JP2012094678A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012094678A JP2012094678A JP2010240585A JP2010240585A JP2012094678A JP 2012094678 A JP2012094678 A JP 2012094678A JP 2010240585 A JP2010240585 A JP 2010240585A JP 2010240585 A JP2010240585 A JP 2010240585A JP 2012094678 A JP2012094678 A JP 2012094678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting element
- region
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】 取り出される光の発光効率を向上させることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光素子2を実装した光透過性のセラミック基板3と、セラミック基板3の下面に設けられ、光透過性の放熱グリース4を介して接続された放熱フィン5を備えた、発光装置1であって、放熱フィン5の表面は、セラミック基板3の下面と対向する箇所の第1領域F1の放射率が、第1領域F1を除く第2領域F2の放射率よりも小さい。
【選択図】図1
【解決手段】 発光素子2を実装した光透過性のセラミック基板3と、セラミック基板3の下面に設けられ、光透過性の放熱グリース4を介して接続された放熱フィン5を備えた、発光装置1であって、放熱フィン5の表面は、セラミック基板3の下面と対向する箇所の第1領域F1の放射率が、第1領域F1を除く第2領域F2の放射率よりも小さい。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。
近年、発光素子を含む光源を有している発光装置の開発が進められている。発光素子を有する発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されており、例えば住宅用照明分野などにおいて用いられている。この発光素子を有する発光装置は、温度によっては視認する光の色が異なるため、温度の影響を低減する技術が考えられている。
なお、例えば、放熱フィンを備えた発光装置が開示されている(下記特許文献1参照)。
発光装置は、視認する光の色を良好に維持するとともに、発光効率を向上させる技術が求められている。
本発明の一実施態様に係る発光装置は、発光素子を実装した光透過性のセラミック基板と、前記セラミック基板の下面に設けられ、光透過性の放熱グリースを介して接続された放熱フィンを備えた、発光装置であって、前記放熱フィンの表面は、前記セラミック基板の下面と対向する箇所の第1領域における熱の放射率が、前記第1領域を除く第2領域における熱の放射率よりも小さいことを特徴とする。
本発明によれば、視認する光の色を良好に維持するとともに、発光効率を向上させた発光装置を提供することができる。
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる発光装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
<発光装置の構成>
図1は、本実施形態に係る発光装置1の概観斜視図であって、その一部を断面視している。また、図2は、図1に示す発光装置の断面図である。また、図3は、発光装置の平面図であって、発光素子の一部である波長変換部および封止樹脂を取り除いた状態を示して
いる。また、図4は、放熱フィンの上面図であって、発光装置が実装される領域と発光装置が実装されない領域を示している。
図1は、本実施形態に係る発光装置1の概観斜視図であって、その一部を断面視している。また、図2は、図1に示す発光装置の断面図である。また、図3は、発光装置の平面図であって、発光素子の一部である波長変換部および封止樹脂を取り除いた状態を示して
いる。また、図4は、放熱フィンの上面図であって、発光装置が実装される領域と発光装置が実装されない領域を示している。
本実施形態に係る発光装置1は、発光素子2を実装した光透過性のセラミック基板3と、セラミック基板3の下面に設けられ、光透過性の放熱グリース4を介して接続された放熱フィン5と、を備えている。なお、発光素子2は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。
セラミック基板3は、発光素子2が実装される実装領域Rを有している。セラミック基板3は、発光素子2の発する光を透過することができる材料からなる絶縁性の基板である。セラミック基板3は、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウムまたはガラスセラミックスなどのセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系のセラミック材料から構成されている。
また、セラミック基板3には、セラミック基板3の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅などの導電材料からなる。配線導体は、例えばタングステンなどの粉末に有機溶剤を添加した金属ペーストを、セラミック基板3の上面の一部に対して、所定パターンで印刷して形成することができる。なお、セラミック基板3の内外に露出する配線導体の表面には、酸化防止のためにニッケルまたは金などのめっき層が被着されている。
また、セラミック基板3には、発光素子2からの光によって励起される蛍光材料が含まれていてもよい。この結果、蛍光材料から発生される光が、第1領域F1で上方向に反射されて発光装置1の光出力に寄与することから、発光装置1の光出力が向上する。
発光素子2は、セラミック基板3上であって実装領域Rに実装される。具体的には、発光素子2は、セラミック基板3上に形成される配線導体上に、例えば半田または導電性接着剤を介して電気的に接続される。
発光素子2は、実装基板と、実装基板上に形成される光半導体層とを有している。実装基板は、有機金属化学気相成長法などの化学気相成長法または分子線エピタキシャル成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものである。実装基板に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウムなどを用いることができる。なお、実装基板の厚みは、例えば100μm以上1000μm以下である。
光半導体層は、実装基板上に形成される第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層と、から構成されている。
第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム
燐またはガリウムヒ素などのIII−V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニ
ウムまたは窒化インジウムなどのIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、
第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子2は、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発することができる。
燐またはガリウムヒ素などのIII−V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニ
ウムまたは窒化インジウムなどのIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、
第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子2は、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発することができる。
セラミック基板3上には、発光素子2を取り囲むように枠体6が設けられている。枠体6は、発光素子2を保護するものである。枠体6は、セラミック基板3上に例えば半田ま
たは接着剤を介して接続される。
たは接着剤を介して接続される。
枠体6は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウムなどの多孔質材料からなる。枠体6は、多孔質材料からなり、枠体6の表面は微細な孔が多数形成される。そして、発光素子2から発せられる光が、枠体6の内壁面にて拡散反射する。そして、発光素子2から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。
枠体6は、発光素子2と間を空けて、発光素子2の周りを取り囲むように形成されている。そして、枠体6の内壁面が、発光素子2から発せられる光の反射面として機能する。
枠体6は、上端内側には段差Bが設けられている。段差Bは、波長変換部7を支持するためのものである。段差Bは、枠体6の上部の一部を内側に向けて切欠いたものであって、波長変換部7の端部を支持することができる。
枠体6で囲まれる領域は、段差Bを除く箇所においては下端から上端に従い外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体6の内壁面は、段差Bを除く箇所においては傾斜するように設定されている。枠体6は、セラミック基板3上に発光素子2を取り囲むように設けられ、段差Bを除く箇所における内壁面の上端の高さ位置が発光素子2の上面の高さ位置よりも高く設定されている。そして、枠体6の内壁面の上端の高さ位置が発光素子2の上面の高さ位置よりも高く設定されることで、発光素子2が斜め上方に向かって発する励起光を枠体6の傾斜する内壁面にて拡散反射させることができ、励起光の進行する方向を拡散させることができる。その結果、発光素子が発する励起光が、波長変換部7の下面全面に向かって照射される。
また、枠体6の傾斜する内壁面は、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀などから成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金などから成るめっき金属層を形成してもよい。このめっき金属層は、発光素子2の発する光を反射、吸収させる機能を有する。なお、枠体6の傾斜する内壁面の傾斜角度は、セラミック基板3の上面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。
枠体6で囲まれる領域には、封止樹脂8が充填されている。封止樹脂8は、発光素子2を封止するとともに、発光素子2から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂8は、枠体6の内方に発光素子2を収容した状態で、枠体6で囲まれる領域であって、段差Bの高さ位置よりも低い位置まで充填される。なお、封止樹脂8は、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などの透光性の絶縁樹脂が用いられる。
波長変換部7は、枠体6の段差B上に支持されるとともに、発光素子2と間を空けて対向するように設けられる。そして、波長変換部7は、発光素子2を封止する封止樹脂8と空隙を介して枠体6上に設けられる。
波長変換部7は、発光素子2から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部7には、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などから成り、その樹脂中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部7中に均一に分散している。なお、波長変換部7の厚みは、例えば0.3以上1mm以下に設定されている。
波長変換部7の端部は、枠体6の段差B上に位置しており、枠体6によって波長変換部7の端部側面が囲まれている。そのため、発光素子2から波長変換部7の内部に進入した光が、波長変換部7の側面にまで達することがある。その波長変換部7の側面から枠体6に向かって進行する光を枠体6の内壁面にて反射することで、反射された光を再び波長変換部7内に戻すことができる。その結果、波長変換部7内に再び戻った光によって蛍光体が励起され、発光装置1の光出力を向上させることができる。
波長変換部7は、接着部9を介して枠体6に接合されている。接着部9は、波長変換部7の下面の端部から波長変換部7の側面、さらに波長変換部7の上面の端部にかけて被着している。
接着部9が、波長変換部7の下面の端部にまで被着することで、接着部9が被着する面積を大きくし、枠体6と波長変換部7とを強固に接続することができる。その結果、枠体6と波長変換部7との接続強度を向上させることができ、波長変換部7の撓みが抑制される。そして、発光素子2と波長変換部7との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。
接着部9は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。また、接着部9は、例えば、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。
接着部9の材料は、枠体6の熱膨張率と波長変換部7の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料が選択される。接着部9の材料として、このような材料を選択することで、枠体6と波長変換部7とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して、両者が剥離しようとするのを抑制することができる。
なお、発光素子2は、蛍光体が含有された封止樹脂8によって封止されてもよい。この場合、波長変換部7を作製するとともに、接着部9によって波長変換部7を段差B上に接着するという工程が省かれることにより、発光装置1の製造コストを減らすことができる。
放熱フィン5は、放熱グリース4を介してセラミック基板3の下面に設けられている。放熱グリース4は、発光素子2から発生する熱をセラミック基板3から放熱グリース4を介して放熱フィン5に伝達するものである。発光素子2は、発光する際に熱が発生する。その熱の一部が、セラミック基板3に伝わる。そして、放熱グリース4は、セラミック基板3に伝わった熱を放熱フィン5に向かって伝えることができる。また、放熱グリース4は、発光素子2が発する光を透過することができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂または低融点ガラスなどの光透過性の材料からなる。
放熱グリース4の下面には、放熱フィン5が設けられている。放熱フィン5は、発光素子2が高温になるのを抑制し、発光素子2から放射される光のピーク波長が変化することともに、発光素子2から放射される光のピーク波長に依存し、波長変換部7から放射される光の波長スペクトルが変動することが抑制され、発光装置1の外部に取り出される光の色が変化するのを抑制するものである。さらに、放熱フィン5は、発光素子2の作動温度に依存し、発光素子2の発光効率が低下することが抑制される。なお、放熱フィン5は、セラミック基板3と接合するための矩形状の板部と、表面積を大きくするための複数のフィン部とを有している。
波長変換部7は、温度によって蛍光体が励起した可視光の波長帯が変化したり、波長変換効率が低下したりする。そのため、放熱フィン5を発光素子2の下方に設けることで、発光素子2の熱が枠体6や封止樹脂8を介して波長変換部7に伝達することによって波長変換部7の温度が大きく変化しにくくすることができ、外部に取り出される光の色が変化するのを抑制することができる。
放熱フィン5の表面は、セラミック基板2の下面と対向する第1領域F1における熱の放射率が、セラミック基板2の下面と対向する箇所を除く第2領域F2における熱の放射率よりも小さくなるように設定されている。なお、第1領域F1および第2領域F2は、酸化処理や化学研磨やブラスト研磨による表面粗化、化学研磨による鏡面処理、着色された樹脂や塗料を塗布したり、光を透過する透明性の樹脂にセラミック粉末が含有された被覆層を形成したりすることで、熱の放射率を調整することができる。第1領域F1における熱の放射率は、例えば0.1以上0.6以下であり、第2領域F2における熱の放射率は、例えば0.7以上0.9以下であって、第1領域F1における熱の放射率が第2領域F2における熱の放射率よりも小さくなるように設定されている。なお、放射率とは、JIS A 1423に準拠して測定した値であり、値が小さいほど熱を蓄積し、放射しない傾向にあることを示す。なお、ここで放射率は、黒体を1としたときの比率で、例えば、表面を酸化した鉄板の放射率は0.7程度である。
放熱フィン5は、例えばアルミニウムまたは銅などの放熱性の優れた金属材料から構成されている。そして、放熱フィン5の第1領域F1に対応する箇所は、放熱フィン5の地金が露出するように形成されている。また、放熱フィン5の第2領域F2に対応する箇所は、例えば、酸化処理によって第1領域F1の自然酸化膜の厚さより厚くされるとともに、黒色の塗料または黒色の樹脂などが塗布された黒色酸化膜が形成されている。黒色酸化膜は、例えばアルミニウムまたは銅などの放熱性の優れた金属材料の表面を酸化処理して酸化膜を形成し、その表面に黒色の塗料または黒色の樹脂などを塗布することによって、第2領域F2に設けることができる。
また、第1領域F1は、アルミニウムなどの白色の地金を露出させることで、発光素子2の発する光に対して反射性を向上させることができる。または、第1領域F1に、透明性のシリコーン樹脂やアクリル樹脂に白色のセラミック粉末が含有された樹脂を塗布することにより、発光素子2からの光を効率よく反射するとともに、第1領域F1における熱の放射率を小さくすることができる。また、第2領域F2は、酸化処理されることによって熱の放射率が大きくなり、放熱フィン5の内部の熱を電磁波として効率よく大気中に放射することができ、放熱フィン5の温度を下げるとともに、表面の色を黒色にすることで、黒体放射を用いることで放熱フィン5の温度を下げるとともに、外部に向かって熱を放射することができる。仮に、第1領域F1についても、第2領域F2と同様に熱の放射率を大きくし、黒体放射を用いる構成にしたと仮定した場合は、発光素子2が発する光を第1領域F1において反射せずに、発光素子2の発する光を吸収し、発光効率が低下してしまう。さらに、放熱フィン5内部の熱が電磁波として第1領域F1から放射され、第1領域F1の上側に位置する発光素子2、封止樹脂8および波長変換部7に吸収され、発光素子2、封止樹脂8および波長変換部7が温度上昇することによって発光装置1から放射される光の波長スペクトルが変化したり、封止樹脂8または波長変換部7の透過率が劣化したり、発光素子2の発光効率または波長変換部7の波長変換効率が変化したりする。
放熱フィン5の第1領域F1は、金属材料の地金が露出されたり、透明性のシリコーン樹脂に白色のセラミック粉末が含有された樹脂を塗布されたりすることにより、発光素子2が発する光の反射面として機能する。放熱フィン5の第1領域F1と発光素子2との間には、セラミック基板2および放熱グリース4が介在されているものの、両者は発光素子2の発する光を透過する透過性材料からなるため、発光素子2の発する光が第1領域F1
にまで到達することができる。そして、発光素子2の発した光が、反射面として機能する第1領域F1にて反射して、上方に向かって進行することができる。そして、発光素子2の発した光のうち上方に向かって進行する光と、発光素子2の発した光のうち下方に向かって進行するが、第1領域F1にて反射して再度上方に向かって進行する光が合わさる。その結果、波長変換部7に進入する光量を多くすることができ、波長変換部7内にて蛍光体が励起する量を増やすことができる。そして、波長変換部7内から外部に取り出される可視光の量を多くすることができ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。
にまで到達することができる。そして、発光素子2の発した光が、反射面として機能する第1領域F1にて反射して、上方に向かって進行することができる。そして、発光素子2の発した光のうち上方に向かって進行する光と、発光素子2の発した光のうち下方に向かって進行するが、第1領域F1にて反射して再度上方に向かって進行する光が合わさる。その結果、波長変換部7に進入する光量を多くすることができ、波長変換部7内にて蛍光体が励起する量を増やすことができる。そして、波長変換部7内から外部に取り出される可視光の量を多くすることができ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。
本実施形態によれば、発光素子2を実装したセラミック基板3の下面に放熱フィン5を設けることで、発光素子2高温になるのを抑制することができる。さらに、放熱フィン5の上面であって、発光素子2と対向する第1領域F1における熱の放射率をその箇所を除いた第2領域F2における熱の放射率よりも小さくすることで、放熱フィン5の上面にて発光素子2の発する光を反射させることができ、発光効率を向上させることができる。さらに、放熱フィン5内部の熱が電磁波として第1領域F1から放射され、この電磁波が第1領域F1の上側に位置する発光素子2、封止樹脂8および波長変換部7に吸収され、発光素子2、封止樹脂8および波長変換部7が温度上昇することによって発光装置1から放射される光の波長スペクトルが変化したり、封止樹脂8または波長変換部7の透過率が劣化したり、発光素子2の発光効率または波長変換部7の波長変換効率が変化したりすることが抑制される。
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
<発光装置の製造方法>
ここで、図1に示す発光装置の製造方法を説明する。まず、セラミック基板3および枠体6を準備する。セラミック基板3および枠体6が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤などを添加混合して混合物を得る。
ここで、図1に示す発光装置の製造方法を説明する。まず、セラミック基板3および枠体6を準備する。セラミック基板3および枠体6が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤などを添加混合して混合物を得る。
そして、周知のセラミック加工技術を用いて、混合物からセラミック基板3となるセラミックグリーンシートを準備することができる。また、枠体6は、枠体6の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の枠体6を取り出す。
また、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤などを添加混合して金属ペーストを得る。そして、セラミック基板3となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成することによってセラミック基板3が作製される。
また、枠体6は、焼結前の枠体6を所望の温度で焼成されることによって枠体6が作製される。
次に、セラミック基板3上の配線導体の表面上に、発光素子2を半田を介して電気的に接続するとともに、発光素子2を取り囲むように枠体6が接着材によって接着される。そして、枠体6で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、シリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂8を形成する。
次に、波長変換部7を準備する。波長変換部7は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えば、ドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法などのシート成形技術を用いて、作製することができる。
そして、準備した波長変換部7を枠体6の段差B上に、例えば樹脂からなる接着部9を介して接着する。
次に、放熱フィン5を準備する。放熱フィン5は、例えば放熱フィン5の鋳型に溶けたアルミニウムを注入して、それを固化して取り出すことで得ることができる。
そして、セラミック基板3の下面と対向する箇所は、研磨することで、アルミニウムの地金を露出させる。さらに、セラミック基板3の下面と対向しない箇所には、酸化処理を施すとともに黒色塗料を塗布することで、黒色酸化膜を形成することができる。
最後に、放熱フィン5は、発光素子2を実装した状態のセラミック基板2の下面に対して、放熱グリース4を介して接合することで、発光装置1を作製することができる。
1 発光装置
2 発光素子
3 セラミック基板
4 放熱グリース
5 放熱フィン
6 枠体
7 波長変換部
8 封止樹脂
9 接着部
R 実装領域
B 段差
F1 第1領域
F2 第2領域
2 発光素子
3 セラミック基板
4 放熱グリース
5 放熱フィン
6 枠体
7 波長変換部
8 封止樹脂
9 接着部
R 実装領域
B 段差
F1 第1領域
F2 第2領域
Claims (3)
- 発光素子を実装した光透過性のセラミック基板と、
前記セラミック基板の下面に設けられ、光透過性の放熱グリースを介して接続された放熱フィンとを備えた、発光装置であって、
前記放熱フィンの表面は、前記セラミック基板の下面と対向する第1領域における熱の放射率が、前記第1領域を除く第2領域における熱の放射率よりも小さいことを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記第1領域は、前記発光素子が発して前記セラミック基板および前記放熱グリースを透過する光を反射する反射面を有していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2に記載の発光装置であって、
前記放熱フィンは金属材料から構成されており、前記第2領域に黒色酸化膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010240585A JP2012094678A (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010240585A JP2012094678A (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012094678A true JP2012094678A (ja) | 2012-05-17 |
Family
ID=46387698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010240585A Pending JP2012094678A (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012094678A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041929A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Stanley Electric Co Ltd | ヒートシンク及びこれを備えた高効率放熱構造 |
WO2015144717A1 (de) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Ceramtec Gmbh | Transluzente mit led bestückte platinen und/oder kühlkörper |
JP2016111168A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | スタンレー電気株式会社 | 光学装置 |
JP2016115899A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 光学装置 |
-
2010
- 2010-10-27 JP JP2010240585A patent/JP2012094678A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041929A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Stanley Electric Co Ltd | ヒートシンク及びこれを備えた高効率放熱構造 |
WO2015144717A1 (de) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Ceramtec Gmbh | Transluzente mit led bestückte platinen und/oder kühlkörper |
JP2016111168A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | スタンレー電気株式会社 | 光学装置 |
JP2016115899A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 光学装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5393802B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5393796B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2019145690A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
WO2012011528A1 (ja) | 発光装置および照明装置 | |
JP2012094678A (ja) | 発光装置 | |
JP5634519B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2012129003A (ja) | 照明装置 | |
WO2013015140A1 (ja) | 照明装置 | |
JP5748575B2 (ja) | 発光装置 | |
WO2011125428A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2014160811A (ja) | 発光装置 | |
JP2005285871A (ja) | 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置 | |
JP6294119B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5717622B2 (ja) | 照明装置 | |
JP5748599B2 (ja) | 照明装置 | |
JP5683366B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2012009719A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
WO2011037184A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2014123598A (ja) | 発光装置 | |
JP2013110297A (ja) | 発光装置 | |
WO2013108738A1 (ja) | 発光装置 | |
JP6010404B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6525782B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5748611B2 (ja) | 発光装置 | |
WO2015182537A1 (ja) | 発光装置 |