子の分布を示す上面図である。図3は、図2のIII−III線に沿う断面図である。図4は、各受光素子の出力信号、及び、第1行列と第2行列を説明するための概念図である。図5及び図6は、角度算出部の信号を説明するためのタイミングチャートである。以下においては、後述する半導体基板10の形成面10aに沿い、車両の前後を貫く方向を前後方向、形成面10aに沿い、車両の左右を貫く方向を左右方向と示す。そして、受光素子20の受光面20aに平行な方向と、光の進行方向とによって形成される角度を仰角、受光面20aに垂直な垂線の周囲の角度を光の左右角と示す。
40・・・照射量検出用受光素子
70・・・開口部
100・・・光センサ
110・・・角度算出部
121a〜139i・・・スイッチ
160・・・分布形成部
161・・・フリップフロップ
162・・・切替スイッチ
163・・・仰角左右角処理部
180・・・照射量算出部
200・・・光センサ装置
Claims (10)
- 半導体基板に、光を電気信号に変換する受光素子が複数形成され、前記半導体基板における前記受光素子の形成面上に、透光性を有する透光膜が形成され、前記透光膜に、遮光性を有する遮光膜が形成され、前記遮光膜に、前記受光素子それぞれに対応して、前記受光素子の受光面に入射する光の角度を規定する開口部が形成された光センサと、
前記受光素子それぞれの出力信号に基づいて、光の仰角、及び、光の左右角を算出する角度算出部と、を有する光センサ装置であって、
対応する前記開口部によって規定される光の左右角が互いに同一であり、仰角が互いに異なる複数の前記受光素子によって、受光素子群が複数構成され、
複数の前記受光素子群それぞれの左右角が異なっており、
前記角度算出部は、各受光素子の出力信号の強度を比べることで、最も強い出力信号を出力している受光素子を特定し、特定された受光素子の受光面に入射する光の角度を特定することを特徴とする光センサ装置。 - 前記角度算出部は、前記受光素子の出力信号の電圧を要素とした行列を形成することで、前記受光面に入射する光の角度に応じた、前記受光素子の出力信号の強度分布を形成する分布形成部を有し、
前記分布形成部は、前記受光面に入射する光の左右角が異なる各受光素子の出力信号を、行番号若しくは列番号が増大するにつれて、左右角が増大若しくは減少するように並べた第1行列と、前記受光面に入射する光の仰角が異なる各受光素子の出力信号を、行番号若しくは列番号が増大するにつれて、仰角が増大若しくは減少するように並べた第2行列と、を形成することを特徴とする請求項1に記載の光センサ装置。 - 前記角度算出部は、前記受光素子の出力信号の電圧値が閾値電圧よりも高い場合にHi信号を出力し、前記受光素子の出力信号の電圧値が閾値電圧よりも低い場合にLo信号を出力する比較部を有し、
前記分布形成部は、前記Hi信号が一度も入力されていない場合に「0」のフラグを立て続け、前記Hi信号が一度でも入力された場合に、フラグを「0」にするリセット信号が入力されるまで、「1」のフラグを立て続けるフリップフロップを複数有し、
前記第1行列及び前記第2行列の各要素の値は、1つの前記フリップフロップのフラグであり、
前記第1行列及び前記第2行列それぞれは、1列若しくは1行の行列であり、
前記第1行列を成す1つのフリップフロップには、前記受光面に入射する光の左右角が同一であり、前記受光面に入射する光の仰角が異なる各受光素子の出力信号が、前記比較部を介して順次入力され、
前記第2行列を成す1つのフリップフロップには、前記受光面に入射する光の仰角が同一であり、前記受光面に入射する光の左右角が異なる各受光素子の出力信号が、前記比較部を介して順次入力されることを特徴とする請求項2に記載の光センサ装置。 - 前記角度算出部は、
対応する1つの前記受光素子と前記比較部との電気的な接続を開閉制御する第1スイッチと、
対応する1つの前記フリップフロップと前記比較部との電気的な接続を開閉制御する第2スイッチと、
複数の前記第1スイッチを順次一つずつ閉状態とし、閉状態とされた前記第1スイッチに対応する前記第2スイッチを閉状態とするアドレスデコーダと、を有することを特徴とする請求項3に記載の光センサ装置。 - 複数の前記受光素子よりも受光面積が広い、照射量検出用受光素子が前記半導体基板に形成されており、
前記角度算出部は、前記照射量検出用受光素子の出力信号に基づいて、前記閾値電圧を生成する基準電圧生成部を有することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の光センサ装置。 - 前記照射量検出用受光素子の出力信号と、複数の前記受光素子の内、最も強い出力信号を出力している受光素子の受光面に入射する光の角度とに基づいて、前記半導体基板に照射される光の照射量を算出する照射量算出部を有することを特徴とする請求項5に記載の光センサ装置。
- 最も強い出力信号を出力している受光素子の出力信号と、その受光素子の受光面に入射する光の角度とに基づいて、前記半導体基板に照射される光の照射量を算出する照射量算出部を有することを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記受光素子は、前記半導体基板の任意点から放射状に延びた複数の仮想直線それぞれの上に複数配置されて、前記受光素子が放射状に配置されており、
放射状に配置された複数の前記受光素子それぞれに対応する開口部によって規定される光の仰角が、前記任意点から離れるにしたがって小さくなる若しくは大きくなることを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載の光センサ装置。 - 前記任意点から、19本の前記仮想直線が延び、
隣接する前記仮想直線が成す、前記任意点周りの角度が10°となっており、
1本の前記仮想直線には、前記任意点から離れるにしたがって、受光面に入射する光の仰角が10°ずつ小さくなる若しくは大きくなるように、9個の前記受光素子が配置されていることを特徴とする請求項8に記載の光センサ装置。 - 前記遮光膜は、前記透光膜に層状に複数形成されており、複数の前記遮光膜それぞれに形成された開口部によって、前記受光面に入射する光の角度が規定されていることを特徴とする請求項1〜9いずれか1項に記載の光センサ装置。
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