JP2010231967A - Light emitting body and luminaire - Google Patents

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Kiyoshi Nishimura
潔 西村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase temperature of a transparent resin and a phosphor mixed therein by increasing a current flowing in an LED bare chip. <P>SOLUTION: A light emitting body 1 includes a substrate 2 having insulation and heat conductivity, the LED bare chip 3 mounted on a surface 2a of the substrate 2 and emitting a light ranging from an ultraviolet ray to a blue light, a phosphor layer 4 out of contact with the LED bare chip 3, formed on the surface 2a of the substrate 2 around the LED bare chip 3, and converting a wavelength of an incident light emitted from the LED bare chip 3 into a predetermined light, and the transparent resin 5 mixed with light diffusing particles 19 and provided on the surface 2a of the substrate 2 so as to airtight seal the LED bare chip 3 and the phosphor layer 4. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、異なる色光を混合して可視光を出射する発光体およびこの発光体を配設している照明器具に関する。 The present invention relates to a light emitter that emits visible light by mixing different color lights, and a lighting fixture provided with the light emitter.

青色発光を白色に変換する波長変換型の発光ダイオードが知られている(例えば特許文献1参照。)。この種の発光ダイオードは、例えばリードフレームに凹部を設け、この凹部に青色発光のLEDベアチップを載せて固着し、当該凹部が蛍光体粒子を混合した透明性樹脂で封止されている。そして、LEDベアチップから放射された青色光と、この青色光の一部が蛍光体粒子を励起して波長変換された光とが混合することによって白色光が得られるものである。 A wavelength conversion type light emitting diode that converts blue light emission into white is known (for example, see Patent Document 1). In this type of light emitting diode, for example, a concave portion is provided in a lead frame, and a blue light emitting LED bare chip is placed and fixed in the concave portion, and the concave portion is sealed with a transparent resin mixed with phosphor particles. And the white light is obtained by mixing the blue light emitted from the LED bare chip and the light in which a part of the blue light excites the phosphor particles and is wavelength-converted.

特開平7−99345号(第2−3頁、第1図)JP-A-7-99345 (page 2-3, Fig. 1)

近年、照明器具には、基板に多数のLEDベアチップを実装したLEDモジュール(発光体)が用いられている。また、LEDベアチップからの放射光を増加させるためにLEDベアチップに通電させる電流量を増加させている。これにより、LEDベアチップが温度上昇し、LEDベアチップを封止している透明性樹脂に混合された蛍光体の温度も上昇している。 In recent years, LED modules (light emitters) in which a large number of LED bare chips are mounted on a substrate have been used in lighting fixtures. Further, in order to increase the emitted light from the LED bare chip, the amount of current to be passed through the LED bare chip is increased. Thereby, the temperature of the LED bare chip rises, and the temperature of the phosphor mixed with the transparent resin sealing the LED bare chip also rises.

さらに、蛍光体は、LEDベアチップからの光量の増加によって光密度が増加し、自己の量子効率やストークスシフトによる発熱が加わっている。これにより、蛍光体の量子効率の低下や透明性樹脂の熱劣化が生じるという問題があった。これを回避するために、LEDベアチップの直上又は周囲のみに蛍光体層を設けることも考えられるが、LEDベアチップに接触することによる放熱性の向上は期待できるが、光密度が増加するために、上記同様、その問題の解決にならないものであった。 Furthermore, the phosphor has an increased light density due to an increase in the amount of light from the LED bare chip, and heat is generated by its own quantum efficiency and Stokes shift. Thereby, there existed a problem that the quantum efficiency of fluorescent substance fell and the thermal deterioration of transparent resin arose. In order to avoid this, it is conceivable to provide a phosphor layer directly on or around the LED bare chip, but an improvement in heat dissipation by contacting the LED bare chip can be expected, but the light density increases, Like the above, the problem was not solved.

本発明は、LEDベアチップの通電量を増加させても、蛍光体の温度が上昇しにくい多数のLEDベアチップを有する発光体およびこの発光体を具備する照明器具を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the light-emitting body which has many LED bare chips which cannot raise the temperature of fluorescent substance easily even if it increases the electricity supply amount of a LED bare chip, and the lighting fixture which comprises this light-emitting body.

請求項1に記載の発光体の発明は、絶縁性および伝熱性を有する基板と;この基板の一面側に実装され、紫外光から青色光の領域の光を放射するLEDベアチップと;このLEDベアチップに非接触し、前記LEDベアチップの周囲の前記基板の一面側に形成され、入射された前記LEDベアチップの放射光を所定の光に波長変換する蛍光体層と;光拡散性粒子が混合され、前記LEDベアチップおよび前記蛍光体層を気密封止するように前記基板の一面側に設けられた透光性樹脂と;を具備していることを特徴とする。 The invention of the light emitter according to claim 1 is a substrate having insulating properties and heat conductivity; an LED bare chip mounted on one surface side of the substrate and emitting light in a region of ultraviolet to blue light; and the LED bare chip A phosphor layer that is formed on one side of the substrate around the LED bare chip and converts the wavelength of incident radiation of the LED bare chip into predetermined light; and light diffusing particles are mixed; And a translucent resin provided on one side of the substrate so as to hermetically seal the LED bare chip and the phosphor layer.

本発明および以下の発明において、特に言及しない限り、各構成は以下による。 In the present invention and the following inventions, each configuration is as follows unless otherwise specified.

基板は、例えばアルミニウム(Al)などの金属で形成することができる。金属の場合、基板の一面に伝熱性を有する絶縁層が形成されて、LEDベアチップが実装される。また、基板は、そのものが絶縁性を有するセラミック板などで形成することができる。 The substrate can be formed of a metal such as aluminum (Al), for example. In the case of metal, an insulating layer having heat conductivity is formed on one surface of the substrate, and the LED bare chip is mounted. Further, the substrate can be formed of a ceramic plate or the like having an insulating property.

LEDベアチップは、複数個が格子状や同心円状など、規則的に実装されてもよく、ランダム状に実装されてもよい。 A plurality of LED bare chips may be regularly mounted such as a lattice shape or a concentric circle shape, or may be mounted in a random shape.

蛍光体層は、LEDベアチップから放射された光を所定の光に波長変換するものであり、その波長変換した光がLEDベアチップから放射された光と混合(混色)されたときに可視光となるように、その可視光の色調等に応じて適宜の種類が選択される。例えば、LEDベアチップが青色光を放射し、蛍光体層が青色光を黄色光に波長変換するYAG蛍光体を有して形成されることにより、青色光と黄色光が混合された白色光が発光体から出射される。 The phosphor layer converts the wavelength of light emitted from the LED bare chip into predetermined light, and becomes visible light when the wavelength-converted light is mixed (colored) with the light emitted from the LED bare chip. As described above, an appropriate type is selected according to the color tone of the visible light. For example, the LED bare chip emits blue light and the phosphor layer is formed with a YAG phosphor that converts the wavelength of blue light into yellow light, thereby emitting white light mixed with blue light and yellow light. Emitted from the body.

そして、蛍光体層は、個々のLEDベアチップの周囲にそれぞれ形成されていてもよく、隣接するLEDベアチップの周囲の蛍光体層と連続するように形成されてもよい。 The phosphor layer may be formed around each LED bare chip, or may be formed so as to be continuous with the phosphor layer around the adjacent LED bare chip.

本発明によれば、LEDベアチップから放射された光は、透光性樹脂を透過して透光性樹脂の表面から外方に出射されるとともに、その一部が透光性樹脂に混合された光拡散性粒子や透光性樹脂の表面側で反射、拡散されて蛍光体層に入射し、蛍光体層で所定の光に波長変換される。波長変換された光は、基板側で反射されて透光性樹脂を透過して透光性樹脂の表面から外方に出射される。これにより、LEDベアチップから放射された光と、蛍光体層により波長変換された所定の光が混合した可視光が得られる。 According to the present invention, the light emitted from the LED bare chip is transmitted through the translucent resin and emitted outward from the surface of the translucent resin, and a part thereof is mixed with the translucent resin. The light is reflected and diffused on the surface side of the light diffusing particles and the translucent resin, enters the phosphor layer, and is wavelength-converted to predetermined light by the phosphor layer. The wavelength-converted light is reflected on the substrate side, passes through the translucent resin, and is emitted outward from the surface of the translucent resin. Thereby, the visible light which mixed the light radiated | emitted from LED bare chip and the predetermined light wavelength-converted by the fluorescent substance layer is obtained.

そして、蛍光体層には、光拡散性粒子や透光性樹脂の表面側で反射、拡散された光が入射するので、蛍光体層での光密度が小さくなり、蛍光体層の発熱密度が小さくなる。また、蛍光体層の発熱は、伝熱性を有する基板に伝熱される。さらに、蛍光体層は、LEDベアチップに非接触し、LEDベアチップの発熱を受けにくい。これにより、蛍光体層の温度上昇が抑制されて、蛍光体層の量子効率の低下や透光性樹脂の熱劣化が防止される。 And since the light reflected and diffused on the surface side of the light diffusing particles or the translucent resin is incident on the phosphor layer, the light density in the phosphor layer is reduced, and the heat generation density of the phosphor layer is reduced. Get smaller. Further, the heat generated in the phosphor layer is transferred to the substrate having heat transfer properties. Furthermore, the phosphor layer is not in contact with the LED bare chip and is not easily subjected to the heat generated by the LED bare chip. Thereby, the temperature rise of a fluorescent substance layer is suppressed and the fall of the quantum efficiency of a fluorescent substance layer and the thermal deterioration of a translucent resin are prevented.

請求項2に記載の照明器具の発明は、請求項1記載の発光体と;この発光体を配設している器具本体と;を具備していることを特徴とする。 The invention of a lighting fixture according to claim 2 is characterized by comprising: the light emitter according to claim 1; and a fixture body in which the light emitter is disposed.

本発明によれば、請求項1記載の発光体から出射された可視光により照明が行える照明器具が提供される。 According to this invention, the lighting fixture which can be illuminated with the visible light radiate | emitted from the light-emitting body of Claim 1 is provided.

請求項1の発明によれば、蛍光体層は、LEDベアチップからの放射光が反射、拡散されて入射し、その光密度が小さくなり、発熱が基板の一面側に伝熱されるとともに、LEDベアチップに非接触していることにより、その温度上昇が抑制されるので、基板に多数のLEDベアチップが実装されてLEDベアチップの通電量を増加させても、蛍光体層の量子効率の低下や透光性樹脂の熱劣化を防止することができ、これにより、発光体の発光効率の向上や長寿命化を実現することができる。 According to the first aspect of the present invention, the phosphor layer reflects and diffuses the incident light from the LED bare chip, and its light density is reduced, heat is transferred to the one surface side of the substrate, and the LED bare chip. Since the temperature rise is suppressed by being non-contact with the LED, even if a large number of LED bare chips are mounted on the substrate and the amount of electricity supplied to the LED bare chips is increased, the quantum efficiency of the phosphor layer is reduced or the light transmission is increased. It is possible to prevent thermal degradation of the functional resin, thereby realizing improvement in luminous efficiency and long life of the luminous body.

請求項2の発明によれば、発光効率が向上され、長寿命化される発光体を具備するので、被照射面を明るく照明することができるとともに、照明効率が高く、信頼性の向上した照明器具を提供することができる。 According to the second aspect of the present invention, since the light emitting body with improved luminous efficiency and longer life is provided, the illuminated surface can be illuminated brightly, and the illumination efficiency is high and the illumination is improved. An instrument can be provided.

本発明の実施例1を示す発光体の概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a light emitter showing Example 1 of the present invention. 同じく、発光体の一部拡大概略上面図。Similarly, the partially expanded schematic top view of a light-emitting body. 同じく、発光体の概略上面図。Similarly, the schematic top view of a light-emitting body. 本発明の実施例2を示す照明器具の一部切り欠き概略側面図。The partial notch schematic side view of the lighting fixture which shows Example 2 of this invention.

以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明は、LEDベアチップから放射された光を波長変換する蛍光体層をLEDベアチップに非接触し、LEDベアチップの周囲の基板側に形成したものである。そして、LEDベアチップから放射された光を透光性樹脂に混合された光拡散性粒子により反射、拡散させて蛍光体層に入射させ、蛍光体層での光密度を小さくし、蛍光体層の発熱を基板に伝熱させることにより、蛍光体層の温度上昇を抑制するものである。 In the present invention, a phosphor layer for wavelength-converting light emitted from an LED bare chip is formed in a non-contact manner with the LED bare chip and formed on the substrate side around the LED bare chip. Then, the light emitted from the LED bare chip is reflected and diffused by the light diffusing particles mixed in the translucent resin to enter the phosphor layer, thereby reducing the light density in the phosphor layer, By transferring the generated heat to the substrate, the temperature rise of the phosphor layer is suppressed.

図1ないし図3は、本発明の実施例1を示し、図1は発光体の概略断面図、図2は発光体の一部拡大概略上面図、図3は発光体の概略上面図である。 1 to 3 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a schematic sectional view of a light emitter, FIG. 2 is a partially enlarged schematic top view of the light emitter, and FIG. 3 is a schematic top view of the light emitter. .

図1において、発光体1は、基板2、LEDベアチップ3、蛍光体層4および透光性樹脂5を有して構成されている。 In FIG. 1, the light emitter 1 includes a substrate 2, an LED bare chip 3, a phosphor layer 4, and a translucent resin 5.

基板2は、例えば、厚さ1mmのアルミニウム(Al)板からなり、その一面2aに厚さ80μmの絶縁層6が形成されている。絶縁層6は、例えばエポキシ材および無機フィラー材からなり、高熱伝導性を有している。そして、絶縁層6の表面には、LEDベアチップ3の電極10,11に電気接続し、LEDベアチップ3同士を電気接続する銅箔パターン7が形成されている。また、LEDベアチップ3が実装される絶縁層6の表面には、図示しない銅箔が設けられ、その銅箔は、ニッケル(Ni)メッキされ、さらに銀(Ag)メッキ又は金(Au)メッキされている。 The substrate 2 is made of, for example, an aluminum (Al) plate having a thickness of 1 mm, and an insulating layer 6 having a thickness of 80 μm is formed on one surface 2a thereof. The insulating layer 6 is made of, for example, an epoxy material and an inorganic filler material, and has high thermal conductivity. On the surface of the insulating layer 6, a copper foil pattern 7 that is electrically connected to the electrodes 10 and 11 of the LED bare chip 3 and electrically connects the LED bare chips 3 is formed. In addition, a copper foil (not shown) is provided on the surface of the insulating layer 6 on which the LED bare chip 3 is mounted. The copper foil is nickel (Ni) plated, and further silver (Ag) plated or gold (Au) plated. ing.

LEDベアチップ3は、正方体状に形成されたサファイア8の表面に発光層9が形成され、この発光層9の表面に電極10,11が設けられたものである。サファイア8は、銀メッキ層又は金メッキ層の直上に図示しない透明シリコーンにより接着されている。電極10,11は、ボンディングワイヤ12,13によって銅箔パターン7,7に接続されている。発光層9は、紫外光から青色光の領域の光を放射する発光材料を有して形成されている。例えば、発光層9は、InGaNを有してなり、通電により青色光を放射する。 In the LED bare chip 3, a light emitting layer 9 is formed on the surface of a sapphire 8 formed in a rectangular parallelepiped shape, and electrodes 10 and 11 are provided on the surface of the light emitting layer 9. The sapphire 8 is bonded by transparent silicone (not shown) immediately above the silver plating layer or the gold plating layer. The electrodes 10 and 11 are connected to the copper foil patterns 7 and 7 by bonding wires 12 and 13. The light emitting layer 9 is formed with a light emitting material that emits light in a region from ultraviolet light to blue light. For example, the light emitting layer 9 includes InGaN, and emits blue light when energized.

そして、LEDベアチップ3は、図3に示すように、複数個(多数個)が基板2の一面2a側に例えば格子状となるように実装されている。基板2の一面2aに形成された絶縁層6上には、基板2と同程度の大きさに形成され、円状の収納部14および略矩形状の切り欠き部15を有する絶縁性の被覆板16が貼り付けられている。被覆板16は、例えば、厚さ4mmのセラミック板からなっている。LEDベアチップ3は、収納部14内の基板2の一面2a側に格子状に実装されている。 As shown in FIG. 3, a plurality (large number) of LED bare chips 3 are mounted on the one surface 2 a side of the substrate 2 so as to have, for example, a lattice shape. On the insulating layer 6 formed on the one surface 2 a of the substrate 2, an insulating covering plate that is formed to have the same size as the substrate 2 and has a circular storage portion 14 and a substantially rectangular cutout portion 15. 16 is affixed. The covering plate 16 is made of, for example, a ceramic plate having a thickness of 4 mm. The LED bare chip 3 is mounted in a grid pattern on the one surface 2a side of the substrate 2 in the storage unit 14.

また、切り欠き部15の基板2の一面2a側には、リード線が接続されて直流電源が供給される端子17,17が設けられている。端子17,17は、銅箔パターン7,7に接続され、LEDベアチップ3と電気接続されている。 Further, terminals 17, 17 to which a lead wire is connected and DC power is supplied are provided on the surface 2 a side of the substrate 2 of the notch 15. The terminals 17 and 17 are connected to the copper foil patterns 7 and 7 and are electrically connected to the LED bare chip 3.

図1において、蛍光体層4は、青色光を所定の光例えば黄色光に波長変換するYAG系蛍光体を含むシリコーン樹脂からなっている。そして、蛍光体層4は、LEDベアチップ3の周囲の基板2の一面2a側の絶縁層6上に印刷により形成されている。すなわち、図2に示すように、長方形の非形成部18を除いて、被覆板16の収納部14内の絶縁層6上の全域に形成されている。蛍光体層4は、非形成部18によりLEDベアチップ3と接触していないので、発熱したLEDベアチップ3からの熱が伝熱しにくくなっている。 In FIG. 1, the phosphor layer 4 is made of a silicone resin containing a YAG phosphor that converts the wavelength of blue light into predetermined light such as yellow light. The phosphor layer 4 is formed on the insulating layer 6 on the side 2a of the substrate 2 around the LED bare chip 3 by printing. That is, as shown in FIG. 2, it is formed over the entire area of the insulating layer 6 in the storage portion 14 of the cover plate 16 except for the rectangular non-formed portion 18. Since the phosphor layer 4 is not in contact with the LED bare chip 3 by the non-forming portion 18, heat from the generated LED bare chip 3 is difficult to transfer.

透光性樹脂5は、図1に示すように、例えば透光性のシリコーン樹脂に酸化チタン(TiO)などの光拡散性粒子19を混合したものであり、被覆板16の収納部14内に注入され、基板2の一面2a側においてLEDベアチップ3および蛍光体層4などを気密封止している。そして、透光性樹脂5の表面5aは、平坦状に形成されている。 As shown in FIG. 1, the translucent resin 5 is a mixture of translucent silicone resin and light diffusing particles 19 such as titanium oxide (TiO 2 ). The LED bare chip 3 and the phosphor layer 4 are hermetically sealed on the one surface 2a side of the substrate 2. And the surface 5a of the translucent resin 5 is formed flat.

次に、本発明の実施例1の作用について述べる。 Next, the operation of the first embodiment of the present invention will be described.

発光体1の端子17,17に直流電源が供給されると、LEDベアチップ3は、発熱し、発光層9から青色光を放射する。青色光は、その一部が透光性樹脂5を透過して透光性樹脂5の表面5aから外方に出射される。また、青色光の一部は、透光性樹脂5に混合された光拡散性粒子19により反射、拡散されるとともに、透光性樹脂5の表面5a側で反射、拡散される。そして、反射、拡散された青色光の一部は、基板2の一面2a側に形成された蛍光体層4に入射する。 When DC power is supplied to the terminals 17 and 17 of the light emitting body 1, the LED bare chip 3 generates heat and emits blue light from the light emitting layer 9. A part of the blue light passes through the translucent resin 5 and is emitted outward from the surface 5 a of the translucent resin 5. Further, part of the blue light is reflected and diffused by the light diffusing particles 19 mixed in the translucent resin 5, and is reflected and diffused on the surface 5 a side of the translucent resin 5. A part of the reflected and diffused blue light is incident on the phosphor layer 4 formed on the one surface 2 a side of the substrate 2.

蛍光体層4は、入射された青色光を黄色光に波長変換する。黄色光は、基板2の一面2aで透光性樹脂5側に反射され、透光性樹脂5を透過して透光性樹脂5の表面5aから外方に出射される。そして、透光性樹脂5の表面5aから出射される青色光と黄色光が混合(混色)することにより、白色光が得られる。すなわち、発光体1から白色光が放射される。ここで、被覆板16の収納部14上に拡散板を設けることにより、青色光および黄色光がより拡散、混合されるようになり、発光体1から色むらが改善された白色光を出射することができる。 The phosphor layer 4 converts the wavelength of incident blue light into yellow light. The yellow light is reflected on the surface 2 a of the substrate 2 toward the translucent resin 5, passes through the translucent resin 5, and is emitted outward from the surface 5 a of the translucent resin 5. Then, the blue light and the yellow light emitted from the surface 5a of the translucent resin 5 are mixed (colored) to obtain white light. That is, white light is emitted from the light emitter 1. Here, by providing a diffusion plate on the storage portion 14 of the covering plate 16, blue light and yellow light are more diffused and mixed, and white light with improved color unevenness is emitted from the light emitter 1. be able to.

そして、蛍光体層4には、反射、拡散された青色光が入射するので、蛍光体層4での光密度が小さくなる。これにより、青色光を黄色光に波長変換するときに発生する発熱量が小さくなり、蛍光体層4の発熱密度が小さくなる。また、蛍光体層4は、基板2の一面2a側の高熱伝導性を有する絶縁層6上に形成されているので、蛍光体層4で発熱した熱は、絶縁層6を介して高熱伝熱性を有するアルミニウム(Al)製の基板2に伝熱される。さらに、蛍光体層4は、LEDベアチップ3に非接触し、発熱しているLEDベアチップ3からの熱を受けにくくなっている。これに
より、LEDベアチップ3の通電量が増加され、LEDベアチップ3の発熱が大きくなり、LEDベアチップ3から放射される青色光の光量が増加されても、かつ基板2の一面2a側に多数個のLEDベアチップ3が実装されていても、蛍光体層4の温度上昇が抑制されるようになり、これにより、蛍光体層4の量子効率の低下を防止することができる。
Then, since the reflected and diffused blue light is incident on the phosphor layer 4, the light density in the phosphor layer 4 is reduced. As a result, the amount of heat generated when the wavelength of blue light is converted to yellow light is reduced, and the heat generation density of the phosphor layer 4 is reduced. Further, since the phosphor layer 4 is formed on the insulating layer 6 having high thermal conductivity on the one surface 2 a side of the substrate 2, the heat generated in the phosphor layer 4 is highly thermally conductive through the insulating layer 6. Heat is transferred to an aluminum (Al) substrate 2 having Furthermore, the phosphor layer 4 is not in contact with the LED bare chip 3 and is less likely to receive heat from the LED bare chip 3 that is generating heat. As a result, the energization amount of the LED bare chip 3 is increased, the heat generation of the LED bare chip 3 is increased, and even if the amount of blue light emitted from the LED bare chip 3 is increased, a large number of the LED bare chip 3 is formed on the surface 2a side of the substrate 2. Even if the LED bare chip 3 is mounted, the temperature rise of the phosphor layer 4 is suppressed, and thereby the quantum efficiency of the phosphor layer 4 can be prevented from being lowered.

また、透光性樹脂5は、通過する青色光および黄色光のそれぞれの一部を吸収して発熱し、LEDベアチップ3および蛍光体層4のそれぞれの発熱を受けて温度上昇する。しかし、透光性樹脂5は、上述したように、蛍光体層4の温度上昇が抑制される分、蛍光体層4からの熱を受けないので、その温度上昇が抑制される。したがって、透光性樹脂5の熱劣化を防止することができる。 Further, the translucent resin 5 generates heat by absorbing a part of each of blue light and yellow light that passes therethrough, and rises in temperature by receiving heat generated by the LED bare chip 3 and the phosphor layer 4. However, since the translucent resin 5 does not receive heat from the phosphor layer 4 as much as the temperature rise of the phosphor layer 4 is suppressed as described above, the temperature rise is suppressed. Therefore, thermal degradation of the translucent resin 5 can be prevented.

上述したように、基板2に多数個のLEDベアチップ3が実装され、LEDベアチップ3の通電量を増加させても、蛍光体層4の量子効率の低下や透光性樹脂5の熱劣化を防止することができので、発光体1の発光効率の向上や長寿命化を実現することができる。また、多数個のLEDベアチップ3を有し、個々のLEDベアチップ3からの放射光の光量が増加することにより、発光体1から出射される光量を大きくすることができて、被照射面を明るく照明することができる。 As described above, even when a large number of LED bare chips 3 are mounted on the substrate 2 and the amount of electricity supplied to the LED bare chips 3 is increased, a decrease in quantum efficiency of the phosphor layer 4 and a thermal deterioration of the translucent resin 5 are prevented. Therefore, the luminous efficiency of the luminous body 1 can be improved and the lifetime can be increased. In addition, since the number of LED bare chips 3 is increased and the amount of light emitted from each LED bare chip 3 is increased, the amount of light emitted from the light emitter 1 can be increased, and the irradiated surface is brightened. Can be illuminated.

図4は、本発明の実施例2を示す照明器具の一部切り欠き概略側面図である。なお、図3と同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。 FIG. 4 is a partially cutaway schematic side view of a lighting fixture showing Embodiment 2 of the present invention. The same parts as those in FIG.

図4に示す照明器具20は、天井面等に埋設されるダウンライトであり、略円筒状の器具本体21の下端側に円形の化粧枠22が設けられ、この化粧枠22に透光性カバー23が配設されている。そして、器具本体21は、左右両側に器具本体21を天井面等に固定するための一対の取付けばね24,24を取り付けている。   A lighting fixture 20 shown in FIG. 4 is a downlight embedded in a ceiling surface or the like, and a circular decorative frame 22 is provided on the lower end side of a substantially cylindrical fixture main body 21, and a transparent cover is provided on the decorative frame 22. 23 is arranged. And the instrument main body 21 has attached a pair of attachment springs 24 and 24 for fixing the instrument main body 21 to a ceiling surface etc. on both right and left sides.

また、器具本体21は、下端側内部に図3に示す発光体1を回転対称に4個配設している。また、器具本体21の内部には、電源ユニット25が配設されている。電源ユニット25には、電源回路などが収納されている。電源回路は、交流電源を直流電源に変換し、発光体1のLEDベアチップ3に定電流を供給するものである。そして、器具本体21の上面側には、交流電源からの図示しない電源線を接続する端子台26が配設されている。   Moreover, the instrument main body 21 arrange | positions the four light-emitting bodies 1 shown in FIG. A power supply unit 25 is disposed inside the instrument body 21. The power supply unit 25 houses a power supply circuit and the like. The power circuit converts AC power into DC power and supplies a constant current to the LED bare chip 3 of the light emitter 1. A terminal block 26 for connecting a power line (not shown) from the AC power source is disposed on the upper surface side of the instrument main body 21.

照明器具20は、多数個のLEDベアチップ3を有し、LEDベアチップ3の通電量を増加させていても、発光効率が向上されて長寿命化される発光体1を4個具備するので、被照射面を明るく照明することができるとともに、照明効率が高く、信頼性の向上した照明器具を提供することができる。 The lighting fixture 20 includes a large number of LED bare chips 3 and includes four light emitting bodies 1 that have improved luminous efficiency and have a long life even when the amount of electricity supplied to the LED bare chips 3 is increased. It is possible to provide a lighting apparatus that can illuminate the irradiation surface brightly and has high illumination efficiency and improved reliability.

本発明は、一般用または産業用の照明器具、電球用ソケットに装着される電球型器具やLED電球などに利用することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for general or industrial lighting fixtures, bulb-type appliances mounted on bulb sockets, LED bulbs, and the like.

1…発光体、 2…基板、 3…LEDベアチップ、 4…蛍光体層、 5…透光性樹脂、 20…照明器具、 21…器具本体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting body, 2 ... Board | substrate, 3 ... LED bare chip, 4 ... Phosphor layer, 5 ... Translucent resin, 20 ... Lighting fixture, 21 ... Instrument main body

Claims (2)

絶縁性および伝熱性を有する基板と; この基板の一面側に実装され、紫外光から青色光の領域の光を放射するLEDベアチップと; このLEDベアチップに非接触し、前記LEDベアチップの周囲の前記基板の一面側に形成され、入射された前記LEDベアチップの放射光を所定の光に波長変換する蛍光体層と; 光拡散性粒子が混合され、前記LEDベアチップおよび前記蛍光体層を気密封止するように前記基板の一面側に設けられた透光性樹脂と;を具備していることを特徴とする発光体。 A substrate having insulating properties and heat conductivity; an LED bare chip mounted on one surface of the substrate and emitting light in a region from ultraviolet light to blue light; and non-contact with the LED bare chip; A phosphor layer that is formed on one side of the substrate and converts the wavelength of the incident emitted light of the LED bare chip into a predetermined light; and light diffusing particles are mixed to hermetically seal the LED bare chip and the phosphor layer And a translucent resin provided on the one surface side of the substrate. 請求項1記載の発光体と; この発光体を配設している器具本体と;を具備していることを特徴とする照明器具。 A lighting fixture comprising: the light emitter according to claim 1; and a fixture body on which the light emitter is disposed.
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