JP5132856B2 - Processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置(LCD)ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCDの製造においては、被処理基板であるLCDガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【0003】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるLCD基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【0004】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的に中央搬送装置によるランダムアクセス処理を行うものであることから、洗浄処理ユニットや現像処理ユニットを平面的に複数配置し、また、ベーキングやクーリング等を行う熱的処理ユニットを多数配置して高スループットの処理を実現している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近時、LCD基板は大型化の要求が強く、一辺が1mにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような中央搬送装置を用いる処理システムでは搬送路の面積が大きくなるとともに、洗浄処理ユニットや現像処理ユニットを平面的に複数配置することにより、フットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【0006】
フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられ、従来から熱的処理ユニットを多段に積み重ねることも行われているが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から中央搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、基板が大型化した場合に、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界があり、小フットプリントと高スループットとを両立させることは困難である。また、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化しており、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。
【0007】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなく、フットプリントを小さくすることができる、複数の処理ユニットを備えた処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点では、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセクションとを具備し、前記熱的処理ユニットセクションの少なくとも1つは、複数の熱的処理ユニットが高さ方向に処理の順に配置され、被処理基板を一筆書き状に前記複数の熱的処理ユニットを順次搬送することを特徴とする処理装置を提供する。
【0010】
本発明の第2の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板および/または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第1の熱的処理ユニットセクションと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第2の熱的処理ユニットセクションと、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第3の熱的処理ユニットセクションとを有し、前記第1から第3の熱的処理ユニットセクションの少なくとも1つは、複数の熱的処理ユニットが高さ方向に処理の順に配置され、被処理基板を一筆書き状に前記複数の熱的処理ユニットを順次搬送することを特徴とする処理装置を提供する。
【0012】
上記本発明の第1の観点または第2の観点に係る処理装置においては、前記少なくとも1つの熱的処理ユニットセクションには、複数の熱的処理ユニットを処理の順に垂直に配置した熱的処理ユニットセットを設けることができる。さらに、前記熱的処理ユニットセットは、搬入側及び搬出側それぞれに、前記被処理基板を昇降させる搬入側昇降テーブル及び搬出側昇降テーブルを備えるものとすることができる。
【0013】
本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成したので、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることができ、その分省スペース化を図ることができる。また、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設けたのでその分省スペース化を図ることができるとともに、処理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置することができるのでスループットを高くすることができる。しかも、熱的処理ユニットセクションの少なくとも1つは、複数の熱的処理ユニットが高さ方向に処理の順に配置され、被処理基板を一筆書き状に前記複数の熱的処理ユニットを順次搬送するので、スループットを高く維持しつつ、また装置構成上の問題を伴うことなく、フットプリントを小さくすることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【0015】
このレジスト塗布現像処理装置100は、複数のLCDガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3とを備えており、処理ステーション2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
【0016】
カセットステーション1は、カセットCと処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、このカセットステーション1において外部に対するカセットCの搬入出が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出が行われる。
【0017】
処理ステーション2は、基本的にX方向に沿って伸びる平行な2列のライン2a,2bを有しており、一方のライン2aはカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱処理ユニットセクション(TS)26およびレジスト処理ユニット23が配列されて構成されており、他方のライン2bはインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28が設けられている。ライン2a,2bの間は空間20が形成されている。また、インターフェイスステーション3に隣接した位置に、上記ライン2aから2bにかけて第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27が設けられている。さらに、上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、このエキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラブ洗浄に先立って基板Gの有機物を除去するためのものであり、上記i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うためのものである。
【0018】
上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21は、その中で基板Gが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。このスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21では、基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21への基板Gの搬入はカセットステーション1の搬送装置11により行われる。なお、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上に設けられたエキシマUV照射ユニット(e−UV)22もカセットステーション1側に搬入口が設けられ、搬送装置11により基板Gが搬入される。
【0019】
上記現像処理ユニット(DEV)24も、その中で基板Gが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。この現像処理ユニット(DEV)24においても、基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25への基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【0020】
レジスト処理ユニット23は、図2のその内部の平面図に示すように、カップ50内で基板Gをスピンチャック51により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置(CT)23a、基板G上に形成されたレジスト膜を減圧容器52内で減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)23b、およびステージ54に載置された基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド53により基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置(ER)23cがその順に配置されており、ガイドレール55にガイドされて移動する一対のサブアーム56により基板Gがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット23は、相対向する短辺に基板Gの搬入口57および搬出口58が設けられており、ガイドレール55はこれら搬入口57および搬出口58から外側に延びてサブアーム56により基板Gの受け渡しが可能となっている。
【0021】
第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26は、熱的処理ユニットが処理の順に配置されている。具体的には、例えば図3の平面図に示すように、基板Gに対して脱水ベーク処理を行う脱水ベークユニット(DHP)61a、基板Gに対して疎水化処理(アドヒージョン処理)を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)62a、基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)63aがその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット31aと、脱水ベークユニット(DHP)61b、アドヒージョン処理ユニット(AD)62b、クーリングユニット(COL)63bがその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット31bとが平面的に並列に配置されている。これら熱的処理ユニットセット31a,31bは、コロ搬送等によりこれら熱的処理ユニットの配列順に搬送して一連の熱的処理を行うようになっている。また、熱的処理ユニットセット31a,31bの搬入側には搬入側移動テーブル32がレール32aに沿って移動可能に設けられており、搬出側には搬出側移動テーブル33がレール33aに沿って移動可能に設けられていて、熱的処理ユニットセット31a,31bのいずれか一方を選択的に用いることができるようになっている。そして、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21から搬出された基板Gは搬入側移動テーブル32に受け取られ、搬出側移動テーブル33の基板Gはレジスト処理ユニット23のサブアーム56により受け取られる。
【0022】
第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27も、熱的処理ユニットが処理の順に配置されている。具体的には、例えば図4の平面図に示すように、基板Gに対してプリベーク処理を行うプリベーク処理ユニット(PREBAKE)64a、その後に基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)65aがその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット34aと、プリベーク処理ユニット(PREBAKE)64b、クーリングユニット(COL)65bがその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット34bとが平面的に並列に配置されている。これら熱的処理ユニットセット34a,34bは、コロ搬送等によりこれら熱的処理ユニットの配列順に搬送して一連の熱的処理を行うようになっている。また、熱的処理ユニットセット34a,34bの搬入側には搬入側移動テーブル35がレール35aに沿って移動可能に設けられており、搬出側には搬出側移動テーブル36がレール36aに沿って移動可能に設けられていて、熱的処理ユニットセット34a,34bのいずれか一方を選択的に用いることができるようになっている。そして、レジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは搬入側移動テーブル35に受け取られ、搬出側移動テーブル36の基板Gは、インターフェイスステーション3の搬送装置41に受け取られるか、または現像処理ユニット(DEV)24に受け渡される。
【0023】
第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28も、熱的処理ユニットが処理の順に配置されている。具体的には、例えば図5の平面図に示すように、基板Gに対してポストベーク処理を行うポストベーク処理ユニット(POBAKE)66a、その後に基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)67aがその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット37aと、ポストベーク処理ユニット(POBAKE)66b、クーリングユニット(COL)67bがその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット37bとが平面的に並列に配置されている。これら熱的処理ユニットセット37a,37bは、コロ搬送等によりこれら熱的処理ユニットの配列順に搬送して一連の熱的処理を行うようになっている。また、熱的処理ユニットセット37a,37bの搬入側には搬入側移動テーブル38がレール38aに沿って移動可能に設けられており、搬出側には搬出側移動テーブル39がレール39aに沿って移動可能に設けられていて、熱的処理ユニットセット37a,37bのいずれか一方を選択的に用いることができるようになっている。そして、i線UV照射ユニット(i−UV)25から搬出された基板Gは搬入側移動テーブル38に受け取られ、搬出側移動テーブル39の基板Gは、カセットステーション1の搬送装置11に受け取られる。
【0024】
インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間での間で基板Gの搬入出を行う搬送装置41と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ(BUF)43とを有している。搬送装置41はY方向に沿って設けられた搬送路42上を移動可能な搬送アーム41aを備え、この搬送アーム41aが搬送路42を移動するとともに、旋回および前後動することにより処理ステーション2と露光装置4との間で基板Gの搬入出が行われる。また、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック44がインターフェイスステーション3に隣接して設けられている。
【0025】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構11により、基板GがエキシマUV照射ユニット(e−UV)22の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Gが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラブ洗浄処理ユニットを2台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26の搬入側移動テーブル32に搬出される。
【0026】
搬入側移動テーブル32に配置された基板Gは、熱的処理ユニットセット31aまたは31bのいずれかに搬入される。この際に搬入側移動テーブル32は、レール32aに沿って基板Gが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置に移動される。そして、熱的処理ユニットセット31aが選択された場合には、脱水ベークユニット(DHP)61a、アドヒージョン処理ユニット(AD)62a、クーリングユニット(COL)63aに例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Gに対して脱水ベーク処理、HMDSによるアドヒージョン処理(疎水化処理)、および冷却処理が順次施される。一方、熱的処理ユニットセット31bが選択された場合には、脱水ベークユニット(DHP)61b、アドヒージョン処理ユニット(AD)62b、クーリングユニット(COL)63bに例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Gに対して脱水ベーク処理、HMDSによるアドヒージョン処理(疎水化処理)、および冷却処理が順次施される。このようにして第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26による処理が終了した後、基板Gは搬出側移動テーブル33に搬出される。この際には、搬出側移動テーブル33はレール33aに沿って基板Gが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置に移動される。基板Gが搬出側移動テーブル33に搬出された後、搬出側移動テーブル33はレジスト処理ユニット23の搬入口57に対応する位置に移動される。
【0027】
その後、搬出側移動テーブル33に配置された基板Gがレジスト処理ユニット23のサブアーム56によりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、基板Gはまずその中のレジスト塗布処理装置(CT)23aに搬送され、そこで基板Gに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム56により減圧乾燥装置(VD)23bに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム56により周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送されて基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Gはサブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置(CT)23aの後に減圧乾燥装置(VD)23bを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Gをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Gに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【0028】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27の搬入側移動テーブル35に受け渡される。搬入側移動テーブル35に配置された基板Gは、熱的処理ユニットセット34aまたは34bのいずれかに搬入される。この際に搬入側移動テーブル35は、レール35aに沿って基板Gが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置に移動される。そして、熱的処理ユニットセット34aが選択された場合には、プリベークユニット(PREBAKE)64a、クーリングユニット(COL)65aに例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Gに対してプリベーク処理および冷却処理が順次施される。一方、熱的処理ユニットセット34bが選択された場合には、プリベークユニット(PREBAKE)64b、クーリングユニット(COL)65bに例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Gに対してプリベーク処理および冷却処理が順次施される。このようにして第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27による処理が終了した後、基板Gは搬出側移動テーブル36に搬出される。この際には、搬出側移動テーブル36はレール36aに沿って基板Gが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置に移動される。基板Gが搬出側移動テーブル36に搬出された後、搬出側移動テーブル36はインターフェイスステーション3に対応する位置に配置され、その位置でその上の基板Gがインターフェイスステーション3の搬送装置41に受け取られる。
【0029】
基板Gは搬送装置41により露光装置4に搬送されてそこで基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。この場合に、基板Gを直接に露光装置4に搬送してもよいし、バッファーステージ(BUF)43上のバッファカセットに基板Gを収容してから露光装置4に搬送してもよい。
【0030】
露光終了後、基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置41により外部装置ブロック44の下段の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで上段のタイトラー(TITLER)に搬入されて基板Gに所定の情報が記された後、再び第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27の搬出側移動テーブル36に受け渡される。基板Gを受け取った搬出側移動テーブル36はレール36aに沿って現像処理ユニット(DEV)24に対応する位置まで移動され、例えばコロ搬送により基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【0031】
現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、基板Gに対して脱色処理が施される。
【0032】
その後、基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内の搬送機構、例えばコロ搬送により第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28の搬入側移動テーブル38に受け渡される。搬入側移動テーブル38に配置された基板Gは、熱的処理ユニットセット37aまたは37bのいずれかに搬入される。この際に搬入側移動テーブル38は、レール38aに沿って基板Gが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置に移動される。そして、熱的処理ユニットセット37aが選択された場合には、ポストベークユニット(POBAKE)66a、クーリングユニット(COL)67aに例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Gに対してポストベーク処理および冷却処理が順次施される。一方、熱的処理ユニットセット37bが選択された場合には、ポストベークユニット(POBAKE)66b、クーリングユニット(COL)67bに例えばコロ搬送により順次搬送され、基板Gに対してポストベーク処理および冷却処理が順次施される。このようにして第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28による処理が終了した後、基板Gは搬出側移動テーブル39に搬出される。この際には、搬出側移動テーブル39はレール39aに沿って基板Gが搬入される熱的処理ユニットセットに対応する位置に移動される。基板Gが搬出側移動テーブル39に搬出された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。
【0033】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)24をその中で基板Gが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることができるのでその分省スペース化を図ることができ、また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)24ごとに、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第1から第3の熱的処理ユニットセクション(TS)26,27,28を設けたのでその分省スペース化を図ることができるとともに、処理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置することができるのでスループット高くすることができる。しかも、これら熱的処理ユニットセクション(TS)26,27,28は、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水平に配置されているので、複数の熱的処理ユニットに被処理基板を搬入出する搬送装置が不要となり、被処理基板のハンドリング性が良好となってそのことによってもスループットを高めることができる。しかも、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)24の積層も不要なため、装置的な問題も生じない。したがって、高スループットを維持しつつ、かつ装置構成上の問題を伴うことなく、フットプリントを小さくすることができる。
【0034】
また、各熱的処理ユニットセクションにおいて、複数の熱的処理ユニットが処理の順に水平に配置されている熱的処理ユニットセットを2つ並列に配置したので、一方が塞がっていても他方で熱的処理を行うことができ、その分スループットをより高めることができる。
【0035】
さらに、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)24ならびに第1および第3の熱的処理ユニットセクション26,28を処理の順に、平行な2列のライン2a,2bとなるように配置し、かつこの2列のラインの間に第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27を設け、基板Gをこの2列のラインに沿ってUターン状に流しながら一連の処理を行うようにしたので、このことによってもフットプリント減少効果を高くすることができる。しかも、このように各処理ユニットを2列のラインにしたことにより、両側面から全ての処理ユニットのメンテナンスを行うことができるので、メンテナンス性が極めて高い。そして、これらライン2a,2bの間の空間20をメンテナンススペースとして利用することもできる。さらに、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、基板Gを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Gを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【0036】
次に、他の実施形態について説明する。本実施形態では、上記実施形態とは各熱的処理ユニットセクションの構造が異なっている。すなわち、上記実施形態では、各熱的処理ユニットセクションにおいて2つの熱的処理ユニットセットを平面的に並列させたが、本実施形態では図6から図8に示すように上下に並列させている。
【0037】
図6はこのような構造を有する第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26′を示す側面図である。この第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26′は、脱水ベークユニット(DHP)61a′、アドヒージョン処理ユニット(AD)62a′、クーリングユニット(COL)63a′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット31a′と、脱水ベークユニット(DHP)61b′、アドヒージョン処理ユニット(AD)62b′、クーリングユニット(COL)63b′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット31b′とが上下に配置されている。また、処理ユニットセット31a′,31b′の搬入側には搬入側昇降テーブル71が昇降可能に設けられており、搬出側には搬出側昇降テーブル72が昇降可能に設けられていて、処理ユニットセット31a′,31b′のいずれか一方を選択的に用いることができるようになっている。そして、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21から搬出された基板Gは搬入側昇降テーブル71に受け取られ、搬出側昇降テーブル72の基板Gはレジスト処理ユニット23のサブアーム56により受け取られる。
【0038】
図7はこのような構造を有する第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27′を示す側面図である。この第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27′は、プリベーク処理ユニット(PREBAKE)64a′、クーリングユニット(COL)65a′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット34a′と、プリベーク処理ユニット(PREBAKE)64b′、クーリングユニット(COL)65b′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット34b′とが上下に配置されている。また、熱的処理ユニットセット34a′,34b′の搬入側には搬入側昇降テーブル73が昇降可能に設けられており、搬出側には搬出側昇降テーブル74が昇降可能に設けられていて、処理ユニットセット34a′,34b′のいずれか一方を選択的に用いることができるようになっている。そして、レジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは搬入側昇降テーブル73に受け取られ、搬出側昇降テーブル74の基板Gは、インターフェイスステーション3の搬送装置41に受け取られるか、または現像処理ユニット(DEV)24に受け渡される。
【0039】
図8はこのような構造を有する第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28′を示す側面図である。この第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28′は、ポストベーク処理ユニット(POBAKE)66a′、クーリングユニット(COL)67a′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット37a′と、ポストベーク処理ユニット(POBAKE)66b′、クーリングユニット(COL)67b′がその順に水平に配列された熱的処理ユニットセット37b′とが上下に配置されている。また、熱的処理ユニットセット37a′,37b′の搬入側には搬入側昇降テーブル75が昇降可能に設けられており、搬出側には搬出側昇降テーブル76が昇降可能に設けられていて、熱的処理ユニットセット37a′,37b′のいずれか一方を選択的に用いることができるようになっている。そして、i線UV照射ユニット(i−UV)25から搬出された基板Gは搬入側昇降テーブル75に受け取られ、搬出側昇降テーブル76の基板Gは、カセットステーション1の搬送装置11に受け取られる。
【0040】
なお、いずれの実施形態においても、各熱的処理ユニットセクションにおいて、熱的処理ユニットセットを2列配置したが、これに限らず1列でも3列以上でもよい。2列にすることにより1列の場合よりもスループットが向上するが、逆にフットプリントは大きくなる。したがって、スループットおよびフットプリントの兼ね合いで熱的処理ユニットセットの数が決定される。このようにスループットおよびフットプリントのバランスを考慮すると2列に配置することが好ましい。
【0041】
次に、さらに他の実施形態について説明する。本実施形態においても各熱的処理ユニットセクションの構造に特徴がある。すなわち、上記2つの実施形態では、熱的処理ユニットを処理の順に水平に配置したが、本実施形態では図9から図11に示すように熱的処理ユニットを高さ方向に処理の順に積層して一筆書き状にこれら熱的処理ユニットを順次搬送する。この場合には、フットプリントを一層小さくすることができる。
【0042】
図9はこのような構造を有する第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26″を示す側面図である。この第1の熱的処理ユニットセクション(TS)26″は、脱水ベークユニット(DHP)81、アドヒージョン処理ユニット(AD)82、クーリングユニット(COL)83がその順に垂直に配列されて熱的処理ユニットセット31cを構成しており、その両側にそれぞれ搬入側昇降テーブル91および搬出側昇降テーブル92が設けられている。したがって、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21から搬出された基板Gが搬入側昇降テーブル91に受け取られ、矢印に沿って脱水ベークユニット(DHP)81、アドヒージョン処理ユニット(AD)82、クーリングユニット(COL)83と順次搬送され、搬出側昇降テーブル92に搬出される。
【0043】
図10はこのような構造を有する第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27″を示す側面図である。この第2の熱的処理ユニットセクション(TS)27″は、2つのプリベークユニット(PREBAKE)84,85およびクーリングユニット(COL)86がその順に垂直に配列されて熱的処理ユニットセット34cを構成しており、その両側にそれぞれ搬入側昇降テーブル93および搬出側昇降テーブル94が設けられている。したがって、レジスト処理ユニット23から搬出された基板Gが搬入側昇降テーブル93に受け取られ、矢印に沿ってプリベークユニット(PREBAKE)84、プリベーク処理ユニット(PREBAKE)85、クーリングユニット(COL)86と順次搬送され、搬出側昇降テーブル94に搬出される。なお、プリベーク処理ユニット(PREBAKE)84,85を2つ重ねたのは、プリベーク処理の時間が冷却時間よりも2倍以上長く、かつユニットを3段積層することにより円滑に基板Gを搬送することができるからである。すなわち、プリベークユニット(PREBAKE)を2つ重ねることにより、プリベーク処理の時間を十分にとることができるとともに、ユニットを3段積層することにより矢印に沿って最上段のユニットまで達した基板Gをそのまま次のユニットに搬送することが可能となる。
【0044】
図11はこのような構造を有する第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28″を示す側面図である。この第3の熱的処理ユニットセクション(TS)28″は、2つのポストベークユニット(POBAKE)87,88およびクーリングユニット(COL)89がその順に垂直に配列されて熱的処理ユニットセット37cを構成しており、その両側にそれぞれ搬入側昇降テーブル95および搬出側昇降テーブル96が設けられている。したがって、i線UV照射ユニット(i−UV)25から搬出された基板Gが搬入側昇降テーブル95に受け取られ、矢印に沿ってポストベーク処理ユニット(POBAKE)87、ポストベーク処理ユニット(POBAKE)88、クーリングユニット(COL)89と順次搬送され、搬出側昇降テーブル94に搬出される。なお、ポストベークユニット(POBAKE)を2段重ねたのは、プリベーク処理ユニットの場合と同じ理由による。
【0045】
図9から図11の実施形態において、3段積層して構成された熱的処理ユニットセットを2またはそれ以上並列に設けてもよい。これにより、スループットをさらに向上させることができる。
【0046】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では全ての熱的処理ユニットセクションにおいて、熱的処理ユニットを処理の順に配置して順次これらに搬送して処理を行うように構成したが、必ずしも全てがこのような構成でなくてもよい。また、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能である。さらに被処理基板としてLCD基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成したので、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることができ、その分省スペース化を図ることができる。また、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設けたのでその分省スペース化を図ることができるとともに、処理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置することができるのでスループットを高くすることができる。しかも、熱的処理ユニットセクションの少なくとも1つは、複数の熱的処理ユニットが処理の順に配置されているので、その熱的処理ユニットセクションでは複数の熱的処理ユニットに被処理基板を搬入出する搬送装置が不要となり、被処理基板のハンドリング性が良好となってそのことによってもスループットを高めることができる。しかも、液処理ユニットの積層も不要なため、装置的な問題も生じない。したがって、スループットを高く維持しつつ、また装置構成上の問題を伴うことなく、フットプリントを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図2】本発明の一実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。
【図3】図1のLCD基板のレジスト塗布現像処理装置の第1の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図4】図1のLCD基板のレジスト塗布現像処理装置の第2の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図5】図1のLCD基板のレジスト塗布現像処理装置の第3の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図6】本発明の他の実施形態における第1の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図7】本発明の他の実施形態における第2の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図8】本発明の他の実施形態における第3の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図9】本発明のさらに他の実施形態における第1の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図10】本発明のさらに他の実施形態における第2の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【図11】本発明のさらに他の実施形態における第3の熱的処理ユニットセクションの構造を模式的に示す平面図。
【符号の説明】
1……カセットステーション
2……処理ステーション
2a,2b……ライン
3……インターフェイスステーション
21……スクラブ洗浄処理ユニット(液処理ユニット)
23……レジスト処理ユニット(液処理ユニット)
24……現像処理ユニット(液処理ユニット)
26,26′,26″……第1の熱的処理ユニットセクション
27,27′,27″……第2の熱的処理ユニットセクション
28,28′,28″……第3の熱的処理ユニットセクション
31a,31b,31c,34a,34b,34c,37a,37b,37c……熱的処理ユニットセット
32,33,35,36,38,39……移動テーブル
71,72,73,74,75,76,91,92,93,94,95,96……昇降テーブル
100……レジスト塗布現像処理装置(処理装置)
G……LCDガラス基板[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention relates to a processing apparatus that performs a plurality of processes such as resist coating and development processing after exposure on a target substrate such as a liquid crystal display (LCD) glass substrate, and thermal processing performed before and after the resist coating. .
[0002]
[Prior art]
In the manufacture of LCD, after forming a predetermined film on the LCD glass substrate, which is the substrate to be processed, a photoresist film is applied to form a resist film, and the resist film is exposed corresponding to the circuit pattern, A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique in which this is developed.
[0003]
In this photolithography technique, the LCD substrate as a substrate to be processed is subjected to a series of processes including cleaning processing → dehydration baking → adhesion (hydrophobization) processing → resist coating → prebaking → exposure → development → post baking. A predetermined circuit pattern is formed on the resist layer.
[0004]
Conventionally, in such processing, processing units for performing each processing are arranged on both sides of the transport path in consideration of the process flow, and a substrate to be processed is carried into each processing unit by a central transport apparatus that can travel on the transport path. This is performed by a processing system in which one or a plurality of process blocks to be output are arranged. Since such a processing system basically performs random access processing by a central transfer device, a plurality of cleaning processing units and development processing units are arranged in a plane, and thermal processing such as baking and cooling is performed. Many processing units are arranged to achieve high throughput processing.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, recently, there is a strong demand for large-sized LCD substrates, and even a huge one having a side as long as 1 m has appeared. In the processing system using the central transfer device as described above, the area of the transfer path is large. At the same time, by arranging a plurality of cleaning processing units and development processing units in a planar manner, the footprint becomes extremely large, and a reduction in footprint is strongly demanded from the viewpoint of space saving.
[0006]
In order to reduce the footprint, it is conceivable to stack the processing units in the vertical direction. Conventionally, thermal processing units are stacked in multiple stages, but the current processing system has a viewpoint of improving throughput. The central transfer device moves large substrates in the horizontal direction at high speed and with high accuracy, and when the substrate becomes large, it is natural to move it in the height direction at high speed and with high accuracy. There is a limit, and it is difficult to achieve both a small footprint and high throughput. In addition, the processing unit is also enlarged with the increase in size of the substrate, and it is extremely difficult to provide spinner units such as a resist coating processing unit and a development processing unit in an overlapping manner.
[0007]
The present invention has been made in view of such circumstances, and is a process including a plurality of processing units that can reduce the footprint without reducing the throughput and without causing problems in the apparatus configuration. An object is to provide an apparatus.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus that performs a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed, while the substrate to be processed is being transported substantially horizontally. A plurality of liquid processing units that perform predetermined liquid processing and the corresponding liquid processing units are provided corresponding to each of the plurality of liquid processing units.AtAnd a plurality of thermal processing unit sections provided with a plurality of thermal processing units for performing a predetermined thermal processing, wherein at least one of the thermal processing unit sections includes a plurality of thermal processing units. ButIn the height directionArranged in the order of processingAnd sequentially transporting the plurality of thermal processing units in a single stroke on the substrate to be processedA processing apparatus is provided.
[0010]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a series of processes including cleaning, resist coating, and development after exposure on a substrate to be processed, each corresponding to the series of processes. A processing unit including a plurality of processing units that perform predetermined processing on the substrate, and a storage container that stores a substrate to be processed before processing and / or a substrate to be processed after processing, are placed on the processing unit. A loading / unloading unit for loading / unloading the processing substrate; and an interface unit for transferring the substrate to be processed between the processing unit and the exposure apparatus, the processing unit cleaning liquid while the substrate to be processed being transported substantially horizontally A cleaning processing unit for performing a cleaning process and a drying process, a resist processing unit for performing a resist process including application of a resist solution while the substrate to be processed is transported substantially horizontally, and a substrate to be processed being transported substantially horizontally. , Developer coating, the developer is removed after development, and a development processing unit to perform the drying process with respect to the substrate to be processed is unloaded from the cleaning unit, PlaceA first thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing are integrated, and a substrate to be processed unloaded from the resist processing unit., PlaceA second thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing a predetermined thermal processing are integrated, and a substrate to be processed unloaded from the development processing unit., PlaceA plurality of thermal processing units that perform constant thermal processing, and a third thermal processing unit section that is aggregated, wherein at least one of the first to third thermal processing unit sections includes a plurality of thermal processing unit sections Thermal processing unitIn the height directionArranged in the order of processingAnd sequentially transporting the plurality of thermal processing units in a single stroke on the substrate to be processedA processing apparatus is provided.
[0012]
In the processing apparatus according to the first aspect or the second aspect of the present invention,,PreviousAt least one thermal processing unit sectionInArranges multiple thermal processing units vertically in the order of processingA thermal processing unit setbe able to.Furthermore, the thermal processing unit set may include a carry-in lift table and a carry-out lift table that raise and lower the substrate to be processed on the carry-in side and the carry-out side, respectively.
[0013]
According to the present invention, a plurality of liquid processing units that perform liquid processing such as cleaning processing, resist processing, and development processing are configured such that predetermined liquid processing is performed while a substrate to be processed is transported substantially horizontally. Therefore, it is possible to eliminate the central transport path between the processing units and the central transport apparatus that travels along the central transport path as in the prior art, and space can be saved accordingly. In addition, since each of the liquid processing units is provided with a plurality of thermal processing units that perform subsequent thermal processing, it is possible to save space, and the processing unit can be used for processing the substrate to be processed. Since it can arrange | position along a flow, a throughput can be made high. Moreover, at least one of the thermal processing unit sections includes a plurality of thermal processing units.In the height directionArranged in the order of processingSince the plurality of thermal processing units are sequentially transported in a single stroke on the substrate to be processed,The footprint can be reduced while maintaining a high throughput and without causing problems in the apparatus configuration.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing an LCD glass substrate resist coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
[0015]
The resist coating and developing
[0016]
The cassette station 1 is provided with a
[0017]
The processing station 2 basically has two
[0018]
The scrub cleaning unit (SCR) 21 performs the cleaning process and the drying process while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated in the conventional manner. In the scrub cleaning unit (SCR) 21, the substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the substrate G are provided on opposite short sides. Further, the substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 by the
[0019]
The development processing unit (DEV) 24 also performs the application of the developer, the developer cleaning after the development, and the drying process while being transported substantially horizontally without the substrate G being rotated. Also in this development processing unit (DEV) 24, the substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the substrate G are provided on opposite short sides. Further, the transport of the substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transport mechanism of the development processing unit (DEV) 24.
[0020]
2, the resist processing
[0021]
In the first thermal processing unit section (TS) 26, thermal processing units are arranged in the order of processing. Specifically, for example, as shown in the plan view of FIG. 3, a dehydration bake unit (DHP) 61a that performs a dehydration bake process on the substrate G, and an adhesion process that performs a hydrophobization process (adhesion process) on the substrate G A thermal processing unit set 31a in which a unit (AD) 62a, a cooling unit (COL) 63a for cooling the substrate G are horizontally arranged in that order, a dehydration bake unit (DHP) 61b, an adhesion processing unit (AD) 62b, a cooling A thermal processing unit set 31b in which units (COL) 63b are horizontally arranged in that order is arranged in parallel in a plane. These thermal processing unit sets 31a and 31b are transported in the order of arrangement of the thermal processing units by roller transport or the like and are subjected to a series of thermal processing. Further, a carry-in side moving table 32 is movably provided along the
[0022]
In the second thermal processing unit section (TS) 27, the thermal processing units are arranged in the order of processing. Specifically, for example, as shown in the plan view of FIG. 4, a pre-bake processing unit (PREBAKE) 64a for performing pre-bake processing on the substrate G, and then a cooling unit (COL) 65a for cooling the substrate G are arranged in that order. The thermal processing unit set 34a arranged in the same manner, and the thermal processing unit set 34b in which the pre-baking processing unit (PREBAKE) 64b and the cooling unit (COL) 65b are horizontally arranged in that order are arranged in parallel in a plane. Yes. The thermal processing unit sets 34a and 34b are transported in the order of arrangement of the thermal processing units by roller transport or the like to perform a series of thermal processing. In addition, a carry-in side moving table 35 is movably provided along the
[0023]
In the third thermal processing unit section (TS) 28, the thermal processing units are arranged in the order of processing. Specifically, for example, as shown in the plan view of FIG. 5, a post-bake processing unit (POBAKE) 66a that performs post-bake processing on the substrate G, and then a cooling unit (COL) 67a that cools the substrate G are provided. A thermal processing unit set 37a arranged horizontally in order, a post-baking processing unit (POBAKE) 66b, and a cooling unit (COL) 67b arranged horizontally in that order in parallel in a plane. Has been placed. The thermal processing unit sets 37a and 37b are transported in the order of arrangement of the thermal processing units by roller transport or the like, and are subjected to a series of thermal processing. In addition, a carry-in side moving table 38 is movably provided along the
[0024]
The
[0025]
In the resist coating and developing
[0026]
The board | substrate G arrange | positioned at the carrying-in side movement table 32 is carried in into either thermal processing unit set 31a or 31b. At this time, the carry-in side moving table 32 is moved along the
[0027]
Thereafter, the substrate G placed on the carry-out side moving table 33 is carried into the resist processing
[0028]
In this way, the coating process is completed, and the substrate G carried out from the resist processing
[0029]
The substrate G is transported to the exposure device 4 by the
[0030]
After the exposure is completed, the substrate G is transported to the lower peripheral exposure device (EE) of the
[0031]
After the development processing is completed, the substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport, and the substrate G is subjected to decolorization processing. The
[0032]
Thereafter, the substrate G is transferred to the carry-in side moving table 38 of the third thermal processing unit section (TS) 28 by a transfer mechanism in the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25, for example, roller transfer. The board | substrate G arrange | positioned at the carrying-in side movement table 38 is carried in into either thermal processing unit set 37a or 37b. At this time, the carry-in side moving table 38 is moved along the
[0033]
As described above, the scrub cleaning processing unit (SCR) 21, the resist processing
[0034]
Further, in each thermal processing unit section, two thermal processing unit sets in which a plurality of thermal processing units are horizontally arranged in the order of processing are arranged in parallel, so that even if one is closed, the other is thermally Processing can be performed, and the throughput can be further increased accordingly.
[0035]
Further, the scrub cleaning processing unit (SCR) 21, the resist processing
[0036]
Next, another embodiment will be described. In this embodiment, the structure of each thermal processing unit section is different from the above embodiment. That is, in the above embodiment, two thermal processing unit sets are arranged in parallel in each thermal processing unit section, but in this embodiment, they are arranged in parallel vertically as shown in FIGS.
[0037]
FIG. 6 is a side view showing the first thermal processing unit section (TS) 26 ′ having such a structure. This first thermal processing unit section (TS) 26 'has a heat in which a dewatering bake unit (DHP) 61a', an adhesion processing unit (AD) 62a ', and a cooling unit (COL) 63a' are arranged horizontally in that order. A thermal processing unit set 31b 'in which a dehydration baking unit (DHP) 61b', an adhesion processing unit (AD) 62b ', and a cooling unit (COL) 63b' are horizontally arranged in that order. It is arranged up and down. In addition, a carry-in lift table 71 is provided on the carry-in side of the processing unit sets 31a 'and 31b', and a carry-out lift table 72 is provided on the carry-out side. One of 31a 'and 31b' can be selectively used. Then, the substrate G carried out from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 is received by the carry-in lifting table 71, and the substrate G on the carry-out lifting table 72 is received by the
[0038]
FIG. 7 is a side view showing a second thermal processing unit section (TS) 27 'having such a structure. The second thermal processing unit section (TS) 27 'includes a thermal processing unit set 34a' in which a pre-baking processing unit (PREBAKE) 64a 'and a cooling unit (COL) 65a' are horizontally arranged in that order, and a pre-baking unit. A thermal processing unit set 34b 'in which processing units (PREBAKE) 64b' and cooling units (COL) 65b 'are horizontally arranged in that order is arranged above and below. Also, a carry-in lift table 73 is provided on the carry-in side of the thermal processing unit sets 34a 'and 34b' so as to be lifted and a carry-out lift table 74 is provided on the carry-out side so as to be lifted and lowered. One of the unit sets 34a 'and 34b' can be selectively used. Then, the substrate G unloaded from the resist processing
[0039]
FIG. 8 is a side view showing a third thermal processing unit section (TS) 28 'having such a structure. The third thermal processing unit section (TS) 28 'includes a thermal processing unit set 37a' in which post bake processing units (POBAKE) 66a 'and cooling units (COL) 67a' are horizontally arranged in that order. A post-baking processing unit (POBAKE) 66b 'and a thermal processing unit set 37b' in which cooling units (COL) 67b 'are horizontally arranged in that order are arranged above and below. Further, a carry-in lift table 75 is provided on the carry-in side of the thermal processing unit sets 37a 'and 37b' so that it can be raised and lowered, and a carry-out lift table 76 is provided on the carry-out side so as to be lifted and lowered. One of the general processing unit sets 37a 'and 37b' can be selectively used. Then, the substrate G carried out from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 is received by the carry-in lift table 75, and the substrate G on the carry-out lift table 76 is received by the
[0040]
In any of the embodiments, two thermal processing unit sets are arranged in each thermal processing unit section. However, the present invention is not limited to this, and may be one row or three or more rows. By using two rows, the throughput is improved as compared with the case of one row, but on the contrary, the footprint becomes larger. Therefore, the number of thermal processing unit sets is determined in consideration of throughput and footprint. Thus, in consideration of the balance of throughput and footprint, it is preferable to arrange in two rows.
[0041]
Next, still another embodiment will be described. This embodiment is also characterized by the structure of each thermal processing unit section. That is, in the above two embodiments, the thermal processing units are arranged horizontally in the order of processing, but in this embodiment, the thermal processing units are stacked in the height direction in the order of processing as shown in FIGS. The thermal processing units are sequentially conveyed in a single stroke. In this case, the footprint can be further reduced.
[0042]
FIG. 9 is a side view showing a first thermal processing unit section (TS) 26 ″ having such a structure. This first thermal processing unit section (TS) 26 ″ is a dewatering bake unit (DHP). ) 81, an adhesion processing unit (AD) 82, and a cooling unit (COL) 83 are arranged vertically in that order to form a thermal processing unit set 31c, and a carry-in lift table 91 and a carry-out lift are respectively provided on both sides thereof. A table 92 is provided. Accordingly, the substrate G unloaded from the scrub cleaning unit (SCR) 21 is received by the loading-side lifting table 91, and along the arrows, the dehydration bake unit (DHP) 81, the adhesion processing unit (AD) 82, the cooling unit (COL). ) 83 and is carried out to the carry-out lifting table 92.
[0043]
FIG. 10 is a side view showing a second thermal processing unit section (TS) 27 ″ having such a structure. This second thermal processing unit section (TS) 27 ″ includes two pre-baking units ( PREBAKE) 84, 85 and a cooling unit (COL) 86 are arranged vertically in that order to constitute a thermal processing unit set 34c, and a carry-in lift table 93 and a carry-out lift table 94 are provided on both sides thereof. ing. Accordingly, the substrate G unloaded from the resist processing
[0044]
FIG. 11 is a side view showing a third thermal processing unit section (TS) 28 ″ having such a structure. This third thermal processing unit section (TS) 28 ″ has two post bake units. (POBAKE) 87 and 88 and a cooling unit (COL) 89 are vertically arranged in that order to constitute a thermal processing unit set 37c, and a carry-in lift table 95 and a carry-out lift table 96 are provided on both sides thereof. It has been. Accordingly, the substrate G carried out from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 is received by the carry-in lifting table 95, and a post-bake processing unit (POBAKE) 87 and a post-bake processing unit (POBAKE) 88 along the arrows. The cooling unit (COL) 89 is sequentially transported to the carry-out lifting table 94. The reason why the two post-bake units (POBAKE) are stacked is the same as in the case of the pre-bake processing unit.
[0045]
In the embodiment of FIGS. 9 to 11, two or more thermal processing unit sets configured by stacking three stages may be provided in parallel. Thereby, the throughput can be further improved.
[0046]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the idea of the present invention. For example, in the above-described embodiment, in all the thermal processing unit sections, the thermal processing units are arranged in the order of processing and are sequentially transported to perform processing. However, not all are necessarily such a configuration. May be. The device layout is merely an example and is not limited to this. The processing is not limited to the processing by the resist coating and developing processing apparatus as described above, but can be applied to other apparatuses that perform liquid processing and thermal processing. Furthermore, although the case where an LCD substrate is used as the substrate to be processed has been described, it is needless to say that the present invention is not limited to this and can be applied to the case of processing other substrates to be processed such as color filters.
[0047]
【Effect of the invention】
As described above, according to the present invention, a plurality of liquid processing units for performing liquid processing such as cleaning processing, resist processing, and development processing are performed while a substrate to be processed is conveyed substantially horizontally. Therefore, it is possible to eliminate the central transport path between the processing units and the central transport apparatus that travels along the central transport path as in the prior art, and space can be saved correspondingly. In addition, since each of the liquid processing units is provided with a plurality of thermal processing units that perform subsequent thermal processing, it is possible to save space, and the processing unit can be used for processing the substrate to be processed. Since it can arrange | position along a flow, a throughput can be made high. In addition, since at least one of the thermal processing unit sections has a plurality of thermal processing units arranged in the order of processing, the substrate to be processed is carried into and out of the plurality of thermal processing units in the thermal processing unit section. A transport device is not necessary, and the handling property of the substrate to be processed becomes good, which can increase the throughput. In addition, since there is no need to stack liquid processing units, there is no device problem. Therefore, it is possible to reduce the footprint while maintaining a high throughput and without causing a problem in the apparatus configuration.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing apparatus for an LCD glass substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the inside of a resist processing unit of an LCD substrate resist coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically showing a structure of a first thermal processing unit section of the resist coating and developing processing apparatus for the LCD substrate of FIG. 1; FIG.
4 is a plan view schematically showing the structure of a second thermal processing unit section of the resist coating and developing treatment apparatus for the LCD substrate of FIG. 1; FIG.
5 is a plan view schematically showing the structure of a third thermal processing unit section of the resist coating and developing treatment apparatus for the LCD substrate of FIG. 1. FIG.
FIG. 6 is a plan view schematically showing the structure of a first thermal processing unit section according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view schematically showing the structure of a second thermal processing unit section according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view schematically showing a structure of a third thermal processing unit section according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a plan view schematically showing the structure of a first thermal processing unit section according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a plan view schematically showing a structure of a second thermal processing unit section according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a plan view schematically showing the structure of a third thermal processing unit section according to still another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 ... Cassette station
2 ... Processing station
2a, 2b ... line
3 …… Interface station
21 …… Scrub cleaning unit (liquid processing unit)
23 …… Resist processing unit (liquid processing unit)
24 …… Development processing unit (liquid processing unit)
26, 26 ', 26 "... First thermal processing unit section
27, 27 ', 27 "...... second thermal processing unit section
28, 28 ', 28 "...... Third thermal processing unit section
31a, 31b, 31c, 34a, 34b, 34c, 37a, 37b, 37c ... thermal processing unit set
32, 33, 35, 36, 38, 39 .... Move table
71, 72, 73, 74, 75, 76, 91, 92, 93, 94, 95, 96 ... Lifting table
100: Resist coating and developing treatment device (processing device)
G …… LCD glass substrate
Claims (4)
被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、
前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセクションと
を具備し、
前記熱的処理ユニットセクションの少なくとも1つは、複数の熱的処理ユニットが高さ方向に処理の順に配置され、被処理基板を一筆書き状に前記複数の熱的処理ユニットを順次搬送することを特徴とする処理装置。A processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed,
A plurality of liquid processing units that perform predetermined liquid processing while the substrate to be processed is transported substantially horizontally;
Said provided corresponding to each of the plurality of liquid processing units, and a corresponding plurality of thermal processing in which a plurality of thermal processing units are provided collectively for heat treatment of Jo Tokoro after the liquid processing unit section Comprising
At least one of the thermal processing unit sections includes a plurality of thermal processing units arranged in the order of processing in the height direction, and sequentially transporting the plurality of thermal processing units in a single stroke on a substrate to be processed. Characteristic processing device.
前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、
処理前の被処理基板および/または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と、
処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行うインターフェイス部と
を具備し、
前記処理部は、
被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第1の熱的処理ユニットセクションと、
前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第2の熱的処理ユニットセクションと、
前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第3の熱的処理ユニットセクションと
を有し、
前記第1から第3の熱的処理ユニットセクションの少なくとも1つは、複数の熱的処理ユニットが高さ方向に処理の順に配置され、被処理基板を一筆書き状に前記複数の熱的処理ユニットを順次搬送することを特徴とする処理装置。A processing apparatus for performing a series of processing including cleaning, resist coating and development after exposure on a substrate to be processed,
A processing unit including a plurality of processing units for performing predetermined processing on each of the substrates to be processed corresponding to the series of processing;
A loading / unloading unit for loading and unloading the substrate to be processed with respect to the processing unit;
An interface unit for transferring a substrate to be processed between the processing unit and the exposure apparatus;
The processor is
A cleaning processing unit in which a cleaning process and a drying process are performed with the cleaning liquid while the substrate to be processed is conveyed substantially horizontally;
A resist processing unit for performing resist processing including application of a resist solution while a substrate to be processed is conveyed substantially horizontally;
A development processing unit that applies the developer, removes the developer after development, and performs a drying process while the substrate to be processed is conveyed substantially horizontally;
To the substrate to be processed is unloaded from the cleaning unit, a first thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing thermal processing of Jo Tokoro are aggregated,
The resist to the substrate to be processed is unloaded from the processing unit, and a second thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing thermal processing of Jo Tokoro are aggregated,
The relative target substrate taken out from the development processing unit, and a third thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing thermal processing of Jo Tokoro are aggregated,
At least one of the first to third thermal processing unit sections includes a plurality of thermal processing units arranged in the order of processing in the height direction , and the plurality of thermal processing units in a single stroke of a substrate to be processed. A processing apparatus characterized by sequentially transporting .
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