JP2012099486A

JP2012099486A - Illuminating device

Info

Publication number: JP2012099486A
Application number: JP2011259181A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sakuma; 健佐久間; Kyosuke Takemoto; 恭介武本; Shigeru Saito; 茂齊藤; Kazuyuki Motoki; 和行元木; Daisuke Oku; 大輔奥
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2011-11-28
Filing date: 2011-11-28
Publication date: 2012-05-24

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an illuminating device capable of improving luminous efficiency by using heat generated from light-emitting diode lamps for light emission with a simple circuit configuration using a thermoelectric conversion element.SOLUTION: An illuminating device of the present invention comprises: first semiconductor light-emitting diode elements electrically connected to a power supply; a heat transfer substrate on which the semiconductor light-emitting diode elements are mounted; a thermoelectric conversion element that is thermally connected to the heat transfer substrate and is electrically insulated to the heat transfer substrate; and second semiconductor light-emitting diode elements connected to the thermoelectric conversion element.

Description

本発明は発光ダイオードランプ、特に白色発光ダイオードランプを用いた照明装置に関し、さらに詳しくは、熱電変換素子を用いてランプで発生する熱を発光に利用することで一般的な屋内照明の発光効率を向上させたものである。本発明は、従来白色発光ダイオードランプを用いた照明器具において熱として廃棄されていた損失エネルギーを、熱電変換素子を用いて電力として取り出し、これを光に変換して発光量を増加させている。この時、従来公知の技術ではバッテリーを用いるなどの複雑な電源回路を必要としていたが、本発明では熱電変換素子に接続するための追加の発光ダイオード素子を別途用意することで回路を簡素化することができた。 The present invention relates to a lighting device using a light-emitting diode lamp, particularly a white light-emitting diode lamp, and more particularly, to improve the luminous efficiency of general indoor lighting by utilizing heat generated in the lamp for light emission using a thermoelectric conversion element. It is an improvement. In the present invention, loss energy that has been discarded as heat in a lighting fixture using a white light-emitting diode lamp is extracted as electric power using a thermoelectric conversion element, and converted into light to increase the amount of light emission. At this time, a conventionally known technique requires a complicated power supply circuit such as using a battery, but in the present invention, the circuit is simplified by separately preparing an additional light emitting diode element for connection to the thermoelectric conversion element. I was able to.

近年、固体照明が脚光を浴びており、中でも白色発光ダイオードランプを用いた照明器具は、その発光効率が急速に改善してきていることから、省エネ照明器具の本命として期待を集めている。現在、研究レベルでは、１５０ｌｍ／Ｗのものも発表されている。しかし、量産レベルでは未だ数十ｌｍ／Ｗにとどまっている製品が多く、さらなる発光効率の改善が求められている。 In recent years, solid-state lighting has been in the limelight. Among them, lighting fixtures using white light-emitting diode lamps have rapidly improved their luminous efficiency, and are expected to be the favorite of energy-saving lighting fixtures. Currently, a research level of 150 lm / W is also announced. However, many products still remain at several tens of lm / W at the mass production level, and further improvement in luminous efficiency is demanded.

照明用白色発光ダイオードランプの主流は、現在青色半導体発光ダイオード素子と、青色光励起可視光発光蛍光体粉末を用いたものであるが、蛍光体粉末によって引き起こされれる散乱などが主たる要因となり、白色発光ダイオードランプパッケージからの光の取り出し効率は低く、多くの製品では数％から十数％程度にとどまっている。従来の照明器具の主流である白熱電球や蛍光灯では、可視光に変換されないエネルギーの多くは赤外線あるいは紫外線として放射されるが、白色発光ダイオードランプの場合には損失のほとんどは熱に変わる。半導体発光ダイオード素子が高温になると寿命が短くなり信頼性が低下することから、半導体発光ダイオード素子が実装される部材には、放熱性の高い伝熱基板を用いることが好ましい。 The mainstream of white light-emitting diode lamps for illumination currently uses blue semiconductor light-emitting diode elements and blue-light-excited visible-light-emitting phosphor powder, but the main causes are scattering caused by the phosphor powder, resulting in white light emission. The light extraction efficiency from the diode lamp package is low, and in many products, it is only about a few percent to a dozen percent. Incandescent bulbs and fluorescent lamps that are the mainstream of conventional lighting fixtures, most of the energy that is not converted to visible light is radiated as infrared rays or ultraviolet rays. In the case of white light-emitting diode lamps, most of the loss is converted to heat. When the semiconductor light emitting diode element is heated to a high temperature, the life is shortened and the reliability is lowered. Therefore, it is preferable to use a heat transfer substrate with high heat dissipation as a member on which the semiconductor light emitting diode element is mounted.

これまでにも、発光ダイオード素子から発する熱を熱電変換素子により発電して電力として取り出し、有効に活用しようという発想は有り、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。熱電変換素子を用いた熱電変換モジュールは、通常ｎ型半導体のブロックとｐ型半導体のブロックとを直列に交互に接続して平板状に構成したモジュールであり、その一方の面と他方の面との温度差により発電する。この熱電変換モジュールを用いるにあたっては、熱源に接する面において、熱源が導電性材料であった場合に、ｎ型半導体のブロックとｐ型半導体のブロックとをそれぞれの部位で接続している複数の電極間で短絡が発生することを防止するために、熱電変換モジュール表面と熱源とを絶縁板を介して接続することが一般的である。一方で、熱電変換効率を高くするためには、熱源と熱電変換素子との間の熱抵抗が低く、伝熱特性に優れていることが好ましい。 Up to now, there has been an idea to generate heat from a light-emitting diode element by a thermoelectric conversion element, extract it as electric power, and use it effectively, for example, disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2. A thermoelectric conversion module using a thermoelectric conversion element is usually a module in which an n-type semiconductor block and a p-type semiconductor block are alternately connected in series and configured in a flat plate shape. Power is generated by the temperature difference. In using this thermoelectric conversion module, when the heat source is a conductive material on the surface in contact with the heat source, a plurality of electrodes connecting the n-type semiconductor block and the p-type semiconductor block at their respective parts. In order to prevent a short circuit from occurring, it is common to connect the surface of the thermoelectric conversion module and a heat source via an insulating plate. On the other hand, in order to increase the thermoelectric conversion efficiency, it is preferable that the thermal resistance between the heat source and the thermoelectric conversion element is low and the heat transfer characteristics are excellent.

特開２００４−１９３０３１号公報JP 2004-193031 A 特開２００４−２９６９８９号公報JP 2004-296989 A 特開２００６−１４７８６５号公報JP 2006-147865 A

特許文献１では、その段落番号００４０に「ＬＥＤ発光部３で発生した熱が伝熱される部位、例えば基板７や反射部材１１や熱伝達部材２０に熱的に結合させて」とあるのみであり、絶縁構造については言及されておらず、また熱的結合の具体的態様についても説明が無い。
特許文献２では、熱的な接続について、その段落番号００１５に「熱電モジュールと基板との接合は、半田によるろう付けや銀ペーストによる接合が好ましい。」との記載があるが、絶縁構造についての言及は無く、図１の吸熱板が絶縁材料で構成されているものと推測される。熱電変化素子が発電した電力の利用方法、すなわち発電電力の発光素子への供給回路も課題である。
また特許文献１では、段落番号００４０に「熱電変換素子２６で発生した電力をＬＥＤ発光部３の制御部８に入力させる」とあり、制御部８が必要である事が述べられている。この場合、当然ながら高コストとなる。
また特許文献２では、熱電変換素子から電力を取り出す電気的接続についてなんら技術的開示がなされておらず、不明である。図２のＡ−Ａ′断面図では、段落番号００１３や図１で言及されているリード線が配線パターンに接続されているかのような図となっているが、そのまま給電系に接続して使用した場合、熱電変換素子は発電素子としてではなく、ペルチェ冷却素子として機能するであろうことは明らかであり、問題である。このような次第により、熱電変換素子が発電した電力を低コストに利用する供給回路が求められていた。 In Patent Document 1, the paragraph number 0040 only includes “a portion where heat generated in the LED light emitting unit 3 is transferred, for example, thermally coupled to the substrate 7, the reflection member 11, and the heat transfer member 20”. No mention is made of the insulating structure, and there is no description of the specific mode of thermal coupling.
In Patent Document 2, regarding thermal connection, paragraph No. 0015 states that “the joining between the thermoelectric module and the substrate is preferably soldering or silver paste.” There is no mention, and it is presumed that the heat absorbing plate of FIG. 1 is made of an insulating material. A method of using the power generated by the thermoelectric change element, that is, a supply circuit of the generated power to the light emitting element is also a problem.
Further, in Patent Document 1, paragraph number 0040 states that “the power generated by the thermoelectric conversion element 26 is input to the control unit 8 of the LED light emitting unit 3”, and that the control unit 8 is necessary. In this case, of course, the cost is high.
In Patent Document 2, no technical disclosure is made regarding electrical connection for extracting electric power from the thermoelectric conversion element, and it is unclear. In the A-A ′ cross-sectional view of FIG. 2, it is as if the lead wires referred to in paragraph number 0013 and FIG. 1 are connected to the wiring pattern. In that case, it is clear and problematic that the thermoelectric conversion element will function as a Peltier cooling element, not as a power generation element. Accordingly, there has been a demand for a supply circuit that uses the power generated by the thermoelectric conversion element at low cost.

本発明は、前記事情に鑑みてなされ、熱電変換素子を用いた簡単な回路構成によって、発光ダイオードランプで発生する熱を発光に利用して発光効率を向上させ得る照明装置の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an illuminating device that can improve luminous efficiency by using heat generated in a light-emitting diode lamp for light emission by a simple circuit configuration using a thermoelectric conversion element. .

本発明の照明装置は、電源に電気的に接続された第１の半導体発光ダイオード素子と、該半導体発光ダイオード素子を実装した伝熱基板と、該伝熱基板に熱的に接続され且つ電気的に絶縁された熱電変換素子と、該熱電変換素子に接続された第２の半導体発光ダイオード素子とを含むことを特徴とする。 A lighting device according to the present invention includes a first semiconductor light emitting diode element electrically connected to a power source, a heat transfer board on which the semiconductor light emitting diode element is mounted, and a heat transfer board that is thermally connected to the heat transfer board and electrically And a second semiconductor light emitting diode element connected to the thermoelectric conversion element.

本発明の照明装置において、電源スイッチをＯＦＦにした後、前記第２の半導体発光ダイオード素子は、一定期間光り続けるという残光効果を有することが好ましい。 In the illuminating device of the present invention, it is preferable that the second semiconductor light emitting diode element has an afterglow effect of continuing to emit light for a certain period after the power switch is turned off.

本発明の照明装置において、前記伝熱基板はホーロー基板であることが好ましい。 In the lighting device of the present invention, it is preferable that the heat transfer substrate is a hollow substrate.

本発明の照明装置において、前記熱電変換素子の一方の面に露出したｐ型半導体とｎ型半導体とを接続する電極は、直接あるいは熱伝導性グリスのみを介してホーロー基板のホーロー層に密着していることが好ましい。 In the illuminating device of the present invention, the electrode connecting the p-type semiconductor and the n-type semiconductor exposed on one surface of the thermoelectric conversion element is in close contact with the enamel layer of the enamel substrate either directly or through only thermal conductive grease. It is preferable.

本発明の照明装置において、前記伝熱基板は絶縁材料であることが好ましい。 In the illumination device of the present invention, it is preferable that the heat transfer substrate is an insulating material.

本発明の照明装置において、前記第１および第２の半導体発光ダイオード素子が前記熱電変換素子に対応する位置に配置されていることが好ましい。 In the illumination device of the present invention, it is preferable that the first and second semiconductor light emitting diode elements are arranged at positions corresponding to the thermoelectric conversion elements.

本発明の照明装置において、前記第１および第２の半導体発光ダイオード素子が前記伝熱基板に形成された凹部の底面に実装されており、該凹部底面の基板の厚さが基板の他の部位の厚さの半分以下であることが好ましい。 In the lighting device of the present invention, the first and second semiconductor light emitting diode elements are mounted on the bottom surface of the recess formed in the heat transfer substrate, and the thickness of the substrate on the bottom surface of the recess is the other part of the substrate. It is preferable that the thickness is less than half of the thickness.

本発明の照明装置は、電源に電気的に接続された半導体発光ダイオード素子と、該半導体発光ダイオード素子を実装した伝熱基板と、該伝熱基板に熱的に接続され且つ電気的に絶縁された熱電変換素子と、該熱電変換素子に接続された半導体発光ダイオード素子とを含む構成としたので、従来廃熱として捨てられていたエネルギーを用いて発電し、この電力を利用して該照明装置の発光量を増加させることができるので、熱電変換素子を用いた簡単な回路構成によって、発光ダイオードランプで発生する熱を発光に利用して発光効率を向上させることができる。
また、放熱性に優れたホーロー基板を用いたことによって、照明装置の放熱性を向上させることができ、素子の長寿命化を図ることができる。
また、絶縁材にホーロー基板のホーロー層を用いたことによって、絶縁性を確保するにあたり、伝熱特性を向上させ、絶縁板を省略できる分、コスト低減を図ることができる。
また、絶縁材にホーロー基板のホーロー層を用い、且つ熱電変換素子の配置と半導体発光ダイオード素子の配置とを対応させ、ホーロー基板の凹部の厚みを薄くしたことで、白色発光ダイオード照明モジュールから熱電変換モジュールへの伝熱特性を向上させることができる。
また、熱電変換素子に直接接続する半導体発光ダイオード素子を追加で用意したことによって、制御部・バッテリー等の機材を用いることなく、熱電変換素子を利用した照明装置を実現することができる。
また、絶縁板を省略し、且つ制御部・バッテリー等を省略できるので、使用機材の削減によるコスト低減を図ることができる。
また、電源に接続された発光素子とは独立して、熱電変換素子に接続された発光素子を設けたことによって、電源スイッチをＯＦＦにした後も、熱電変換素子に接続した発光素子は、しばらくの期間発光を継続するという残光効果を得ることができる。
また、この残光効果が不要の場合には、電源の供給に連動して、熱電変換素子と熱電変換素子に接続する半導体発光ダイオード素子との間の回路をＯＮ／ＯＦＦするリレーを挿入することにより、残光効果が生じない構成とすることができる。 The lighting device of the present invention includes a semiconductor light-emitting diode element electrically connected to a power source, a heat transfer board on which the semiconductor light-emitting diode element is mounted, and is thermally connected to and electrically insulated from the heat transfer board. The thermoelectric conversion element and the semiconductor light-emitting diode element connected to the thermoelectric conversion element are used to generate electric power using energy that has been discarded as waste heat, and use the electric power to generate the illumination device. Therefore, the light emission efficiency can be improved by using heat generated in the light emitting diode lamp for light emission with a simple circuit configuration using a thermoelectric conversion element.
In addition, by using a hollow substrate having excellent heat dissipation, the heat dissipation of the lighting device can be improved, and the lifetime of the element can be extended.
In addition, by using the enamel layer of the enamel substrate as the insulating material, the heat transfer characteristics can be improved and the cost can be reduced because the insulating plate can be omitted when ensuring insulation.
In addition, the enamel layer of the enamel substrate is used as the insulating material, the arrangement of the thermoelectric conversion element and the arrangement of the semiconductor light emitting diode element are made to correspond to each other, and the thickness of the recess of the enamel substrate is reduced. The heat transfer characteristics to the conversion module can be improved.
Further, by additionally preparing a semiconductor light emitting diode element that is directly connected to the thermoelectric conversion element, it is possible to realize an illumination device that uses the thermoelectric conversion element without using equipment such as a control unit and a battery.
Further, since the insulating plate can be omitted and the control unit, the battery, and the like can be omitted, the cost can be reduced by reducing the number of equipment used.
In addition, by providing the light emitting element connected to the thermoelectric conversion element independently of the light emitting element connected to the power source, the light emitting element connected to the thermoelectric conversion element remains for a while after the power switch is turned off. It is possible to obtain an afterglow effect that light emission is continued for a period of time.
When this afterglow effect is unnecessary, a relay for turning on / off the circuit between the thermoelectric conversion element and the semiconductor light emitting diode element connected to the thermoelectric conversion element is inserted in conjunction with the supply of power. Thus, the afterglow effect can be prevented.

本発明の照明装置の第１実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st Embodiment of the illuminating device of this invention. 本発明の照明装置の第１乃至第４実施形態を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows 1st thru | or 4th embodiment of the illuminating device of this invention. 本発明の照明装置の第２実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the illuminating device of this invention. 本発明の照明装置の第３実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 3rd Embodiment of the illuminating device of this invention. 本発明の照明装置の第４実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 4th Embodiment of the illuminating device of this invention. 本発明の照明装置の第５実施形態を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows 5th Embodiment of the illuminating device of this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
［第１実施形態］
図１は、本発明に係る照明装置の第１実施形態を示す断面図である。図１中、符号１は照明装置、２は熱電変換素子のｎ型半導体、３は熱電変換素子のｐ型半導体、４は断熱層、５は電極、６はホーロー基板のホーロー層、７はホーロー基板の鋼板、８は半導体青色発光ダイオード素子、９は蛍光体粉末、１０は透明封止樹脂、１１は絶縁板、１２はヒートシンクである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a lighting device according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a lighting device, 2 denotes an n-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 3 denotes a p-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 4 denotes a heat insulating layer, 5 denotes an electrode, 6 denotes a hollow layer of a hollow substrate, and 7 denotes a hollow A steel plate of the substrate, 8 is a semiconductor blue light emitting diode element, 9 is a phosphor powder, 10 is a transparent sealing resin, 11 is an insulating plate, and 12 is a heat sink.

本実施形態の照明装置１は、白色発光ダイオード照明モジュールと、熱電変換モジュールと、ヒートシンクとから成る。
熱電変換モジュールは、ｎ型半導体２とｐ型半導体３とを電極５で接続した熱電変換素子を複数個直列または並列に配置し、一方の面を熱源側、もう一方の面を冷却側とすることで、その温度差を元にしてゼーベック効果による起電力を用いて発電するモジュールである。このｎ型半導体２及びｐ型半導体３としては、種々の材料が公知であるが、ここでは比較的低温域でも変換効率の高いビスマス・テルル系材料が好適である。 The illuminating device 1 of this embodiment consists of a white light emitting diode illumination module, a thermoelectric conversion module, and a heat sink.
In the thermoelectric conversion module, a plurality of thermoelectric conversion elements in which an n-type semiconductor 2 and a p-type semiconductor 3 are connected by an electrode 5 are arranged in series or in parallel, one surface being a heat source side and the other surface being a cooling side. Thus, the module generates power using an electromotive force due to the Seebeck effect based on the temperature difference. Various materials are known as the n-type semiconductor 2 and the p-type semiconductor 3, but here, a bismuth-tellurium-based material having a high conversion efficiency even in a relatively low temperature range is preferable.

断熱層４は、空気層であるか、または窒素などの不活性ガス充填若しくは真空で封止するのが断熱性が高く好ましいが、機械的強度を重視して断熱材料で充填した構造としても良い。 The heat insulating layer 4 is an air layer, or is preferably filled with an inert gas such as nitrogen or sealed in a vacuum because of high heat insulating properties, but may have a structure filled with a heat insulating material with an emphasis on mechanical strength. .

熱電変換モジュールの発電量は、熱源側の面から冷却側の面への熱流束に対して変換効率を掛けた値となっており、その発電電力の電圧と電流の配分については、各熱電変換素子の寸法及び直列・並列接続数を勘案することにより適切に設定することが可能である。熱電変換モジュールの熱源側の面は、電極５が露出した状態で図示しない熱伝導性シリコーングリスを介して白色発光ダイオード照明モジュールの伝熱基板であるホーロー基板の裏面に密着している。 The power generation amount of the thermoelectric conversion module is a value obtained by multiplying the heat flux from the heat source side surface to the cooling side surface by the conversion efficiency. It is possible to set appropriately by taking into consideration the dimensions of the element and the number of series / parallel connections. The surface on the heat source side of the thermoelectric conversion module is in close contact with the back surface of the enamel substrate, which is the heat transfer substrate of the white light emitting diode illumination module, with the electrode 5 exposed through thermally conductive silicone grease (not shown).

ホーロー基板は、鋼板７とホーロー層６とから成り、通常であれば熱電変換モジュールは電極の短絡を防止するために絶縁板を介して熱源に接続すべきであろうところを、本実施形態では、ホーロー基板のホーロー層６が絶縁の役割を果たすことから絶縁板を省略することができ、これによりコストを低減できるとともに、熱源のホーロー基板から熱電変換モジュールへの熱伝達効率を高くすることができる。十分に密着させることが可能である場合には、熱伝導性シリコーングリスを用いないこともできる。 The enamel substrate is composed of a steel plate 7 and an enamel layer 6. In this embodiment, the thermoelectric conversion module should be connected to a heat source via an insulating plate in order to prevent a short circuit of the electrodes. Since the enamel layer 6 of the enamel substrate serves as an insulation, the insulating plate can be omitted, thereby reducing the cost and increasing the heat transfer efficiency from the enamel substrate of the heat source to the thermoelectric conversion module. it can. If it is possible to sufficiently adhere, heat conductive silicone grease can be omitted.

ホーロー基板の表面には凹部が設けられており、ここに白色発光ダイオードが実装されている。ホーロー基板の表面にはホーロー層６の上に図示しない電極が印刷あるいはスパッタ等により形成されており、凹部底面の電極上に青色半導体発光ダイオード素子８が実装されている。この青色発光ダイオード素子８を被覆するように、蛍光体粉末９を混練した透明封止樹脂１０が実装されており、青色発光ダイオード素子８の発する青色光の一部と、該青色光の一部が蛍光体粉末９に吸収され可視光に波長変換された光との混色により白色光が放射される。 A recess is provided on the surface of the hollow substrate, and a white light emitting diode is mounted thereon. On the surface of the enamel substrate, an electrode (not shown) is formed on the enamel layer 6 by printing or sputtering, and the blue semiconductor light emitting diode element 8 is mounted on the electrode on the bottom of the recess. A transparent sealing resin 10 kneaded with the phosphor powder 9 is mounted so as to cover the blue light-emitting diode element 8, and a part of the blue light emitted from the blue light-emitting diode element 8 and a part of the blue light. Is absorbed by the phosphor powder 9 and white light is emitted by color mixing with the light whose wavelength is converted to visible light.

蛍光体粉末９としては、青色光で励起可能であり可視光を発光する種々の蛍光体材料を用いることが可能であるが、中でも効率の高いＹＡＧ：Ｃｅ系蛍光体や、青色との混色により色温度の低い温かみのある電球色を発することができるユーロピウム付活αサイアロン蛍光体が好適である。また、ユーロピウム付活βサイアロンなどの青色励起緑色蛍光体とＣａ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：ＥｕやＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕなどの青色励起赤色蛍光体とを混ぜて用いても良い。 As the phosphor powder 9, various phosphor materials that can be excited by blue light and emit visible light can be used. Among them, a highly efficient YAG: Ce-based phosphor or a mixed color with blue can be used. A europium activated α-sialon phosphor capable of emitting a warm bulb color with a low color temperature is preferred. Alternatively, a blue excited green phosphor such as europium activated β sialon and a blue excited red phosphor such as Ca ₂ Si ₅ N ₈ : Eu or CaAlSiN ₃ : Eu may be mixed and used.

透明封止樹脂１０としては、シリコーン樹脂などが好適である。また、図１に示すように、光の取り出し効率や配光特性に配慮して凸形状のレンズ構造とすることが望ましい。 As the transparent sealing resin 10, a silicone resin or the like is suitable. Further, as shown in FIG. 1, it is desirable to have a convex lens structure in consideration of light extraction efficiency and light distribution characteristics.

熱電変換モジュールの冷却側の面は、電極の短絡を防止するために、絶縁板１１を介して、ヒートシンク１２に密着している。熱電変換モジュールと絶縁板１１の間、また絶縁板１１とヒートシンク１２の間には、図示しない熱伝導性シリコーングリスを用いる。ただし、十分に密着させることが可能な場合には、熱伝導性シリコーングリスを用いないこともできる。環境温度が十分低いか、または十分な風量があるなど、熱電変換モジュールの冷却側の温度が十分低くなる場合には、ヒートシンク１２を用いないで絶縁板１１を露出した構成とすることもできる。また、さらに、短絡が防止される場合には、電極５を露出した構成とすることもできる。 The surface on the cooling side of the thermoelectric conversion module is in close contact with the heat sink 12 via the insulating plate 11 in order to prevent a short circuit of the electrodes. Thermally conductive silicone grease (not shown) is used between the thermoelectric conversion module and the insulating plate 11 and between the insulating plate 11 and the heat sink 12. However, in the case where sufficient adhesion is possible, the heat conductive silicone grease can be omitted. When the temperature on the cooling side of the thermoelectric conversion module is sufficiently low, such as when the environmental temperature is sufficiently low or there is a sufficient air volume, the insulating plate 11 may be exposed without using the heat sink 12. Further, when the short circuit is prevented, the electrode 5 can be exposed.

本発明の重要な特徴として、白色発光ダイオード照明モジュールに実装された個々の白色発光ダイオードランプの大半は、電源に電気的に接続され外部からの給電を受けており、一部の白色発光ダイオードランプは熱電変換モジュールの発電電力リード線に接続されている。図２に、エネルギーの伝達経路を示す。図２中、符号２０は白色発光ダイオードランプ、２１は熱電変換素子である。 As an important feature of the present invention, most of the individual white light-emitting diode lamps mounted on the white light-emitting diode lighting module are electrically connected to a power source and supplied with power from the outside, and some white light-emitting diode lamps Is connected to the generated power lead of the thermoelectric conversion module. FIG. 2 shows an energy transmission path. In FIG. 2, reference numeral 20 denotes a white light emitting diode lamp, and 21 denotes a thermoelectric conversion element.

このように、本実施形態によれば、白色発光ダイオード照明モジュールにおいて、従来は熱として損失になっていたエネルギーの一部を白色光として取り出すことができ、照明装置全体としての発光効率を向上させることができる。
また、従来熱電変換素子を含む照明器具において必要とされていた制御部やバッテリーを不要とし、これを達成することができたので、装置を簡略化し、コストを低く抑えることに成功した。
また、ホーロー基板を用いホーロー層６を絶縁層として用い、熱源である照明モジュールと熱電変換モジュールとの接続構造を工夫したため、効率良く熱を伝達することが可能となり、廃熱を電気に変換する効率を向上させることができる。また、これにより絶縁板を省略することが可能となり、コスト低減を図ることができる。
さらに、本実施形態の構成によれば、電源スイッチをＯＦＦにした際に、熱電変換素子に接続された半導体発光ダイオード素子は、照明モジュールの伝熱基板が冷却され、熱電変換モジュールの表面と裏面との温度差がある閾値以下に低下するまでの期間、光り続けるという残光効果を有することとなる。これは、特許文献１及び特許文献２などにおいて従来当業者によって予期されていなかった本発明特有の作用効果である。通常、一般家屋の屋内照明においては、蛍光灯と共にナツメ球など光量の少ない常夜灯が併用されており、このことからも本発明のこの残光効果が有用であることは自明である。 As described above, according to the present embodiment, in the white light emitting diode illumination module, part of the energy that has been lost as heat in the past can be extracted as white light, and the luminous efficiency of the entire illumination device is improved. be able to.
Moreover, since the control part and battery which were conventionally required in the lighting fixture containing the thermoelectric conversion element were made unnecessary and this was able to be achieved, it succeeded in simplifying an apparatus and restraining cost low.
In addition, since the enamel substrate 6 is used as the insulating layer and the connection structure between the illumination module, which is a heat source, and the thermoelectric conversion module is devised, heat can be transferred efficiently and waste heat is converted into electricity. Efficiency can be improved. In addition, this makes it possible to omit the insulating plate and reduce costs.
Furthermore, according to the configuration of the present embodiment, when the power switch is turned off, the semiconductor light-emitting diode element connected to the thermoelectric conversion element cools the heat transfer substrate of the illumination module, and the front and back surfaces of the thermoelectric conversion module And the afterglow effect of continuing to shine for a period until the temperature difference falls below a certain threshold value. This is a function and effect peculiar to the present invention which has not been anticipated by those skilled in the art in Patent Document 1 and Patent Document 2 and the like. Usually, in the indoor lighting of a general house, a nightlight with a small amount of light such as a jujube sphere is used together with a fluorescent lamp, and it is obvious that this afterglow effect of the present invention is useful.

［第２実施形態］
図３は、本発明の照明装置の第２実施形態を示す断面図である。図３中、符号１０１は照明装置、１０２は熱電変換素子のｎ型半導体、１０３は熱電変換素子のｐ型半導体、１０４は断熱層、１０５は電極、１０８は半導体青色発光ダイオード素子、１０９は蛍光体粉末、１１０は透明封止樹脂、１１１Ａ及び１１１Ｂは絶縁板、１２はヒートシンクである。本実施形態の照明装置１０１は、前述した第１実施形態の照明装置１とほぼ同様に構成されており、白色発光ダイオード照明モジュールと、熱電変換モジュールと、ヒートシンクとから成っている。 [Second Embodiment]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the illumination device of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 101 denotes a lighting device, 102 denotes an n-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 103 denotes a p-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 104 denotes a heat insulating layer, 105 denotes an electrode, 108 denotes a semiconductor blue light emitting diode element, and 109 denotes fluorescence. Body powder, 110 is a transparent sealing resin, 111A and 111B are insulating plates, and 12 is a heat sink. The illuminating device 101 of this embodiment is comprised substantially the same as the illuminating device 1 of 1st Embodiment mentioned above, and consists of a white light emitting diode illumination module, a thermoelectric conversion module, and a heat sink.

熱電変換モジュールは、第１実施形態に示した電極５が露出した構成に限定されるものでは無く、図３の絶縁板１１１Ｂを介して熱源に接するものであっても良い。この場合には、伝熱基板としては、白色発光ダイオードを実装する表面にのみホーロー層を塗布し、裏面は鋼板を露出させた片面ホーロー基板を用いることが可能である。また、その他様々な金属基伝熱基板を用いることが可能である。また、あらかじめ絶縁板１１１Ｂを熱電変換モジュールに固定する手順とすることにより、製造工程の途中における熱電変換モジュールの機械的強度を確保し、製造を容易とすることができる。この場合、伝熱基板から熱電変換モジュールへの熱抵抗が若干増加し、変換効率が第１実施形態の場合よりも低下する懸念がある。また、絶縁板１１１Ｂの追加が必要である。それ以外の作用効果においては第１実施形態と同様である。 The thermoelectric conversion module is not limited to the configuration in which the electrode 5 shown in the first embodiment is exposed, and may be in contact with a heat source via the insulating plate 111B of FIG. In this case, as the heat transfer substrate, it is possible to use a single-sided enamel substrate in which a hollow layer is applied only to the surface on which the white light emitting diode is mounted and the steel plate is exposed on the back surface. Various other metal-based heat transfer substrates can be used. Moreover, by making it the procedure which fixes the insulating board 111B to a thermoelectric conversion module previously, the mechanical strength of the thermoelectric conversion module in the middle of a manufacturing process is ensured, and manufacture can be made easy. In this case, there is a concern that the thermal resistance from the heat transfer substrate to the thermoelectric conversion module slightly increases, and the conversion efficiency is lower than in the case of the first embodiment. In addition, it is necessary to add an insulating plate 111B. Other functions and effects are the same as those of the first embodiment.

［第３実施形態］
図４は、本発明の照明装置の第３実施形態を示す断面図である。図４中、符号２０１は照明装置、２０２は熱電変換素子のｎ型半導体、２０３は熱電変換素子のｐ型半導体、２０４は断熱層、２０５は電極、２０８は半導体青色発光ダイオード素子、２０９は蛍光体粉末、２１０は透明封止樹脂、２１１は絶縁板、２１２はヒートシンク、２１４は絶縁伝熱基板である。本実施形態の照明装置２０１は、前述した第１実施形態の照明装置１とほぼ同様に構成されており、白色発光ダイオード照明モジュールと、熱電変換モジュールと、ヒートシンクとから成っている。 [Third Embodiment]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the illumination device of the present invention. In FIG. 4, reference numeral 201 denotes a lighting device, 202 denotes an n-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 203 denotes a p-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 204 denotes a heat insulating layer, 205 denotes an electrode, 208 denotes a semiconductor blue light-emitting diode element, and 209 denotes fluorescence. Body powder, 210 is a transparent sealing resin, 211 is an insulating plate, 212 is a heat sink, and 214 is an insulating heat transfer substrate. The lighting device 201 of the present embodiment is configured in substantially the same manner as the lighting device 1 of the first embodiment described above, and includes a white light emitting diode lighting module, a thermoelectric conversion module, and a heat sink.

本実施形態では、伝熱基板として、ホーロー基板に代えて、熱伝導性の高い絶縁材料からなる絶縁伝熱基板２１４を用いたことを特徴としている。絶縁伝熱基板２１４を用いることで、半導体青色発光ダイオード素子２０８を実装した基板と熱電変換モジュールとを直接接続でき、伝熱効率をより向上させることができ、また構造を簡略化することができる。 The present embodiment is characterized in that an insulating heat transfer substrate 214 made of an insulating material having high thermal conductivity is used as the heat transfer substrate instead of the enamel substrate. By using the insulating heat transfer substrate 214, the substrate on which the semiconductor blue light emitting diode element 208 is mounted and the thermoelectric conversion module can be directly connected, heat transfer efficiency can be further improved, and the structure can be simplified.

［第４実施形態］
図５は、本発明の照明装置の第４実施形態を示す断面図である。図５中、符号３０１は照明装置、３０２は熱電変換素子のｎ型半導体、３０３は熱電変換素子のｐ型半導体、３０４は断熱層、３０５は電極、３０６はホーロー基板のホーロー層、３０７はホーロー基板の鋼板、３０８は半導体青色発光ダイオード素子、３０９は蛍光体粉末、３１０は透明封止樹脂、３１１は絶縁板、３１２はヒートシンクである。本実施形態の照明装置２０１は、前述した第１実施形態の照明装置１とほぼ同様に構成されており、白色発光ダイオード照明モジュールと、熱電変換モジュールと、ヒートシンクとから成っている。 [Fourth Embodiment]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the illumination device of the present invention. In FIG. 5, reference numeral 301 denotes an illumination device, 302 denotes an n-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 303 denotes a p-type semiconductor of a thermoelectric conversion element, 304 denotes a heat insulating layer, 305 denotes an electrode, 306 denotes a hollow layer of a hollow substrate, and 307 denotes a hollow. A steel plate of the substrate, 308 is a semiconductor blue light emitting diode element, 309 is a phosphor powder, 310 is a transparent sealing resin, 311 is an insulating plate, and 312 is a heat sink. The lighting device 201 of the present embodiment is configured in substantially the same manner as the lighting device 1 of the first embodiment described above, and includes a white light emitting diode lighting module, a thermoelectric conversion module, and a heat sink.

本実施形態では、半導体発光ダイオード素子の配置を熱電変換素子に対応させたものとすることを特徴とする。前述した第１実施形態〜第３実施形態の構成では、熱電変換モジュール内の各素子の位置と、そもそもの熱源である白色発光ダイオード照明モジュール内の各半導体発光ダイオード素子とが一対一に対応していないため、伝熱基板による横方向の熱伝導が白色発光ダイオード照明モジュールから熱電変換モジュールへの伝熱特性に大きく影響することとなり、伝熱基板をある程度厚くする必要があった。しかし、この第４実施形態の構成とすることにより、横方向への熱伝導の影響は十分小さなものとなる。この構成では、半導体発光ダイオード素子実装位置の伝熱基板の厚さは、信頼性の確保に必要な機械的強度が確保できる範囲内で薄ければ薄いほど良く、例えば第１実施形態ではホーロー基板の鋼板の厚み１ｍｍに対して凹部の深さ０．４ｍｍ、凹部底面の基板の厚み０．６ｍｍとしていたところを、本実施形態では凹部の深さ０．６ｍｍ、凹部底面の基板の厚み０．４ｍｍとするといったように、凹部底面の基板の厚さが基板の他の部位の厚さの半分以下であるようにすることが好適である。もちろん、機械的強度に影響が出ない場合には、伝熱基板全体を薄くすることも可能である。 The present embodiment is characterized in that the arrangement of the semiconductor light emitting diode elements is made to correspond to the thermoelectric conversion elements. In the configurations of the first to third embodiments described above, the position of each element in the thermoelectric conversion module and each semiconductor light-emitting diode element in the white light-emitting diode illumination module, which is the heat source, correspond one-to-one. Therefore, the lateral heat conduction by the heat transfer board greatly affects the heat transfer characteristics from the white light emitting diode illumination module to the thermoelectric conversion module, and it is necessary to make the heat transfer board thick to some extent. However, with the configuration of the fourth embodiment, the influence of heat conduction in the lateral direction is sufficiently small. In this configuration, the thickness of the heat transfer substrate at the mounting position of the semiconductor light emitting diode element is preferably as thin as possible within a range in which the mechanical strength necessary for ensuring reliability can be ensured. For example, in the first embodiment, the enamel substrate In this embodiment, the depth of the recess is 0.4 mm and the thickness of the substrate at the bottom of the recess is 0.6 mm, whereas the thickness of the substrate at the bottom of the recess is 0.6 mm. It is preferable that the thickness of the substrate on the bottom surface of the recess is not more than half the thickness of other portions of the substrate, such as 4 mm. Of course, when the mechanical strength is not affected, the entire heat transfer substrate can be made thin.

［第５実施形態］
図６は、本発明の照明装置の第５実施形態を示す回路図である。本実施形態の照明装置は、図６に示す回路を採用したこと以外は、前述した第１実施形態〜第４実施形態における照明装置の構成を採用することができる。 [Fifth Embodiment]
FIG. 6 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the illumination device of the present invention. The illuminating device of this embodiment can employ | adopt the structure of the illuminating device in 1st Embodiment mentioned above-4th Embodiment except having employ | adopted the circuit shown in FIG.

前述した第１実施形態〜第４実施形態では、図２に示す回路によって電源スイッチをＯＦＦにした後も残光効果が得られるようにしているが、この残光効果が不要な用途もある。そのような場合には、図６に示すように、電源の供給に連動して、熱電変換素子３２１と熱電変換素子３２１に接続する半導体発光ダイオード素子３２０との間の回路をＯＮ／ＯＦＦするリレー３２２を挿入することにより、残光効果が生じない構成とすることができる。 In the first to fourth embodiments described above, the afterglow effect is obtained even after the power switch is turned off by the circuit shown in FIG. 2, but there are applications where this afterglow effect is unnecessary. In such a case, as shown in FIG. 6, a relay that turns on / off the circuit between the thermoelectric conversion element 321 and the semiconductor light emitting diode element 320 connected to the thermoelectric conversion element 321 in conjunction with the supply of power. By inserting 322, it can be set as the structure which an afterglow effect does not arise.

１，１０１，２０１，３０１…照明装置、２，１０２，２０２，３０２…ｎ型半導体、３，１０３，２０３，３０３…ｐ型半導体、４，１０４，２０４，３０４…断熱層、５，１０５，２０５，３０５…電極、６，３０６…ホーロー層、７，３０７…鋼板、８，１０８，２０８，３０８…半導体青色発光ダイオード素子、９，１０９，２０９，３０９…蛍光体粉末、１０，１１０，２１０，３１０…透明封止樹脂、１１，１１１Ａ，１１１Ｂ，２１１，３１１…絶縁板、１２，１１２，２１２，３１２…ヒートシンク、２０…白色発光ダイオードランプ、２１…熱電変換素子、２１４…絶縁伝熱基板、３２０…半導体発光ダイオード素子、３２１…熱電変換素子、３２２…リレー。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101,201,301 ... Illuminating device, 2,102,202,302 ... n-type semiconductor, 3,103,203,303 ... p-type semiconductor, 4,104,204,304 ... Heat insulation layer, 5,105, 205,305 ... electrode, 6,306 ... hollow layer, 7,307 ... steel plate, 8,108,208,308 ... semiconductor blue light emitting diode element, 9,109,209,309 ... phosphor powder, 10,110,210 , 310 ... Transparent sealing resin, 11, 111A, 111B, 211, 311 ... Insulating plate, 12, 112, 212, 312 ... Heat sink, 20 ... White light emitting diode lamp, 21 ... Thermoelectric conversion element, 214 ... Insulating heat transfer substrate 320, semiconductor light emitting diode elements, 321, thermoelectric conversion elements, 322, relays.

Claims

First semiconductor light emitting diode element electrically connected to power source, heat transfer substrate mounted with the semiconductor light emitting diode element, and thermoelectric conversion element thermally connected to and electrically insulated from the heat transfer substrate And a second semiconductor light emitting diode element connected to the thermoelectric conversion element.

The lighting device according to claim 1, wherein after the power switch is turned off, the second semiconductor light emitting diode element has an afterglow effect of continuing to emit light for a certain period.

The lighting device according to claim 1, wherein the heat transfer substrate is a hollow substrate.

The electrode connecting the p-type semiconductor and the n-type semiconductor exposed on one surface of the thermoelectric conversion element is in close contact with the enamel layer of the enamel substrate, either directly or through only thermal conductive grease. The lighting device according to claim 1.

The lighting device according to claim 1, wherein the heat transfer substrate is made of an insulating material.

The lighting device according to claim 1, wherein the first and second semiconductor light emitting diode elements are disposed at positions corresponding to the thermoelectric conversion elements.

The first and second semiconductor light emitting diode elements are mounted on the bottom surface of a recess formed in the heat transfer substrate, and the thickness of the substrate on the bottom surface of the recess is less than half the thickness of other portions of the substrate. The lighting device according to claim 6, wherein the lighting device is provided.