JP2012094908A - Substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treating apparatus with plural treating units which permits reducing the foot-print with neither lowering throughput nor accompanied problem in constructing the apparatus, while having a plurality of high flexibility in the treatment.SOLUTION: The treating apparatus comprises a first treating system A for conveying a substrate to be treated to one side of a predetermined direction X and treating the substrate to be treated; a second treating system B arranged in a direction Y perpendicular to the predetermined X with a space 40 with respect to the first treating system A, and for conveying the substrate to be treated to other side of the predetermined direction X and treating the substrate to be treated; a mounting section 41 arranged in the space 40 and for receiving and mounting the substrate to be treated and horizontally supported; and a conveying apparatus 33 arranged between upstream side treating units 22,21,31 at the other side of the first treating system A and downstream side treating units 32,23 at one side, and for conveying the substrate to be treated from the upstream side treating units 22,21,31 to the mounting section 41, and from the mounting section 41 to the downstream side treating units 32,23.

Description

本発明は、例えば液晶表示装置(LCD)ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a plurality of processes such as resist coating and development processing after exposure on a target substrate such as a liquid crystal display (LCD) glass substrate, and thermal processing performed before and after the resist coating. About.

LCDの製造においては、被処理基板であるLCDガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。   In the manufacture of LCD, after forming a predetermined film on the LCD glass substrate, which is the substrate to be processed, a photoresist film is applied to form a resist film, and the resist film is exposed corresponding to the circuit pattern, A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique in which this is developed.

このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるLCD基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。   In this photolithography technique, the LCD substrate as a substrate to be processed is subjected to a series of processes including cleaning processing → dehydration baking → adhesion (hydrophobization) processing → resist coating → prebaking → exposure → development → post baking. A predetermined circuit pattern is formed on the resist layer.

従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。   Conventionally, in such processing, processing units for performing each processing are arranged on both sides of the transport path in consideration of the process flow, and a substrate to be processed is carried into each processing unit by a central transport apparatus that can travel on the transport path. This is performed by a processing system in which one or a plurality of process blocks to be output are arranged. Since such a processing system is basically random access, the degree of freedom of processing is extremely high.

特開平11−274265号公報JP 11-274265 A 特開平11−260883号公報JP-A-11-260883 特開平11−238672号公報JP 11-238672 A 特開2000−294616号公報JP 2000-294616 A 特開平10−189457号公報JP-A-10-189457

しかしながら、近時、LCD基板は大型化の要求が強く、一辺が1mにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平面的な配置を有する処理システムではフットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。   However, recently, there is a strong demand for large-sized LCD substrates, and even a huge one having a side as long as 1 m has appeared. In a processing system having a planar arrangement as described above, the footprint is extremely large. There is a strong demand for a reduction in footprint from the viewpoint of space saving.

フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化しており、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。   In order to reduce the footprint, it is conceivable to stack the processing units in the vertical direction. However, in the current processing system, the transfer device moves a large substrate in the horizontal direction at high speed and high precision from the viewpoint of improving throughput. In addition to this, there is a limit to the movement in the height direction with high speed and high accuracy. In addition, the processing unit is also enlarged with the increase in size of the substrate, and it is extremely difficult to provide spinner units such as a resist coating processing unit and a development processing unit in an overlapping manner.

また、フットプリントを小さくする他の手段としては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユニットを配置することが考えられるが、この場合には予め定められた一連のプロセスにしか対応することができず、処理の自由度が小さいという問題がある。   As another means for reducing the footprint, it is conceivable to arrange the processing units in the order of processing without using the central transfer device, but in this case, only a predetermined series of processes can be handled. There is a problem that the degree of freedom of processing is small.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and can reduce the footprint without reducing the throughput and without causing problems in the apparatus configuration, and has a high degree of freedom in processing. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including the processing unit.

この発明の第1の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を処理する基板処理装置であって、所定の方向に沿って延びるとともに、前記所定の方向の一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第1処理系統と、前記所定の方向に沿って延びるとともに、前記第1処理系統に対して前記所定の方向と直交する方向に空間を設けた状態で配置され、前記所定の方向の他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第2処理系統と、前記空間に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部と、前記第1処理系統の前記他方側の上流側処理ユニットと、前記一方側の下流側処理ユニットとの間に配置され、前記上流側処理ユニットから前記載置部へ、および前記載置部から前記下流側処理ユニットへ被処理基板を搬送する搬送装置と、を備える。   A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed, which extends along a predetermined direction and moves the substrate to be processed to one side of the predetermined direction. However, the first processing system for processing the substrate to be processed and the first processing system are arranged in a state extending along the predetermined direction and having a space in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the first processing system. A second processing system for processing the substrate to be processed while moving the substrate to be processed to the other side in the predetermined direction, and a mounting for receiving and mounting the substrate to be processed that is disposed in the space and supported horizontally Between the upstream processing unit, the upstream processing unit on the other side of the first processing system, and the downstream processing unit on the one side. To the downstream processing unit. To and a conveying device for conveying a substrate to be processed.

この発明の第2の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を処理する基板処理装置であって、所定の方向に沿って延びるとともに、前記所定の方向の一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第1処理系統と、前記所定の方向に沿って延びるとともに、前記第1処理系統に対して前記所定の方向と直交する方向に空間を設けた状態で配置され、前記所定の方向の他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第2処理系統と、前記空間に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部と、前記第1処理系統の前記他方側の上流側処理ユニットと、前記一方側の下流側処理ユニットとの間に配置され、前記上流側処理ユニットから前記載置部へ、および前記載置部から前記下流側処理ユニットへ被処理基板を搬送する搬送装置と、前記一方側の下流側処理ユニットの中に設けられ、水平支持される被処理基板に向けて液を供給する塗布処理装置と、を備える。   A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed, which extends along a predetermined direction and moves the substrate to be processed to one side of the predetermined direction. However, the first processing system for processing the substrate to be processed and the first processing system are arranged in a state extending along the predetermined direction and having a space in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the first processing system. A second processing system for processing the substrate to be processed while moving the substrate to be processed to the other side in the predetermined direction, and a mounting for receiving and mounting the substrate to be processed that is disposed in the space and supported horizontally Between the upstream processing unit, the upstream processing unit on the other side of the first processing system, and the downstream processing unit on the one side. To the downstream processing unit. To comprise a conveying device for conveying a substrate to be processed, the one provided in the downstream processing unit side, and a coating treatment device for supplying liquid toward a target substrate to be horizontally supported.

この発明の第3の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を処理する基板処理装置であって、所定の方向に沿って延びるとともに、前記所定の方向の一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第1処理系統と、前記所定の方向に沿って延びるとともに、前記第1処理系統に対して前記所定の方向と直交する方向に空間を設けた状態で配置され、前記所定の方向の他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第2処理系統と、前記空間に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部と、前記第1処理系統の前記他方側の上流側処理ユニットと、前記一方側の下流側処理ユニットとの間に配置され、被処理基板を搬送する、旋回動可能な搬送装置と、を備える。   A substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed, which extends along a predetermined direction and moves the substrate to be processed to one side of the predetermined direction. However, the first processing system for processing the substrate to be processed and the first processing system are arranged in a state extending along the predetermined direction and having a space in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the first processing system. A second processing system for processing the substrate to be processed while moving the substrate to be processed to the other side in the predetermined direction, and a mounting for receiving and mounting the substrate to be processed that is disposed in the space and supported horizontally A turnable transfer device that is disposed between the first processing system, the other upstream processing unit of the first processing system, and the one downstream processing unit, and that transfers the substrate to be processed. Prepare.

本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、被処理基板の搬送ラインが平行な2列となるように配置し、被処理基板を搬送ラインに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。また、2列の搬送ラインの間の空間部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で基板が受け渡され保持される基板保持・移動部材を設けたので、通常の処理の他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。このとき、基板保持部材は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、省スペース効果は維持される。   According to the present invention, a plurality of liquid processing units that perform liquid processing such as cleaning processing, resist processing, and development processing are configured such that predetermined liquid processing is performed while a substrate to be processed is transported substantially horizontally. However, these are arranged in the order of processing so that the transfer lines of the substrates to be processed are arranged in two parallel rows, and a series of processes are performed while flowing the substrates to be processed along the transfer lines, so that high throughput is maintained. In addition, a large-scale central transport device that travels between a plurality of processing units and a central transport path on which it travels are basically unnecessary, and space can be saved accordingly. Prints can be made smaller. In addition to the normal processing, there is a substrate holding / moving member that is movably provided in the space between the two rows of transfer lines and that transfers and holds the substrate between the transfer lines. Various patterns can be processed, and the degree of freedom of processing is high. At this time, unlike the conventional central transfer device, the substrate holding member only holds and moves the substrate to be processed, so a large-scale mechanism is not necessary, and the central transfer path of the conventional central transfer device travels. Such a large space is not necessary, and the space saving effect is maintained.

また、上述のように、前記複数の熱的処理ユニットが、前記各熱的処理に対応するもの毎に集約された複数の熱的処理ユニットセクションを構成するようにすることにより、よりフットプリントを小さくすることができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。   In addition, as described above, the plurality of thermal processing units constitute a plurality of thermal processing unit sections that are aggregated for each of the thermal processing units, thereby further increasing the footprint. In addition, since the thermal processing can be performed along the processing flow of the substrate to be processed, the throughput can be further increased.

本発明の第1の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。1 is a plan view showing a resist coating and developing treatment apparatus for an LCD glass substrate according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。The top view which shows the inside of the resist processing unit of the resist coating and developing processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置の第1の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 1st thermal processing unit section of the resist coating and developing processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置の第2の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 2nd thermal processing unit section of the resist coating and developing processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置の第3の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 3rd thermal processing unit section of the resist coating and developing processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the shuttle used for the resist application | coating development processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。The top view which shows the resist application development processing apparatus of the LCD glass substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。The top view which shows the resist application development processing apparatus of the LCD glass substrate which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the shuttle used for the resist application development processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置に用いた受渡機構の構造を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the delivery mechanism used for the resist application development processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図10の受渡機構を用いて図9のシャトルに基板を載置する動作を説明するための側面図。The side view for demonstrating the operation | movement which mounts a board | substrate on the shuttle of FIG. 9 using the delivery mechanism of FIG. 本発明の第3の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the shuttle used for the resist application development processing apparatus of the LCD substrate which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing apparatus for an LCD glass substrate according to a first embodiment of the present invention.

このレジスト塗布現像処理装置100は、複数のLCDガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3とを備えており、処理ステーション2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。   The resist coating and developing apparatus 100 is for performing a series of processing including resist coating and development on a cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C that houses a plurality of LCD glass substrates G is placed. A processing station (processing unit) 2 having a plurality of processing units and an interface station (interface unit) 3 for transferring the substrate G to and from the exposure apparatus 4 are provided at both ends of the processing station 2. Cassette station 1 and interface station 3 are arranged respectively. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing apparatus 100 is defined as the X direction, and the direction orthogonal to the X direction on the plane is defined as the Y direction.

カセットステーション1は、カセットCと処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、このカセットステーション1において外部に対するカセットCの搬入出が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出が行われる。   The cassette station 1 is provided with a transport device 11 for loading and unloading the LCD substrate G between the cassette C and the processing station 2. In this cassette station 1, the cassette C is loaded into and unloaded from the outside. Further, the transfer device 11 has a transfer arm 11a and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassettes C. The transfer arm 11a allows the cassette C and the processing station 2 to move. The substrate G is carried in and out.

処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びる基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA、Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けてスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱的処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23および第2の熱的処理ユニットセクション27が配列されている。また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱的処理ユニットセクション27、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱的処理ユニット28が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立って基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。   The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the substrate G extending in the X direction. From the cassette station 1 side toward the interface station 3 along the transfer line A. A scrub cleaning unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist processing unit 23, and a second thermal processing unit section 27 are arranged. In addition, the second thermal processing unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, and the second one from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B. Three thermal processing units 28 are arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided to remove organic substances on the substrate G prior to scrubber cleaning, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is used to perform a decoloring process for development. Provided.

上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21は、その中で基板Gが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット(DEV)24も、その中で基板Gが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25への基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。   The scrub cleaning unit (SCR) 21 performs the cleaning process and the drying process while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated in the conventional manner. The development processing unit (DEV) 24 also performs the application of the developer, the developer cleaning after the development, and the drying process while being transported substantially horizontally without the substrate G being rotated. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the transport inlet and transport outlet of the substrate G are short sides opposite to each other. Is provided. Further, the transport of the substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transport mechanism of the development processing unit (DEV) 24.

レジスト処理ユニット23は、図2のその内部の平面図に示すように、カップ50内で基板Gをスピンチャック51により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置(CT)23a、基板G上に形成されたレジスト膜を減圧容器52内で減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)23b、およびステージ54に載置された基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド53により基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置(ER)23cがその順に配置されており、ガイドレール55にガイドされて移動する一対のサブアーム56により基板Gがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット23は、相対向する短辺に基板Gの搬入口57および搬出口58が設けられており、ガイドレール55はこれら搬入口57および搬出口58から外側に延びてサブアーム56により基板Gの受け渡しが可能となっている。   2, the resist processing unit 23 applies a resist solution by dropping a resist solution from a nozzle (not shown) while rotating the substrate G by a spin chuck 51 in the cup 50. As shown in FIG. CT) 23a, a reduced pressure drying device (VD) 23b for drying the resist film formed on the substrate G in the reduced pressure container 52 under reduced pressure, and a solvent discharge head 53 capable of scanning four sides of the substrate G placed on the stage 54. The peripheral resist removing device (ER) 23c for removing excess resist adhering to the peripheral edge of the substrate G is disposed in that order, and the substrate G is interposed between the pair of sub-arms 56 guided and moved by the guide rail 55. Is transported substantially horizontally. The resist processing unit 23 is provided with a carry-in port 57 and a carry-out port 58 for the substrate G on opposite short sides. The guide rail 55 extends outward from the carry-in port 57 and the carry-out port 58, and the substrate is extended by the sub arm 56. Delivery of G is possible.

第1の熱的処理ユニットセクション26は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32の間に第1の搬送装置33が設けられている。図3の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)61、基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)62,63、基板Gに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット(AD)64の4段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)65、基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)66,67、基板Gに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット(AD)68の4段積層されて構成されている。第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)61を介してのスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)65を介してのレジスト処理ユニット23への基板Gの受け渡しを行う。   The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G, The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist processing unit 23 side. A first transfer device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32. As shown in the side view of FIG. 3, the thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) 61 that transfers the substrate G in order from the bottom, and two dehydration processes that perform a dehydration baking process on the substrate G. The bake units (DHP) 62 and 63 and the adhesion processing unit (AD) 64 that performs the hydrophobic treatment on the substrate G are stacked in four stages, and the thermal processing unit block (TB) 32 includes: A pass unit (PASS) 65 that transfers the substrate G in order from the bottom, two cooling units (COL) 66 and 67 that cool the substrate G, and an adhesion processing unit (AD) that performs hydrophobic treatment on the substrate G There are 68 stacked layers. The first transfer device 33 receives the substrate G from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 through the pass unit (PASS) 61, carries in and out the substrate G between the thermal processing units, and the pass unit ( The substrate G is transferred to the resist processing unit 23 via the PASS) 65.

第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材92と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。そして、昇降部材92の昇降はモーター95によって行われ、ベース部材93の旋回はモーター96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモーター97によって行われる。第1の搬送装置33はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック(TB)31,32のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The first transport device 33 includes a guide rail 91 that extends vertically, a lifting member 92 that moves up and down along the guide rail, a base member 93 that is pivotable on the lifting member 92, and moves forward on the base member 93. A substrate holding arm 94 that is provided so as to be retractable and holds the substrate G is provided. The elevating member 92 is moved up and down by the motor 95, the base member 93 is turned by the motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by the motor 97. Since the first transfer device 33 is provided so as to be able to move up and down, move back and forth, and turn as described above, it can access any of the thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.

第2の熱的処理ユニットセクション27は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34,35を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34,35の間に第2の搬送装置36が設けられている。図4の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)34は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)69、基板Gに対してプリベーク処理を行う3つのプリベークユニット(PREBAKE)70,71,72の4段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)35は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)73、基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)74、基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット(PREBAKE)75,76の4段積層されて構成されている。第2の搬送装置36は、パスユニット(PASS)69を介してのレジスト処理ユニット23からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入出、パスユニット(PASS)73を介しての現像処理ユニット(DEV)24への基板Gの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に対する基板Gの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック34,35のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the substrate G, and The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A second transport device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35. As shown in the side view of FIG. 4, the thermal processing unit block (TB) 34 includes a pass unit (PASS) 69 that transfers the substrate G in order from the bottom, and three prebaking units that perform prebaking processing on the substrate G. (PREBAKE) 70, 71, 72 are stacked in four stages, and the thermal processing unit block (TB) 35 cools the substrate G and the pass unit (PASS) 73 that delivers the substrate G in order from the bottom. The cooling unit (COL) 74 and the two pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 for performing the pre-baking process on the substrate G are stacked in four stages. The second transfer device 36 receives the substrate G from the resist processing unit 23 via the pass unit (PASS) 69, carries in / out the substrate G between the thermal processing units, and passes through the pass unit (PASS) 73. The substrate G is transferred to all the development processing units (DEV) 24, and the substrate G is transferred to and received from an extension / cooling stage (EXT / COL) 44, which is a substrate transfer portion of the interface station 3 to be described later. The second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33 and can access either of the thermal processing unit blocks 34 and 35.

第3の熱的処理ユニットセクション28は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37,38を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)38はカセットステーション1側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37,38の間に第3の搬送装置39が設けられている。図5の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)37は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)77、基板Gに対してポストベーク処理を行う3つのポストベークユニット(POBAKE)78,79,80の4段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)38は、下から順にポストベークユニット(POBAKE)81、基板Gの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット(PASS・COL)82、基板Gに対してポストベーク処理を行う2つのポストベークユニット(POBAKE)83,84の4段積層されて構成されている。第3の搬送装置39は、パスユニット(PASS)77を介してのi線UV照射ユニット(i−UV)25からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入出、パス・クーリングユニット(PASS・COL)82を介してのカセットステーション1への基板Gの受け渡しを行う。なお、第3の搬送装置39も第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37,38のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The third thermal processing unit section 28 includes two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G, and The thermal processing unit block (TB) 37 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side, and the thermal processing unit block (TB) 38 is provided on the cassette station 1 side. A third transfer device 39 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38. As shown in the side view of FIG. 5, the thermal processing unit block (TB) 37 includes a pass unit (PASS) 77 that transfers the substrate G in order from the bottom, and three posts that perform post-bake processing on the substrate G. The bake units (POBAKE) 78, 79, 80 are stacked in four stages, and the thermal processing unit block (TB) 38 transfers the post-bake unit (POBAKE) 81 and the substrate G in order from the bottom and cools them. A pass / cooling unit (PASS / COL) 82 to be performed and two post-bake units (POBAKE) 83 and 84 for performing a post-bake process on the substrate G are stacked in four stages. The third transfer device 39 receives the substrate G from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 through the pass unit (PASS) 77, carries the substrate G between the thermal processing units, and passes it. Transfer the substrate G to the cassette station 1 via the cooling unit (PASS / COL) 82. The third transfer device 39 has the same structure as the first transfer device 33 and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.

なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21およびエキシマUV照射ユニット(e−UV)22への基板Gの搬入は、カセットステーション1の搬送装置11によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の基板Gは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Gが第1の搬送装置33により搬送される。また、レジスト処理ユニット23への基板Gの搬入は、第1の搬送装置33により基板Gがパスユニット(PASS)65に受け渡された後、一対のサブアーム56により搬入口57から行われる。レジスト処理ユニット23では、サブアーム56により基板Gが搬出口58を通って熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69まで搬送され、そこで突出されたピン(図示せず)上に基板Gが搬出される。現像処理ユニット(DEV)24への基板Gの搬入は、熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。i線UV照射ユニット(i−UV)25の基板Gは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Gが第3の搬送装置39により搬送される。さらに全ての処理が終了した後の基板Gは、熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されてカセットステーションの搬送装置11により搬出される。   The substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 and the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 by the transfer device 11 of the cassette station 1. Further, as described above, the substrate G of the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 by, for example, roller conveyance, and a pin (not shown) protrudes there. The substrate G thus lifted is transported by the first transport device 33. Further, the substrate G is carried into the resist processing unit 23 after the substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 65 by the first transfer device 33 and then from the carry-in port 57 by the pair of sub arms 56. In the resist processing unit 23, the substrate G is transported by the sub arm 56 through the carry-out port 58 to the pass unit (PASS) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34, and on a pin (not shown) protruding there. The substrate G is unloaded. The substrate G is brought into the development processing unit (DEV) 24 by causing a pin (not shown) to project in the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35 and lowering the substrate from the raised state. For example, the roller transport mechanism extended to the pass unit (PASS) 73 is operated. The substrate G of the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 is carried out to the pass unit (PASS) 77 of the thermal processing unit block (TB) 37 by, for example, roller transportation, and is lifted by protruding a pin (not shown) there. The substrate G thus transferred is transferred by the third transfer device 39. Further, the substrate G after the completion of all the processes is transported to the pass cooling unit (PASS / COL) 82 of the thermal processing unit block (TB) 38 and unloaded by the transport device 11 of the cassette station.

処理ユニットステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA,Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA,Bの間には、空間部40が設けられている。そして、この空間部40を往復動可能にシャトル(基板載置部材)41が設けられている。このシャトル41は基板Gを保持可能に構成されており、搬送ラインA,Bとの間で基板Gが受け渡し可能となっている。   In the processing unit station 2, the processing units and the transport devices are arranged so as to constitute the two rows of transport lines A and B as described above and basically in the order of processing. , B is provided with a space 40. A shuttle (substrate mounting member) 41 is provided to be able to reciprocate in the space 40. The shuttle 41 is configured to be able to hold the substrate G, and the substrate G can be transferred between the transfer lines A and B.

具体的には、図6に示すように、シャトル41は、ベース部材101と、ベース部材101の表面から突没可能に設けられ、基板Gを昇降する複数の昇降ピン102と、基板Gを位置決めするガイド部材103と、昇降ピン102を駆動するピン駆動部104と、連結部105を有しており、連結部105が空間部40内をX方向に延びるガイドレール106にスライド可能に連結されている。そして、マグネットを用いた駆動、ベルト駆動等の適宜の方式の図示しない駆動機構によりシャトル41がガイドレール106に沿って空間部40内をX方向に沿って移動される。発塵を防止する観点からはマグネット駆動のほうが有利である。シャトル41への基板Gの受け渡しは、上記第1から第3の搬送装置33,36,39によって行われる。また、シャトル41への基板Gの受け渡しはカセットステーション1の搬送装置11によっても行うことができるようになっている。   Specifically, as shown in FIG. 6, the shuttle 41 is provided so as to be able to project and retract from the surface of the base member 101, the base member 101, and the substrate G is positioned. A guide member 103 for driving, a pin drive unit 104 for driving the elevating pin 102, and a connecting part 105. The connecting part 105 is slidably connected to a guide rail 106 extending in the X direction in the space 40. Yes. The shuttle 41 is moved along the X direction in the space 40 along the guide rail 106 by a driving mechanism (not shown) of an appropriate method such as driving using a magnet or belt driving. From the viewpoint of preventing dust generation, the magnet drive is more advantageous. Delivery of the substrate G to the shuttle 41 is performed by the first to third transfer devices 33, 36, and 39. Further, the transfer of the substrate G to the shuttle 41 can also be performed by the transfer device 11 of the cassette station 1.

インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間での間で基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間で基板Gの搬入出が行われる。   The interface station 3 includes a transfer device 42 that loads and unloads the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 that places a buffer cassette, and a substrate that has a cooling function. An extension / cooling stage (EXT / COL) 44 serving as a delivery unit is provided, and an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically is adjacent to the transport device 42. Is provided. The transfer device 42 includes a transfer arm 42 a, and the transfer arm 42 a carries in and out the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4.

このように構成されたレジスト塗布現像処理装置100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構11により、基板GがエキシマUV照射ユニット(e−UV)22の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Gが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを2台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出される。   In the resist coating and developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C disposed in the cassette station 1 is transferred to the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 of the processing station 2 by the transport apparatus 11. The scrub is pre-processed. Next, the transport mechanism 11 carries the substrate G into a scrub cleaning unit (SCR) 21 disposed under the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 for scrub cleaning. In this scrub cleaning, the cleaning process and the drying process are performed while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated as in the prior art. It is possible to realize the same processing capacity as using two units in a smaller space. After the scrub cleaning process, the substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.

パスユニット(PASS)61に配置された基板Gは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第1の熱的処理ユニットセクション26に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)62,63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)66,67のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)64、および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)され、その後、上記クーリングユニット(COL)66,67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65に搬送される。この際に搬送処理は全て第1の搬送装置33によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Gは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット(PASS)65に搬送される。   The substrate G arranged in the pass unit (PASS) 61 is lifted by protruding a pin (not shown), and is transported to the first thermal processing unit section 26 to be subjected to the following series of processes. That is, first, it is transferred to one of the dehydration bake units (DHP) 62 and 63 of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to heat treatment, and then the cooling unit of the thermal processing unit block (TB) 32 ( (COL) 66, 67, and after being cooled, an adhesion processing unit (AD) 64 of a thermal processing unit block (TB) 31 and a thermal processing unit block ( TB) is transported to one of 32 adhesion processing units (AD) 68, where it is subjected to adhesion processing (hydrophobization processing) by HMDS, and then transported to one of the cooling units (COL) 66, 67 to be cooled. Furthermore, the pass unit (PA) of the thermal processing unit block (TB) 32 S) is conveyed to the 65. At this time, all the conveyance processing is performed by the first conveyance device 33. In some cases, the adhesion process is not performed. In this case, the substrate G is immediately transferred to the pass unit (PASS) 65 after dehydration baking and cooling.

その後、パスユニット(PASS)65に配置された基板Gがレジスト処理ユニット23のサブアーム56によりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、基板Gはまずその中のレジスト塗布処理装置(CT)23aに搬送され、そこで基板Gに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム56により減圧乾燥装置(VD)23bに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム56により周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送されて基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Gはサブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置(CT)23aの後に減圧乾燥装置(VD)23bを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Gをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Gに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。   Thereafter, the substrate G placed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist processing unit 23 by the sub arm 56 of the resist processing unit 23. Then, the substrate G is first transported to the resist coating processing device (CT) 23a therein, where the resist solution is spin-coated on the substrate G, and then transported to the vacuum drying device (VD) 23b by the sub-arm 56 to reduce the pressure. The substrate is dried, and further conveyed to the peripheral resist removing device (ER) 23c by the sub-arm 56 to remove excess resist on the peripheral edge of the substrate G. After the peripheral resist removal is completed, the substrate G is unloaded from the resist processing unit 23 by the sub arm 56. As described above, the decompression drying device (VD) 23b is provided after the resist coating processing device (CT) 23a. If this is not provided, the substrate G coated with the resist is prebaked or after the development processing. After the post-bake treatment, the shapes of lift pins, fixing pins, etc. may be transferred to the substrate G. In this way, the solvent in the resist can be obtained by performing vacuum drying without heating by a vacuum drying apparatus (VD). Is released gradually and does not cause rapid drying as in the case of drying by heating, can accelerate the drying of the resist without adversely affecting the resist, and effectively prevents transfer on the substrate. Because it can be done.

このようにして塗布処理が終了し、サブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に受け渡される。パスユニット(PASS)69に配置された基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)70,71,72および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)75,76のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)74に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。   After the coating process is completed in this way, the substrate G carried out of the resist processing unit 23 by the sub arm 56 is transferred to the pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27. ) Passed to 69. The substrate G placed in the pass unit (PASS) 69 is pre-baked (PREBAKE) 70, 71, 72 of the thermal processing unit block (TB) 34 and the thermal processing unit block (TB) by the second transfer device 36. ) It is transported to one of 35 pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 and pre-baked, and then transported to a cooling unit (COL) 74 of the thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. Then, it is further transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35.

その後、基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこで基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ(BUF)43上のバッファカセットに基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。   Thereafter, the substrate G is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transfer device 36, and transferred to the peripheral exposure device (EE) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3. Then, exposure is performed to remove the peripheral resist, and then the wafer is transferred to the exposure device 4 by the transfer device 42 where the resist film on the substrate G is exposed to form a predetermined pattern. In some cases, the substrate G is accommodated in a buffer cassette on a buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.

露光終了後、基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されて基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置され、そこから再び処理ステーション2に搬入される。すなわち、基板Gは第2の搬送装置36により、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。そして、パスユニット(PASS)73においてピンを突出させて基板Gを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット(DEV)24からパスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。   After the exposure is completed, the substrate G is loaded into the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3 and predetermined information is written on the substrate G, and then the extension / cooling stage (EXT / COL). ) 44, and is carried into the processing station 2 again from there. That is, the substrate G is transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35 belonging to the second thermal processing unit section 27. Further, for example, a roller transport mechanism extended from the development processing unit (DEV) 24 to the pass unit (PASS) 73 by causing the pins to protrude in the pass unit (PASS) 73 and lowering the substrate G from the raised state. The substrate G is carried into the development processing unit (DEV) 24 and subjected to development processing. In this development processing, the substrate G is not rotated as in the prior art, and for example, the developer application, the developer removal after development, and the drying treatment are performed while being transported substantially horizontally by roller transport. As a result, the same processing capability as conventionally using three rotation type development processing units can be realized in a smaller space.

現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、基板Gに対して脱色処理が施される。その後、基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内の搬送機構、例えばコロ搬送により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出される。   After the development processing is completed, the substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport, and the substrate G is subjected to decolorization processing. The Thereafter, the substrate G is transferred to a pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by a transfer mechanism in the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, for example, roller transfer. ) It is carried out to 77.

パスユニット(PASS)77に配置された基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック(TB)37のポストベークユニット(POBAKE)78,79,80および熱的処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニット(POBAKE)81,83,84のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。   The substrate G placed in the pass unit (PASS) 77 is transferred by the third transfer device 39 to the post-baking units (POBAKE) 78, 79, 80 of the thermal processing unit block (TB) 37 and the thermal processing unit block (TB). ) It is transported to one of 38 post-baking units (POBAKE) 81, 83, 84 and post-baked, and then transported to a pass / cooling unit (PASS / COL) 82 of a thermal processing unit block (TB) 38. After being cooled to a predetermined temperature, it is accommodated in a predetermined cassette C arranged in the cassette station 1 by the transfer device 11 of the cassette station 1.

以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)24をその中で基板Gが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、基板Gの搬送ラインが2列となるように配置し、基板Gをこの平行な2列の搬送ラインA,Bに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、基板Gを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Gを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。   As described above, the scrub cleaning processing unit (SCR) 21, the resist processing unit 23, and the development processing unit (DEV) 24 are configured so that predetermined liquid processing is performed while the substrate G is transported substantially horizontally. Then, these are arranged in order of processing so that the transport lines of the substrate G are arranged in two rows, and a series of processing is performed while the substrate G flows along the two parallel rows of transport lines A and B. As a result, high throughput can be maintained, and a large-scale central transfer device that travels between a plurality of processing units as in the past and a central transfer path on which it travels are basically unnecessary, thereby saving space. And the footprint can be reduced. The scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24 are so-called flat-flow systems that perform processing while transporting the substrate G in the horizontal direction without rotating it, so that the conventional substrate G is rotated. It is possible to reduce the mist that has been generated a lot.

また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)24各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第1から第3の熱処理ユニットセクション26,27,28を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック(TB)で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Gの搬送を極力少なくして基板Gの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して各熱的処理ユニットセクション専用の第1から第3の搬送装置33,36,39を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。   The first scrub cleaning processing unit (SCR) 21, the resist processing unit 23, and the development processing unit (DEV) 24 are each integrated with a plurality of thermal processing units that perform subsequent thermal processing. Since the third heat treatment unit sections 26, 27, and 28 are provided, and these are constituted by the thermal processing unit block (TB) in which a plurality of thermal processing units are stacked, the footprint can be further reduced accordingly. In addition, the thermal processing can be performed along the flow of the processing of the substrate G by reducing the transport of the substrate G as much as possible, so that the throughput can be further increased. Further, since the first to third transfer devices 33, 36, 39 dedicated to each thermal processing unit section are provided corresponding to each thermal processing unit section, the throughput can be increased also by this. .

以上が基本的な処理パターンであるが、本実施形態では、処理ステーション2において2列の搬送ラインA,Bの間に空間部40が設けられており、この空間部40を往復動可能にシャトル41が設けられているので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。   The above is the basic processing pattern. In the present embodiment, the processing station 2 is provided with the space portion 40 between the two rows of the transfer lines A and B, and the space portion 40 can be reciprocated to be shuttled. 41 is provided, it is possible to process various patterns in addition to the above basic processing pattern, and the degree of freedom of processing is high.

例えば、レジスト処理だけ行いたいという場合には、以下のような手順により可能である。まず、シャトル41をカセットステーション1に隣接した位置まで移動させておき、次いで、搬送装置11によりカセットCの基板Gを一枚取り出してシャトル41上に載置し、シャトル41を第1の搬送装置33に対応する位置まで移動させ、第1の搬送装置33によりシャトル41上の基板Gをアドヒージョン処理ユニット(AD)64,68のいずれかに搬送し、基板Gに対してアドヒージョン処理を行った後、基板Gをクーリングユニット(COL)66または67で冷却し、熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65を経てレジスト処理ユニット23へ搬入する。そして、レジスト処理ユニット23において周縁レジスト除去装置(ER)23cによるレジスト除去処理が終了し、熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に基板Gを搬出し、第2の搬送装置36によって基板Gをシャトル41に載置し、カセットステーション1へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わない場合には、シャトル41から基板Gを受け取った第1の搬送装置33が直接パスユニット(PASS)65へ基板を搬送する。   For example, when it is desired to perform only the resist processing, the following procedure is possible. First, the shuttle 41 is moved to a position adjacent to the cassette station 1, and then one substrate G of the cassette C is taken out by the transfer device 11 and placed on the shuttle 41, and the shuttle 41 is moved to the first transfer device. After the substrate G on the shuttle 41 is transported to one of the adhesion processing units (AD) 64 and 68 by the first transport device 33 and the substrate G is subjected to the adhesion processing. Then, the substrate G is cooled by a cooling unit (COL) 66 or 67 and carried into the resist processing unit 23 through the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32. Then, in the resist processing unit 23, the resist removal processing by the peripheral resist removing device (ER) 23c is finished, and the substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34, and the second transfer. The apparatus 36 places the substrate G on the shuttle 41 and returns it to the cassette station 1. When the adhesion process is not performed, the first transfer device 33 that has received the substrate G from the shuttle 41 directly transfers the substrate to the pass unit (PASS) 65.

また、現像処理のみを行いたい場合には、以下のような手順により可能である。まずカセットステーション1から基板Gを受け取ったシャトル41を、第2の搬送装置36に対応する位置まで移動させ、第2の搬送装置36によりシャトル41上の基板Gを熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73を経て現像処理ユニット(DEV)24へ搬入する。そして、現像処理およびi線UV照射ユニット(i−UV)25による脱色処理が終了して基板Gを熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出し、第3の搬送装置39によって基板Gをシャトル41に載置し、カセットステーション1へ戻す。   If only development processing is desired, the following procedure can be used. First, the shuttle 41 that has received the substrate G from the cassette station 1 is moved to a position corresponding to the second transport device 36, and the second transport device 36 moves the substrate G on the shuttle 41 to the thermal processing unit block (TB). It is carried into the development processing unit (DEV) 24 through 35 pass units (PASS) 73. Then, after the development process and the decolorization process by the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 are finished, the substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 77 of the thermal processing unit block (TB) 37, and the third conveyance is performed. The apparatus 39 places the substrate G on the shuttle 41 and returns it to the cassette station 1.

なお、シャトル41を使用しないときは、シャトル41を空間部40の端部に退避させておくことにより、空間部40をメンテナンススペースとして用いることができる。   When the shuttle 41 is not used, the space 40 can be used as a maintenance space by retracting the shuttle 41 to the end of the space 40.

このようなシャトル41は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、シャトル41を設けても省スペース効果は維持される。   Unlike the conventional central transport apparatus, such a shuttle 41 only holds and moves the substrate to be processed, so that a large-scale mechanism is unnecessary, and is similar to a central transport path on which the conventional central transport apparatus travels. A large space is not necessary, and even if the shuttle 41 is provided, the space saving effect is maintained.

次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図7は本発明の第2の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。上記第1の実施形態では、基板Gをカセットステーション1におけるY方向の一方の端部から処理ステーション2に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実施形態のレジスト塗布現像処理装置100′ではカセットステーション1の中央から基板Gの搬出入を行えるような処理ステーション2′を備えている。具体的には、処理ステーション2′は、上記第3の熱的処理ユニットセクション28に代えて、カセットステーション1のY方向中央に対応する部分に熱的処理ユニットブロック(TB)38と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック(TB)38′を配置し、搬送ラインBの終点に熱的処理ユニットブロック(TB)37と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック(TB)37′を配した第3の熱的処理ユニットセクション28′を設け、第3の搬送装置39′を空間部40のカセットステーション1側端部に設け、基板Gの処理ステーション2′に対する搬入出をいずれも熱的処理ユニットブロック(TB)38′のパス・クーリングユニット(PASS・COL)を介して第3の搬送装置39′により行うようにしたものである。なお、基板Gの搬入出の形態が第1の実施形態とは異なっている関係上、本実施形態では、搬入口が第3の搬送装置39′に対応して空間部40側に設けられたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21′およびキシマUV照射ユニット(e−UV)22′が第1の実施形態と同様に積層して設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25から熱的処理ユニットブロック(TB)37′までの基板Gの搬送は、例えばコロ搬送によって行われる。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a plan view showing an LCD glass substrate resist coating and developing treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the first embodiment, the substrate G is loaded into the processing station 2 from one end in the Y direction in the cassette station 1 and unloaded from the other end. 100 'includes a processing station 2' that can carry in and out the substrate G from the center of the cassette station 1. Specifically, the processing station 2 ′ has a unit similar to the thermal processing unit block (TB) 38 in a portion corresponding to the center in the Y direction of the cassette station 1 instead of the third thermal processing unit section 28. Is disposed, and a thermal processing unit block (TB) 37 in which units similar to the thermal processing unit block (TB) 37 are stacked at the end of the transfer line B is disposed. 'Is provided, and a third transfer device 39' is provided at the end of the space 40 on the cassette station 1 side so that the substrate G can be transferred into and out of the processing station 2 '. Is also carried out by the third transfer device 39 'via the pass cooling unit (PASS COL) of the thermal processing unit block (TB) 38'. It is obtained by way. In addition, since the form of loading / unloading the substrate G is different from that of the first embodiment, in this embodiment, the carry-in port is provided on the space 40 side corresponding to the third transfer device 39 ′. A scrub cleaning unit (SCR) 21 ′ and a kisima UV irradiation unit (e-UV) 22 ′ are stacked in the same manner as in the first embodiment. Further, the transfer of the substrate G from the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 to the thermal processing unit block (TB) 37 ′ is performed by, for example, roller transfer.

本実施形態においても基本的に第1の実施形態と同様のフローで処理が行われる。このとき、第3の搬送装置39′は基板Gの受け渡し時に必ず90度回転するため、第3の搬送装置39′から例えばスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入した時点では基板Gの向きが90度ずれてしまう。これを防止するために、熱的処理ユニットブロック(TB)38′のパス・クーリングユニット(PASS・COL)に回転機構を設けておく。   Also in the present embodiment, processing is basically performed in the same flow as in the first embodiment. At this time, since the third transport device 39 ′ always rotates 90 degrees when the substrate G is delivered, the orientation of the substrate G is changed when the third transport device 39 ′ is loaded into, for example, the scrub cleaning unit (SCR) 21. It will shift 90 degrees. In order to prevent this, a rotation mechanism is provided in the pass cooling unit (PASS COL) of the thermal processing unit block (TB) 38 '.

本実施形態においては、カセットステーション1の中央から基板の搬入出が行えるので、カセットステーションとして、図示したような構造ではなく、例えば搬送装置がY方向に移動できないタイプのものが指定されたとしても対応可能であり、汎用性の高いものとなる。   In the present embodiment, since the substrate can be carried in and out from the center of the cassette station 1, even if the cassette station is not of the structure shown in the figure, for example, a type in which the transport device cannot move in the Y direction is designated. It can be used and is highly versatile.

次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図8は本発明の第3の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置100″では、第1および第2の実施形態のシャトル41とは異なる形態のシャトル41′を有し、かつ空間部40のカセットステーション1側端部に、カセットステーション1の搬送装置11とシャトル41′との間の基板Gの受け渡しを行う受渡機構110を有している。他は第1の実施形態と同様に構成されている。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a plan view showing an LCD glass substrate resist coating and developing treatment apparatus according to the third embodiment of the present invention. The resist coating and developing apparatus 100 ″ of the present embodiment has a shuttle 41 ′ having a form different from the shuttle 41 of the first and second embodiments, and a cassette at the end of the space 40 on the cassette station 1 side. A delivery mechanism 110 is provided for delivering the substrate G between the transport device 11 of the station 1 and the shuttle 41 ', and the rest is configured in the same manner as in the first embodiment.

シャトル41′は、図9に示すように、ベース部材121と、ベース部材121の表面の四隅近傍に設けられ、基板Gを支持する4本の支持ピン122と、連結部123を有しており、連結部123が空間部40内をX方向に延びるガイドレール124にスライド可能に連結されている。ベース部材121の中央は円形にくり抜かれたくり抜き部125が形成されている。
一方、受渡機構110は、図10に示すように、基板Gを支持するための支持部131と、支持部131を昇降可能なシリンダ132と、シリンダ132を回転させることにより支持部131に支持された基板Gを回転させる回転機構133とを有している。そして、支持部131は、シリンダ132のピストン134の上端に取り付けられた十字状部材135と、十字状部材135の4つの端部から上方に突出した基板Gを支持する4つの支持ピン136とを有する。
As shown in FIG. 9, the shuttle 41 ′ includes a base member 121, four support pins 122 that are provided near the four corners of the surface of the base member 121, and support the substrate G, and a connecting portion 123. The connecting portion 123 is slidably connected to the guide rail 124 extending in the X direction in the space portion 40. In the center of the base member 121, a cutout portion 125 is formed by being cut out in a circular shape.
On the other hand, as shown in FIG. 10, the delivery mechanism 110 is supported by the support portion 131 by supporting the substrate G, a cylinder 132 that can move the support portion 131 up and down, and rotating the cylinder 132. And a rotation mechanism 133 that rotates the substrate G. The support portion 131 includes a cross-shaped member 135 attached to the upper end of the piston 134 of the cylinder 132 and four support pins 136 that support the substrate G protruding upward from the four ends of the cross-shaped member 135. Have.

搬送装置11からシャトル41′へ基板Gを渡す際には、図10に示すように、シャトル41′を、そのくり抜き部125が受渡機構110の支持ピン136に対応するようにする。具体的には図11の(a)〜(c)に示すようにして受け渡しを行う。まず、(a)に示すように、シャトル41′を受渡機構110に対応する位置まで移動させ、その状態で、(b)に示すように、シリンダ132により支持ピン136がくり抜き部125を通って上方へ突出するように支持部131を上昇させる。そして、搬送装置11から支持部131上に基板Gを受け渡し、この状態で回転機構133によりシリンダ132を回転させて基板Gを90°回転させる。次いでシリンダ132により支持部131を下降させ、これにより基板Gは、(c)に示すように、ベース部材121に設けられた支持ピン122上に載置される。   When the substrate G is transferred from the transport device 11 to the shuttle 41 ′, the cutout portion 125 of the shuttle 41 ′ corresponds to the support pin 136 of the delivery mechanism 110 as shown in FIG. 10. Specifically, the delivery is performed as shown in FIGS. First, as shown in (a), the shuttle 41 'is moved to a position corresponding to the delivery mechanism 110, and in that state, as shown in (b), the support pin 136 is passed through the cutout portion 125 by the cylinder 132. The support part 131 is raised so as to protrude upward. Then, the substrate G is delivered from the transfer device 11 onto the support 131, and in this state, the cylinder 132 is rotated by the rotation mechanism 133 to rotate the substrate G by 90 °. Next, the support part 131 is lowered by the cylinder 132, whereby the substrate G is placed on the support pins 122 provided on the base member 121, as shown in FIG.

シャトル41′から第1〜第3の搬送装置33,36,39へ基板Gを受け渡す場合には、各搬送装置のアームを基板Gとベース部材121との間のスペースに挿入してからアームを持ち上げることにより実現され、これら搬送装置からシャトル41′へ基板Gを受け渡す場合には、ベース部材121上へ基板Gが位置した際に、アームを下降させることにより基板Gを支持ピン122上に載置させる。   When the substrate G is transferred from the shuttle 41 ′ to the first to third transfer devices 33, 36, 39, the arm of each transfer device is inserted into the space between the substrate G and the base member 121 and then the arm. When the substrate G is delivered from the transfer device to the shuttle 41 ′, when the substrate G is positioned on the base member 121, the arm is lowered to bring the substrate G onto the support pins 122. To be placed.

このように受渡機構110を介在させることにより、搬送装置11からシャトル41′へ基板Gを受け渡した際の基板Gの向きを調整することができる。つまり、搬送装置11は基板Gの長手方向をX方向にして基板Gを保持するから、単に搬送装置11からシャトル41′に基板Gを受け渡した場合にはシャトル41′上では基板Gの長手方向がX方向になっている。この状態でシャトル41′から第1〜第3の搬送装置33,36,39のいずれかへ基板Gを受け渡すと、これら搬送装置から各処理ユニットへ基板Gが搬送された際に、基板Gの向きが90°ずれてしまう。これに対し、受渡機構110で基板Gを90°回転させることにより、このような不都合が解消される。このように受渡機構110を設けることにより、各搬送装置毎に基板Gを回転させる機構を設けることなく基板Gを所定の向きにして搬送することができる。   By interposing the delivery mechanism 110 in this way, the orientation of the substrate G when the substrate G is delivered from the transport device 11 to the shuttle 41 'can be adjusted. That is, since the transport device 11 holds the substrate G with the longitudinal direction of the substrate G set to the X direction, when the substrate G is simply delivered from the transport device 11 to the shuttle 41 ′, the longitudinal direction of the substrate G is on the shuttle 41 ′. Is in the X direction. In this state, when the substrate G is delivered from the shuttle 41 ′ to any of the first to third transfer devices 33, 36, 39, the substrate G is transferred when the substrate G is transferred from the transfer device to each processing unit. The direction of is shifted by 90 °. On the other hand, by rotating the substrate G by 90 ° by the delivery mechanism 110, such inconvenience is solved. By providing the delivery mechanism 110 in this manner, the substrate G can be transported in a predetermined direction without providing a mechanism for rotating the substrate G for each transport device.

また、本実施形態では、シャトル41′にピン駆動部が存在しないので、その軽量化を図ることができ、駆動機構への負担を軽くすることができる。また、シャトル41′にシリンダが存在しないので、移動するシャトル41′に対するエア配管が不要となる。   Further, in this embodiment, since there is no pin drive unit in the shuttle 41 ', the weight can be reduced and the burden on the drive mechanism can be reduced. Further, since there is no cylinder in the shuttle 41 ', air piping for the moving shuttle 41' becomes unnecessary.

次に、シャトルの他の例について説明する。
この例のシャトル41″は、図12に示すように、基板Gを支持するベース部材141と、ベース部材141に対して着脱自在に設けられ、ベース部材141の上方の空間を覆うカバー部材142とを有している。基板Gの搬送時には、図12の(a)に示すように、このカバー部材142により基板Gが密閉空間に存在することとなる。カバー部材142の側壁はベース部材141の周囲を囲むようになっており、ベース部材141とカバー部材142とは図示しないロック機構により(a)の状態でロックされるようになっている。各搬送装置とシャトル41″との間の基板Gの受け渡しに際しては、ロック機構を外した状態で、図12の(b)に示すように、シャトル41″の受け渡しポジションに設けられた複数、例えば4本のシリンダ143(2本のみ図示)により、カバー部材142を上昇させる。このように、カバー部材142によりベース部材141上の基板G存在領域を密閉空間とするので、シャトル41″による基板Gの搬送時に基板Gにパーティクル等が付着することを防止することができる。また、シャトル41″にはカバー部材142開閉用のシリンダが設けられていないので、エア配管の煩雑さを回避することができる。
Next, another example of the shuttle will be described.
As shown in FIG. 12, the shuttle 41 ″ of this example includes a base member 141 that supports the substrate G, a cover member 142 that is detachably provided to the base member 141, and covers the space above the base member 141. 12A, when the substrate G is transported, the substrate G is present in a sealed space by the cover member 142. The side wall of the cover member 142 is the side wall of the base member 141. The base member 141 and the cover member 142 are locked in the state (a) by a lock mechanism (not shown). A substrate between each transport device and the shuttle 41 ″. When delivering G, with the lock mechanism removed, as shown in FIG. 12B, a plurality of, for example, four serials provided at the delivery position of the shuttle 41 ″ are provided. The cover member 142 is lifted by the slider 143 (only two are shown) In this way, the region where the substrate G exists on the base member 141 is made a sealed space by the cover member 142, so that the substrate 41 can be transported by the shuttle 41 ″. It is possible to prevent particles and the like from adhering to the substrate G. Further, since the shuttle 41 ″ is not provided with a cylinder for opening and closing the cover member 142, the complexity of the air piping can be avoided.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。また、シャトルの構造も上記構造に限るものではなく、例えば上記実施形態におけるレジスト処理ユニット23に用いたサブアーム56と同様の構造のものであってもよい。また、シャトルに複数枚の基板を保持するようにしてもよい。処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能である。さらに被処理基板としてLCD基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the idea of the present invention. For example, the device layout is merely an example, and the present invention is not limited to this. Further, the structure of the shuttle is not limited to the above structure, and may be the same structure as the sub arm 56 used in the resist processing unit 23 in the above embodiment, for example. Further, a plurality of substrates may be held on the shuttle. The processing is not limited to the processing by the resist coating and developing processing apparatus as described above, but can be applied to other apparatuses that perform liquid processing and thermal processing. Furthermore, although the case where an LCD substrate is used as the substrate to be processed has been described, it is needless to say that the present invention is not limited to this and can be applied to the case of processing other substrates to be processed such as color filters.

1……カセットステーション
2……処理ステーション
3……インターフェイスステーション
21……スクラブ洗浄処理ユニット(液処理ユニット)
23……レジスト処理ユニット(液処理ユニット)
24……現像処理ユニット(液処理ユニット)
26……第1の熱的処理ユニットセクション
27……第2の熱的処理ユニットセクション
28……第3の熱的処理ユニットセクション
31,32,34,35,37,38……熱的処理ユニットブロック
33……第1の搬送装置
36……第2の搬送装置
39……第3の搬送装置
40……空間
41,41′,41″……シャトル
100,100′,100″……レジスト塗布現像処理装置(処理装置)
G……LCDガラス基板
1 …… Cassette station 2 …… Processing station 3 …… Interface station 21 …… Scrub cleaning unit (liquid processing unit)
23 …… Resist processing unit (liquid processing unit)
24 …… Development processing unit (liquid processing unit)
26... First thermal processing unit section 27... Second thermal processing unit section 28... Third thermal processing unit section 31, 32, 34, 35, 37, 38. Block 33 …… First transfer device 36 …… Second transfer device 39 …… Third transfer device 40 …… Space 41, 41 ′, 41 ″ …… Shuttle 100, 100 ′, 100 ″ …… Resist coating Development processing equipment (processing equipment)
G …… LCD glass substrate

Claims (8)

被処理基板を処理する基板処理装置であって、
所定の方向に沿って延びるとともに、前記所定の方向の一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第1処理系統と、
前記所定の方向に沿って延びるとともに、前記第1処理系統に対して前記所定の方向と直交する方向に空間を設けた状態で配置され、前記所定の方向の他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第2処理系統と、
前記空間に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部と、
前記第1処理系統の前記他方側の上流側処理ユニットと、前記一方側の下流側処理ユニットとの間に配置され、前記上流側処理ユニットから前記載置部へ、および前記載置部から前記下流側処理ユニットへ被処理基板を搬送する搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
A first processing system that extends along a predetermined direction and processes the substrate to be processed while moving the substrate to be processed to one side in the predetermined direction;
The substrate extends along the predetermined direction and is disposed with a space provided in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the first processing system, and moves the substrate to be processed to the other side of the predetermined direction. A second processing system for processing the substrate to be processed;
A placement section for receiving and placing a substrate to be processed which is disposed in the space and is horizontally supported;
Arranged between the other upstream processing unit of the first processing system and the one downstream processing unit, from the upstream processing unit to the mounting unit, and from the mounting unit A transfer device for transferring the substrate to be processed to the downstream processing unit;
A substrate processing apparatus comprising:
被処理基板を処理する基板処理装置であって、
所定の方向に沿って延びるとともに、前記所定の方向の一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第1処理系統と、
前記所定の方向に沿って延びるとともに、前記第1処理系統に対して前記所定の方向と直交する方向に空間を設けた状態で配置され、前記所定の方向の他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第2処理系統と、
前記空間に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部と、
前記第1処理系統の前記他方側の上流側処理ユニットと、前記一方側の下流側処理ユニットとの間に配置され、前記上流側処理ユニットから前記載置部へ、および前記載置部から前記下流側処理ユニットへ被処理基板を搬送する搬送装置と、
前記一方側の下流側処理ユニットの中に設けられ、水平支持される被処理基板に向けて液を供給する塗布処理装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
A first processing system that extends along a predetermined direction and processes the substrate to be processed while moving the substrate to be processed to one side in the predetermined direction;
The substrate extends along the predetermined direction and is disposed with a space provided in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the first processing system, and moves the substrate to be processed to the other side of the predetermined direction. A second processing system for processing the substrate to be processed;
A placement section for receiving and placing a substrate to be processed which is disposed in the space and is horizontally supported;
Arranged between the other upstream processing unit of the first processing system and the one downstream processing unit, from the upstream processing unit to the mounting unit, and from the mounting unit A transfer device for transferring the substrate to be processed to the downstream processing unit;
A coating processing apparatus that is provided in the downstream processing unit on the one side and supplies a liquid toward a substrate to be horizontally supported;
A substrate processing apparatus comprising:
被処理基板を処理する基板処理装置であって、
所定の方向に沿って延びるとともに、前記所定の方向の一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第1処理系統と、
前記所定の方向に沿って延びるとともに、前記第1処理系統に対して前記所定の方向と直交する方向に空間を設けた状態で配置され、前記所定の方向の他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第2処理系統と、
前記空間に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部と、
前記第1処理系統の前記他方側の上流側処理ユニットと、前記一方側の下流側処理ユニットとの間に配置され、被処理基板を搬送する、旋回動可能な搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed,
A first processing system that extends along a predetermined direction and processes the substrate to be processed while moving the substrate to be processed to one side in the predetermined direction;
The substrate extends along the predetermined direction and is disposed with a space provided in a direction perpendicular to the predetermined direction with respect to the first processing system, and moves the substrate to be processed to the other side of the predetermined direction. A second processing system for processing the substrate to be processed;
A placement section for receiving and placing a substrate to be processed which is disposed in the space and is horizontally supported;
A swivelable transport device that is disposed between the other upstream processing unit of the first processing system and the one downstream processing unit and transports a substrate to be processed;
A substrate processing apparatus comprising:
前記搬送装置は、さらに上下動、前後動が可能であることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the transfer device is further capable of moving up and down and moving back and forth. 前記空間は、前記第1処理系統または前記第2処理系統のうち少なくとも一方のメンテナンススペースであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the space is a maintenance space for at least one of the first processing system and the second processing system. 6. 前記載置部の周囲のうちの少なくとも前記空間に露出する側を覆うカバー部材を、さらに備えることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a cover member that covers at least a side exposed to the space in the periphery of the placement unit. 前記カバー部材と前記第2処理系統との間に、前記空間があることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the space is provided between the cover member and the second processing system. 前記カバー部材には、前記載置部に対してアクセス可能とする開閉式の開口部が形成されることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the cover member is formed with an openable / closable opening that allows access to the mounting portion.
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